鈉鋇鐿離子共摻y(tǒng)ag超快閃爍晶體及其制備方法
【專(zhuān)利摘要】一種鈉鋇鐿離子共摻Y(jié)AG超快閃爍晶體及其制備方法，鈉鋇和鐿離子共摻Y(jié)AG晶體的化學(xué)式為：Na3xBa3yYb3zY3(1?x?y?z)Al5O12，式中x＝0.0001～0.01,y＝0.0001～0.01，z＝0.05～0.3,x為Na離子的摻雜濃度，y為Ba離子的摻雜濃度，z為Yb離子的摻雜量，Na、Ba、Yb離子進(jìn)入晶體均取代Y離子格位。本發(fā)明制備的Na3xBa3yYb3zY3(1?x?y?z)Al5O12超快閃爍晶體具有光產(chǎn)額高、抗輻照損傷強(qiáng)等優(yōu)點(diǎn)，可應(yīng)用于超快脈沖輻射探測(cè)、慣性約束核聚變、空間輻射探測(cè)、核反應(yīng)動(dòng)力學(xué)研究等領(lǐng)域。
【專(zhuān)利說(shuō)明】
納頓憶離子共慘YAG超快閃爍晶體及其制備方法
技術(shù)領(lǐng)域
[0001] 本發(fā)明設(shè)及閃爍晶體，特別是一種鋼領(lǐng)鏡離子共滲YAG超快閃爍晶體及其制備方 法。
【背景技術(shù)】
[0002] 無(wú)機(jī)閃爍晶體是一種能將高能光子(X/丫射線(xiàn))或粒子(質(zhì)子、中子等）的能量轉(zhuǎn)換 成易于探測(cè)的紫外/可見(jiàn)光子的晶態(tài)能量轉(zhuǎn)換體。閃爍晶體做成的探測(cè)器廣泛應(yīng)用于高能 物理、核物理探測(cè)與成像、影像核醫(yī)學(xué)診斷(XCT、PET)、地質(zhì)勘探、天文空間物理學(xué)W及安全 稽查等領(lǐng)域。隨著核探測(cè)及相關(guān)技術(shù)的飛速發(fā)展，閃爍晶體的應(yīng)用領(lǐng)域不斷拓寬。不同應(yīng)用 領(lǐng)域?qū)﹂W爍晶體提出了更高要求，傳統(tǒng)的化I(T1)、BG0、PW0等閃爍晶體已經(jīng)無(wú)法滿(mǎn)足高性 能閃爍探測(cè)器的要求。
[0003] 超快脈沖福射測(cè)量技術(shù)一般要求探測(cè)器系統(tǒng)輸出的電流信號(hào)能夠盡可能真實(shí)地 反映福射場(chǎng)的時(shí)間信息，是探知物質(zhì)內(nèi)部核反應(yīng)過(guò)程信息和先進(jìn)福射裝置性能的重要技術(shù) 手段。要求無(wú)機(jī)閃爍探測(cè)器有盡可能快的時(shí)間響應(yīng)特性和適中的光產(chǎn)額。根據(jù)超快脈沖福 射測(cè)量技術(shù)對(duì)時(shí)間衰減的特殊需求，一般將發(fā)光衰減時(shí)間小于10ns的閃爍晶體稱(chēng)為超快閃 爍晶體，超快閃爍體綜合性能是決定超快探測(cè)器性能的關(guān)鍵因素之一。表1是目前常用的超 快閃爍材料的基本物理特性和閃爍性能參數(shù)比較。從表中可發(fā)現(xiàn)，有機(jī)閃爍體(如BC422Q) 時(shí)間響應(yīng)最快可W達(dá)到亞納秒，但是其密度和原子序數(shù)較低，因而伽馬/中子分辨能力(往 往小于1倍）明顯弱于無(wú)機(jī)閃爍體(一般在5~20倍），不利于伽馬、中子混合福射場(chǎng)中的伽馬 射線(xiàn)測(cè)量。無(wú)機(jī)閃爍體時(shí)間響應(yīng)一般在十幾納秒W上，滿(mǎn)足亞納秒脈沖福射探測(cè)技術(shù)要求 的晶體很少。BaF2晶體能達(dá)到亞納秒時(shí)間響應(yīng)，但BaF2晶體具有0.6ns快成份的同時(shí)還具有 620ns的慢發(fā)光成份，且該慢成份份額較高，限制了該晶體在超快脈沖福射探測(cè)中的應(yīng)用； Yb: YAP衰減時(shí)間小于1 ns，并且光輸出相對(duì)較高，但YAP晶體由于具有復(fù)雜的正交巧鐵礦結(jié) 構(gòu)，晶體生長(zhǎng)過(guò)程容易開(kāi)裂，除了難W制備大尺寸晶體外，另一個(gè)重要缺陷是YAP晶體崎變 的巧鐵礦結(jié)構(gòu)使晶體內(nèi)部極易形成大量的點(diǎn)缺陷，在高能射線(xiàn)福照下晶體變成褐色，光輸 出急劇下降。
