于存在的氫化娃燒和氫化硅烷低聚物的總質(zhì)量計(jì))(Mw?1200 g/mol)和0.13克新戊硅烷在1.60克環(huán)辛烷和0.7克甲苯中的混合物在9999轉(zhuǎn)/min下涂覆到EagleXG玻璃上，然后在500°C/60 s下轉(zhuǎn)化。所得層厚度為23納米。
[0050]從圖1所含的照片和顯微圖像中也明顯看出該層原則上適用于半導(dǎo)體用途。但是，該配制品非常稀并具有損失基底上的潤(rùn)濕的傾向。另一缺點(diǎn)是產(chǎn)生起泡層。
[0051 ] 實(shí)施例4:
將0.38克由新戊硅烷形成的未摻雜氫化硅烷低聚物(66.7重量％，基于存在的氫化硅烷和氫化硅烷低聚物的總質(zhì)量計(jì))(MW?2000 g/mol)和0.19克新戊硅烷在1.00克環(huán)辛烷和2.10克甲苯中的混合物在9999轉(zhuǎn)/min下涂覆到EagleXG玻璃上，然后在500°C/60 s下轉(zhuǎn)化。所得層厚度為14納米。
[0052]從圖2所含照片和顯微圖像中也明顯看出該層原則上適用于半導(dǎo)體用途。但是，該配制品非常稀并具有損失基底上的潤(rùn)濕的傾向。另一缺點(diǎn)是產(chǎn)生起泡層。
[0053]實(shí)施例5:
將0.1克由新戊硅烷形成的P-摻雜的氫化硅烷低聚物(71.4重量％，基于存在的氫化硅烷和氫化硅烷低聚物的總質(zhì)量計(jì))(MW?760 g/mol)和0.04克新戊硅烷在0.176克環(huán)辛烷和1.584克甲苯中的混合物在9999轉(zhuǎn)/min下涂覆到EagleXG玻璃上，然后在500°C/60 s下轉(zhuǎn)化。所得層厚度為15納米?？梢砸钥稍佻F(xiàn)的方式制造極好的層。
[0054]實(shí)施例6:
將0.20克由新戊硅烷形成的未摻雜氫化硅烷低聚物(76.9重量％，基于存在的氫化硅烷和氫化硅烷低聚物的總質(zhì)量計(jì)KMw?1200 g/mol)和0.06克新戊硅烷在0.06克環(huán)辛烷和0.54克甲苯中的混合物在9999轉(zhuǎn)/min下涂覆到EagleXG玻璃上，然后在500°C/60 s下轉(zhuǎn)化。所得層厚度為25納米。
[0055]從作為圖3的照片和顯微圖像中也顯而易見(jiàn)，可以以可再現(xiàn)的方式制造極好的層。
[0056]實(shí)施例7:
將0.08克由新戊娃燒形成的η-摻雜的氫化娃燒低聚物(80重量％，基于存在的氫化娃燒和氫化硅烷低聚物的總質(zhì)量計(jì))(MW?1120 g/mol)和0.02克新戊硅烷在0.18克環(huán)辛烷和0.42克甲苯中的混合物在9999轉(zhuǎn)/min下涂覆到EagleXG玻璃上，然后在500°C/60 s下轉(zhuǎn)化。所得層厚度為12納米?？梢砸钥稍佻F(xiàn)的方式制造極好的層。
[0057]實(shí)施例8:
將0.24克由新戊硅烷形成的未摻雜氫化硅烷低聚物(96重量％，基于存在的氫化硅烷和氫化硅烷低聚物的總質(zhì)量計(jì))(Mw?1200 g/mol)和0.01克新戊硅烷在0.37克環(huán)辛烷和
0.87克甲苯中的混合物在9999轉(zhuǎn)/min下涂覆到EagleXG玻璃上，然后在500°C/60 s下轉(zhuǎn)化。所得層厚度為15納米。
[0058]從圖4所含照片和顯微圖像中也明顯看出該層原則上適用于半導(dǎo)體用途。但是，這些層部分具有缺陷。
[0059]實(shí)施例9:
將0.24克由新戊娃燒形成的未摻雜氫化娃燒低聚物(96重量％，基于存在的氫化娃燒和氫化硅烷低聚物的總質(zhì)量計(jì))(Mw?1200 g/mol)和0.01克新戊硅烷在0.37克環(huán)辛烷和0.87克甲苯中的混合物在9999轉(zhuǎn)/min下涂覆到EagleXG玻璃上，然后在500°C/60 s下轉(zhuǎn)化。所得層厚度為15納米。
[0060]從圖5所含照片和顯微圖像中也明顯看出該層原則上適用于半導(dǎo)體用途。但是，這些層部分不完整和/或不均勻，且該層中形成可辨別的缺陷(氣泡)。
[0061]對(duì)比例1:
由0.1克由新戊硅烷低聚物(Mw?760 g/mol)形成的P-摻雜的氫化硅烷、0.176克環(huán)辛烷和1.624克甲苯構(gòu)成的未添加新戊硅烷的對(duì)比配制品表現(xiàn)出顯著渾濁并且不能涂覆。
[0062]對(duì)比例2:
將0.001克由新戊硅烷形成的未摻雜氫化硅烷低聚物(Mw?2000 g/mol)和1.0克新戊硅烷在3.0克環(huán)辛烷和7.0克甲苯中的混合物在1000轉(zhuǎn)/min、3000轉(zhuǎn)/min和9999轉(zhuǎn)/min下涂覆到EagleXG玻璃上，然后在500°C/60 s下轉(zhuǎn)化。在所得樣品上無(wú)法檢測(cè)到層。
[0063]對(duì)比例3:
