傳感器單晶硅刻蝕過(guò)程中的片架定位裝置的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及一種傳感器部件的加工裝置，尤其是一種傳感器單晶硅刻蝕過(guò)程中的片架定位裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]傳感器用單晶硅在加工過(guò)程中，均需對(duì)其進(jìn)行刻蝕處理；現(xiàn)有的刻蝕加工過(guò)程中，其往往通過(guò)將多個(gè)單晶硅疊放在片架之上，并通過(guò)向片架所在位置導(dǎo)入反應(yīng)氣體，并使得反應(yīng)氣體在電場(chǎng)環(huán)境下產(chǎn)生等離子體，以對(duì)單晶硅進(jìn)行刻蝕；片架在刻蝕過(guò)程中通常需要進(jìn)行旋轉(zhuǎn)以增加單晶硅與等離子體的接觸均度，然而，片架的旋轉(zhuǎn)可能導(dǎo)致其發(fā)生偏移，從而造成單晶硅與等離子之間的接觸不均，進(jìn)而影響其刻蝕效果。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]本發(fā)明要解決的技術(shù)問(wèn)題是提供一種傳感器單晶硅刻蝕過(guò)程中的片架定位裝置，其可在片架于反應(yīng)室內(nèi)部進(jìn)行旋轉(zhuǎn)的過(guò)程中對(duì)其進(jìn)行支撐定位處理，以提高單晶硅刻蝕的加工精度。
[0004]為解決上述技術(shù)問(wèn)題，本發(fā)明涉及一種傳感器單晶硅刻蝕過(guò)程中的片架定位裝置，其包括有反應(yīng)室，反應(yīng)室的上端部設(shè)置有送氣管道，其連接至設(shè)置在反應(yīng)室外部的氣源室，反應(yīng)室的下端部設(shè)置有抽氣管道，其連接至設(shè)置在反應(yīng)室外部的真空栗；所述反應(yīng)室的軸線位置設(shè)置有片架，其連接至設(shè)置在反應(yīng)室外部的片架旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)；所述反應(yīng)室外側(cè)設(shè)置有電磁線圈；所述反應(yīng)室中，片架之上設(shè)置有多個(gè)在水平方向上延伸的支撐桿件，每一個(gè)支撐桿件的端部位置均設(shè)置有導(dǎo)向輪，其與支撐桿件通過(guò)轉(zhuǎn)軸進(jìn)行連接，所述導(dǎo)向輪的軸線平行于反應(yīng)室的軸線，導(dǎo)向輪相交于反應(yīng)室的內(nèi)壁之上。
[0005]作為本發(fā)明的一種改進(jìn)，所述反應(yīng)室中設(shè)置有多組支撐桿件，其在片架的高度方向上均勻分布；每組支撐桿件均包括有多根位于同一水平位置的支撐桿件。采用上述設(shè)計(jì)，其可通過(guò)多組位于不同高度位置的支撐桿件，以對(duì)片架進(jìn)行更為穩(wěn)定的支撐，從而確保其各個(gè)位置均不會(huì)發(fā)生偏移現(xiàn)象，進(jìn)而使得片架中各個(gè)高度的單晶硅的加工精度均可得以保證。
[0006]作為本發(fā)明的一種改進(jìn)，所述反應(yīng)室中設(shè)置有至少兩組支撐桿件，每組支撐桿件均包括有至少4根支撐桿件，同一組中的支撐桿件關(guān)于反應(yīng)室的軸線成旋轉(zhuǎn)對(duì)稱。采用上述設(shè)計(jì)，其通過(guò)多根對(duì)稱的支撐桿件，使得片架在同一高度位置的支撐效果得以改善，并通過(guò)支撐桿件的對(duì)稱設(shè)計(jì)，使得多根支撐桿件對(duì)于片架形成的支持力亦可相互對(duì)稱。
[0007]作為本發(fā)明的一種改進(jìn)，所述反應(yīng)室中，每一個(gè)支撐桿件的對(duì)應(yīng)水平位置均設(shè)置有沿反應(yīng)室側(cè)端面進(jìn)行延伸的導(dǎo)向軌道，所述導(dǎo)向輪延伸至導(dǎo)向輪內(nèi)部，其可通過(guò)導(dǎo)向軌道以使得導(dǎo)向輪的導(dǎo)向效果更為精準(zhǔn)，以避免其在反應(yīng)室軸向上發(fā)生偏移。