[0004] 表1常用超快閃爍材料的基本物理性能和閃爍性能比較
[0005]
[0006] 為滿(mǎn)足超快脈沖福射探測(cè)應(yīng)用的需求，獲得容易制備、物化性能穩(wěn)定的新型無(wú)機(jī) 閃爍體材料成為目前超快閃爍體發(fā)展的主要趨勢(shì)。近年來(lái)，基于化電荷轉(zhuǎn)移發(fā)光機(jī)制的化 滲雜無(wú)機(jī)超快晶體引起了國(guó)內(nèi)外同行的局度重視。其中，Yb滲質(zhì)的YAG晶體是具有典型電荷 轉(zhuǎn)移發(fā)光的一種超快無(wú)機(jī)閃爍晶體。Yb:YAG超快晶體具有下列特征：1)發(fā)光波長(zhǎng)位于350nm 和550皿附近，和目前使用的光電倍增管等匹配良好;2)由于溫度和濃度效應(yīng)其室溫下光衰 減時(shí)間T < Ins，且沒(méi)有慢發(fā)光成分。
[0007] 雖然Yb:YAG晶體的衰減時(shí)間非?？欤跓o(wú)機(jī)閃爍晶體中具有絕對(duì)優(yōu)勢(shì)。但是其發(fā) 光產(chǎn)額較低，只有1250化/MeV，運(yùn)嚴(yán)重限制了化:YAG作為性能優(yōu)越的無(wú)機(jī)超快閃爍晶體的 應(yīng)用。在不降低晶體衰減時(shí)間的前提下，提高Yb:YAG晶體光產(chǎn)額的機(jī)理研究和實(shí)現(xiàn)手段是 國(guó)際材料學(xué)界和脈沖福射探測(cè)領(lǐng)域關(guān)注的熱點(diǎn)問(wèn)題。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0008] 為了解決上述化:YAG超快閃爍晶體的光產(chǎn)額的不足，本發(fā)明的目的在于提供一種 用于超快脈沖福射探測(cè)領(lǐng)域鋼領(lǐng)鏡離子共滲YAG超快閃爍晶體及其制備方法，該晶體能夠 實(shí)現(xiàn)更高濃度化離子滲雜，并具有較高光產(chǎn)額，是一種性能優(yōu)異的高溫超快無(wú)機(jī)閃爍晶體 材料。
[0009] 本發(fā)明的技術(shù)解決方案如下：
[0010] -種鋼領(lǐng)鏡離子共滲YAG超快閃爍晶體，特點(diǎn)在于該晶體是采用烙體法生長(zhǎng)，其化 學(xué)式為：
[0011] Na3xBa3y 化 3zY3(l-x-y-z)Al5〇12
[0012] 式中，X = 0.0001 ~0.005，y = 0.0001 ~0.005，z = 0.05 ~0.3，x為滲雜離子化 + 的 可滲雜濃度，y為滲雜離子Ba2+的可滲雜濃度，Z為滲雜離子Yb3+的可滲雜濃度，Na+、Ba 2+、Yb3+ 均取代YAG基質(zhì)晶格中的Y3+離子。
[0013] 一種鋼領(lǐng)和鏡離子共滲YAG超快閃爍晶體的制備方法，該方法包括下列步驟：
[0014] ①料配方：
[001引鋼領(lǐng)鏡離子共滲的YAG晶體，即化3xBa3y化3zY3(l-x-y-z)Al日012晶體的初始原料采用 Na20: > 99.99 %，BaO: > 99.99 %，Yb203: > 99.999 %，Y203 : > 99.999 %，Al203: > 99.999 %， 按摩爾比3x : 6y : 3z : 3( 1-x-y-z) : 5進(jìn)行配料，其中x、y的取值范圍分別為x = 0.0001~ 0.005,y二0.0001~0.005，z二0.05~0.3;
