鉑金通道加熱裝置、方法及鉑金通道和玻璃生產(chǎn)系統(tǒng)的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明公開(kāi)了一種鉑金通道加熱裝置、方法及鉑金通道和玻璃生產(chǎn)系統(tǒng)，其中鉑金通道加熱裝置，包括套設(shè)在鉑金通道外部的線圈，所述線圈為一個(gè)或在鉑金通道的軸向上分布的多個(gè)，所述線圈通入可控交變電流，產(chǎn)生交變磁場(chǎng)，并在鉑金通道上形成感生電渦流，電渦流流經(jīng)鉑金通道產(chǎn)生熱量，實(shí)現(xiàn)對(duì)鉑金通道的加熱。本發(fā)明的加熱裝置對(duì)尺寸的精密度要求低，且使鉑金通道加熱溫度更加均衡。
【專利說(shuō)明】
鉑金通道加熱裝置、方法及鉑金通道和玻璃生產(chǎn)系統(tǒng)
技術(shù)領(lǐng)域
[0001]本發(fā)明涉及TFT-LCD玻璃基板生產(chǎn)中玻璃液澄清技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種鉑金通道加熱裝置、方法及鉑金通道和玻璃生產(chǎn)系統(tǒng)。
【背景技術(shù)】
[0002]TFT-LCD玻璃基板是一種對(duì)內(nèi)部缺陷要求苛刻的產(chǎn)品，氣泡要求小于lOOum，均化要求無(wú)條紋缺陷。針對(duì)如此苛刻的要求，其生產(chǎn)過(guò)程中需要嚴(yán)格的澄清和均化處理，通常采用鉑金通道進(jìn)行。高溫熔融的玻璃液流經(jīng)鉑金通道，完成澄清、攪拌、均化等工藝處理。這個(gè)過(guò)程中，鉑金通道需要加熱到一定的溫度，以滿足工藝要求。如一種對(duì)鉑金通道電加熱的法蘭結(jié)構(gòu)，該技術(shù)方案在鉑金通道外加裝一種法蘭結(jié)構(gòu)，法蘭由不同材料制成的多層結(jié)構(gòu)組成，包括與鉑金通道同心共軸的法蘭盤、用于均流的法蘭外圈、用于導(dǎo)流的法蘭內(nèi)圈等結(jié)構(gòu)。這種技術(shù)，利用法蘭結(jié)構(gòu)將電流直接導(dǎo)向鉑金通道本體，電流流經(jīng)有一定內(nèi)阻的鉑金通道產(chǎn)生熱量，進(jìn)而加熱鉑金通道。屬于直接弓I流加熱方案。
[0003]上述技術(shù)的主要問(wèn)題在于:1.法蘭結(jié)構(gòu)需要精密的尺寸以保證均流層對(duì)電流的平均分配;2.加熱電流在法蘭結(jié)構(gòu)與鉑金通道的連接處集中，造成局部電流密度大，易燒蝕鉑金通道;3.流經(jīng)鉑金通道本體的電流不均衡，造成鉑金通道各處電流產(chǎn)生的熱量不相等，難易滿足設(shè)計(jì)要求;4.電流方向與鉑金通道軸向方向平行，如需要將鉑金通道分段控制溫度時(shí)，需安裝多個(gè)法蘭結(jié)構(gòu)。5.鉑金通道加熱后產(chǎn)生膨脹變形，給法蘭結(jié)構(gòu)的電纜連接制造了難題。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]有鑒于此，本發(fā)明實(shí)施例提供一種鉑金通道加熱裝置，主要目的是提高加熱均勻性。
[0005]為達(dá)到上述目的，本發(fā)明主要提供如下技術(shù)方案:
[0006]—方面，本發(fā)明實(shí)施例提供了一種鉑金通道加熱裝置，包括套設(shè)在鉑金通道外部的線圈，所述線圈為一個(gè)或在鉑金通道的軸向上分布的多個(gè)，所述線圈通入可控交變電流，產(chǎn)生交變磁場(chǎng)，并在鉑金通道上形成感生電渦流，電渦流流經(jīng)鉑金通道產(chǎn)生熱量，實(shí)現(xiàn)對(duì)鉑金通道的加熱。
[0007]作為優(yōu)選，所述線圈多層繞制。
[0008]作為優(yōu)選，所述鉑金通道與線圈之間設(shè)有絕緣的保溫隔熱材料層。
[0009]作為優(yōu)選，所述線圈外部設(shè)置有隔熱保溫層。
