太陽能板反光裝置的強(qiáng)化處理方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明屬于清潔能源領(lǐng)域，特別是涉及太陽能發(fā)電領(lǐng)域，具體涉及一種太陽能板反光裝置的強(qiáng)化處理方法。
【背景技術(shù)】
[0002]目前太陽能板作為太陽能發(fā)電裝置是比較常規(guī)的，但是由于其如果水平放置，則容易由于太陽光不是垂直照射而導(dǎo)致能量利用不充分，因此目前有很多太陽能板通過設(shè)置傾斜旋轉(zhuǎn)裝置而使得太陽能板隨著太陽光的移動(dòng)而盡量始終保持與太陽光垂直，同時(shí)為了達(dá)到類似目的也有一些弧形的太陽能板等裝置，目前也存在一些通過反光裝置來提高各個(gè)方向上太陽能利用率的方法，弧形反光裝置就是其中一種，但是目前的弧形反光裝置對于太陽能利用效率也有一定的浪費(fèi)，不能同時(shí)進(jìn)行透射，并且作為太陽能板的配件，耐久度不是很好。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]本發(fā)明的目的在于提出一種太陽能板反光裝置的強(qiáng)化處理方法。
[0004]具體通過如下技術(shù)手段實(shí)現(xiàn):
太陽能板反光裝置的強(qiáng)化處理方法，所述太陽能板反光裝置是與太陽能板配套使用的弧形低輻射鍍膜玻璃，包括如下步驟:
(1)形成玻璃基板:按質(zhì)量百分比計(jì)為:A1203: 12-21%, B203:6~12%, ZnO:6~8%，SrO:2-6%, MgO: 1-3%, CaO:2?11%，BaO:2~5%, Sb203:0.1-0.3%，Sn02:1.6-2.2%, Ce:0.06-0.09%，余量為Si02以及不可避免的雜質(zhì)形成弧形玻璃基板。
[0005](2)對玻璃基板進(jìn)行鍍膜:所述弧形低輻射鍍膜玻璃從外弧面到內(nèi)弧面依次包括:玻璃基板、第一 Si3N4層、第一 ΙΤ0氧化銦錫層、第一氧化鉻鍍層、Cu-N阻擋層、銀層、第二氧化鉻鍍層、第二 ΙΤ0氧化銦錫層、第二 Si3N4層。
[0006](3)強(qiáng)化處理:鍍膜之后，將步驟(2)得到的弧形低輻射鍍膜玻璃置于深冷熱處理箱中，通過降溫到-50~-80°C后，保持該溫度15~25min，然后出深冷熱處理箱，緩慢恢復(fù)到室溫；然后將該弧形低輻射鍍膜玻璃置入真空熱處理加熱爐，隨爐升溫到52~10(TC，保持該溫度20~30min后，隨爐冷卻到室溫，得到高強(qiáng)度的該弧形低輻射鍍膜玻璃。
[0007]其中，步驟(3)中的所述降溫是通過液氮來實(shí)現(xiàn)。
[0008]配套的太陽能板可以為如下設(shè)置:包括:前層玻璃、形成于前層玻璃上的光伏薄膜、后層玻璃、位于設(shè)置了光伏薄膜的前層玻璃和后層玻璃之間的封裝薄片以及用于密封封裝薄片的填料。
[0009]實(shí)現(xiàn)的時(shí)候，所述弧形低輻射鍍膜玻璃的圓心在太陽能板一側(cè)，從而使得從背向太陽能板的方向上照射來的太陽光通過弧形低輻射鍍膜玻璃反射到太陽能板的前層玻璃上，并且從弧形低輻射鍍膜玻璃背面照射來的太陽光能夠透過該玻璃照射到太陽能板上。
[0010]作為優(yōu)選，所述銀層厚度為22~28nm，所述第一和第二 Si3N4層厚度為20~25nm，所述Cu-N阻擋層厚度為16~22nm。
[0011]本發(fā)明的效果在于:
1，通過合理調(diào)整弧形低輻射鍍膜玻璃(Low-E玻璃)的組分含量，使得從背向太陽能板的方向上照射來的太陽光通過弧形低輻射鍍膜玻璃反射到太陽能板的前層玻璃上，并且從弧形低輻射鍍膜玻璃背面照射來的太陽光能夠透過該玻璃照射到太陽能板上，從而大大提高了太陽能板的太陽光利用率。
[0012]2，通過合理配置低輻射鍍膜玻璃基板的成分含量以及與之配套的強(qiáng)化處理方法(深冷+均質(zhì)化)，使得其強(qiáng)度得到保證并且其透光率得到了一定改善，更加適配低輻射鍍膜的設(shè)置；通過具體強(qiáng)化處理方法同時(shí)使得各層之間的結(jié)合強(qiáng)度進(jìn)一步提高，提高了其耐久度。
[0013]通過對低輻射鍍膜層的合理設(shè)置，使得其從玻璃基板一側(cè)照射來的太陽光透射過該玻璃板而從鍍膜一側(cè)照射來的太陽光更加多比例的反射到太陽能板上。
【具體實(shí)施方式】
[0014]實(shí)施例1
太陽能板反光裝置的強(qiáng)化處理方法，所述太陽能板反光裝置是與太陽能板配套使用的弧形低輻射鍍膜玻璃，包括如下步驟:
(1)形成玻璃基板:按質(zhì)量百分比計(jì)為-ΑΙΑ: 19%，B203:8%，ZnO:6.8%，SrO:3%，MgO:2%，CaO:9%，BaO:3%，Sb203:0.2%，Sn02:l.96%，Ce:0.08%，余量為 Si02以及不可避免的雜質(zhì)形成弧形玻璃基板。
