国产精品1024永久观看,大尺度欧美暖暖视频在线观看,亚洲宅男精品一区在线观看,欧美日韩一区二区三区视频,2021中文字幕在线观看

  • <option id="fbvk0"></option>
    1. <rt id="fbvk0"><tr id="fbvk0"></tr></rt>
      <center id="fbvk0"><optgroup id="fbvk0"></optgroup></center>
      <center id="fbvk0"></center>

      <li id="fbvk0"><abbr id="fbvk0"><dl id="fbvk0"></dl></abbr></li>

      一種核殼結(jié)構(gòu)高儲能密度電介質(zhì)陶瓷的制備方法

      文檔序號:9446189閱讀:485來源:國知局
      一種核殼結(jié)構(gòu)高儲能密度電介質(zhì)陶瓷的制備方法
      【技術(shù)領(lǐng)域】
      [0001] 本發(fā)明設(shè)及儲能電容器用介質(zhì)材料技術(shù)領(lǐng)域,尤其設(shè)及一種核殼結(jié)構(gòu)高儲能密度 電介質(zhì)陶瓷的制備方法。
      【背景技術(shù)】
      [0002] 電介質(zhì)電容器儲能方式是將電能W電容器對極板間的富集電荷電勢場的形式儲 存。與傳統(tǒng)的燃料電池、裡電池相比,電介質(zhì)儲能電容器的特點(diǎn)是響應(yīng)速度快、功率密度高、 使用壽命長、全固態(tài)安全結(jié)構(gòu)、使用溫度范圍廣等,在大功率和脈沖功率器件中有著非常廣 泛的應(yīng)用。對于線性電介質(zhì),其儲能密度與介電常數(shù)成正比、與介電擊穿場強(qiáng)的平方成正 比,因此探索具有高介電常數(shù)、高介電擊穿場強(qiáng)和低介電損耗的介電材料,是提高儲能密 度、實(shí)現(xiàn)器件小型化的關(guān)鍵。鐵酸鎖領(lǐng)陶瓷因具有良好的鐵電性、壓電性、非線性光學(xué)性能 等被廣泛應(yīng)用于微電子、光電子、集成光學(xué)和微電子機(jī)械系統(tǒng)等領(lǐng)域。在儲能方面,較低的 介電損耗、較高的介電常數(shù)和擊穿場強(qiáng),也使得鐵酸鎖領(lǐng)陶瓷獲得了重點(diǎn)關(guān)注。
      [0003] 申請?zhí)枮?01110046717.6的中國專利公開了一種鐵酸鎖領(lǐng)基儲能介質(zhì)陶瓷的制 備方法,其步驟如下:(1)BST陶瓷細(xì)粉的制備;(2)玻璃料的制備;(3)按各原料所占體積 百分?jǐn)?shù)為:BST陶瓷細(xì)粉80~99%、玻璃料1~20%,選取上述BST陶瓷細(xì)粉和玻璃料;BST 陶瓷細(xì)粉中加入玻璃料,用氧化錯和無水乙醇球磨24~36h,烘干制得陶瓷-玻璃混合粉 末,加入粘結(jié)劑造粒,粘結(jié)劑的加入量為陶瓷-玻璃混合粉末質(zhì)量的3~5%,壓片得到生巧 片;生巧片在600°C下保溫化排膠,冷卻至室溫,最后在升溫速率為2~4°C/min, 1050~ 1280°C下保溫2~地,得到鐵酸鎖領(lǐng)基儲能介質(zhì)陶瓷。該方法制備的儲能介質(zhì)陶瓷,測得介 電常數(shù)為380,擊穿強(qiáng)度28.OkV/mm,有效儲能密度為1. 50J/cm3。
      [0004] 上述專利通過在鐵酸鎖領(lǐng)陶瓷中添加玻璃相,使陶瓷的介電擊穿強(qiáng)度提高,從而 獲得了較高的儲能密度。但添加了玻璃相的鐵酸鎖領(lǐng)復(fù)相陶瓷的介電常數(shù)下降明顯,因此 如何通過配方調(diào)整和工藝改進(jìn),在大幅度提高陶瓷的介電擊穿強(qiáng)度的同時,仍舊保持適中 的介電常數(shù),是制備高儲能密度電容器的關(guān)鍵。

