本申請(qǐng)涉及單晶硅生產(chǎn)設(shè)備，特別是涉及一種加料器及單晶爐。

背景技術(shù)：

1、單晶爐是將多晶硅原料生產(chǎn)轉(zhuǎn)化為單晶硅棒的設(shè)備，在傳統(tǒng)的單晶硅棒生產(chǎn)工藝中，通常是將多晶硅原料一次性裝入石英坩堝內(nèi)熔化，然后采用直拉法拉制單晶硅棒。在此生產(chǎn)過(guò)程中，單晶硅棒的質(zhì)量受最大投料量限制，而最大投料量是由石英坩堝的尺寸決定的，因此得到的單晶硅棒長(zhǎng)度和重量都非常有限。為了提高效率就需要采用二次加料的方式來(lái)增加投料量，從而可往石英坩堝內(nèi)投入更多的硅料，以提高晶棒的長(zhǎng)度和重量，從而降低拉晶的成本。

2、加料器是使用較多的一種二次加料工具，其包括圓柱形的加料筒，用于對(duì)多晶硅原料進(jìn)行熔化。在加料過(guò)程中，為了避免硅屑上揚(yáng)并附著在單晶爐的爐體內(nèi)腔壁上，以利于單晶硅生長(zhǎng)爐成晶，現(xiàn)有技術(shù)通常是使用布罩將加料筒的加料口封閉而達(dá)到上述目的。然而，原料的運(yùn)輸過(guò)程中，布罩容易破損，并且加料筒在單晶爐的爐體內(nèi)時(shí)，為避免布罩在高溫下?lián)p壞，需要摘取布罩，從而導(dǎo)致原料會(huì)直接裸露在外。其次，為使加料筒能夠上下移動(dòng)以往返于單晶爐的副室與爐體，加料筒上方安裝有用于使加料筒上下移動(dòng)的提升裝置，在加料筒長(zhǎng)期上下移動(dòng)的過(guò)程中，由于布罩可能破損，且提升裝置可能會(huì)有磨損導(dǎo)致金屬直接掉入原料中，進(jìn)而造成原料的金屬污染。同時(shí)，在原料運(yùn)輸過(guò)程中，因?yàn)榈孛娌黄揭部赡軙?huì)導(dǎo)致布罩掉落，從而不能很好地對(duì)加料筒內(nèi)的原料形成有效的保護(hù)。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、基于此，有必要針對(duì)現(xiàn)有單晶爐的加料器通常采用布罩封閉加料筒的加料口，導(dǎo)致不能對(duì)加料筒中的原料形成有效保護(hù)的問(wèn)題，提供一種加料器及包括該加料器的單晶爐。

2、根據(jù)本申請(qǐng)的一個(gè)方面，提供一種加料器，包括：

3、加料筒，所述加料筒的頂部開(kāi)設(shè)有加料口；

4、提升桿，一端通過(guò)所述加料口插設(shè)于所述加料筒中，另一端外露于所述加料筒，所述提升桿在自身的軸向上具有第一卡接位及間隔地位于所述第一卡接位下方的第二卡接位；

5、防護(hù)蓋，可活動(dòng)地套設(shè)于所述提升桿，所述防護(hù)蓋能夠安裝在所述第二卡接位，以封閉所述加料口；所述防護(hù)蓋還能夠沿所述提升桿的軸向移動(dòng)至所述第一卡接位并安裝在所述第一卡接位，以開(kāi)啟所述加料口。

6、在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述提升桿包括桿體和第一凸起，所述第一凸起設(shè)于所述桿體的外周面位于所述第一卡接位的下方，用于供所述防護(hù)蓋搭接以使所述防護(hù)蓋安裝在所述第一卡接位。

7、在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述加料筒的頂部設(shè)有限位支架，所述限位支架具有橫梁，所述橫梁間隔地設(shè)于所述第一凸起遠(yuǎn)離所述加料口的一側(cè)。

8、在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述防護(hù)蓋的外徑大于所述加料口的內(nèi)徑，以使得所述防護(hù)蓋在位于所述第二卡接位時(shí)能夠搭接在所述加料筒上；

9、或者，所述防護(hù)蓋的外徑等于所述加料口的內(nèi)徑，所述提升桿還包括第二凸起，所述第二凸起設(shè)于所述桿體的外周面位于所述第二卡接位的下方，用于供所述防護(hù)蓋搭接以使所述防護(hù)蓋安裝在所述第二卡接位。

10、在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述桿體的外周面還設(shè)有第三凸起，所述第三凸起在所述提升桿的軸向上間隔地設(shè)于所述加料口與所述第一凸起之間。

11、在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述第一凸起及所述第三凸起分別具有至少兩個(gè)，所有所述第一凸起及所有所述第三凸起分別沿所述桿體的周向間隔設(shè)置；

12、在所述提升桿的軸向上，所述第一凸起及所述第三凸起一一對(duì)齊。

13、在其中一個(gè)實(shí)施例中，相鄰兩個(gè)所述第一凸起之間及相鄰兩個(gè)所述第三凸起之間在所述桿體的周向上所形成的角度分別為0°~90°。

14、在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述防護(hù)蓋能夠繞自身的中心軸線轉(zhuǎn)動(dòng)，并且所述防護(hù)蓋開(kāi)設(shè)有貫通自身相對(duì)兩側(cè)的避讓槽，當(dāng)所述防護(hù)蓋搭接于所述第一凸起時(shí)，所述避讓槽與所述第一凸起錯(cuò)位設(shè)置；當(dāng)所述防護(hù)蓋繞自身的中心軸線轉(zhuǎn)動(dòng)至使所述避讓槽與所述第一凸起對(duì)位設(shè)置時(shí)，所述防護(hù)蓋能夠沿所述提升桿的軸向在所述第一卡接位及所述第二卡接位之間移動(dòng)。