[001 6]③米用挺體法生 ~|xNa3xBa3yYb3zY3(l-x-y-z)Al自 〇12 閃爍晶體：
[0017] 先將各高純氧化物粉末在空氣中預(yù)干燥，除去吸附水，灼燒溫度為looor，按選定 的X、y、z值后的摩爾比稱(chēng)量化2〇:>99.99%，Ba0:>99.99%，Yb2〇3:>99.999%，Y203:> 99.999%，Al2化：>99.999%原料。原料充分混合均勻后用等靜壓機(jī)壓制成塊，然后裝入氧 化侶相蝸內(nèi)，放進(jìn)馬弗爐中燒結(jié)，用10個(gè)小時(shí)升溫至1300°C，恒溫10個(gè)小時(shí)后經(jīng)10小時(shí)降溫 至室溫，將塊料取出放入晶體生長(zhǎng)相蝸內(nèi)，采用烙體法生長(zhǎng)上述單晶體：
[0018] 所述的烙體法為提拉法，所述的相蝸材料為銀金，巧晶為<111〉或<100〉方向的純 YAG巧晶，晶體生長(zhǎng)在高純Ar氣氛中進(jìn)行。提拉速度為0.5~5mm/h，旋轉(zhuǎn)速度為10~3化pm。
[0019] 所述的烙體法為相蝸下降法，所述的相蝸材料采用高純石墨，相蝸底部可W不放 巧晶，或放入上述提拉法中所述的純YAG巧晶，晶體生長(zhǎng)在高純Ar氣氛中進(jìn)行。相蝸下降速 率為0.1 ~1.5mm/h。
[0020] 所述的烙體法為溫度梯度法，相蝸材料采用鋼金屬或鶴鋼合金，相蝸底部可W不 放巧晶，或放入上述提拉法中所述的純YAG巧晶，晶體生長(zhǎng)在高純Ar氣氛中進(jìn)行，W晶體生 長(zhǎng)速率為0.1~lOOtVh的降溫速率降溫并生長(zhǎng)晶體。
[0021] 本發(fā)明的技術(shù)效果：
[00剖用W上原料和工藝生長(zhǎng)了高質(zhì)量的化3xBa3y化3zY3(l-x-y-z)Al5012晶體，晶體無(wú)色透 明，外觀良好，有優(yōu)良的光學(xué)和物化性能；該晶體的光產(chǎn)額為3100Ph/MeV，和化（15at % ): YAG的1250Ph/MeV相比，提高了約2倍；該晶體衰減時(shí)間為0.435ns?；?xBa3yYb3zY3(i-x-y-z) Als化2超快閃爍晶體可W與娃光二極管等光電探測(cè)設(shè)備有效禪合，可應(yīng)用超快脈沖福射探 巧^肢性約束核聚變、空間福射探測(cè)、核反應(yīng)動(dòng)力學(xué)研究等領(lǐng)域。
[0023] 表2共滲晶體閃爍性能比較
[0024]

【具體實(shí)施方式】
[0025] 下面通過(guò)具體實(shí)施對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步說(shuō)明，但不應(yīng)W此限制本發(fā)明的保護(hù)范圍。
[0026] 實(shí)施例1 :提拉法生長(zhǎng)Na+、Ba2 +滲雜濃度為O.Olat%、Yb3 +滲雜濃度為5%的 Na〇. OOOsBao.日日日3 : Ybo. 1 日Y2.8494A1日〇12閃爍晶體
[0027] 先將各高純氧化物粉末在空氣中適當(dāng)?shù)念A(yù)干燥，除去吸附水，在1000°C下灼燒 lOh，然后將化2〇: >99.99 %，BaO: >99.99%，Yb2〇3: >99.999 %，Y203 : >99.999 %，Al2〇3: >99.999%原料按照摩爾比進(jìn)行稱(chēng)量、配料。