本發(fā)明涉及鍍膜玻璃生產(chǎn)技術(shù)，具體地指一種高性能可鋼雙銀LOW-E玻璃。

背景技術(shù)：

雙銀Low-E鍍膜玻璃是一種新型高光熱選擇性建筑節(jié)能玻璃，與單銀Low-E鍍膜玻璃相比，一方面，其在不降低可見光透過率的同時具有更低的遮陽系數(shù)，能更大限度地將太陽光過濾成冷光源，另一方面，雙銀Low-E鍍膜玻璃的傳熱系數(shù)較單銀Low-E更低，進(jìn)一步提高了外窗的保溫性能，真正達(dá)到了冬暖夏涼?？偟膩碚f，雙銀Low-E鍍膜玻璃較單銀Low-E鍍膜玻璃在滿足良好采光性能的同時，更大程度地提高了室內(nèi)熱舒適度，減少了設(shè)備采暖制冷的運(yùn)行時間，節(jié)約了電能，是節(jié)約環(huán)保的好產(chǎn)品。由于雙銀Low-E鍍膜玻璃膜層較多，且有兩層金屬銀，鍍制高結(jié)晶性的生長層是獲得連續(xù)高質(zhì)量金屬銀層的關(guān)鍵。但目前雙銀LOW-E鍍膜玻璃的金屬保護(hù)層和銀層氧化嚴(yán)重，進(jìn)而使得膜層機(jī)械加工性不好，不利于加工廠商使用。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

本發(fā)明的目的就是要提供一種高性能可鋼雙銀LOW-E玻璃，該玻璃機(jī)械加工性能好，光熱性能高。

為實現(xiàn)上述目的，本實用新型采用的技術(shù)方案是：一種高性能可鋼雙銀LOW-E玻璃，包括玻璃基底及鍍制于所述玻璃基底上的鍍膜層，所述鍍膜層由內(nèi)向外依次包括第一介質(zhì)層，第一生長層，第一保護(hù)層，第一銀層，第二保護(hù)層，第二生長層，第二介質(zhì)層，第三生長層，第三保護(hù)層，第二銀層，第四保護(hù)層，第四生長層，第三介質(zhì)層。

本發(fā)明制得的雙銀LOW-E玻璃，其鍍層抗化學(xué)腐蝕性和機(jī)械性能優(yōu)良，而且雙銀LOW-E玻璃光學(xué)性能優(yōu)良、機(jī)械加工性能好，解決了雙銀 LOW-E鍍膜玻璃的金屬保護(hù)層和銀層氧化嚴(yán)重導(dǎo)致膜層機(jī)械加工性不好的問題。

進(jìn)一步地，所述第一生長層，所述第二生長層，所述第三生長層及所述第四生長層均為第三主族金屬與H共摻雜的ZnO透明導(dǎo)電氧化物薄膜，各層厚度為5～40nm。采用第三主族金屬(Al，Ga或In)與H共摻雜的ZnO(AZO、GZO、IZO)透明導(dǎo)電氧化物薄膜，不但保證了ZnO晶體結(jié)構(gòu)的完整，也避免了金屬保護(hù)層和銀層的氧化，從而大幅提升了雙銀LOW-E玻璃的機(jī)械加工性能和光熱性能。

進(jìn)一步地，所述第一介質(zhì)層，所述第二介質(zhì)層及所述第三介質(zhì)層均為Si₃N₄薄膜，各層厚度為20～80nm。

進(jìn)一步地，所述第一保護(hù)層，所述第二保護(hù)層，所述第三保護(hù)層及所述第四保護(hù)層均為NiCr合金薄膜，各層厚度為0.5～3nm。

進(jìn)一步地，所述第一銀層和所述第二銀層的厚度分別為8～20nm；所述第一銀層與所述第二銀層厚度比為1:1～3。

上述高性能可鋼雙銀LOW-E玻璃的制造方法，在玻璃基底上由內(nèi)向外依次鍍制第一介質(zhì)層，第一生長層，第一保護(hù)層，第一銀層，第二保護(hù)層，第二生長層，第二介質(zhì)層，第三生長層，第三保護(hù)層，第二銀層，第四保護(hù)層，第四生長層，第三介質(zhì)層。

本發(fā)明采用連續(xù)真空磁控濺射工藝依次鍍制第一介質(zhì)層，第一生長層，第一保護(hù)層，第一銀層，第二保護(hù)層，第二生長層，第二介質(zhì)層，第三生長層，第三保護(hù)層，第二銀層，第四保護(hù)層，第四生長層，第三介質(zhì)層，制得的雙銀LOW-E玻璃，其鍍層抗化學(xué)腐蝕性和機(jī)械性能優(yōu)良，而且雙銀LOW-E玻璃光學(xué)性能優(yōu)良和機(jī)械加工性能好，解決了雙銀LOW-E鍍膜玻璃的金屬保護(hù)層和銀層氧化嚴(yán)重導(dǎo)致膜層機(jī)械加工性不好的問題。