[0010]作為優(yōu)選，所述線圈與可控交變電流供電裝置相連，所述可控交變電流供電裝置為所述線圈提供交變電流。
[0011]作為優(yōu)選，所述可控交變電流供電裝置是可控硅調(diào)壓器、基于可控硅的可調(diào)變壓器或可控硅逆變器。
[0012]作為優(yōu)選，所述線圈為多個(gè)，多個(gè)線圈分別與不同的可控交變電流供電裝置相連。
[0013]作為優(yōu)選，所述線圈包括第一線圈、第二線圈和第三線圈，第一線圈連接第一可控交變電流供電裝置，第二線圈連接第二可控交變電流供電裝置，第三線圈連接第三可控交變電流供電裝置，第一可控交變電流供電裝置、第二可控交變電流供電裝置和第三可控交變電流供電裝置使用三相工頻交流電作為能量來(lái)源，第一可控交變電流供電裝置、第二可控交變電流供電裝置和第三可控交變電流供電裝置使用三相工頻交流電不同的相位。
[0014]作為優(yōu)選，所述線圈與鉑金通道同軸心設(shè)置，在鉑金通道內(nèi)部形成周向感生電流。
[0015]作為優(yōu)選，所述線圈使用中空導(dǎo)線繞制，所述中空導(dǎo)線的中空部分通冷卻液。
[0016]作為優(yōu)選，所述線圈外部設(shè)置有用于冷卻線圈的冷卻機(jī)構(gòu)。
[0017]作為優(yōu)選，所述線圈外部設(shè)置有電磁屏蔽層。
[0018]另一方面，本發(fā)明實(shí)施例提供了一種鉑金通道加熱方法，采用上述實(shí)施例的加熱裝置對(duì)所述鉑金通道進(jìn)行加熱。
[0019]另一方面，本發(fā)明實(shí)施例提供了一種鉑金通道系統(tǒng)，包括鉑金通道和鉑金通道加熱裝置，所述鉑金通道加熱裝置為上述實(shí)施例所述的加熱裝置。
[0020]另一方面，本發(fā)明實(shí)施例提供了一種玻璃生產(chǎn)系統(tǒng)，包括鉑金通道，所述鉑金通道和鉑金通道加熱裝置，所述鉑金通道加熱裝置為上述實(shí)施例所述的加熱裝置。
[0021]與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明的有益效果在于:
[0022]本發(fā)明實(shí)施例提供的加熱裝置采用感生電流加熱，與尺寸精密的鉑金法蘭結(jié)構(gòu)相比，對(duì)尺寸的精密度要求低；
[0023]本發(fā)明實(shí)施例提供的加熱裝置在鉑金通道產(chǎn)生的感生電流均衡，無(wú)電流密度集中區(qū)域，避免了燒蝕現(xiàn)象，同時(shí)也使鉑金通道加熱溫度更加均衡；
[0024]本發(fā)明實(shí)施例提供的加熱裝置通過(guò)在鉑金通道的軸向上套設(shè)多個(gè)線圈，即可實(shí)現(xiàn)鉑金通道分區(qū)段加熱功率控制的目的，更利于工藝調(diào)節(jié)。
[0025]圖附說(shuō)明
[0026]圖1為本發(fā)明的鉑金通道加熱裝置一實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0027]圖2為本發(fā)明的鉑金通道加熱裝置一實(shí)施例的橫截面結(jié)構(gòu)示意圖。
[0028]圖3為本發(fā)明的鉑金通道加熱裝置一實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0029]下面結(jié)合具體實(shí)施例對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步詳細(xì)描述，但不作為對(duì)本發(fā)明的限定。在下述說(shuō)明中，不同的“一實(shí)施例”或“實(shí)施例”指的不一定是同一實(shí)施例。此外，一或多個(gè)實(shí)施例中的特定特征、結(jié)構(gòu)、或特點(diǎn)可由任何合適形式組合。
