本實(shí)用新型涉及單晶爐領(lǐng)域，特別涉及單晶爐用晶種夾具。

背景技術(shù)：

硅單晶作為一種半導(dǎo)體材料，主要用于光伏和半導(dǎo)體領(lǐng)域，大部分半導(dǎo)體硅單晶都是采用直拉法生產(chǎn)。直拉法是利用旋轉(zhuǎn)晶種從盛有硅熔體的坩堝中提拉制備單晶的一種方法，它是通過發(fā)熱體對承載固態(tài)多晶硅原料部分加熱，待其熔化完成，固液界面穩(wěn)定后，將夾持器夾持的柱狀晶種浸入溶液，通過旋轉(zhuǎn)使熔體中的硅原子順著晶種硅原子結(jié)構(gòu)進(jìn)行有規(guī)則的排列，形成單晶體后緩慢提升，熔體中的硅原子沿著已經(jīng)生長好的單晶體繼續(xù)結(jié)晶，并延續(xù)其規(guī)則的原子結(jié)構(gòu)排列周而復(fù)始的生長，最后形成所需要的硅晶棒。

但是現(xiàn)有單晶爐的晶種夾具，結(jié)構(gòu)復(fù)雜，安裝不方便，安裝效率低，所以需要設(shè)計(jì)一種新的晶種夾具來解決上述問題。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本實(shí)用新型提出了單晶爐用晶種夾具，解決了現(xiàn)有單晶爐的晶種夾具，結(jié)構(gòu)復(fù)雜，安裝不方便，安裝效率低的缺陷。

本實(shí)用新型的技術(shù)方案是這樣實(shí)現(xiàn)的：

單晶爐用晶種夾具，包括夾頭，夾頭上設(shè)置有與晶種形狀相對應(yīng)的夾槽，夾槽慣穿夾頭的前后，夾槽內(nèi)設(shè)置有固定凸起，夾頭外套有沿夾頭上下滑動(dòng)的固定滑套，夾頭下端設(shè)置有限制固定滑套最低位置的限位裝置。

進(jìn)一步，所述夾槽為矩形夾槽。

進(jìn)一步，所述固定凸起為矩形凸起或弧形凸起。

進(jìn)一步，所述限位裝置為向外凸起的限位塊。

進(jìn)一步，所述夾頭上端還連接有連接桿。

本實(shí)用新型的有益效果：本實(shí)用新型主要由夾頭、夾槽和固定滑套組成，結(jié)構(gòu)簡單；使用時(shí)，向上移固定滑套，然后將晶種放入夾槽，最后再入下固定滑套即可，操作簡單，效率高。

附圖說明

為了更清楚地說明本實(shí)用新型實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本實(shí)用新型的一些實(shí)施例，對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。

圖1為本實(shí)用新型單晶爐用晶種夾具的結(jié)構(gòu)示意圖。

具體實(shí)施方式

下面將結(jié)合本實(shí)用新型實(shí)施例中的附圖，對本實(shí)用新型實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例僅僅是本實(shí)用新型一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例?；诒緦?shí)用新型中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本實(shí)用新型保護(hù)的范圍。

參照圖1，單晶爐用晶種夾具，包括夾頭1，夾頭1上設(shè)置有與晶種形狀相對應(yīng)的夾槽2，夾槽2慣穿夾頭1的前后，夾槽2內(nèi)設(shè)置有固定凸起3，夾頭1外套有沿夾頭1上下滑動(dòng)的固定滑套4，夾頭1下端設(shè)置有限制固定滑套4最低位置的限位裝置5。

優(yōu)選的，所述夾槽2為矩形夾槽。

優(yōu)選的，所述固定凸起3為矩形凸起或弧形凸起。

優(yōu)選的，所述限位裝置5為向外凸起的限位塊。

優(yōu)選的，所述夾頭1上端還連接有連接桿6。

本實(shí)用新型主要由夾頭1、夾槽2和固定滑套4組成，結(jié)構(gòu)簡單；使用時(shí)，向上移固定滑套4，然后將晶種放入夾槽2，最后再入下固定滑套4即可，操作簡單，效率高。

以上所述僅為本實(shí)用新型的較佳實(shí)施例而已，并不用以限制本實(shí)用新型，凡在本實(shí)用新型的精神和原則之內(nèi)，所作的任何修改、等同替換、改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本實(shí)用新型的保護(hù)范圍之內(nèi)。