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      化學(xué)強化用浮法玻璃的制作方法

      文檔序號:8276020閱讀:400來源:國知局
      化學(xué)強化用浮法玻璃的制作方法
      【專利說明】
      [0001] 本申請是申請日為2012年6月22日、申請?zhí)枮?01280031658. 8的中國專利申請 的分案申請。
      技術(shù)領(lǐng)域
      [0002] 本發(fā)明涉及一種化學(xué)強化用浮法玻璃。
      【背景技術(shù)】
      [0003] 近年來,在手機或便攜式信息終端(PDA)等平板顯示裝置中,為了保護(hù)顯示器及 提升美觀,而以成為比圖像顯示部分更廣的區(qū)域的方式將薄的板狀蓋板玻璃(力〃一力'7 只)配置在顯示器的前面。
      [0004] 對于這樣的平板顯示裝置,要求輕量及薄型化,因此,要求用于顯示器保護(hù)用的蓋 板玻璃也變薄。
      [0005] 但是,使蓋板玻璃的厚度變薄時,強度降低,有時會因使用中或攜帶中的掉落等而 蓋板玻璃自身破裂,存在不能發(fā)揮保護(hù)顯示裝置的本來的作用的問題。
      [0006] 因此,現(xiàn)有的蓋板玻璃為了提高耐劃傷性,而通過對通過浮法制造的浮法玻璃進(jìn) 行化學(xué)強化而在表面形成壓縮應(yīng)力層從而提高蓋板玻璃的耐劃傷性。
      [0007] 近年來,在蓋板玻璃等中,所要求的耐劃傷性變得更高。對現(xiàn)有的鈉鈣玻璃進(jìn)行 化學(xué)強化而成的化學(xué)強化浮法玻璃的表面壓縮應(yīng)力為約500MPa,壓縮應(yīng)力層的深度為約 10 y m,但為了適應(yīng)對高耐劃傷性的要求,而開發(fā)了表面壓縮應(yīng)力為600MPa以上,壓縮應(yīng)力 層的深度為15 ym以上的化學(xué)強化浮法玻璃。
      [0008] 據(jù)報道,浮法玻璃在化學(xué)強化后產(chǎn)生翹曲而損害平坦性(專利文獻(xiàn)1)。該翹曲 由于浮法成形時不與熔融錫接觸的玻璃面(以下,也稱為頂面)和與熔融錫接觸的玻璃面 (以下,也稱為底面)的化學(xué)強化的程度(入*9方)不同而產(chǎn)生。
      [0009] 由于化學(xué)強化的程度越強,上述浮法玻璃的翹曲越大,因此,在為了適應(yīng)對高耐劃 傷性的要求而開發(fā)的、上述表面壓縮應(yīng)力為600MPa以上,壓縮應(yīng)力層的深度為15 ym以 上的化學(xué)強化浮法玻璃中,與現(xiàn)有的表面壓縮應(yīng)力為約500MPa且壓縮應(yīng)力層的深度為約 10 y m的化學(xué)強化浮法玻璃相比,翹曲的問題更加明顯。
      [0010] 目前,作為浮法玻璃的頂面與底面化學(xué)強化的程度不同的理由,認(rèn)為是由于在浮 法成形時熔融金屬侵入與熔融金屬接觸的玻璃面(專利文獻(xiàn)1)。
      [0011] 在專利文獻(xiàn)1中,公開了通過不對由浮法方式制造、加工的板狀體進(jìn)行表面研磨, 而是在浸漬于或接觸Li離子或者Na離子或它們的混合無機鹽后進(jìn)行化學(xué)強化,從而改善 上述翹曲。
      [0012] 另外,目前,為了減少上述翹曲,而有如下應(yīng)對方法:減小由化學(xué)強化而引起的強 化應(yīng)力,或在通過對浮法玻璃的頂面及底面進(jìn)行磨削處理或研磨處理等而除去表面異質(zhì)層 后進(jìn)行化學(xué)強化。
      [0013] 現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)
      [0014] 專利文獻(xiàn)
      [0015] 專利文獻(xiàn)1 :日本專利第2033034號公報

      【發(fā)明內(nèi)容】

      [0016] 發(fā)明所要解決的問題
      [0017] 但是,在專利文獻(xiàn)1記載的方法中,需要在化學(xué)強化前在混合無機鹽中對浮法玻 璃進(jìn)行浸漬處理,較為繁雜。另外,在減小強化應(yīng)力的方法中化學(xué)強化后的浮法玻璃的強度 可能會變得不充分。
      [0018] 另外,在化學(xué)強化前對浮法玻璃的頂面及底面進(jìn)行磨削處理或研磨處理等的方 法,從提高生產(chǎn)率的觀點考慮,存在問題,優(yōu)選省略這些研削處理或研磨處理等。