      【發(fā)明內(nèi)容】
      陽〇化]本發(fā)明的目的在于針對現(xiàn)有技術(shù)的不足,提供一種核殼結(jié)構(gòu)高儲能密度電介質(zhì)陶 瓷的制備方法,通過Si〇2包覆Bae.ASre.eTi化納米粉末及放電等離子燒結(jié)方法,提高電介質(zhì) 陶瓷的介電擊穿強(qiáng)度,從而提高電介質(zhì)陶瓷的儲能密度。
      [0006] 本發(fā)明的目的是通過W下技術(shù)方案來實(shí)現(xiàn)的:一種核殼結(jié)構(gòu)高儲能密度電介質(zhì)陶 瓷的制備方法,該方法包括W下步驟:
      [0007] (1)溶膠凝膠法制備Ba〇.4Sr〇.eTi〇3粉末:將Ti(C化0)4溶于乙二醇,攬拌至澄清; 加入巧樣酸,繼續(xù)攬拌至澄清;再加入BaC〇3和SrCO3粉末,滴加質(zhì)量濃度為65%的HN03數(shù) 滴,得到混合溶液;將混合溶液置于水浴中攬拌至黃棟色透明溶膠隨后烘箱中烘干,直至溶 膠顏色變?yōu)樯顥澤?;最后般燒獲得Baa.4Sra.JiO3納米粉末; 陽00引 似利用正娃酸乙醋(TE0巧水解制備Si〇2包覆Ba〇.4Sr〇.eTi〇3粉末:將 Ba。.4Sr。.Ji〇3粉末進(jìn)行表面處理,具體為:將Ba。.4Sr。.eTi〇3粉末加入到稀釋的HN03溶液中, 超聲振蕩后靜置,去除上層清液,去離子水洗涂數(shù)次;硝酸處理過的Bae.4Sre.Ji化粉末加 入到巧樣酸溶液中,超聲振蕩后靜置,去除上層清液;巧樣酸處理后的Bae.4Sre.JiO3粉末 分散在乙醇/去離子水/氨水的混合液中,超聲振蕩后,一邊攬拌一邊緩慢滴加正娃酸乙 醋(TE0S),加入正娃酸乙醋的量使得巧樣酸處理后的BaD.4Srn.JiO3粉末與Si〇2的摩爾比 為(100-X):x;接著加熱攬拌至溶劑全部蒸發(fā),剩余粉末烘干后般燒,獲得具有核殼結(jié)構(gòu)的 Ba〇.4Sr〇.eTi〇3@Si〇2粉末;
      [0009] (3)將步驟(2)制得的粉料裝入模具,利用放電等離子燒結(jié)系統(tǒng)在真空環(huán)境中 1000°C~1050°C進(jìn)行燒結(jié),制得陶瓷燒結(jié)體;
      [0010] (4)空氣氣氛下,將步驟做制得的陶瓷燒結(jié)體lioor~115(TC處理1~5小時, 制得所述核殼結(jié)構(gòu)高儲能密度電介質(zhì)陶瓷。 W11] 進(jìn)一步地,步驟似中,巧樣酸處理后的Bae.4Sre.JiO3粉末與Si〇2的摩爾比為 (100-X) :x,其中X= 5 ~12. 5。 陽〇1引進(jìn)一步地,巧樣酸處理后的Ban.4Srn.eTi〇3粉末與Si〇2的摩爾比為(100-X) :x,其 中,X= 5,8 或 12. 5。
      [0013] 進(jìn)一步地,步驟(1)中,溶膠凝膠法制備Ba〇.4Sr〇.eTi〇3粉末時,Ti(C4H9〇)4與乙二 醇的摩爾分?jǐn)?shù)比為1:15~1:25,Ti(C4HgO)4與巧樣酸的摩爾分?jǐn)?shù)比為1:1~1:4 ;水浴加 熱溫度為50~80°C;烘干溫度為100°C~150°C;粉末般燒溫度為850°C~115(TC,般燒時 間為2~5小時。
      [0014] 進(jìn)一步地,步驟(1)中,溶膠凝膠法制備Ba〇.4Sr。.Ji〇3粉末時,Ti佑化0)4與乙二醇 的摩爾分?jǐn)?shù)比為1:20,Ti(C4HgO)4與巧樣酸的摩爾分?jǐn)?shù)比為1:2 ;水浴加熱溫度為70°C;烘 干溫度為120°C;粉末般燒溫度為1050°C,時間為3小時。