原料充分混合均勻后用等靜壓機(jī)壓制成塊，然 后裝入氧化侶相蝸內(nèi)，放進(jìn)馬弗爐中燒結(jié)，用10個(gè)小時(shí)升溫至1300°C，恒溫10個(gè)小時(shí)后經(jīng)10 小時(shí)降溫至室溫，將塊料取出放入銀金相蝸內(nèi)；采用提拉法生長(zhǎng)Nao.ooo3Bao.ooo3: Yb〇.lsY2.8494Al5化2超快閃爍晶體：用氧化錯(cuò)和氧化侶做保溫材料，用寶石片封住觀察口，巧 晶為<111〉方向的純YAG巧晶，晶體生長(zhǎng)在局純Ar氣氛中進(jìn)行。晶體的提拉速度為0.9mm/h, 轉(zhuǎn)速速度為14-3化pm,控制晶體凸界面生長(zhǎng)，生長(zhǎng)溫度為1970°C。晶體生長(zhǎng)經(jīng)過(guò)裝爐^抽真 空^充氣氣^升溫化料^烤晶種^下種^縮頸^放肩^等徑生長(zhǎng)^提脫和降溫等過(guò)程，整 個(gè)生長(zhǎng)周期約9天。生長(zhǎng)出尺寸為050*100匪的無(wú)色透明的Nao.ooosBao. 0003: Ybo. 1日Y2.8494AI日〇12晶體，晶體重約1200g。
[002引實(shí)施例2:提拉法生長(zhǎng)化\8曰2+滲雜濃度為0.05曰*%、￥63+滲雜濃度為15%的 Nao.ooi日Bao.ooi日：￥13日.4開(kāi)2.日4741日012閃爍晶體
[0029]先將各高純氧化物粉末在空氣中適當(dāng)?shù)念A(yù)干燥，除去吸附水，在1000°C下灼燒 lOh，然后將化2〇: >99.99 %，BaO: >99.99%，Yb2〇3: >99.999 %，Y203 : >99.999 %，Al2〇3: >99.999%原料按照摩爾比進(jìn)行稱(chēng)量、配料。原料充分混合均勻后用等靜壓機(jī)壓制成塊，然 后裝入氧化侶相蝸內(nèi)，放進(jìn)馬弗爐中燒結(jié)，用10個(gè)小時(shí)升溫至1300°C，恒溫10個(gè)小時(shí)后經(jīng)10 小時(shí)降溫至室溫，將塊料取出放入銀金相蝸內(nèi)；采用提拉法生長(zhǎng)Nao.ooi5Bao.ooi5: Yb〇.45Y2.547Al5〇12超快閃爍晶體：用氧化錯(cuò)和氧化侶做保溫材料，用寶石片封住觀察口，巧晶 為<111〉方向的純YAG巧晶，晶體生長(zhǎng)在高純Ar氣氛中進(jìn)行。晶體的提拉速度為0.9mm/h，轉(zhuǎn) 速速度為14-3化pm,控制晶體凸界面生長(zhǎng)，生長(zhǎng)溫度為1970°C。晶體生長(zhǎng)經(jīng)過(guò)裝爐^抽真空 ^充氣氣^升溫化料^烤晶種^下種^縮頸^放肩^等徑生長(zhǎng)^提脫和降溫等過(guò)程，整個(gè) 生長(zhǎng)周期約9天。生長(zhǎng)出尺寸為〇50*10〇1111]1的無(wú)色透明的化日.日日1日8日日.日日1日：孔日.4評(píng)2.日4741日化2晶 體，晶體重約1200g。
[0030] 實(shí)施例3:提拉法生長(zhǎng)Na+、Ba2 +滲雜濃度為lat%、Yb3 +滲雜濃度為30%的 Nao. osBao. 03: Ybo. 9Y2. (mA 15〇12 閃爍晶體
[0031] 先將各高純氧化物粉末在空氣中適當(dāng)?shù)念A(yù)干燥，除去吸附水，在1000°C下灼燒 lOh，然后將化2〇: >99.99 %，BaO: >99.99%，Yb2〇3: >99.999 %，Y203 : >99.999 %，Al2〇3: >99.999%原料按照摩爾比進(jìn)行稱(chēng)量、配料。原料充分混合均勻后用等靜壓機(jī)壓制成塊，然 后裝入氧化侶相蝸內(nèi)，放進(jìn)馬弗爐中燒結(jié)，用10個(gè)小時(shí)升溫至1300°C，恒溫10個(gè)小時(shí)后經(jīng)10 小時(shí)降溫至室溫，將塊料取出放入銀金相蝸內(nèi)；采用提拉法生長(zhǎng)Nao.