      [0019] 因此,本發(fā)明的目的在于,提供一種能夠有效地抑制化學(xué)強化后的翹曲,并且能夠 省略或簡化化學(xué)強化前的研磨處理等的化學(xué)強化用浮法玻璃。
      [0020] 用于解決問題的手段
      [0021] 本發(fā)明人等發(fā)現(xiàn):浮法玻璃的底面和頂面的化學(xué)強化的程度產(chǎn)生差異的主要原因 并非在浮法成形時侵入與熔融金屬接觸的玻璃面的該金屬,而是頂面和底面的氫濃度差。 另外發(fā)現(xiàn):通過減小該氫濃度差,而使頂面和底面的利用化學(xué)強化的強化容易度均衡化,能 夠減少化學(xué)強化后的浮法玻璃的翹曲。另外發(fā)現(xiàn):通過測定表層0-OH,能夠使誤差范圍更 窄地評價浮法玻璃的底面和頂面的氫濃度,根據(jù)這些發(fā)現(xiàn),完成了本發(fā)明。
      [0022] 即,本發(fā)明如下所述。
      [0023] 1. 一種化學(xué)強化用浮法玻璃,其具有在成形時與熔融金屬接觸的底面和與該底面 相對的頂面,其中,頂面的深度5?10 ym處的標(biāo)準(zhǔn)化氫濃度與底面的深度5?10 ym處的 標(biāo)準(zhǔn)化氫濃度之差的絕對值為0. 35以下,所述深度5?10 ym處的標(biāo)準(zhǔn)化氫濃度為深度 5?10 ym處的氫濃度除以深度50?55 ym處的氫濃度所得的值。
      [0024] 在此,深度5?10 ym處的氫濃度及深度50?55 ym處的氫濃度為在以下的分析 條件下測定的值(平均值)。
      [0025] (分析條件)
      [0026] 測定裝置:具有四極質(zhì)譜分析儀的次級離子質(zhì)譜分析裝置
      [0027] 初級離子種類:Cs+
      [0028] 初級加速電壓:5. OkV
      [0029] 初級離子電流:lyA
      [0030] 初級離子入射角(與試樣面的垂直方向的角度):60°
      [0031] 光柵尺寸:200X200 ym2
      [0032] 檢測區(qū)域:40X40 ym2
      [0033] 次級離子極性:負(fù)
      [0034] 使用中和用的電子槍
      [0035] 2. -種化學(xué)強化用浮法玻璃,其具有在成形時與熔融金屬接觸的底面和與該底面 相對的頂面,其中,頂面的深度5?10 ym處的標(biāo)準(zhǔn)化強度與底面的深度5?10 ym處的標(biāo) 準(zhǔn)化強度之差為0. 35以下,所述深度5?10 y m處的標(biāo)準(zhǔn)化強度為使用次級離子質(zhì)譜分析 裝置在以下的分析條件下測定的至深度60ym為止的[iH73°Sr]分布的深度5?10ym處 的[t/^sr]除以深度50?55ym處的[trsr]所得的值。在此,[t/^sr]分布為在 以下的分析條件下測定的氫H的次級離子強度的分布與硅同位素3°Si的次級離子強度的分 布之比,所述標(biāo)準(zhǔn)化強度相當(dāng)于所述標(biāo)準(zhǔn)化氫濃度。
      [0036] (分析條件)
      [0037] 測定裝置:具有四極質(zhì)譜分析儀的次級離子質(zhì)譜分析裝置
      [0038] 初級離子種類:Cs+
      [0039] 初級加速電壓:5.OkV
      [0040] 初級離子電流:lyA
      [0041] 初級離子入射角(與試樣面的垂直方向的角度):60°
      [0042] 光柵尺寸:200 X 200 y m2
      [0043] 檢測區(qū)域:40 X 40 y m2
      [0044] 次級離子極性:負(fù)
      [0045] 使用中和用的電子槍
      [0046] 3. -種化學(xué)強化用浮法玻璃,其具有在成形時與熔融金屬接觸的底面和與該底面 相對的頂面,其中,底面的深度5?10 ym處的平均H/Si強度相對于頂面的深度5?10 ym 處的平均H/Si強度之比為1. 65以下。
      [0047] 4. 一種化學(xué)強化用浮法玻璃,其具有在成形時與熔融金屬接觸的底面和與該底面 相對的頂面,其中,底面的深度5?30 ym處的表層|3 -OH相對于頂面的深度5?30 ym處 的表層0 -OH之比(底面的表層-OH/頂面的表層-OH)為1. 27以下。
      [0048] 5. -種化學(xué)強化用浮法玻璃,其具有在成形時與熔融金屬接觸的底面和與該底面 相對的頂面,其中,底面的深度5?30 ym處的通過以下的(1)?(3)的步驟算出的表層 0-OH相對于頂面的深度5?30 ym處的通過以下的(1)?(3)的步驟算出的表層0-OH 之比(底面的表層0 -OH/頂面的表層-OH)為1. 27以下。
