一種C/C?ZrC?SiC陶瓷基復(fù)合材料剎車盤及其制備方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種C/C?ZrC?SiC陶瓷基復(fù)合材料剎車盤及其制備方法，由C纖維、C基體、ZrC基體和SiC基體組成，其特征在于ZrC基體均勻分散在SiC基體中，ZrC基體的平均粒徑尺寸在100nm，是經(jīng)過一次浸漬工藝同時得到兩種基體，基體的比例可調(diào)。將針刺C纖維預(yù)制體疊層制備增強結(jié)構(gòu)，采用等溫化學(xué)氣相滲透工藝沉積熱解碳制備成C/C骨架，再通過有機先驅(qū)體聚碳硅烷和聚鋯硅烷的混合溶液液相浸漬裂解將ZrC基體和SiC基體引入到C/C骨架，最終完成C/C?ZrC?SiC陶瓷基復(fù)合材剎車盤的致密。該剎車盤材料具有強度高、耐高溫、摩擦磨損性能優(yōu)良等特性。
【專利說明】
-種C/C-ZrC-S i C陶瓷基復(fù)合材料剎車盤及其制備方法
技術(shù)領(lǐng)域
[0001] 本發(fā)明設(shè)及一種陶瓷基復(fù)合材料剎車盤及其制備方法，特別是設(shè)及一種C/C-ZrC- SiC陶瓷基復(fù)合材料剎車盤及其制備方法，是一種用ZrC、SiC對C/C復(fù)合材料剎車盤摩擦磨 損性能基體改性的方法。
【背景技術(shù)】
[0002] 摩擦材料主要用于車輛和動力機械制動與傳動，正從單一材料向復(fù)合材料發(fā)展， 其質(zhì)量好壞直接影響機器的可靠性和操作人員的生命安全。高速列車因高速高能載而成為 摩擦制動材料發(fā)展的主要推動力，迄今為止，列車剎車閩片（閩瓦)材料從鑄鐵、合成材料、 粉末冶金材料發(fā)展到C/C和C/C-SiC復(fù)合材料。碳/碳(C/C)復(fù)合材料即碳纖維增強碳基體復(fù) 合材料，具有密度低、比熱容大、耐熱性良好，并且在高負荷下仍能保持優(yōu)良的摩擦性能，使 制動裝置減輕等優(yōu)點，已經(jīng)在飛機剎車副上得到廣泛的應(yīng)用。但C/C復(fù)合材料的制備周期 長、成本高、抗氧化性能差，濕態(tài)下摩擦因數(shù)不穩(wěn)定、對環(huán)境(干凈、干燥）的要求較高，很難 在使用環(huán)境差的交通工具上大規(guī)模應(yīng)用。
[0003] ZrC是一種難烙金屬碳化物，烙點達到3500°C，不僅表現(xiàn)出優(yōu)異的耐溫性能和抗氧 化性能，而且是莫氏硬度高達8~9,是一種優(yōu)良的耐磨材料，常用作C/C復(fù)合材料的改性劑。
[0004] 文獻"專利申請?zhí)柺?01310203824.4的中國發(fā)明專利"公開了一種用于高速動車 剎車盤的陶瓷基復(fù)合材料及其制備方法，該方法是W碳纖維編織或疊層形成具有高速動車 剎車盤形狀的織物結(jié)構(gòu)，通過化學(xué)氣相沉積或者液相浸潰的方法合成C/C骨架，再通過化學(xué) 氣相沉積工藝得到梯度SiC基體。雖然運種方法制備的C/C-SiC復(fù)合材料因梯度SiC基體的 存在能夠有效緩解熱應(yīng)力，抗熱震性得到顯著提高，同時也提高了C/C復(fù)合材料的抗氧化性 能，但是，運種工藝對SiC基體的梯度難W控制，基體成分單一。文獻"專利申請?zhí)柺?201310412248.4的中國發(fā)明專利"公開了一種C/C-SiC-ZrC陶瓷基復(fù)合材料及其制備方法， 該方法是將C纖維編織或疊層制備增強結(jié)構(gòu)，通過化學(xué)氣相滲透的方法沉積熱解碳，然后進 行高溫石墨化處理合成C/C骨架，再通過聚碳硅烷液相浸潰裂解引入SiC增密復(fù)合材料，然 后浸潰棚酪醒樹脂，高溫裂解形成C，通過烙滲法滲金屬錯，再進行高溫?zé)崽幚?，得到C/C- SiC-ZrC陶瓷基復(fù)合材料。該方法引入兩種基體的步驟繁瑣，得到的基體分布不均勻，制備 過程中多次需要高溫處理，會對C/C復(fù)合材料造成一定損傷。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005] 本發(fā)明的目的旨在克服現(xiàn)有C/C復(fù)合材料W及C/SiC復(fù)合材料剎車盤制備技術(shù)的 缺陷，提供了一種C/C-ZrC-SiC陶瓷基復(fù)合材剎車盤及其制造方法。