      [0015] 進(jìn)一步地,步驟似中,制備Si〇2包覆Baa.4Sra.eTi〇3粉末時,Bae.4SraeTi〇3粉末表 面處理中使用的稀釋的硝酸濃度為0. 5~2mol/L;使用的巧樣酸溶液的濃度為0. 005mol/ L~0. 02mol/L;分散使用的乙醇/去離子水/氨水的混合液中,乙醇、去離子水、氨水按體 積分?jǐn)?shù)比50:10:1混合;Si〇2包覆Bae.4Sre.eTi〇3粉末的般燒溫度為800°C~900°C,時間為 1~4小時。
      [0016] 進(jìn)一步地,步驟似中,制備Si〇2包覆Baa.4Sra.eTi〇3粉末時,Bae.4SraeTi〇3粉末表 面處理中使用的稀釋硝酸濃度為Imol/L;使用的巧樣酸溶液的濃度為0.Olmol/Lmol/L; Si〇2包覆Bae.4Sre.eTi〇3粉末的般燒溫度為850°C,時間為3小時。
      [0017] 進(jìn)一步地,步驟(3)中,所述的燒結(jié)溫度為1050°C,保溫時間為Omin。 陽01引進(jìn)一步地,步驟(4)中,所述的熱處理溫度為1125°C,時間為3小時。
      [0019] 與現(xiàn)有技術(shù)相比,本發(fā)明的有益效果在于:采用本發(fā)明的制備方法,放電等離子燒 結(jié)制備的Ban.4Sr。.Ji〇3@Si〇2陶瓷在室溫下儲能密度達(dá)可到1. 60J/cm3W上,而同樣條件制 備的未包覆Si〇2的Bae.4SraeTi〇3電介質(zhì)陶瓷的儲能密度僅為1. 20J/cm3左右,儲能密度提 高了 0. 40J/cm3。本發(fā)明制備的核殼結(jié)構(gòu)高儲能密度電介質(zhì)陶瓷,可用于高密度儲能電容器 等元器件,在大功率和脈沖功率領(lǐng)域有著極大的應(yīng)用價值。
      【附圖說明】
      [0020]圖1為SPS燒結(jié)原理圖; 陽OW 圖 2 為液相法制備核殼結(jié)構(gòu)(lOO-x)mol%Ba〇.4Sr〇.eTi〇3+xmol%Si〇2(x =0, 5,8, 12.W陶瓷粉末透射電鏡照片:(a)Ba〇.4Sr〇.eTi〇3(對比例 1) ; (b)95mol%Ba〇.4Sr〇.eTi〇3+5mol%Si〇2(實(shí)施例 1) ;(c)92mol%Ba〇.4Sr〇.eTi〇3+8mol%Si〇2(實(shí)施例 2); (d)87.Smol%Ba〇.4Sr〇.eTi〇3+l2.Smol%Si〇2(實(shí)施例 3); 陽〇2引 圖 3 為放點(diǎn)等離子燒結(jié)制備(lOO-x)mol%Ba〇.4S;r〇.6Ti〇3+xmol%Si〇2(x=0,5,8,12.。陶瓷邸0衍射圖譜:(曰)8曰。.45'。.61'1〇3(對1:1:例1);化)95111〇1% Ba〇.4Sr〇.eTi〇3+5mol%Si〇2(實(shí)施例 1) ;(c)92mol%Ba〇.4Sr〇.eTi〇3+8mol%Si〇2(實(shí)施例 2); (d)87.Smol%Ba〇.4Sr〇.eTi〇3+l2.Smol%Si〇2(實(shí)施例 3);
      [002;3]圖 4 為放電等離子燒結(jié)制備(lOO-x)mol%Ba〇.4S;r〇.6Ti〇3+xmol%Si〇2(X= 0,5,8, 12. 5)陶瓷樣品的拋光熱腐蝕表面掃描電鏡照片:(a)Ba〇.4Sr〇.Ji〇3(對比例1); (b)95mol%Ba〇.4S;r〇.6Ti〇3巧mol%Si〇2(實(shí)施例 1) ;(c)92mol%Ba〇.4S;r〇.6Ti〇3+8mol% Si〇2(實(shí)施例 2) ;(d)87. 5mol%Ba〇.4Sr〇.eTi〇3+12. 5mol%Si〇2(實(shí)施例 3);