      [0049] (1)將浮法玻璃的測定面研磨5 ym并進(jìn)行IR測定,從Si-OH峰頂?shù)奈舛戎袦p去 3955CHT1的基底的吸光度算出存在于3500cm 附近的Si-OH峰的吸光度。
      [0050] (2)進(jìn)而,將浮法玻璃的測定面研磨25 y m,與步驟(1)同樣地測定Si-OH峰的吸 光度。
      [0051] (3)根據(jù)由步驟⑴及⑵得到的研磨前后的Si-OH峰的吸光度之差和研磨厚度, 通過下式算出目標(biāo)區(qū)域的表層0-OH。
      [0052] (表層0 -OH)=[(研磨5 y m的Si-OH吸光度)-(研磨30 y m的Si-OH吸光度)]/ 研磨厚度(mm)
      [0053] 6. -種化學(xué)強化浮法玻璃的制造方法,其包括對具有在成形時與熔融金屬接觸的 底面和與該底面相對的頂面的浮法玻璃進(jìn)行化學(xué)強化而制造化學(xué)強化浮法玻璃,其特征在 于,該浮法玻璃的頂面的深度5?10 y m處的標(biāo)準(zhǔn)化氫濃度與底面的深度5?10 y m處的標(biāo) 準(zhǔn)化氫濃度之差的絕對值為0. 35以下,所述深度5?10 y m處的標(biāo)準(zhǔn)化氫濃度為深度5? 10 ym處的氫濃度除以深度50?55 ym處的氫濃度所得的值。
      [0054] 在此,深度5?10 y m處的氫濃度及深度50?55 y m處的氫濃度為在以下的分析 條件下測定的值。
      [0055] (分析條件)
      [0056] 測定裝置:具有四極質(zhì)譜分析儀的次級離子質(zhì)譜分析裝置
      [0057] 初級離子種類:Cs+
      [0058] 初級加速電壓:5. OkV
      [0059] 初級離子電流:lyA
      [0060] 初級離子入射角(與試樣面的垂直方向的角度):60°
      [0061] 光柵尺寸:200 X 200 y m2
      [0062] 檢測區(qū)域:40X40 ym2
      [0063] 次級離子極性:負(fù)
      [0064] 使用中和用的電子槍
      [0065] 7. -種化學(xué)強化浮法玻璃的制造方法,其包括對具有在成形時與熔融金屬接觸的 底面和與該底面相對的頂面的浮法玻璃進(jìn)行化學(xué)強化而制造化學(xué)強化浮法玻璃,其特征在 于,該浮法玻璃的頂面的深度5?10 y m處的標(biāo)準(zhǔn)化強度與底面的深度5?10 y m處的標(biāo) 準(zhǔn)化強度之差的絕對值為0. 35以下,所述深度5?10 y m處的標(biāo)準(zhǔn)化強度為[ilT/^Sr]分 布的深度5?10 ym處的I^HT^Sr]除以在以下的分析條件下測定的深度50?55 ym處 的[,/,門所得的值。
      [0066] (分析條件)
      [0067] 測定裝置:具有四極質(zhì)譜分析儀的次級離子質(zhì)譜分析裝置
      [0068] 初級離子種類:Cs+
      [0069] 初級加速電壓:5. OkV
      [0070] 初級離子電流:lyA
      [0071] 初級離子入射角(與試樣面的垂直方向的角度):60°
      [0072] 光柵尺寸:200 X 200 y m2
      [0073] 檢測區(qū)域:40X40 um2
      [0074] 次級離子極性:負(fù)
      [0075] 使用中和用的電子槍
      [0076] 8. -種化學(xué)強化用浮法玻璃的制造方法,其中,該化學(xué)強化用浮法玻璃具有在成 形時與熔融金屬接觸的底面和與該底面相對的頂面,且底面的深度5?10 y m處的平均H/ Si強度相對于頂面的深度5?10 ym處的平均H/Si強度之比為1. 65以下。
      [0077] 9. -種化學(xué)強化浮法玻璃的制造方法,其包括對具有在成形時與熔融金屬接觸的 底面和與該底面相對的頂面的浮法玻璃進(jìn)行化學(xué)強化而制造化學(xué)強化浮法玻璃,其特征在 于,該浮法玻璃的底面的深度5?30 ym處的表層|3 -OH相對于頂面的深度5?30 ym處 的表層0 -OH之比(底面的表層-OH/頂面的表層-OH)為1. 27以下。
      [0078] 10.如前項6?9中任一項所述的化學(xué)強化浮法玻
      當(dāng)前第1頁1 2 3 4 5 
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