[0006] 本發(fā)明提供了一種C/C-化C-SiC陶瓷基復(fù)合材剎車盤的制備方法，包括下述順序 的步驟：
[0007] (1)將2D針刺碳纖維預(yù)制體疊層成具有剎車盤形狀的織物增強結(jié)構(gòu)，C纖維體積分 數(shù)為40~45 %;
[0008] (2)采用ICVI工藝，w燒控類氣體為碳源，氮氣為稀釋氣體，在預(yù)制體內(nèi)部制備出 高織構(gòu)熱解碳基體。具體的工藝條件為:沉積溫度:900~950°C ;總壓:5~lOkPa;丙烷流量： 3~化/min;停留時間：<2秒；
[0009] (3)將有機先驅(qū)體聚碳硅烷和聚錯氧燒W及溶劑按照相應(yīng)的比例配置成陶瓷先驅(qū) 體浸潰液；
[0010] (4)采用真空浸潰的工藝，將C/C復(fù)合材料巧體浸入化C-SiC復(fù)相陶瓷先驅(qū)體混合 溶液中，保持浸潰液溫度為50~60°C，真空度控制在1~2kPa，浸潰時間為2~4小時；
[0011] (5)將浸潰后的材料在烘箱中進行交聯(lián)固化處理:交聯(lián)溫度為12(TC，交聯(lián)時間為2 ~4小時，交聯(lián)氣氛為大氣環(huán)境；
[0012] (6)將交聯(lián)固化后的材料放入熱處理爐中進行陶瓷化處理:升溫速率為2~：rc/ min,熱處理溫度為1500~1700°C，保溫時間為2小時，熱處理氣氛為氣氣惰性氣氛；
[0013] (7)將裂解后的材料進行超聲清洗，去除表面陶瓷粉粒，而后放置于烘箱6(TC烘干
[0014] (8)將烘干后的材料重復(fù)步驟(4)、（5)、（6)、（7)，需進行多次PIP循環(huán)過程完成材 料的致密；
[0015] (9)將得到的復(fù)合材料進行加工處理，得到C/C-ZrC-SiC陶瓷基復(fù)合材剎車盤。
[0016] 優(yōu)選，所述的C纖維占剎車盤總體積的40~45%。優(yōu)選，所述的C基體占剎車盤總體 積的8~16%。優(yōu)選，所述的ZrC基體占剎車盤總體積的20~25%。優(yōu)選，所述的SiC基體占剎 車盤總體積的25~35%。優(yōu)選，在步驟(2)中所用的燒控為丙烷。優(yōu)選，在步驟(6)中，熱處理 升溫速率為2~：rc/min,熱處理溫度為1500~1700°C，保溫時間為2小時，熱處理氣氛為氣 氣惰性氣氛。
[0017] 本發(fā)明根據(jù)上述方法，還提供一種C/C-ZrC-SiC陶瓷基復(fù)合材料剎車盤，其組成為 C纖維、C基體、ZrC基體和SiC基體，ZrC基體均勻分散在SiC基體中，ZrC基體的平均粒徑尺寸 在lOOnm，是經(jīng)過一次性浸潰工藝同時得到兩種基體，基體的比例可調(diào)；所述的碳纖維所占 的體積分數(shù)為40~45%，C基體所占的體積分數(shù)為8~16%，ZrC基體所占的體積分數(shù)為20~ 25%，SiC基體所占體積分數(shù)為25~35%。
【附圖說明】
[0018] 圖1:本發(fā)明所制備的C/C-ZrC-SiC陶瓷基復(fù)合材剎車盤流程圖
[0019] 圖2:本發(fā)明所制備的C/C-ZrC-SiC陶瓷基復(fù)合材料殺陣盤PIP過程密度變化曲線
[0020] 圖3:本發(fā)明所制備的C/C-ZrC-S i C陶瓷基復(fù)合材剎車盤試樣的X畑圖譜
[0021] 圖4:本發(fā)明所制備的C/C-ZrC-SiC陶瓷基復(fù)合材剎車盤的背散射SEM形貌照片