[0015](2)對玻璃基板進(jìn)行鍍膜:所述弧形低輻射鍍膜玻璃從外弧面到內(nèi)弧面依次包括:玻璃基板、第一 Si3N4層、第一 ΙΤ0氧化銦錫層、第一氧化鉻鍍層、Cu-N阻擋層、銀層、第二氧化鉻鍍層、第二 ΙΤ0氧化銦錫層、第二 Si3N4層。
[0016](3)強(qiáng)化處理:鍍膜之后，將步驟(2)得到的弧形低輻射鍍膜玻璃置于深冷熱處理箱中，通過液氮降溫到_59°C后，保持該溫度18min，然后出深冷熱處理箱，緩慢恢復(fù)到室溫；然后將該弧形低輻射鍍膜玻璃置入真空熱處理加熱爐，隨爐升溫到66°C，保持該溫度25min后，隨爐冷卻到室溫，得到高強(qiáng)度的該弧形低輻射鍍膜玻璃。
[0017]
實(shí)施例2
太陽能板反光裝置的強(qiáng)化處理方法，所述太陽能板反光裝置是與太陽能板配套使用的弧形低輻射鍍膜玻璃，包括如下步驟:
(1)形成玻璃基板:按質(zhì)量百分比計(jì)為-ΑΙΑ: 15%，B203:9%，ZnO:6.2%，SrO:5%，MgO:2.6%, CaO:6%，Ba0:3.2%, Sb203:0.18%, Sn02:2.0%，Ce:0.069%，余量為 Si02W及不可避免的雜質(zhì)形成弧形玻璃基板。
[0018](2)對玻璃基板進(jìn)行鍍膜:所述弧形低輻射鍍膜玻璃從外弧面到內(nèi)弧面依次包括:玻璃基板、第一 Si3N4層、第一 ΙΤ0氧化銦錫層、第一氧化鉻鍍層、Cu-N阻擋層、銀層、第二氧化鉻鍍層、第二 ΙΤ0氧化銦錫層、第二 Si3N4層；其中所述銀層厚度為26nm，所述第一和第二Si3N4層厚度為22nm，所述Cu-Ν阻擋層厚度為18nm。
[0019](3)強(qiáng)化處理:鍍膜之后，將步驟(2)得到的弧形低輻射鍍膜玻璃置于深冷熱處理箱中，通過液氮降溫到_62°C后，保持該溫度20min，然后出深冷熱處理箱，緩慢恢復(fù)到室溫；然后將該弧形低輻射鍍膜玻璃置入真空熱處理加熱爐，隨爐升溫到58°C，保持該溫度26min后，隨爐冷卻到室溫，得到高強(qiáng)度的該弧形低輻射鍍膜玻璃。
[0020]實(shí)現(xiàn)的時(shí)候，所述弧形低輻射鍍膜玻璃的圓心在太陽能板一側(cè)，從而使得從背向太陽能板的方向上照射來的太陽光通過弧形低輻射鍍膜玻璃反射到太陽能板的前層玻璃上，并且從弧形低輻射鍍膜玻璃背面照射來的太陽光能夠透過該玻璃照射到太陽能板上。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.太陽能板反光裝置的強(qiáng)化處理方法，其特征在于，所述太陽能板反光裝置是與太陽能板配套使用的弧形低輻射鍍膜玻璃，包括如下步驟: (1)形成玻璃基板:按質(zhì)量百分比計(jì)為:A1203:12-21%, B203:6~12%, ZnO:6~8%，SrO:2-6%, MgO: 1-3%, CaO:2?11%，BaO:2~5%, Sb203:0.1-0.3%，Sn02:1.6-2.2%, Ce:0.06-0.09%，余量為Si02以及不可避免的雜質(zhì)形成弧形玻璃基板； (2)對玻璃基板進(jìn)行鍍膜:所述弧形低輻射鍍膜玻璃從外弧面到內(nèi)弧面依次包括:玻璃基板、第一 Si3N4層、第一 IT0氧化銦錫層、第一氧化鉻鍍層、Cu-N阻擋層、銀層、第二氧化鉻鍍層、第二 IT0氧化銦錫層、第二 Si3N4層； (3)強(qiáng)化處理:鍍膜之后，將步驟(2)得到的弧形低輻射鍍膜玻璃置于深冷熱處理箱中，通過降溫到-50~-80°C后，保持該溫度15~25min，然后出深冷熱處理箱，緩慢恢復(fù)到室溫；然后將該弧形低輻射鍍膜玻璃置入真空熱處理加熱爐(感應(yīng)加熱)，隨爐升溫到52~100°C，保持該溫度20~30min后，隨爐冷卻到室溫，得到高強(qiáng)度的該弧形低輻射鍍膜玻璃。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的太陽能板反光裝置的強(qiáng)化處理方法，其特征在于，步驟(3)中的所述降溫是通過液氮來實(shí)現(xiàn)。
【專利摘要】本發(fā)明涉及一種太陽能發(fā)電裝置配件的強(qiáng)化方法，具體是太陽能板反光裝置的強(qiáng)化處理方法，通過設(shè)置弧形低輻射鍍膜玻璃以及配套的對該玻璃組分和鍍膜結(jié)構(gòu)配合具體特定的強(qiáng)化處理方法，使得該反光裝置的效率和耐久性得到改善，使得太陽能發(fā)電裝置的太陽能利用率得到了大大改善。
【IPC分類】C03B32/00, C03C17/36, C03C3/15
【公開號】CN105271725
【申請?zhí)枴緾N201510841102
【發(fā)明人】李白
【申請人】李白
【公開日】2016年1月27日
【申請日】2015年11月28日