[0030]參見(jiàn)圖1至圖3，本發(fā)明實(shí)施例提供了一種鉑金通道加熱裝置，包括套設(shè)在鉑金通道I外部的線圈2，線圈2為一個(gè)或在鉑金通道I的軸向上分布的多個(gè)，線圈2通入可控交變電流，產(chǎn)生交變磁場(chǎng)，并在鉑金通道I上形成感生電渦流，電渦流流經(jīng)鉑金通道I產(chǎn)生熱量，實(shí)現(xiàn)對(duì)鉑金通道的加熱。
[0031]本發(fā)明實(shí)施例提供的加熱裝置采用感生電流加熱，通過(guò)在套設(shè)在鉑金通道I外部的線圈2內(nèi)通入交變電流，在鉑金通道I上形成感生電渦流，從而產(chǎn)生熱量，實(shí)現(xiàn)對(duì)鉑金通道I加熱。調(diào)整通入的交變電流即可控制對(duì)鉑金通道I的加熱溫度。基于本發(fā)明實(shí)施例提供的加熱裝置的工作原理，對(duì)加熱裝置尺寸的精密度要求低；另外，由于產(chǎn)生的感生電流均衡，無(wú)電流密度集中區(qū)域，避免了燒蝕現(xiàn)象，同時(shí)也使鉑金通道加熱溫度更加均衡;在鉑金通道I上套設(shè)的線圈2可以是I個(gè)也可以是多個(gè)，當(dāng)在鉑金通道I上套設(shè)的線圈為多個(gè)時(shí)，可以實(shí)現(xiàn)對(duì)鉑金通道分區(qū)段加熱功率控制的目的，更利于工藝調(diào)節(jié)。如圖1所示的實(shí)施例中，在鉑金通道I的外面套設(shè)有一個(gè)線圈。圖3所示的實(shí)施例中，在鉑金通道I的外面套設(shè)有三個(gè)線圈。
[0032]本發(fā)明實(shí)施例中，線圈2根據(jù)需要可以是單層繞制，也可是多層繞制。繞制層數(shù)和圈數(shù)可以根據(jù)加熱功率計(jì)算。
[0033]作為上述實(shí)施例的優(yōu)選，鉑金通道I與線圈2之間設(shè)有絕緣的保溫隔熱材料層4。本實(shí)施例在鉑金通道I外包覆絕緣的保溫隔熱材料層4，即可對(duì)鉑金通道I進(jìn)行保溫，又可避免該材料層內(nèi)形成感生電流。線圈2可直接在絕緣的保溫隔熱材料層4上繞制。具體的絕緣的保溫隔熱材料可從現(xiàn)有技術(shù)中進(jìn)行選取，在此不再贅述。
[0034]作為上述實(shí)施例的優(yōu)選，線圈2外部設(shè)置有隔熱保溫層5。在線圈2外包覆隔熱保溫層5可進(jìn)一步降低熱量的散發(fā)，利于鉑金通道I的溫度的控制。
[0035]作為上述實(shí)施例的優(yōu)選，線圈2與可控交變電流供電裝置6相連，可控交變電流供電裝置6為線圈2提供交變電流。通過(guò)可控交變電流供電裝置6調(diào)整通入線圈2的交變電流，從而調(diào)整鉑金通道的加熱溫度。通過(guò)可控交變電流供電裝置6控制幅值即可控制加熱功率，是溫控的主要手段?？刂葡辔豢梢蕴岣唠娔芾眯剩档湍芎?。另外，還可通過(guò)可控交變電流供電裝置6控制頻率。
[0036]作為上述實(shí)施例的優(yōu)選，可控交變電流供電裝置6是可控硅為核心的調(diào)壓裝置、可調(diào)變壓器或逆變器，如可控硅調(diào)壓器、基于可控硅的可調(diào)變壓器或可控硅逆變器等。其他具體的可控交變電流供電裝置6可從現(xiàn)有技術(shù)中選用，在此不再贅述。
[0037]本發(fā)明實(shí)施例提供的鉑金通道加熱裝置中的線圈可以為一個(gè)，也可以為多個(gè)，當(dāng)線圈2為多個(gè)時(shí)，多個(gè)線圈2分別與不同的可控交變電流供電裝置6相連。本實(shí)施例中，通過(guò)一個(gè)可控交變電流供電裝置6對(duì)應(yīng)控制一個(gè)線圈2，實(shí)現(xiàn)每個(gè)線圈2單獨(dú)控制，從而達(dá)到對(duì)鉑金通道I分段加熱的目的。