【具體實施方式】
[0022] 下面結(jié)合具體實施例，進一步闡明本發(fā)明，應(yīng)理解運些實施例僅用于說明本發(fā)明 而不用于限制本發(fā)明的范圍，在閱讀了本發(fā)明之后，本領(lǐng)域技術(shù)人員對本發(fā)明的各種等價 形式的修改均落于本申請所附權(quán)利要求所限定。
[0023] 對比例1
[0024] (1)將2D針刺碳纖維預(yù)制體疊層成具有剎車盤形狀的織物增強結(jié)構(gòu)，C纖維體積分 數(shù)為40 % ;
[0025] (2)采用ICVI工藝，W丙烷為碳源，氮氣為稀釋氣體，在預(yù)制體內(nèi)部制備出高織構(gòu) 熱解碳基體。具體的工藝條件為:沉積溫度:900°C;總壓：10k化;丙烷流量:化/min;停留時 間：1秒；
[00%] (3)將有機先驅(qū)體聚碳硅烷和溶劑二甲苯按照1:1的比例配置成陶瓷先驅(qū)體浸潰 液；
[0027] (4)采用真空浸潰的工藝，將C/C復(fù)合材料巧體浸入SiC陶瓷先驅(qū)體混合溶液中，保 持浸潰液溫度為50°C，真空度控制在IkPa，浸潰時間為2小時；
[0028] (5)將浸潰后的材料在烘箱中進行交聯(lián)固化處理。交聯(lián)溫度為12(TC，交聯(lián)時間為2 小時，交聯(lián)氣氛為大氣環(huán)境；
[0029] (6)將交聯(lián)固化后的材料放入熱處理爐中進行陶瓷化處理。升溫速率為2°C/min， 熱處理溫度為1000°c，保溫時間為2小時，熱處理氣氛為氣氣惰性氣氛；
[0030] (7)將裂解后的材料進行超聲清洗，去除表面陶瓷粉粒，而后放置于烘箱6(TC烘干
[0031] (8)將烘干后的材料重復(fù)步驟(4)、（5)、（6)、（7)，共進行12次PIP循環(huán)過程完成材 料的致密；
[0032] (9)將得到的復(fù)合材料進行加工處理，得到C/C-SiC陶瓷基復(fù)合材剎車盤。
[0033] 對比例2
[0034] (1)將2D針刺碳纖維預(yù)制體疊層成具有剎車盤形狀的織物增強結(jié)構(gòu)，C纖維體積分 數(shù)為45 % ;
[0035] (2)采用ICVI工藝，W丙烷為碳源，氮氣為稀釋氣體，在預(yù)制體內(nèi)部制備出高織構(gòu) 熱解碳基體。具體的工藝條件為:沉積溫度:900°C;總壓：10k化;丙烷流量:化/min;停留時 間：1秒；
[0036] (3)將有機先驅(qū)體聚碳硅烷溶劑二甲苯按照1:1的比例配置成陶瓷先驅(qū)體浸潰液；
[0037] (4)采用真空浸潰的工藝，將C/C復(fù)合材料巧體浸入SiC復(fù)相陶瓷先驅(qū)體混合溶液 中，保持浸潰液溫度為50°C，真空度控制在IkPa，浸潰時間為2小時；
[0038] (5)將浸潰后的材料在烘箱中進行交聯(lián)固化處理。交聯(lián)溫度為12(TC，交聯(lián)時間為2 小時，交聯(lián)氣氛為大氣環(huán)境；
[0039] (6)將交聯(lián)固化后的材料放入熱處理爐中進行陶瓷化處理。升溫速率為2°C/min， 熱處理溫度為1000°c，保溫時間為2小時，熱處理氣氛為氣氣惰性氣氛；
[0040] (7)將裂解后的材料進行超聲清洗，去除表面陶瓷粉粒，而后放置于烘箱6(TC烘干
[0041] (8)將烘干后的材料重復(fù)步驟(4)、（5)、（6)、（7)，共進行12次PIP循環(huán)過程完成材 料的致密；
[0042] (9)將得到的復(fù)合材料進行加工處理，得到C/C-SiC陶瓷基復(fù)合材剎車盤。
[0043] 實施例1
[0044] 一種本發(fā)明的C/C-化C-SiC陶瓷基復(fù)合材剎車盤，其組成為C纖維、C基體、ZrC基體 和SiC基體。其特征在于化C基體均勻分散在SiC基體中，ZrC基體的平均粒徑尺寸在lOOnm， 是經(jīng)過一次浸潰工藝同時得到兩種基體，基體的比例可調(diào)。所述的C纖維所占的體積分數(shù)為 40 %，C基體所占的體積分數(shù)為10 %，ZrC基體所占的體積分數(shù)為20 %，SiC基體所占的體積 分數(shù)為30 %。