日濁ao. 03: Ybo. 9Y2. (mAIs化2 超快閃爍晶體：用氧化錯(cuò)和氧化侶做保溫材料，用寶石片封住觀察口，巧晶為<111〉方向的 純YAG巧晶，晶體生長(zhǎng)在高純Ar氣氛中進(jìn)行。晶體的提拉速度為0.9mm/h，轉(zhuǎn)速速度為14- 30巧m，控制晶體凸界面生長(zhǎng)，生長(zhǎng)溫度為1970°C。晶體生長(zhǎng)經(jīng)過(guò)裝爐^抽真空^充氣氣^ 升溫化料^烤晶種^下種^縮頸^放肩^等徑生長(zhǎng)^提脫和降溫等過(guò)程，整個(gè)生長(zhǎng)周期約 9天。生長(zhǎng)出尺寸為〇50*100mm的無(wú)色透明的化日.〇3Ba〇.〇3:化0.9Y2.04A1日〇12晶體，晶體重約 1200g〇
[0032] 實(shí)施例4:下降法生長(zhǎng)化\8曰2+滲雜濃度為0.01曰*%、￥63+滲雜濃度為15%的 Nao.日日日3Bao.日日日3: Ybo. 4日Y2.日494A1日〇12閃爍晶體
[0033] 先將各高純氧化物粉末在空氣中適當(dāng)?shù)念A(yù)干燥，除去吸附水，在1000°C下灼燒 lOh，然后將化2〇: >99.99 %，BaO: >99.99%，Yb2〇3: >99.999 %，Y203 : >99.999 %，Al2〇3: >99.999%原料按照摩爾比進(jìn)行稱(chēng)量、配料。原料充分混合均勻后用等靜壓機(jī)壓制成塊，然 后裝入氧化侶相蝸內(nèi)，放進(jìn)馬弗爐中燒結(jié)，用10個(gè)小時(shí)升溫至1300°C，恒溫10個(gè)小時(shí)后經(jīng)10 小時(shí)降溫至室溫，將塊料取出放入銀金相蝸內(nèi)；采用下降法生長(zhǎng)Nao. ooosBao. 0003 : Yb〇.45Y2.5494Al5化2超快閃爍晶體，所述的相蝸材料采用高純石墨或鶴鋼合金，巧晶為<111〉 或<100〉方向的純YAG巧晶，晶體生長(zhǎng)在高純Ar氣氛中進(jìn)行，相蝸下降速率為0.1~1.5mm/h。 生長(zhǎng)出尺寸等徑比分為巫80巧〇11皿的透明的化日.日日日濁日日.日日日3:￥13日.4評(píng)2.日49441日〇12晶體，晶體重 約1400邑。
[0034] 實(shí)施例5:溫梯法生長(zhǎng)化\8曰2滲雜濃度為0.15曰*%、￥63 +滲雜濃度為15%的 Nao. o〇45Bao. 0045: Ybo. 45Y2.541AI5O121? Ib# 0
[0035] 先將各高純氧化物粉末在空氣中適當(dāng)?shù)念A(yù)干燥，除去吸附水，在1000°C下灼燒 lOh，然后將化2〇: >99.99 %，BaO: >99.99%，Yb2〇3: >99.999 %，Y203 : >99.999 %，Al2〇3: >99.999%原料按照摩爾比進(jìn)行稱(chēng)量、配料。原料充分混合均勻后用等靜壓機(jī)壓制成塊，然 后裝入氧化侶相蝸內(nèi)，放進(jìn)馬弗爐中燒結(jié)，用10個(gè)小時(shí)升溫至1300°C，恒溫10個(gè)小時(shí)后經(jīng)10 小時(shí)降溫至室溫，將塊料取出放入鶴鋼相蝸內(nèi)；采用溫梯生長(zhǎng)Nao.日日4日Bao. 0 045 : Yb〇.45Y2.5"Al5〇12超快閃爍晶體，所述的相蝸材料采用鋼金屬或鶴鋼合金，巧晶為<111〉或< 100〉方向的純YAG巧晶，晶體生長(zhǎng)在高純Ar氣氛中進(jìn)行，W晶體生長(zhǎng)速率為0.1~100°C A的 降溫速率降溫并生長(zhǎng)晶體。生長(zhǎng)出尺寸等徑比分為巫80巧0mm的透明的化0.004日Bao.0045 : 孔0.姑Y2 .日"A1日〇12晶體，晶體重約1400g。
【主權(quán)項(xiàng)】
