一種集成電路芯片熱沉材料的制作方法
【專利說明】
1、
技術(shù)領(lǐng)域
[0001]—種集成電路芯片熱沉材料是采用類金剛石(英文簡稱DLC)粉壓制成型技術(shù)方案制造的。這種熱沉材料具有接近金剛石的導(dǎo)熱性能，能夠避免集成電路在超高速運(yùn)算狀態(tài)下因過熱而損毀。從而有助于解決進(jìn)一步提高集成電路運(yùn)算速度面對的安全穩(wěn)定運(yùn)行問題，適用于智能手機(jī)、筆記本電腦、大型計(jì)算機(jī)制造行業(yè)。該技術(shù)屬于功能新材料應(yīng)用領(lǐng)域。
2、
【背景技術(shù)】
[0002]現(xiàn)有技術(shù)通常采用三氧化二鋁粉末壓制成型制造集成電路芯片熱沉材料。由于三氧化二鋁材料本身的導(dǎo)熱性能限制，難以進(jìn)一步提高傳熱速度，因而限制了集成電路運(yùn)算速度進(jìn)一步提尚。只能以導(dǎo)熱系數(shù)更尚的材料替換，才能真正解決集成電路在超尚速運(yùn)算狀態(tài)下因過熱而損毀的問題?，F(xiàn)有已知材料中金剛石的導(dǎo)熱系數(shù)是最高的，采用金剛石粉作為熱沉材料，不僅成本高而且很難加工成型。類金剛石導(dǎo)熱系數(shù)接近金剛石、但成本遠(yuǎn)低于金剛石，并且具有一定的柔韌性易于壓制成型，因此類金剛石可以成為最佳的熱沉材料。采用高頻等離子體化學(xué)氣相沉積設(shè)備大量制備類金剛石粉的技術(shù)已經(jīng)成熟，所以類金剛石將成為新一代熱沉材料。無疑，這將極大的促進(jìn)電腦行業(yè)發(fā)展。
3、

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]將高頻等離子體化學(xué)氣相沉積設(shè)備制備的類金剛石粉裝入模具中，在常溫、高壓條件下壓制成型，即可獲得DLC集成電路芯片熱沉材料。
4、
【附圖說明】
[0004]圖1是DLC集成電路芯片熱沉材料⑷制作模具示意圖。
[0005]模具包括凸型模具(1)與凹形模具(2)。
[0006]圖2是DLC集成電路芯片熱沉材料⑷制作過程示意圖。
[0007]將凹形模具⑵的凹型槽內(nèi)裝入類金剛石粉(3)，再將凸型模具(1)與凹形模具
(2)對接后加壓，類金剛石粉(3)在凸型模具(1)與凹形模具(2)對接形成的腔體內(nèi)成型為DLC集成電路芯片熱沉材料(4)。
[0008]圖3是DLC集成電路芯片熱沉材料(4)示意圖。
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【具體實(shí)施方式】
[0009]==》按照用戶要求的規(guī)格設(shè)計(jì)制作凸型不銹鋼模具(1)與凹形不銹鋼模具(2)==》將凹形模具⑵的凹型槽內(nèi)裝填類金剛石粉(3)，再將凸型模具⑴與凹形模具(2)對接后加壓，使類金剛石粉(3)在凸型模具(1)與凹形模具(2)對接形成的腔體內(nèi)成型為DLC集成電路芯片熱沉材料(4)==》從模具中取出DLC集成電路芯片熱沉材料(4)成品。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種集成電路芯片熱沉材料是采用類金剛石(英文簡稱DLC)粉壓制成型技術(shù)方案制造的，這種熱沉材料具有接近金剛石的導(dǎo)熱性能，能夠避免集成電路在超高速運(yùn)算狀態(tài)下因過熱而損毀，從而有助于解決進(jìn)一步提高集成電路運(yùn)算速度面對的安全穩(wěn)定運(yùn)行問題，其獨(dú)有的與現(xiàn)有技術(shù)不同的技術(shù)特征是采用類金剛石粉(3)為原料制作DLC集成電路芯片熱沉材料(4)。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的DLC集成電路芯片熱沉材料(4)，其特征是使用凸型模具(1)與凹形模具(2)將類金剛石粉(3)壓制成型。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的DLC集成電路芯片熱沉材料(4)，其特征是包含類金剛石粉(3)成分的DLC集成電路芯片熱沉材料(4)。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的DLC集成電路芯片熱沉材料(4)，其特征是包含類金剛石粉(3)成分的用于傳熱的裝置。
【專利摘要】DLC集成電路芯片熱沉材料是采用類金剛石粉壓制成型技術(shù)方案制造的。這種熱沉材料具有接近金剛石的導(dǎo)熱性能，能夠避免集成電路在超高速運(yùn)算狀態(tài)下因過熱而損毀。從而有助于解決進(jìn)一步提高集成電路運(yùn)算速度必須面對的安全穩(wěn)定運(yùn)行問題，適用于智能手機(jī)、筆記本電腦、大型計(jì)算機(jī)制造行業(yè)。該技術(shù)屬于功能新材料應(yīng)用領(lǐng)域。
【IPC分類】C01B31/06, B01J3/06
【公開號】CN105253881
【申請?zhí)枴緾N201510546651
【發(fā)明人】劉南林
【申請人】劉南林
【公開日】2016年1月20日
【申請日】2015年8月24日