[0045] 上述C/C-ZrC-SiC陶瓷基復(fù)合材剎車盤具體由W下步驟制備得到：
[0046] (1)將2D針刺碳纖維預(yù)制體疊層成具有剎車盤形狀的織物增強結(jié)構(gòu)，C纖維體積分 數(shù)為40 % ;
[0047] (2)采用ICVI工藝，W丙烷為碳源，氮氣為稀釋氣體，在預(yù)制體內(nèi)部制備出高織構(gòu) 熱解碳基體。具體的工藝條件為:沉積溫度:900°C;總壓：10k化;丙烷流量:化/min;停留時 間：1秒；
[004引（3)將有機先驅(qū)體聚碳硅烷和聚錯氧燒W及溶劑二甲苯按照3:2:5的比例配置成 復(fù)相陶瓷先驅(qū)體浸潰液；
[0049] (4)采用真空浸潰的工藝，將C/C復(fù)合材料巧體浸入化C-SiC復(fù)相陶瓷先驅(qū)體混合 溶液中，保持浸潰液溫度為50°C，真空度控制在IkPa，浸潰時間為2小時；
[0050] (5)將浸潰后的材料在烘箱中進行交聯(lián)固化處理。交聯(lián)溫度為12(TC，交聯(lián)時間為2 小時，交聯(lián)氣氛為大氣環(huán)境；
[0051] (6)將交聯(lián)固化后的材料放入熱處理爐中進行陶瓷化處理。升溫速率為2°C/min， 熱處理溫度為1500°C，保溫時間為2小時，熱處理氣氛為氣氣惰性氣氛；
[0052] (7)將裂解后的材料進行超聲清洗，去除表面陶瓷粉粒，而后放置于烘箱6(TC烘干
[0053] (8)將烘干后的材料重復(fù)步驟(4)、（5)、（6)、（7)，共進行12次PIP循環(huán)過程完成材 料的致密；
[0054] (9)將得到的復(fù)合材料進行加工處理，得到C/C-ZrC-SiC陶瓷基復(fù)合材剎車盤。 [0化5] 實施例2
[0化6] -種本發(fā)明的C/C-化C-SiC陶瓷基復(fù)合材剎車盤，其組成為C纖維、C基體、ZrC基體 和SiC基體。其特征在于化C基體均勻分散在SiC基體中，ZrC基體的平均粒徑尺寸在lOOnm， 是經(jīng)過一次浸潰工藝同時得到兩種基體，基體的比例可調(diào)。所述的C纖維所占的體積分數(shù)為 45 %，C基體所占的體積分數(shù)為10 %，ZrC基體所占的體積分數(shù)為20 %，SiC基體所占的體積 分數(shù)為25 %。
[0057] 上述C/C-ZrC-SiC陶瓷基復(fù)合材剎車盤具體由W下步驟制備得到：
[0058] (1)將2D針刺碳纖維預(yù)制體疊層成具有剎車盤形狀的織物增強結(jié)構(gòu)，C纖維體積分 數(shù)為45 % ;
[0059] (2)采用ICVI工藝，W丙烷為碳源，氮氣為稀釋氣體，在預(yù)制體內(nèi)部制備出高織構(gòu) 熱解碳基體。具體的工藝條件為:沉積溫度:950°C;總壓：10k化;丙烷流量:3L/min;停留時 間：1秒；
[0060] (3)將有機先驅(qū)體聚碳硅烷和聚錯氧燒W及溶劑二甲苯按照5:4:9的比例配置成 復(fù)相陶瓷先驅(qū)體浸潰液；
[0061] (4)采用真空浸潰的工藝，將C/C復(fù)合材料巧體浸入化C-SiC復(fù)相陶瓷先驅(qū)體混合 溶液中，保持浸潰液溫度為50°C，真空度控制在IkPa，浸潰時間為2小時；
[0062] (5)將浸潰后的材料在烘箱中進行交聯(lián)固化處理。交聯(lián)溫度為12(TC，交聯(lián)時間為2 小時，交聯(lián)氣氛為大氣環(huán)境；
[0063] (6)將交聯(lián)固化后的材料放入熱處理爐中進行陶瓷化處理。升溫速率為2°C/min， 熱處理溫度為1500°C，保溫時間為2小時，熱處理氣氛為氣氣惰性氣氛；
