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      一種納米六硼化鈣陶瓷粉末制備方法

      文檔序號(hào):9857225閱讀:479來(lái)源:國(guó)知局
      一種納米六硼化鈣陶瓷粉末制備方法
      【技術(shù)領(lǐng)域】
      [0001]本發(fā)明涉及一種硼化物粉末制備方法,尤其涉及一種六硼化鈣陶瓷粉末的制備方法。
      【背景技術(shù)】
      [0002]六硼化鈣因其獨(dú)特的結(jié)構(gòu)所具有的廣闊的應(yīng)用前景使其成為國(guó)內(nèi)外各個(gè)領(lǐng)域研究的焦點(diǎn)。高純的CaB6粉末和高致密度的CaB6塊體是推廣其應(yīng)用的基礎(chǔ)。純度、摻雜以及粉末粒徑等是提高其六硼化鈣粉末或塊體在功能材料領(lǐng)域發(fā)展的關(guān)鍵。因此,獲得低成本的高純度或摻雜型、粒徑小的六硼化鈣粉末和高致密度及具有特殊顯微結(jié)構(gòu)的六硼化鈣塊體是國(guó)內(nèi)外研究的熱點(diǎn)。

      【發(fā)明內(nèi)容】

      [0003]本發(fā)明所要解決的技術(shù)問(wèn)題是提供一種方法簡(jiǎn)單、易實(shí)現(xiàn),制造成本低廉,所制備的六硼化鈣陶瓷粉末顆粒小、分散均勻的六硼化鈣陶瓷粉末制備方法。
      [0004]本發(fā)明解決上述技術(shù)問(wèn)題的技術(shù)方案如下:一種納米六硼化鈣陶瓷粉末制備方法,包括如下步驟:
      [0005]將氧化鈣和硼粉均勻混合干燥,并放入高溫反應(yīng)爐中;
      [0006]高溫反應(yīng)爐加熱處理前進(jìn)行抽真空處理;
      [0007]在真空與惰性氣體保護(hù)條件下,使氧化鈣和硼粉高溫反應(yīng);
      [0008]將六硼化鈣陶瓷粉分離、提純;
      [0009]將分離提純的六硼化鈣陶瓷粉末進(jìn)行球磨處理,得到均勻分散的六硼化鈣陶瓷粉末。
      [0010]在上述技術(shù)方案的基礎(chǔ)上,本發(fā)明還可以做如下改進(jìn)。
      [0011]進(jìn)一步,所述將氧化鈣和硼粉均勻混合干燥,并放入高溫反應(yīng)爐中步驟的具體實(shí)現(xiàn)如下:
      [0012]將質(zhì)量比為1:7?1:10氧化鈣和硼粉均勻混合在恒溫50?80°C條件下干燥,并放入高溫反應(yīng)爐中。
      [0013]進(jìn)一步,所述在真空與惰性氣體保護(hù)條件下,使氧化鈣和硼粉高溫反應(yīng)步驟的具體實(shí)現(xiàn)如下:
      [0014]在真空與惰性氣體保護(hù)條件下,1500?1800°C條件下,使氧化鈣和硼粉高溫反應(yīng)I?2.5h,具體反應(yīng)式如下:
      [0015]Ca0(s)+7B(s) =CaB6(s)+B0(g);
      [0016]Ca(0H)2(s)+7B(s)=CaB6(s)+B0(g)+H20(g)。
      [0017]進(jìn)一步,所述將分離提純的六硼化鈣陶瓷粉末進(jìn)行球磨處理,得到均勻分散的六硼化鈣陶瓷粉末步驟的具體實(shí)現(xiàn)如下:
      [0018]將分離提純的六硼化鈣陶瓷粉末進(jìn)行球磨處理到60目以下,得到均勻分散的六硼化鈣陶瓷粉末,其顆粒大小為3?5μπι。
      [0019]本發(fā)明的有益效果是:方法簡(jiǎn)單、易實(shí)現(xiàn),制造成本低廉,所制備的六硼化鈣陶瓷粉末顆粒小、分散均勻。
      【附圖說(shuō)明】
      [0020]圖1為本發(fā)明一種六硼化鈣陶瓷粉末制備的方法流程示意圖。
      【具體實(shí)施方式】
      [0021]以下結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明的原理和特征進(jìn)行描述,所舉實(shí)例只用于解釋本發(fā)明,并非用于限定本發(fā)明的范圍。
      [0022]如圖1所示,一種納米六硼化鈣陶瓷粉末制備方法,包括如下步驟:
      [0023]將氧化鈣和硼粉均勻混合干燥,并放入高溫反應(yīng)爐中;
      [0024]高溫反應(yīng)爐加熱處理前進(jìn)行抽真空處理;
      [0025]在真空與惰性氣體保護(hù)條件下,使氧化鈣和硼粉高溫反應(yīng);
      [0026]將六硼化鈣陶瓷粉分離、提純;
      [0027]將分離提純的六硼化鈣陶瓷粉末進(jìn)行球磨處理,得到均勻分散的六硼化鈣陶瓷粉末。
      [0028]實(shí)施例1:
      [0029]將Ig氧化鈣和7g硼粉均勻混合在恒溫50°C條件下干燥,并放入高溫反應(yīng)爐中;高溫反應(yīng)爐加熱處理前進(jìn)行抽真空處理;在真空與惰性氣體保護(hù)條件下,1500°C條件下,使氧化鈣和硼粉高溫反應(yīng)Ih;將六硼化鈣陶瓷粉分離、提純;將分離提純的六硼化鈣陶瓷粉末進(jìn)行球磨處理到60目,得到均勻分散的六硼化鈣陶瓷粉末,其顆粒大小為5μπι。
      [0030]實(shí)施例2:
      [0031]將Ig氧化鈣和Sg硼粉均勻混合在恒溫60°C條件下干燥,并放入高溫反應(yīng)爐中;高溫反應(yīng)爐加熱處理前進(jìn)行抽真空處理;在真空與惰性氣體保護(hù)條件下,1600°C條件下,使氧化鈣和硼粉高溫反應(yīng)2h;將六硼化鈣陶瓷粉分離、提純;將分離提純的六硼化鈣陶瓷粉末進(jìn)行球磨處理到80目,得到均勻分散的六硼化鈣陶瓷粉末,其顆粒大小為4μπι。
      [0032]實(shí)施例3:
      [0033]將Ig氧化鈣和1g硼粉均勻混合在恒溫80°C條件下干燥,并放入高溫反應(yīng)爐中;高溫反應(yīng)爐加熱處理前進(jìn)行抽真空處理;在真空與惰性氣體保護(hù)條件下,1800°C條件下,使氧化鈣和硼粉高溫反應(yīng)2.5h;將六硼化鈣陶瓷粉分離、提純;將分離提純的六硼化鈣陶瓷粉末進(jìn)行球磨處理到100目,得到均勻分散的六硼化鈣陶瓷粉末,其顆粒大小為3μπι。
      [0034]以上所述僅為本發(fā)明的較佳實(shí)施例,并不用以限制本發(fā)明,凡在本發(fā)明的精神和原則之內(nèi),所作的任何修改、等同替換、改進(jìn)等,均應(yīng)包含在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。
      【主權(quán)項(xiàng)】
      1.一種納米六硼化鈣陶瓷粉末制備方法,其特征在于,包括如下步驟: 將氧化鈣和硼粉均勻混合干燥,并放入高溫反應(yīng)爐中; 高溫反應(yīng)爐加熱處理前進(jìn)行抽真空處理; 在真空與惰性氣體保護(hù)條件下,使氧化鈣和硼粉高溫反應(yīng); 將六硼化鈣陶瓷粉分離、提純; 將分離提純的六硼化鈣陶瓷粉末進(jìn)行球磨處理,得到均勻分散的六硼化鈣陶瓷粉末。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述一種納米六硼化鈣陶瓷粉末制備方法,其特征在于,所述將氧化鈣和硼粉均勻混合干燥,并放入高溫反應(yīng)爐中步驟的具體實(shí)現(xiàn)如下: 將質(zhì)量比為1: 7?1:10氧化鈣和硼粉均勻混合在恒溫50?80°C條件下干燥,并放入高溫反應(yīng)爐中。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述一種納米六硼化鈣陶瓷粉末制備方法,其特征在于,所述在真空與惰性氣體保護(hù)條件下,使氧化鈣和硼粉高溫反應(yīng)步驟的具體實(shí)現(xiàn)如下: 在真空與惰性氣體保護(hù)條件下,1500?1800°C條件下,使氧化鈣和硼粉高溫反應(yīng)I?2.5h,具體反應(yīng)式如下: CaO(s)+7B(s)=CaB6(s)+BO(g); Ca(OH)2(s)+7B(s) =CaB6(s)+B0(g)+H20(g)。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述一種納米六硼化鈣陶瓷粉末制備方法,其特征在于,所述將分離提純的六硼化鈣陶瓷粉末進(jìn)行球磨處理,得到均勻分散的六硼化鈣陶瓷粉末步驟的具體實(shí)現(xiàn)如下: 將分離提純的六硼化鈣陶瓷粉末進(jìn)行球磨處理到60目以下,得到均勻分散的六硼化鈣陶瓷粉末,其顆粒大小為3?5μπι。
      【專(zhuān)利摘要】本發(fā)明涉及一種納米六硼化鈣陶瓷粉末制備方法,包括如下步驟:將氧化鈣和硼粉均勻混合干燥,并放入高溫反應(yīng)爐中;高溫反應(yīng)爐加熱處理前進(jìn)行抽真空處理;在真空與惰性氣體保護(hù)條件下,使氧化鈣和硼粉高溫反應(yīng);將六硼化鈣陶瓷粉分離、提純;將分離提純的六硼化鈣陶瓷粉末進(jìn)行球磨處理,得到均勻分散的六硼化鈣陶瓷粉末。本發(fā)明方法簡(jiǎn)單、易實(shí)現(xiàn),制造成本低廉,所制備的六硼化鈣陶瓷粉末顆粒小、分散均勻。
      【IPC分類(lèi)】C01B35/04, C04B35/626, C04B35/58
      【公開(kāi)號(hào)】CN105622105
      【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201510993023
      【發(fā)明人】黃宗波
      【申請(qǐng)人】重慶樂(lè)乎科技有限公司
      【公開(kāi)日】2016年6月1日
      【申請(qǐng)日】2015年12月25日
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