1 . 一種鈉鋇鐿離子共摻Y(jié)AG超快閃爍晶體，其特征在于:分子式為Na3xBa3yYb3zY3(l-x-y-Z) AI5O12，式中x = 0 · 0001~Ο · 01，y = 0 · 0001~Ο ·01，ζ = 0·05~0· 3，x 為 Na 離子的慘雜濃度，y 為基質(zhì)Ba離子的摻雜濃度，z為Yb離子的摻雜濃度，其中x、y、z均進(jìn)入晶體取代Y離子格位。2. -種鈉鋇鐿離子共摻Y(jié)AG超快閃爍晶體的制備方法，其特征在于該方法步驟如下： ① 原料配方： 采用似2〇、1^0、￥匕2〇3、￥2〇3和412〇3作為原料并按摩爾比31:67:32:3(111-2):5進(jìn)行配 料，其中x、y、z的取值范圍分別為χ = 0·0001~0.01，y = 0.0001~0·01，ζ = 0·05~0.3;原料 充分混合均勻后用等靜壓機(jī)壓制成塊，然后裝入氧化鋁坩堝內(nèi)，放進(jìn)馬弗爐中燒結(jié)，用10個(gè) 小時(shí)升溫至1300°C，恒溫10個(gè)小時(shí)后經(jīng)10小時(shí)降溫至室溫，將塊料取出放入晶體生長(zhǎng)坩堝 內(nèi)； ② 米用恪體法生長(zhǎng)Na3xBa3yYb3zY3(l-X-y-z)Al5〇12閃爍晶體：用氧化錯(cuò)和氧化錯(cuò)做保溫材 料，用寶石片封住觀察口，采用惰性氣體保護(hù)，生長(zhǎng)溫度為1950°C~1970°C，籽晶為〈111>或 〈1〇〇>方向的純YAG籽晶，生長(zhǎng)制備化學(xué)式為Na 3xBa3yYb3zY3(1-x- y-ζ)Α15〇12的晶體。3. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的鈉鋇鐿離子共摻Y(jié)AG超快閃爍晶體的制備方法，其特征是，所 用原料的純度為：恥2〇:彡99.99%，8&0:彡99.99%，￥匕2〇3:彡99.999%，丫2〇3:彡99.999%， Α12〇3:>99·999%。4. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的鈉鋇鐿離子共摻Y(jié)AG超快閃爍晶體的制備方法，其特征是，所 述的熔體法為提拉法，所述的晶體生長(zhǎng)坩堝材料采用銥金，籽晶為〈111>或〈1〇〇>方向的純 YAG籽晶，晶體生長(zhǎng)在高純Ar氣氛中進(jìn)行，提拉速度0.5~5mm/h，晶體轉(zhuǎn)速10~30rpm。5. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的鈉鋇鐿離子共摻Y(jié)AG超快閃爍晶體的制備方法，其特征是，所 述的熔體法為坩堝下降法，所述的晶體生長(zhǎng)坩堝材料采用高純石墨或鉬金屬，籽晶為〈111> 或〈100>方向的純YAG籽晶，晶體生長(zhǎng)在高純Ar氣氛中進(jìn)行，坩堝下降速率為0.1~1.5mm/h。6. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的鈉鋇鐿離子共摻Y(jié)AG超快閃爍晶體的制備方法，其特征是，所 述的熔體法為溫度梯度法，所述的晶體生長(zhǎng)坩堝材料采用鉬金屬或鎢鉬合金，籽晶為〈111> 或〈100>方向的純YAG籽晶，晶體生長(zhǎng)在高純Ar氣氛中進(jìn)行，以晶體生長(zhǎng)速率為0.1~100 °C / h的降溫速率降溫并生長(zhǎng)晶體。
【文檔編號(hào)】C30B29/22GK106048724SQ201610523873
【公開(kāi)日】2016年10月26日
【申請(qǐng)日】2016年7月6日
【發(fā)明人】侯晴, 陳建玉, 齊紅基, 韓和同, 宋朝輝, 張侃
【申請(qǐng)人】中國(guó)科學(xué)院上海光學(xué)精密機(jī)械研究所