[0064] (7)將裂解后的材料進行超聲清洗，去除表面陶瓷粉粒，而后放置于烘箱6(TC烘干
[0065] (8)將烘干后的材料重復(fù)步驟(4)、（5)、（6)、（7)，共進行12次PIP循環(huán)過程完成材 料的致密；
[0066] (9)將得到的復(fù)合材料進行加工處理，得到C/C-ZrC-SiC陶瓷基復(fù)合材剎車盤。
[0067] 實施例3
[0068] 一種本發(fā)明的C/C-化C-SiC陶瓷基復(fù)合材剎車盤，其組成為C纖維、C基體、ZrC基體 和SiC基體。其特征在于化C基體均勻分散在SiC基體中，ZrC基體的平均粒徑尺寸在lOOnm， 是經(jīng)過一次浸潰工藝同時得到兩種基體，基體的比例可調(diào)。所述的C纖維所占的體積分數(shù)為 40 %，C基體所占的體積分數(shù)為15 %，ZrC基體所占的體積分數(shù)為25 %，SiC基體所占的體積 分數(shù)為20 %。
[0069] 上述C/C-ZrC-SiC陶瓷基復(fù)合材剎車盤具體由W下步驟制備得到：
[0070] (1)將2D針刺碳纖維預(yù)制體疊層成具有剎車盤形狀的織物增強結(jié)構(gòu)，C纖維體積分 數(shù)為40 % ;
[0071] (2)采用ICVI工藝，W丙烷為碳源，氮氣為稀釋氣體，在預(yù)制體內(nèi)部制備出高織構(gòu) 熱解碳基體。具體的工藝條件為:沉積溫度:900°C;總壓：10k化;丙烷流量:化/min;停留時 間：1秒；
[0072] (3)將有機先驅(qū)體聚碳硅烷和聚錯氧燒W及溶劑二甲苯按照4:5:9的比例配置成 復(fù)相陶瓷先驅(qū)體浸潰液；
[0073] (4)采用真空浸潰的工藝，將C/C復(fù)合材料巧體浸入化C-SiC復(fù)相陶瓷先驅(qū)體混合 溶液中，保持浸潰液溫度為50°C，真空度控制在IkPa，浸潰時間為2小時；
[0074] (5)將浸潰后的材料在烘箱中進行交聯(lián)固化處理。交聯(lián)溫度為12(TC，交聯(lián)時間為2 小時，交聯(lián)氣氛為大氣環(huán)境；
[0075] (6)將交聯(lián)固化后的材料放入熱處理爐中進行陶瓷化處理。升溫速率為2°C/min， 熱處理溫度為1500°C，保溫時間為2小時，熱處理氣氛為氣氣惰性氣氛；
[0076] (7)將裂解后的材料進行超聲清洗，去除表面陶瓷粉粒，而后放置于烘箱6(TC烘干
[0077] (8)將烘干后的材料重復(fù)步驟(4)、（5)、（6)、（7)，共進行12次PIP循環(huán)過程完成材 料的致密；
[0078] (9)將得到的復(fù)合材料進行加工處理，得到C/C-ZrC-SiC陶瓷基復(fù)合材剎車盤。
[0079] W上對比例和實施例所得剎車盤樣品采用MM-1000摩擦試驗機測試動摩擦系數(shù)和 磨損率(慣量為3.8kgf · cm · S2,比壓為lOON/cm2,線速度為25m/s，模擬飛機正常剎車試 驗）。測試結(jié)果見下表。
[0080] 表1不同組分的剎車盤性能測試結(jié)果
[0081]
[0082]由表1可W看出本發(fā)明制備的C/C-ZrC-SiC陶瓷基復(fù)合材剎車盤密度高于C/C-SiC 陶瓷基復(fù)合材剎車盤，磨損率低于C/C-SiC陶瓷基復(fù)合材剎車盤，干態(tài)摩擦系數(shù)稍高于C/C- SiC陶瓷基復(fù)合材剎車盤，最大的改變在于，相比于干摩擦試驗，在濕態(tài)摩擦測試中，C/C- ZrC-SiC陶瓷基復(fù)合材剎車盤摩擦系數(shù)有小幅提升，該結(jié)果優(yōu)于傳統(tǒng)C/C復(fù)合材料剎車盤和 碳-陶雙基體復(fù)合材料剎車盤。
【主權(quán)項】