15、在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述防護(hù)蓋背離所述加料口的一側(cè)設(shè)有把手。

16、根據(jù)本申請(qǐng)的另一方面，提供一種單晶爐，包括上述任一方案所述的加料器。

17、上述加料器及包括該加料器的單晶爐，通過(guò)設(shè)置防護(hù)蓋，并通過(guò)使防護(hù)蓋可活動(dòng)地套設(shè)于提升桿，以使防護(hù)蓋能夠安裝在提升桿的第一卡接位而開(kāi)啟加料筒的加料口，或能夠安裝在提升桿的第二卡接位而封閉加料口，使得裝有生產(chǎn)原料的加料筒在運(yùn)輸過(guò)程中，不會(huì)因?yàn)榈孛娌黄蕉鴮?dǎo)致防護(hù)蓋掉落；并且當(dāng)加料器在單晶爐的爐體內(nèi)時(shí)，也無(wú)需摘取防護(hù)蓋，避免了加料筒內(nèi)的原料被金屬污染；進(jìn)一步地，防護(hù)蓋相比于布罩，可多次重復(fù)使用，容易清理且不易損壞，能夠?qū)恿贤矁?nèi)的原料形成有效的保護(hù)。

技術(shù)特征：

1.一種加料器，其特征在于，包括：

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的加料器，其特征在于，所述提升桿包括桿體和第一凸起，所述第一凸起設(shè)于所述桿體的外周面位于所述第一卡接位的下方，用于供所述防護(hù)蓋搭接以使所述防護(hù)蓋安裝在所述第一卡接位。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的加料器，其特征在于，所述加料筒的頂部設(shè)有限位支架，所述限位支架具有橫梁，所述橫梁間隔地設(shè)于所述第一凸起遠(yuǎn)離所述加料口的一側(cè)。

4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的加料器，其特征在于，所述防護(hù)蓋的外徑大于所述加料口的內(nèi)徑，以使得所述防護(hù)蓋在位于所述第二卡接位時(shí)能夠搭接在所述加料筒上；

5.根據(jù)權(quán)利要求2-4中任一項(xiàng)所述的加料器，其特征在于，所述桿體的外周面還設(shè)有第三凸起，所述第三凸起在所述提升桿的軸向上間隔地設(shè)于所述加料口與所述第一凸起之間。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的加料器，其特征在于，所述第一凸起及所述第三凸起分別具有至少兩個(gè)，所有所述第一凸起及所有所述第三凸起分別沿所述桿體的周向間隔設(shè)置；

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的加料器，其特征在于，相鄰兩個(gè)所述第一凸起之間及相鄰兩個(gè)所述第三凸起之間在所述桿體的周向上所形成的角度分別為0°~90°。

8.根據(jù)權(quán)利要求2所述的加料器，其特征在于，所述防護(hù)蓋能夠繞自身的中心軸線轉(zhuǎn)動(dòng)，并且所述防護(hù)蓋開(kāi)設(shè)有貫通自身相對(duì)兩側(cè)的避讓槽，當(dāng)所述防護(hù)蓋搭接于所述第一凸起時(shí)，所述避讓槽與所述第一凸起錯(cuò)位設(shè)置；當(dāng)所述防護(hù)蓋繞自身的中心軸線轉(zhuǎn)動(dòng)至使所述避讓槽與所述第一凸起對(duì)位設(shè)置時(shí)，所述防護(hù)蓋能夠沿所述提升桿的軸向在所述第一卡接位及所述第二卡接位之間移動(dòng)。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的加料器，其特征在于，所述防護(hù)蓋背離所述加料口的一側(cè)設(shè)有把手。

10.一種單晶爐，其特征在于，包括如權(quán)利要求1-9中任一項(xiàng)所述的加料器。

技術(shù)總結(jié)
本申請(qǐng)涉及一種加料器及單晶爐。其中單晶爐包括加料器，加料器包括加料筒、提升桿和防護(hù)蓋，加料筒的頂部開(kāi)設(shè)有加料口，提升桿的一端通過(guò)加料口插設(shè)于加料筒中，另一端外露于加料筒，提升桿在自身的軸向上具有第一卡接位及間隔地位于第一卡接位下方的第二卡接位，防護(hù)蓋可活動(dòng)地套設(shè)于提升桿，其能夠安裝在第二卡接位以封閉加料口，還能夠沿提升桿的軸向移動(dòng)至第一卡接位并安裝在第一卡接位，以開(kāi)啟加料口，使得加料筒在運(yùn)輸過(guò)程中，不會(huì)因?yàn)榈孛娌黄蕉鴮?dǎo)致防護(hù)蓋掉落；并且加料器在單晶爐的爐體內(nèi)時(shí)，無(wú)需摘取防護(hù)蓋，避免了加料筒內(nèi)的原料被金屬污染；進(jìn)一步地，防護(hù)蓋可多次重復(fù)使用且不易損壞，能夠?qū)恿贤矁?nèi)的原料形成有效的保護(hù)。

技術(shù)研發(fā)人員：曼克力亞·阿布都熱依木,張創(chuàng),王軍,邱建峰
受保護(hù)的技術(shù)使用者：晶科能源股份有限公司
技術(shù)研發(fā)日：20231213
技術(shù)公布日：2024/12/19