將0.01克由新戊娃燒形成的未摻雜氫化娃燒低聚物(1.0重量％，基于存在的氫化娃燒和氫化硅烷低聚物的總質(zhì)量計(jì))(Mw?2000 g/mol)和1.0克新戊硅烷在3.0克環(huán)辛烷和7.0克甲苯中的混合物在1000轉(zhuǎn)/min、3000轉(zhuǎn)/min和9999轉(zhuǎn)/min下涂覆到EagleXG玻璃上，然后在500°C/60 s下轉(zhuǎn)化。在所得樣品上無(wú)法檢測(cè)到層。
[0064]對(duì)比例4:
將0.1克由新戊娃燒形成的未摻雜氫化娃燒低聚物(9.9重量％，基于存在的氫化娃燒和氫化硅烷低聚物的總質(zhì)量計(jì))(MW?2000 g/mol)和1.0克新戊硅烷在3.0克環(huán)辛烷和7.0克甲苯中的混合物在1000轉(zhuǎn)/min、3000轉(zhuǎn)/min和9999轉(zhuǎn)/min下涂覆到EagleXG玻璃上，然后在500°C/60 s下轉(zhuǎn)化。在所得樣品上無(wú)法檢測(cè)到層。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.配制品，其包含至少一種氫化硅烷和至少一種氫化硅烷低聚物， 其特征在于 所述氫化硅烷具有通式SinH2n+2，其中η = 3-6 O2.根據(jù)權(quán)利要求1的配制品， 其特征在于 所述氫化娃燒是三娃燒、異四娃燒、正五娃燒、2-甲娃燒基四娃燒或新戊娃燒。3.根據(jù)權(quán)利要求1或2的配制品， 其特征在于 所述氫化硅烷是支化的氫化硅烷。4.根據(jù)前述權(quán)利要求任一項(xiàng)的配制品， 其特征在于 所述氫化硅烷低聚物具有200至10 000 g/mol的重均分子量。5.根據(jù)前述權(quán)利要求任一項(xiàng)的配制品， 其特征在于 所述氫化硅烷低聚物通過(guò)非環(huán)狀氫化硅烷的低聚獲得。6.根據(jù)權(quán)利要求5的配制品， 其特征在于 所述氫化硅烷低聚物可在沒(méi)有催化劑的情況下在小于235°C的溫度下通過(guò)熱轉(zhuǎn)化包含至少一種具有最多20個(gè)硅原子的非環(huán)狀氫化硅烷的組合物獲得。7.根據(jù)前述權(quán)利要求任一項(xiàng)的配制品， 其特征在于 所述氫化硅烷低聚物含有碳。8.根據(jù)前述權(quán)利要求任一項(xiàng)的配制品， 其特征在于 所述氫化硅烷低聚物是摻雜的。9.根據(jù)前述權(quán)利要求任一項(xiàng)的配制品， 其特征在于 所述至少一種氫化硅烷的比例為基于所述配制品的總質(zhì)量計(jì)I至50重量％。10.根據(jù)前述權(quán)利要求任一項(xiàng)的配制品， 其特征在于 所述至少一種氫化硅烷低聚物的比例為基于所述配制品的總質(zhì)量計(jì)I至50重量％。11.根據(jù)前述權(quán)利要求任一項(xiàng)的配制品， 其特征在于 基于存在的氫化硅烷和氫化硅烷低聚物的總質(zhì)量計(jì)，所述氫化硅烷低聚物的比例為40-99.9重量％，優(yōu)選60-99重量％，特別優(yōu)選70-90重量％。12.根據(jù)前述權(quán)利要求任一項(xiàng)的配制品， 其特征在于 其具有至少一種溶劑。13.根據(jù)權(quán)利要求12的配制品， 其特征在于 所述溶劑的比例為基于所述配制品的總質(zhì)量計(jì)25至95重量％。14.根據(jù)權(quán)利要求12或13的配制品， 其特征在于 基于所述配制品的總質(zhì)量計(jì)，其具有1-30重量％的氫化硅烷、1-20重量％的氫化硅烷低聚物和60-95重量%的溶劑。15.制備根據(jù)前述權(quán)利要求任一項(xiàng)的配制品的方法，其中將通式SinH2n+2的氫化硅烷與氫化硅烷低聚物和任選的溶劑混合，其中η = 3-6 ο16.根據(jù)權(quán)利要求1至14任一項(xiàng)的配制品用于制造含硅層的用途。17.根據(jù)權(quán)利要求1至14任一項(xiàng)的配制品用于制造電子層或光電層的用途。18.根據(jù)權(quán)利要求1至14任一項(xiàng)的配制品用于制造電子部件或光電部件的用途。
【專利摘要】本發(fā)明涉及包含至少一種通式SinH2n+2的氫化硅烷和至少一種氫化硅烷低聚物的制劑，其中n？=？3-6，涉及其制備方法并涉及其用途。
【IPC分類】C01B33/04, C23C18/12
【公開號(hào)】CN105555709
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201480034522
【發(fā)明人】P.H.韋布肯貝格, M.帕茨, S.特勞特, J.黑辛格, M.D.馬爾施
【申請(qǐng)人】贏創(chuàng)德固賽有限公司
【公開日】2016年5月4日
【申請(qǐng)日】2014年6月12日
【公告號(hào)】DE102013010102A1, EP3010855A1, US20160145439, WO2014202459A1