[0038]作為上述實(shí)施例的優(yōu)選，套設(shè)在鉑金通道I外的線圈2包括第一線圈201、第二線圈202和第三線圈203，第一線圈201連接第一可控交變電流供電裝置601，第二線圈202連接第二可控交變電流供電裝置602，第三線圈203連接第三可控交變電流供電裝置603，第一可控交變電流供電裝置601、第二可控交變電流供電裝置602和第三可控交變電流供電裝置603使用三相工頻交流電作為能量來(lái)源，第一可控交變電流供電裝置601、第二可控交變電流供電裝置602和第三可控交變電流供電裝置603使用三相工頻交流電不同的相位。通過(guò)第一可控交變電流供電裝置601、第二可控交變電流供電裝置602和第三可控交變電流供電裝置603使第一線圈201、第二線圈202和第三線圈203中通入不同的電流，進(jìn)而使三個(gè)線圈對(duì)應(yīng)的鉑金通道I形成不同的周向感生電流，進(jìn)而產(chǎn)生不同的加熱熱量。第一可控交變電流供電裝置601、第二可控交變電流供電裝置602和第三可控交變電流供電裝置603的供電從工業(yè)三相交流電的三個(gè)分相分別取得，增加了電能的利用率。
[0039]作為上述實(shí)施例的優(yōu)選，線圈2與鉑金通道I同軸心設(shè)置，在鉑金通道內(nèi)部形成周向感生電流。
[0040]作為上述實(shí)施例的優(yōu)選，線圈2使用中空導(dǎo)線繞制，中空導(dǎo)線的中空部分通冷卻液。這樣可以避免線圈2溫度過(guò)高容易損壞的問(wèn)題。當(dāng)然，也可采用在線圈2外部設(shè)置用于冷卻線圈2的冷卻機(jī)構(gòu)來(lái)實(shí)現(xiàn)避免線圈2溫度過(guò)高的問(wèn)題。具體的冷卻機(jī)構(gòu)可以是在線圈2外部排列或纏繞的冷卻水管7。
[0041]另外，在線圈2的外部可設(shè)置電磁屏蔽層，以降低內(nèi)部電磁輻射的外泄。
[0042]上述各優(yōu)選的實(shí)施例可進(jìn)行組合，以便得到更佳的效果。如圖2所述的實(shí)施例，提供了一種組合后的優(yōu)選實(shí)施例。當(dāng)然也可適當(dāng)進(jìn)行改變，如在線圈2外設(shè)置隔熱保溫層5和電磁屏蔽層時(shí)，電磁屏蔽層可設(shè)置在隔熱保溫層5的外面。電磁屏蔽層設(shè)于隔熱保溫層的外部，更加方便電磁屏蔽層接地。
[0043]另一方面，本發(fā)明實(shí)施例提供了一種鉑金通道加熱方法，利用電磁感應(yīng)原理，使用套在鉑金通道I外部的一個(gè)或多個(gè)線圈2，通入可控交變電流，產(chǎn)生交變磁場(chǎng)，在鉑金通道I上形成感生電渦流3，電渦流流經(jīng)鉑金通道I產(chǎn)生熱量，實(shí)現(xiàn)對(duì)鉑金通道I的加熱。本發(fā)明實(shí)施例的加熱方法是一種非接觸式間接加熱方法。本發(fā)明實(shí)施例具體是采用上述任一實(shí)施例的加熱裝置對(duì)鉑金通道進(jìn)行加熱。
[0044]另一方面，本發(fā)明實(shí)施例提供了一種鉑金通道系統(tǒng)，包括鉑金通道和鉑金通道加熱裝置，本實(shí)施例采用的鉑金通道加熱裝置為上述任一實(shí)施例的加熱裝置。
[0045]另一方面，本發(fā)明實(shí)施例提供了一種玻璃生產(chǎn)系統(tǒng)，包括鉑金通道，所述鉑金通道和鉑金通道加熱裝置，本實(shí)施例采用的鉑金通道加熱裝置為上述任一實(shí)施例所述的加熱裝置。
[0046]以上所述，僅為本發(fā)明的【具體實(shí)施方式】，但本發(fā)明的保護(hù)范圍并不局限于此，任何熟悉本技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員在本發(fā)明揭露的技術(shù)范圍內(nèi)，可輕易想到變化或替換，都應(yīng)涵蓋在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。因此，本發(fā)明的保護(hù)范圍應(yīng)以所述權(quán)利要求的保護(hù)范圍為準(zhǔn)。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.