      [0024]圖 5 為放電等離子燒結(jié)制備(lOO-x)mol%Ba〇.4S;r〇.6Ti〇3+xmol%Si〇2(X=0,5,8, 12.W陶瓷樣品室溫60Hz時最高電場強(qiáng)度下的電滯回線:(a)Bac.4Src.eTi〇3(對比例 1);化)95mol%Ba〇.4S;r〇.6Ti〇3+5mol%Si〇2(實(shí)施例1) ;k)92mol%Ba〇.4S;r〇.6Ti〇3+8mol% Si〇2(實(shí)施例 2) ;(d)87. 5mol%Ba〇.4Sr〇.eTi〇3+12.5mol%Si〇2(實(shí)施例 3);
      【具體實(shí)施方式】
      [00巧]下面結(jié)合具體實(shí)施例進(jìn)一步闡釋本發(fā)明。 陽0%] 實(shí)施例1
      [0027] (1)溶膠凝膠法制備Ban.4Srn.eTi〇3粉末:將Ti(C化0)4溶于乙二醇,攬拌至澄 清,其中Ti(C4&0)4與乙二醇的摩爾分?jǐn)?shù)比為1:15;加入巧樣酸,繼續(xù)攬拌至澄清,其中 了1佑品0)4與巧樣酸的摩爾分?jǐn)?shù)比為1:1,巧加入8曰0)3和5祐〇3粉末,滴加質(zhì)量分?jǐn)?shù)為65% 的HN03數(shù)滴,得到混合溶液;將混合溶液置于50°C水浴中攬拌至黃棟色透明溶膠隨后烘箱 中100°C烘干,直至溶膠顏色變?yōu)樯顥澤?;最?50°C般燒5小時獲得Bae.4Sr。.Ji〇3納米粉 末; 陽0測 似利用正娃酸乙醋(TE0巧水解制備Si〇2包覆Ba〇.4Sr〇.eTi〇3粉末:將 Ba〇.4Sr。.Ji〇3粉末進(jìn)行表面處理,具體為:將Bae.4Sre.eTi〇3粉末加入到稀釋的HN03溶液中 (稀釋硝酸濃度為0. 5mol/L),超聲振蕩后靜置,去除上層清液,去離子水洗涂數(shù)次;硝酸處 理過的Ba〇.4Sr〇.eTi〇3粉末加入到巧樣酸溶液中(巧樣酸溶液的濃度為0. 005mol/L),超聲 振蕩后靜置,去除上層清液;巧樣酸處理后的Ba".4Sr。.Ji〇3粉末分散在乙醇/去離子水/氨 水的混合液中,超聲振蕩后,一邊攬拌一邊緩慢滴加正娃酸乙醋(TE0巧,加入正娃酸乙醋的 量使得巧樣酸處理后的Bae.4Sr。.Ji〇3粉末與Si〇2的摩爾比為95:5;接著加熱攬拌至溶劑全 部蒸發(fā),剩余粉末烘干后800°C般燒4小時,獲得具有核殼結(jié)構(gòu)的Bae.4Sr。.Ji〇3@Si〇2粉末;
      [0029] (3)將步驟(2)制得的粉末裝入直徑為10mm的石墨模具,放入放電等離子燒結(jié) 系統(tǒng)在1000°C、50M化機(jī)械壓力下燒結(jié),保溫時間為Omin。從室溫到900°C的升溫速率為 100°C/min,從900°C到980°C升溫速率為 40°C/min,980°C到1000°C升溫速率為 20°C/min, 1000°C保溫Omin,燒結(jié)完成后,卸去壓力并隨爐冷。如圖1所示,SPS燒結(jié)原理為:SPS利 用直流脈沖電流直接進(jìn)行通電加壓燒結(jié),通過調(diào)節(jié)直流脈沖電流的功率大小來控制升溫速 率。整個燒結(jié)過程在真空環(huán)境下進(jìn)行;脈沖電流直接作用于樣品及模具上,快速發(fā)熱,快速 傳熱,快速升溫,大幅縮短樣品燒結(jié)時間。
      [0030] (4)將步驟做制得的陶瓷樣品在磨去粘附的石墨紙后在空氣中iioor下熱處理 5小時。從室溫到1100°C的升溫速率為5°C/min,1100°C保溫5h,1100°C到800°C的降溫速 率為2°
      當(dāng)前第1頁1 2 
      網(wǎng)友詢問留言 已有0條留言
      • 還沒有人留言評論。精彩留言會獲得點(diǎn)贊!
      1