国产精品1024永久观看,大尺度欧美暖暖视频在线观看,亚洲宅男精品一区在线观看,欧美日韩一区二区三区视频,2021中文字幕在线观看

  • <option id="fbvk0"></option>
    1. <rt id="fbvk0"><tr id="fbvk0"></tr></rt>
      <center id="fbvk0"><optgroup id="fbvk0"></optgroup></center>
      <center id="fbvk0"></center>

      <li id="fbvk0"><abbr id="fbvk0"><dl id="fbvk0"></dl></abbr></li>

      一種籽晶漂浮于生長溶液的GaN晶體生長裝置的制作方法

      文檔序號:11836586閱讀:900來源:國知局

      本實用新型涉及晶體生長裝置領(lǐng)域,具體涉及一種籽晶漂浮于生長溶液的GaN晶體生長裝置。



      背景技術(shù):

      GaN是一種具有較大禁帶寬度的半導(dǎo)體,可作為微波功率晶體管的優(yōu)良材料,也是藍(lán)色光發(fā)光器件中的一種具有重要應(yīng)用價值的半導(dǎo)體。GaN晶體的生長方法主要有氫化物氣相外延、高溫高壓法、鈉流法和氨熱法,其中鈉流法和高溫高壓法都采用氮?dú)庾鳛镚aN晶體生長的氮源,N在氮?dú)夥諊c金屬鎵溶液界面、或者氮?dú)夥諊c金屬鎵/金屬鈉混合溶液的界面處溶解,然后向低N濃度的溶液底部擴(kuò)散,輸送到GaN籽晶的表面成為晶體生長的氮源。因此,溶液頂部的N濃度高于籽晶處的底部,導(dǎo)致頂部區(qū)域由于N濃度過飽和而自發(fā)形核成不需要的GaN多晶,產(chǎn)生額外的原材料消耗,嚴(yán)重影響目標(biāo)籽晶處的液相外延生長。

      專利號為201520345573.8的中國實用新型專利公開了一種GaN晶體生長裝置,包括高壓釜,該高壓釜內(nèi)裝設(shè)有坩堝,該坩堝內(nèi)填充有晶體生長溶液,坩堝內(nèi)放置有位于晶體生長溶液內(nèi)的GaN籽晶,所述坩堝內(nèi)設(shè)有浮在晶體生長溶液上的漂浮體,GaN籽晶生長面的背面與該漂浮體連接,漂浮體利用浮力帶著GaN籽晶漂浮在晶體生長溶液上。當(dāng)為了更好的結(jié)晶,攪拌溶液以使N分布均勻時,這種晶體生長裝置中的漂浮體會阻礙傳統(tǒng)攪拌裝置的設(shè)置,而且在溶液攪拌過程中漂浮體位置會移動,不能保持在中心位置以獲得較好的結(jié)晶效果。



      技術(shù)實現(xiàn)要素:

      本實用新型的目的在于克服現(xiàn)有技術(shù)中存在的上述問題,提供一種籽晶漂浮于生長溶液的GaN晶體生長裝置,通過在坩堝底部設(shè)置轉(zhuǎn)盤來實現(xiàn)攪拌液體的效果,同時通過拉繩來對漂浮體位置進(jìn)行有效限制,保障結(jié)晶效果。

      為實現(xiàn)上述技術(shù)目的,達(dá)到上述技術(shù)效果,本實用新型是通過以下技術(shù)方案實現(xiàn):

      一種籽晶漂浮于生長溶液的GaN晶體生長裝置,包括釜體,所述釜體內(nèi)設(shè)有坩堝,所述坩堝中裝設(shè)有生長溶液,所述生長溶液的表面處通過漂浮體固定有籽晶,所述漂浮體通過至少一個拉繩限制在生長溶液表面處的中心區(qū)域,所述坩堝的下端設(shè)有轉(zhuǎn)盤,所述轉(zhuǎn)盤通過轉(zhuǎn)軸連接有位于釜體外的轉(zhuǎn)動電機(jī)。

      進(jìn)一步地,所述生長溶液由金屬鎵與金屬鈉混合而成。

      進(jìn)一步地,所述漂浮體為密度小于晶體生長溶液的實心體,上端設(shè)有便于固定拉繩的穿孔。

      進(jìn)一步地,所述拉繩由耐高溫纖維編織而成。

      進(jìn)一步地,所述轉(zhuǎn)軸與釜體連接處設(shè)有軸封。

      本實用新型的有益效果是:

      本實用新型中籽晶通過漂浮體漂浮于生長溶液,轉(zhuǎn)動電機(jī)通過轉(zhuǎn)軸驅(qū)動轉(zhuǎn)盤旋轉(zhuǎn),坩堝也隨之旋轉(zhuǎn),通過這種方式加快N在氮?dú)夥諊c生長溶液界面處溶解,改善生長溶液中N濃度分布均衡性,利于結(jié)晶,同時漂浮體在拉繩限制作用下始終處于生長溶液表面處的中心區(qū)域,進(jìn)一步保障結(jié)晶效果。

      當(dāng)然,實施本實用新型的任一產(chǎn)品并不一定需要同時達(dá)到以上所述的所有優(yōu)點。

      附圖說明

      為了更清楚地說明本實用新型實施例的技術(shù)方案,下面將對實施例描述所需要使用的附圖作簡單地介紹,顯而易見地,下面描述中的附圖僅僅是本實用新型的一些實施例,對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講,在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下,還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。

      圖1為本實用新型所述籽晶漂浮于生長溶液的GaN晶體生長裝置的結(jié)構(gòu)示意圖;

      附圖中,各標(biāo)號所代表的部件列表如下:

      1-釜體,2-坩堝,3-生長溶液,4-漂浮體,5-籽晶,6-拉繩,7-轉(zhuǎn)盤,8-轉(zhuǎn)軸,9-轉(zhuǎn)動電機(jī)。

      具體實施方式

      下面將結(jié)合本實用新型實施例中的附圖,對本實用新型實施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述,顯然,所描述的實施例僅僅是本實用新型一部分實施例,而不是全部的實施例?;诒緦嵱眯滦椭械膶嵤├?,本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有作出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其它實施例,都屬于本實用新型保護(hù)的范圍。

      請參閱圖1所示,本實用新型為一種籽晶漂浮于生長溶液的GaN晶體生長裝置,包括釜體1,釜體1內(nèi)設(shè)有坩堝2,坩堝2中裝設(shè)有生長溶液3,生長溶液3的表面處通過漂浮體4固定有籽晶5,漂浮體4通過至少一個拉繩6限制在生長溶液3表面處的中心區(qū)域,坩堝2的下端設(shè)有轉(zhuǎn)盤7,轉(zhuǎn)盤7通過轉(zhuǎn)軸8連接有位于釜體1外的轉(zhuǎn)動電機(jī)9。

      其中,生長溶液3由金屬鎵與金屬鈉混合而成。

      其中,漂浮體4為密度小于晶體生長溶液的實心體,上端設(shè)有便于固定拉繩6的穿孔。

      其中,拉繩6由耐高溫纖維編織而成。

      其中,轉(zhuǎn)軸8與釜體1連接處設(shè)有軸封。

      本實施例的一個具體應(yīng)用為:坩堝2內(nèi)填裝金屬鎵與金屬鈉混合組成的生長溶液3,籽晶5通過漂浮體4漂浮于生長溶液3中,轉(zhuǎn)動電機(jī)9通過轉(zhuǎn)軸8驅(qū)動轉(zhuǎn)盤9旋轉(zhuǎn),坩堝2也隨之旋轉(zhuǎn),通過這種方式加快N在氮?dú)夥諊c生長溶液3界面處溶解,改善生長溶液3中N濃度分布均衡性,利于結(jié)晶,同時漂浮體4在拉繩6限制作用下始終處于生長溶液3表面處的中心區(qū)域,進(jìn)一步保障結(jié)晶效果。

      在本說明書的描述中,參考術(shù)語“一個實施例”、“示例”、“具體示例”等的描述意指結(jié)合該實施例或示例描述的具體特征、結(jié)構(gòu)、材料過著特點包含于本實用新型的至少一個實施例或示例中。在本說明書中,對上述術(shù)語的示意性表述不一定指的是相同的實施例或示例。而且,描述的具體特征、結(jié)構(gòu)、材料或者特點可以在任何的一個或多個實施例或示例中以合適的方式結(jié)合。

      以上公開的本實用新型優(yōu)選實施例只是用于幫助闡述本實用新型。優(yōu)選實施例并沒有詳盡敘述所有的細(xì)節(jié),也不限制該實用新型僅為所述的具體實施方式。顯然,根據(jù)本說明書的內(nèi)容,可作很多的修改和變化。本說明書選取并具體描述這些實施例,是為了更好地解釋本實用新型的原理和實際應(yīng)用,從而使所屬技術(shù)領(lǐng)域技術(shù)人員能很好地理解和利用本實用新型。本實用新型僅受權(quán)利要求書及其全部范圍和等效物的限制。

      當(dāng)前第1頁1 2 3 
      網(wǎng)友詢問留言 已有0條留言
      • 還沒有人留言評論。精彩留言會獲得點贊!
      1