1. 一種C/C-ZrC-SiC陶瓷基復(fù)合材料剎車盤的制備方法，其特征在于，所述剎車盤由C 纖維、C基體、ZrC基體和S i C基體組成，ZrC基體均勻分散在S i C基體中，ZrC基體的平均粒徑 尺寸為lOOnm，經(jīng)過一次浸漬同時得到兩種基體ZrC基體和SiC基體，ZrC基體和SiC基體的比 例可調(diào);所述方法包括如下步驟： (1) 將2D針刺碳纖維預(yù)制體疊層成具有剎車盤形狀的織物增強結(jié)構(gòu)； (2) 采用ICVI工藝，以烷烴類氣體為碳源，氮氣為稀釋氣體，在預(yù)制體內(nèi)部制備出高織 構(gòu)熱解碳基體;具體的工藝條件為:沉積溫度:900~950°C ;總壓：5~lOkPa;丙烷流量:3~ 5L/min;停留時間：<2秒。 (3) 將有機先驅(qū)體聚碳硅烷和聚鋯氧烷以及溶劑二甲苯按照不同比例配置成復(fù)相陶瓷 先驅(qū)體浸漬液。 (4) 采用真空浸漬的工藝，將C/C復(fù)合材料坯體浸入ZrC-SiC復(fù)相陶瓷先驅(qū)體混合溶液 中，保持浸漬液溫度為50~60°C，真空度控制在1~2kPa，浸漬時間為2~4小時。 (5) 將浸漬后的材料在烘箱中進行交聯(lián)固化處理:交聯(lián)溫度為120°C，交聯(lián)時間為2~4 小時，交聯(lián)氣氛為大氣環(huán)境。 (6) 將交聯(lián)固化后的材料放入熱處理爐中進行陶瓷化處理。 (7) 將裂解后的材料進行超聲清洗，去除表面陶瓷粉粒，而后放置于烘箱60°C烘干； (8) 將烘干后的材料重復(fù)步驟(4)、（5)、（6)、（7)，需進行多次PIP循環(huán)過程完成材料的 致密； (9) 將得到的復(fù)合材料進行加工處理，得到C/C-ZrC-SiC陶瓷基復(fù)合材剎車盤。2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述的C纖維占剎車盤總體積的40~45%。3. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于，所述的C基體占剎車盤總體積的8~16%。4. 根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法，其特征在于，所述的ZrC基體占剎車盤總體積的20~ 25% 〇5. 根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法，其特征在于，所述的SiC基體占剎車盤總體積的25~ 35%〇6. 根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法，其特征在于，在步驟(2)中所用的烷烴為丙烷。7. 根據(jù)權(quán)利要求6所述方法，其特征在于，在步驟(6)中，熱處理升溫速率為2~：TC/ min，熱處理溫度為1500~1700°C，保溫時間為2小時，熱處理氣氛為氬氣惰性氣氛。8. 根據(jù)權(quán)利要求1-7任一項所述的方法制備得到的C/C-ZrC-SiC陶瓷基復(fù)合材剎車盤， 其特征在于，所述剎車盤由C纖維、C基體、ZrC基體和SiC基體組成，ZrC基體均勻分散在SiC 基體中，ZrC基體的平均粒徑尺寸為100nm，經(jīng)過一次浸漬同時得到兩種基體ZrC基體和SiC 基體，ZrC基體和S i C基體的比例可調(diào)。
【文檔編號】C04B35/56GK106083114SQ201610392206
【公開日】2016年11月9日
【申請日】2016年6月3日 公開號201610392206.2, CN 106083114 A, CN 106083114A, CN 201610392206, CN-A-106083114, CN106083114 A, CN106083114A, CN201610392206, CN201610392206.2
【發(fā)明人】王超, 田秀梅, 馬小民, 何立軍, 張博, 馬曉東
【申請人】蘇州賽力菲陶纖有限公司