進(jìn)一步地，鍍制所述第一生長層，所述第二生長層，所述第三生長層時，采用脈沖直流磁控濺射工藝鍍制，靶材為摻雜第三主族金屬的ZnO陶瓷靶，靶材致密度＞99.5％，濺射氣氛為Ar和H₂。第一生長層 和第二生長層通過脈沖直流磁控濺射摻雜第三主族金屬的ZnO(如AZO、GZO、IZO)陶瓷靶鍍制，濺射過程中H₂電離為H⁺等離子體，在薄膜生長過程中摻入ZnO晶格中與摻雜金屬共同形成AZO:H、(或GZO:H、IZO:H)透明導(dǎo)電氧化物，提高其紅外反射率及穩(wěn)定性；本發(fā)明采用Ar和H₂為混合濺射氣體取代原有的Ar和O₂混合濺射氣體，減少了濺射過程中O的引入，避免了金屬保護(hù)層及銀層的氧化，使得膜層的結(jié)合力大大提高，有助于LOW-E玻璃的進(jìn)一步加工；此外，H的摻入形成穩(wěn)定的AZO:H(或GZO:H、IZO:H)透明導(dǎo)電氧化物使得LOW-E膜電阻率進(jìn)一步下降，紅外反射增強(qiáng)，光熱性能進(jìn)一步提高。

進(jìn)一步地，鍍制Al，Ga或In與H共摻雜的AZO:H，GZO:H或IZO:H透明導(dǎo)電氧化物薄膜，以Al，Ga或In摻雜的ZnO陶瓷為靶材，AZO中Al含量為1～3wt％，GZO中Ga含量為4～8wt％，IZO中In含量為8～15wt％；濺射氣氛中的Ar與H₂的體積流量比為1～12％。

進(jìn)一步地，所述第一介質(zhì)層，所述第二介質(zhì)層，所述第三介質(zhì)層采用交流磁控濺射工藝鍍制，靶材為硅鋁合金靶，靶材中重量比Si/Al＝90/10，濺射氣氛為Ar與N₂，Ar與N₂的體積流量比為5：6。

進(jìn)一步地，所述第一保護(hù)層，所述第二保護(hù)層，所述第三保護(hù)層及所述第四保護(hù)層采用直流磁控濺射工藝鍍制，靶材為鎳鉻合金靶，靶材中重量比Ni/Cr＝80/20，濺射氣氛為Ar。

更進(jìn)一步地，所述第一銀層和所述第二銀層采用直流磁控濺射工藝鍍制，靶材為金屬銀，靶材純度＞99.9％，濺射氣氛為Ar。

附圖說明

圖1為一種高性能可鋼雙銀LOW-E玻璃的結(jié)構(gòu)示意圖。

具體實施方式

下面結(jié)合附圖對本實用新型作進(jìn)一步的詳細(xì)說明，便于更清楚地了解本實用新型，但它們不對本實用新型構(gòu)成限定。

實施例1

如圖1所示的雙銀LOW-E鍍膜玻璃，包括玻璃基底1以及其上鍍 制的各種膜層，膜層由內(nèi)到外13個膜層，依次為第一介質(zhì)層2，為Si₃N₄，厚度為25nm，主要起阻止浮法玻璃基底中的Na⁺,Ca²⁺等雜質(zhì)離子向膜層中的擴(kuò)散的作用；第一生長層3為AZO:H，Al的摻雜量為2wt％，厚度為20nm，為第一銀層5生長提供較好的生長緩沖層；第一保護(hù)層4為NiCr，厚度為1nm，避免第一銀層5膜在濺射過程受到侵蝕；第一銀層5厚度為7nm、是LOW-E膜的主要功能層；第二保護(hù)層6為NiCr，厚度為1nm、避免銀膜在濺射過程受到侵蝕防止后續(xù)加工鋼化過程中的氧對銀層的破壞；第二生長層7為AZO:H，Al的摻雜量為2wt％，厚度為20nm；第二介質(zhì)層8為Si₃N₄，厚度為80nm，調(diào)控產(chǎn)品顏色；第三生長層9為AZO:H，Al的摻雜量為2wt％，厚度為20nm，為第二銀層11生長提供較好的生長緩沖層；第三保護(hù)層10為NiCr，厚度為1nm，避免銀膜在濺射過程受到侵蝕；第二銀層11厚度為14nm、是LOW-E膜的主要功能層；第四保護(hù)層12為NiCr，厚度為1.5nm、避免銀膜在濺射過程受到侵蝕，防止后續(xù)加工鋼化過程中的氧對銀層的破壞；第四生長層13為AZO:H，Al的摻雜量為2wt％，厚度為20nm；第三介質(zhì)層14為Si₃N₄，厚度為55nm，對于鍍層具有非常良好的抗化學(xué)和機(jī)械性能，它確保了整個LOW-E膜層具有良好的機(jī)械加工性能。

