amp;)和腫（AsHs)是針對 用于娃的η型滲雜的前體氣體的示例。
[0027] 根據(jù)另一實施例，用附加 η型滲雜劑材料來滲雜娃錠包括在相蝸中烙化η型滲雜 劑源材料?？蒞通過調(diào)整η型滲雜劑源材料到烙融娃中的深度來用附加 η型滲雜劑材料滲 雜娃錠，該η型滲雜劑源材料包括附加 η型滲雜劑材料。調(diào)整被浸到相蝸中的烙融娃中的 η型滲雜劑源材料的深度可W包括測量η型滲雜劑源材料的重量。
[0028] 根據(jù)另一實施例，η型滲雜劑源材料采用一個或多個棒的形狀。該一個或多個棒 可W被牽引器機(jī)構(gòu)（puller mechanism)浸到娃烙體中。牽引器機(jī)構(gòu)保持η型滲雜劑源材 料，將η型滲雜劑源材料浸到娃烙體中，并且還將滲雜劑源材料從娃烙體拉出。控制機(jī)構(gòu)被 配置成控制牽引器機(jī)構(gòu)。該控制機(jī)構(gòu)可W通過例如有線或無線控制信號傳輸來控制牽引器 機(jī)構(gòu)。
[0029] 根據(jù)實施例，η型滲雜劑源材料由被用附加 η型滲雜劑材料滲雜的石英或碳化娃 制成。附加 η型滲雜劑材料到η型滲雜劑源材料的深度中的濃度分布（profile)可在η型 滲雜劑源材料的表面下面具有峰值。向η型滲雜劑源材料中引入η型滲雜劑材料可W通過 過程就地滲雜、通過η型滲雜劑源材料的表面的等離子體沉積、通過η型滲雜劑源材料的表 面的離子注入和通過η型滲雜劑源材料的表面的擴(kuò)散中的至少一個來執(zhí)行。添加在η型滲 雜劑源材料的表面下面具有峰值的η型滲雜劑源材料取決于滲雜的深度分布和η型滲雜劑 源材料的烙化速率而導(dǎo)致在向烙體添加附加 η型滲雜劑中的延遲。
[0030] 根據(jù)實施例，在提取時間段期間用附加 η型滲雜劑材料來滲雜娃錠的程度在無滲 雜與最大滲雜之間改變?？蒞通過停止附加的η型滲雜劑進(jìn)入烙融娃、例如通過經(jīng)由牽引 器機(jī)構(gòu)使例如棒之類的η型滲雜劑源材料從烙融娃移動出來或者通過停止?jié)B雜劑前體氣 體到包括娃錠的反應(yīng)室中的進(jìn)入來抑制用附加 η型滲雜劑材料進(jìn)行的娃錠的滲雜。
[0031] 根據(jù)實施例，娃錠中的凈η型滲雜被設(shè)定在1X10" cm 3與IXIO" cm 3之間。原 料、例如用于諸如IGBT、二極管、絕緣柵場效應(yīng)晶體管（IG陽T)和晶閩管之類的功率半導(dǎo)體 的晶片可W具有例如在1X10" cm 3與IXIO" cm 3之間的凈η型滲雜范圍。
[0032] 根據(jù)另一實施例，經(jīng)由Ρ型滲雜劑源材料或者通過氣相滲雜技術(shù)中的至少一個而 通過向娃烙體添加 Ρ型滲雜劑材料來用Ρ型滲雜劑材料滲雜娃錠。根據(jù)實施例，Ρ型滲雜 劑材料是棚、侶和嫁中的一個。用Ρ型滲雜劑材料來進(jìn)行滲雜導(dǎo)致η型滲雜的部分補(bǔ)償。 由于η和Ρ型滲雜劑的不同偏析，可W實現(xiàn)沿著軸向方向的比電阻的負(fù)斜率的進(jìn)一步減小。 當(dāng)在第一和第二錠部分Ρ1、Ρ2的生長時段中添加 Ρ型滲雜劑時，負(fù)斜率減小落在運(yùn)些時段 內(nèi)。由此，可W增加第一和第二錠部分P1、P1沿著軸向方向的延伸，導(dǎo)致改善的產(chǎn)量。因為 上述方法允許指定比電阻的娃錠部分沿著軸向方向的移位，所W可W通過適當(dāng)?shù)厥鼓繕?biāo)娃 錠部分沿著軸向方向移位來調(diào)整沿著軸向方向改變的娃錠部分的其它特性，例如氧含量。
[0033] 根據(jù)實施例，通過氣相滲雜技術(shù)用P型滲雜劑材料來滲雜娃錠。