鉑金通道加熱裝置，包括套設(shè)在鉑金通道外部的線圈，所述線圈為一個(gè)或在鉑金通道的軸向上分布的多個(gè)，所述線圈通入可控交變電流，產(chǎn)生交變磁場(chǎng)，并在鉑金通道上形成感生電渦流，電渦流流經(jīng)鉑金通道產(chǎn)生熱量，實(shí)現(xiàn)對(duì)鉑金通道的加熱。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的鉑金通道加熱裝置，其特征在于，所述線圈多層繞制。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的鉑金通道加熱裝置，其特征在于，所述鉑金通道與線圈之間設(shè)有絕緣的保溫隔熱材料層。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的鉑金通道加熱裝置，其特征在于，所述線圈外部設(shè)置有隔熱保溫層。5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的鉑金通道加熱裝置，其特征在于，所述線圈與可控交變電流供電裝置相連，所述可控交變電流供電裝置為所述線圈提供交變電流。6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的鉑金通道加熱裝置，其特征在于，所述可控交變電流供電裝置是可控硅調(diào)壓器、基于可控硅的可調(diào)變壓器或可控硅逆變器。7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的鉑金通道加熱裝置，其特征在于，所述線圈為多個(gè)，多個(gè)線圈分別與不同的可控交變電流供電裝置相連。8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的鉑金通道加熱裝置，其特征在于，所述線圈包括第一線圈、第二線圈和第三線圈，第一線圈連接第一可控交變電流供電裝置，第二線圈連接第二可控交變電流供電裝置，第三線圈連接第三可控交變電流供電裝置，第一可控交變電流供電裝置、第二可控交變電流供電裝置和第三可控交變電流供電裝置使用三相工頻交流電作為能量來(lái)源，第一可控交變電流供電裝置、第二可控交變電流供電裝置和第三可控交變電流供電裝置使用三相工頻交流電不同的相位。9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的鉑金通道加熱裝置，其特征在于，所述線圈與鉑金通道同軸心設(shè)置，在鉑金通道內(nèi)部形成周向感生電流。10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的鉑金通道加熱裝置，其特征在于，所述線圈使用中空導(dǎo)線繞制，所述中空導(dǎo)線的中空部分通冷卻液。11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的鉑金通道加熱裝置，其特征在于，所述線圈外部設(shè)置有用于冷卻線圈的冷卻機(jī)構(gòu)。12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的鉑金通道加熱裝置，其特征在于，所述線圈外部設(shè)置有電磁屏蔽層。13.鉑金通道加熱方法，采用權(quán)利要求1至12任一項(xiàng)所述的加熱裝置對(duì)所述鉑金通道進(jìn)行加熱。14.鉑金通道系統(tǒng)，包括鉑金通道和鉑金通道加熱裝置，其特征在于，所述鉑金通道加熱裝置為權(quán)利要求1至12任一項(xiàng)所述的加熱裝置。15.玻璃生產(chǎn)系統(tǒng)，包括鉑金通道，所述鉑金通道和鉑金通道加熱裝置，所述鉑金通道加熱裝置為權(quán)利要求1至12任一項(xiàng)所述的加熱裝置。
【文檔編號(hào)】C03B7/07GK105948462SQ201610382310
【公開(kāi)日】2016年9月21日
【申請(qǐng)日】2016年6月1日
【發(fā)明人】周波, 李青, 王麗紅, 李瑞佼, 王世嵐, 祁麟
【申請(qǐng)人】東旭科技集團(tuán)有限公司, 東旭集團(tuán)有限公司