該可鋼高透低輻射鍍膜玻璃制品的結(jié)構(gòu)為：Glass/Si₃N₄/AZO:H/NiCr/Ag/NiCr/AZO:H/Si₃N₄/AZO:H/NiCr/Ag/NiCr/AZO:H/Si₃N₄，產(chǎn)品6mm單片鋼化后及中空成6LOW-E+12A+6產(chǎn)品機(jī)械加工性能優(yōu)良，光熱性能見下表1：

表1

實施例2

一種雙銀LOW-E鍍膜玻璃，包括玻璃基底以及其上鍍制的各種膜層，膜層由內(nèi)到外13個膜層，依次為第一介質(zhì)層Si₃N₄，厚度為25nm，主要起阻止浮法玻璃基底中的Na⁺,Ca²⁺等雜質(zhì)離子向膜層中的擴(kuò)散的作用；第一生長層為GZO:H，Ga的摻雜量為5wt％，厚度為20nm，為第一銀層生長提供較好的生長緩沖層；第一保護(hù)層為NiCr，厚度為1nm，避免第一銀膜在濺射過程受到侵蝕；第一銀層厚度為7nm、是LOW-E膜的主要功能層；第二保護(hù)層為NiCr，厚度為1nm、避免銀膜在濺射過程受到侵蝕防止后續(xù)加工鋼化過程中的氧對銀層的破壞；第二生長層為GZO:H，Ga的摻雜量為5wt％，厚度為20nm；第二介質(zhì)層Si₃N₄，厚度為80nm，調(diào)控產(chǎn)品顏色；第三生長層為GZO:H，Ga的摻雜量為5wt％，厚度為20nm，為第二銀層生長提供較好的生長緩沖層；第三保護(hù)層為NiCr，厚度為1nm，避免銀膜在濺射過程受到侵蝕；第二銀層厚度為14nm、是LOW-E膜的主要功能層；第四保護(hù)層為NiCr，厚度為1.5nm、避免銀膜在濺射過程受到侵蝕，防止后續(xù)加工鋼化過程中的氧對銀層的破壞；第四生長層為GZO:H，Ga的摻雜量為5wt％，厚度為20nm；第三介質(zhì)層Si₃N₄，厚度為55nm，對于鍍層具有非常良好的抗化學(xué)和機(jī)械性能，它確保了整個LOW-E膜層具有良好的機(jī)械加工性能。

該可鋼高透低輻射鍍膜玻璃制品的結(jié)構(gòu)為：

Glass/Si₃N₄/GZO:H/NiCr/Ag/NiCr/GZO:H/Si₃N₄/GZO:H/NiCr/Ag/NiCr/GZO:H/Si₃N₄，產(chǎn)品6mm單片鋼化后及中空成6LOW-E+12A+6產(chǎn)品機(jī)械加工性能優(yōu)良，光熱性能見下表2：

表2

實施例3

一種雙銀LOW-E鍍膜玻璃，包括玻璃基底以及其上鍍制的各種膜層，膜層由內(nèi)到外13個膜層，依次為第一介質(zhì)層Si₃N₄，厚度為25nm，主要起阻止浮法玻璃基底中的Na⁺,Ca²⁺等雜質(zhì)離子向膜層中的擴(kuò)散的作用；第一生長層為IZO:H，In的摻雜量為10wt％，厚度為20nm，為第一銀層生長提供較好的生長緩沖層；第一保護(hù)層為NiCr，厚度為1nm，避免第一銀膜在濺射過程受到侵蝕；第一銀層厚度為7nm、是LOW-E膜的主要功能層；第二保護(hù)層為NiCr，厚度為1nm、避免銀膜在濺射過程受到侵蝕防止后續(xù)加工鋼化過程中的氧對銀層的破壞；第二生長層為IZO:H，In的摻雜量為10wt％，厚度為20nm；第二介質(zhì)層Si₃N₄，厚度為80nm，調(diào)控產(chǎn)品顏色；第三生長層為IZO:H，In的摻雜量為10wt％，厚度為20nm，為第二銀層生長提供較好的生長緩沖層；第三保護(hù)層為NiCr，厚度為1nm，避免銀膜在濺射過程受到侵蝕；第二銀層厚度為14nm、是LOW-E膜的主要功能層；第四保護(hù)層為NiCr，厚度為1.5nm、避免銀膜在濺射過程受到侵蝕，防止后續(xù)加工鋼化過程中的氧對銀層的破壞；第四生長層為IZO:H，In的摻雜量為10wt％，厚度為20nm；第三介質(zhì)層Si₃N₄，厚度為55nm，對于鍍層具有非常良好的抗化學(xué)和機(jī)械性能，它確保了整個LOW-E膜層具有良好的機(jī)械加工性能。

該可鋼高透低輻射鍍膜玻璃制品的結(jié)構(gòu)為：

Glass/Si₃N₄/IZO:H/NiCr/Ag/NiCr/IZO:H/Si₃N₄/IZO:H/NiCr/Ag/NiCr/IZO:H/Si₃N₄，產(chǎn)品6mm單片鋼化后及中空成6LOW-E+12A+6產(chǎn)品機(jī)械加工性能優(yōu)良，光熱性見下表3：

表3

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