[0034] 根據(jù)另一實施例，用P型滲雜劑材料來滲雜娃錠包括在相蝸中烙化P型滲雜劑源 材料?？蒞通過調(diào)整P型滲雜劑源材料到烙融娃中的深度來用P型滲雜劑材料滲雜娃錠， 該P(yáng)型滲雜劑源材料包括P型滲雜劑材料。調(diào)整被浸到相蝸中的烙融娃中的P型滲雜劑源 材料的深度可W包括測量P型滲雜劑源材料的重量。P型滲雜劑源材料可W采用一個或多 個棒的形狀。P型滲雜劑源材料可W由被用附加 η型滲雜劑材料滲雜的石英或碳化娃制成。 Ρ型滲雜劑材料到Ρ型滲雜劑源材料的深度中的濃度分布可在Ρ型滲雜劑源材料的表面下 面具有峰值?？蒞通過下列中的至少一個向Ρ型滲雜劑源材料中引入Ρ型滲雜劑材料：過 程就地滲雜、通過Ρ型滲雜劑源材料的表面的等離子體沉積、通過Ρ型滲雜劑源材料的表面 的離子注入和通過Ρ型滲雜劑源材料的表面的擴(kuò)散。在提取時間段期間用附加 η型滲雜劑 材料來滲雜娃錠的程度可W在無滲雜與最大滲雜之間改變。
[0035] 圖3是用于執(zhí)行圖1中所示的方法的CZ生長系統(tǒng)100的簡化示意性截面圖。
[0036] CZ生長系統(tǒng)100包括相蝸105,例如相蝸支撐106、諸如石墨接受器上面的石英相 蝸。例如射頻（RF)線圈之類的加熱器107圍繞相蝸。加熱器107可W被布置在相蝸105的 橫向側(cè)面處和/或底側(cè)處。相蝸105可W通過支撐軸108旋轉(zhuǎn)。
[0037] 娃材料的混合物、例如諸如多晶娃之類的非晶體原材料和諸如憐（Ρ)、錬（Sb)、神 (As)或其任何組合之類的η型滲雜劑材料在相蝸中通過經(jīng)由加熱器107加熱而被烙化。η 型滲雜劑材料可W已經(jīng)構(gòu)成要烙化的娃材料的初始滲雜或者是其一部分和/或可W被添 加為固體、液體或氣體滲雜劑源材料。根據(jù)實施例，固體滲雜劑源材料是諸如滲雜劑源小球 之類的滲雜劑源顆粒。滲雜劑源材料可W具有諸如圓盤形狀、球形形狀或立方體形狀之類 的預(yù)定形狀。作為示例，滲雜劑源材料的形狀可W適于供應(yīng)設(shè)備109,諸如被配置成向相蝸 105中的娃烙體110供應(yīng)滲雜劑源材料的分配器。
[0038] 根據(jù)實施例，除滲雜劑材料之外，滲雜劑源材料還可包括載體材料或粘合劑材料。 作為示例，滲雜劑源材料可W是被用滲雜劑材料滲雜的石英或碳化娃（SiC)。根據(jù)另一實施 例，滲雜劑源材料可W是高度滲雜娃材料，諸如被滲雜至大于娃原材料的程度的高度滲雜 多晶娃材料。根據(jù)又一實施例，滲雜劑源材料可W是氮化棚和/或碳化棚。
[0039] 娃錠112被通過將巧晶114浸到娃烙體110中而被從包含娃烙體110的相蝸105 中拉出，其隨后在剛好在娃烙點W上的烙體表面溫度下被慢慢地收回。巧晶114是安裝在 通過拉軸116旋轉(zhuǎn)的巧支撐115上安裝的單個晶體娃巧。通常在幾 mm/min范圍內(nèi)的拉動 速率和溫度分布影響CZ生長娃錠112的直徑。
[0040] 當(dāng)根據(jù)圖1中所示的方法用CZ生長系統(tǒng)100來提取娃錠112時，在提取時間的至 少一個子時段期間向娃烙體添加附加的η型滲雜劑材料。
[0041] 根據(jù)實施例，從諸如被供應(yīng)設(shè)備109供應(yīng)到娃烙體110的憐滲雜石英材料之類的 滲雜石英材料向烙融娃臨時地添加附加 η型滲雜劑材料。
[0042] 根據(jù)另一實施例，向來自滲雜相蝸的娃烙體100添加附加的η型滲雜劑材料?？?W通過向相蝸中注入例如憐之類的附加 η型滲雜劑材料來形成用附加 η型滲雜劑材料滲雜 的相蝸（比較圖4的示意性截面圖)?？蒞用一個或多個傾斜注入（比較標(biāo)簽IzZ和I 32)和/ 或用非傾斜注入（比較圖4中的標(biāo)簽Ii2)來向相蝸105中注入附加 η型滲雜劑材料?？蒞 使用（多個)傾角的分布來調(diào)整通過例如在相蝸由石英制成的情況下W在約10帕/小時的范 圍內(nèi)的速率將相蝸105的材料溶解在娃烙體110中而供應(yīng)到娃烙體110的附加 η型滲雜劑 材料的量?？筛鞣N能量和/或W各種劑量將附加 η型滲雜劑材料注入到相蝸中。通過 加熱來向相蝸105施加熱預(yù)算可W允許設(shè)定相蝸105中的附加 η型滲雜劑材料的逆行分布 (retrograde profile)。W各種能量和/或劑量的多個注入還允許設(shè)定附加