[0008]作為本發(fā)明的一種改進(jìn)，所述導(dǎo)向軌道的側(cè)端面之上設(shè)置有橡膠層，其可通過(guò)橡膠層以吸收導(dǎo)向輪在工作過(guò)程中產(chǎn)生的機(jī)械振動(dòng)。
[0009]作為本發(fā)明的一種改進(jìn)，所述反應(yīng)室中，電磁線圈所在的水平位置與導(dǎo)向軌道所在的水平位置彼此交錯(cuò)排列。采用上述設(shè)計(jì)，其可避免導(dǎo)向輪在工作過(guò)程中對(duì)電磁線圈造成影響，使其發(fā)生脫落。
[0010]作為本發(fā)明的一種改進(jìn)，所述反應(yīng)室中，每一個(gè)導(dǎo)向軌道的對(duì)應(yīng)位置均設(shè)置有沿反應(yīng)室的外壁成環(huán)形延伸的加強(qiáng)筋。采用上述設(shè)計(jì)，其可避免因?qū)蜍壍赖脑O(shè)置而造成的反應(yīng)室側(cè)壁穩(wěn)定性的下降。
[0011]作為本發(fā)明的一種改進(jìn)，所述加強(qiáng)筋的厚度至少為3厘米。
[0012]采用上述技術(shù)方案的傳感器單晶硅刻蝕過(guò)程中的片架定位裝置，其可在片架于反應(yīng)室內(nèi)部進(jìn)行刻蝕加工的過(guò)程中，通過(guò)多個(gè)支撐桿件對(duì)片架進(jìn)行定位處理，使得其始終處于反應(yīng)室的軸線位置，從而使得片架之中的多個(gè)單晶硅的刻蝕加工的精度得以改善；與此同時(shí)，支撐桿件端部的導(dǎo)向輪可沿反應(yīng)室進(jìn)行滾動(dòng)，從而使得支撐桿件與片架可實(shí)現(xiàn)更為平滑的旋轉(zhuǎn)。
【附圖說(shuō)明】
[0013]圖1為本發(fā)明示意圖；
[0014]圖2為本發(fā)明中片架水平截面圖；
[0015]附圖標(biāo)記列表:
[0016]I 一反應(yīng)室、2—送氣管道、3—?dú)庠词摇? 一抽氣管道、5—真空栗、6—片架、7—片架旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)、8 —電磁線圈、9 一支撐桿件、1—導(dǎo)向輪、11 一導(dǎo)向軌道、12—加強(qiáng)筋。
【具體實(shí)施方式】
[0017]下面結(jié)合【具體實(shí)施方式】，進(jìn)一步闡明本發(fā)明，應(yīng)理解下述【具體實(shí)施方式】?jī)H用于說(shuō)明本發(fā)明而不用于限制本發(fā)明的范圍。需要說(shuō)明的是，下面描述中使用的詞語(yǔ)“前”、“后”、“左”、“右”、“上”和“下”指的是附圖中的方向，詞語(yǔ)“內(nèi)”和“外”分別指的是朝向或遠(yuǎn)離特定部件幾何中心的方向。
[0018]實(shí)施例1
[0019]如圖1所示的一種傳感器單晶硅刻蝕過(guò)程中的片架定位裝置，其包括有反應(yīng)室1，反應(yīng)室I的上端部設(shè)置有送氣管道2，其連接至設(shè)置在反應(yīng)室I外部的氣源室3，反應(yīng)室I的下端部設(shè)置有抽氣管道4，其連接至設(shè)置在反應(yīng)室I外部的真空栗5 ;所述反應(yīng)室I的軸線位置設(shè)置有片架6，其連接至設(shè)置在反應(yīng)室I外部的片架旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)7，其具體包括有電機(jī)；所述反應(yīng)室I外側(cè)設(shè)置有電磁線圈8 ;所述反應(yīng)室I中，片架6之上設(shè)置有多個(gè)在水平方向上延伸的支撐桿件9，每一個(gè)支撐桿件9的端部位置均設(shè)置有導(dǎo)向輪10，其與支撐桿件9通過(guò)轉(zhuǎn)軸進(jìn)行連接，所述導(dǎo)向輪10的軸線平行于反應(yīng)室I的軸線，導(dǎo)向輪10相交于反應(yīng)室I的內(nèi)壁之上。
[0020]所述反應(yīng)室I中設(shè)置有多組支撐桿件，其在片架6的高度方向上均勻分布；每組支撐桿件均包括有多根位于同一水平位置的支撐桿件9。采用上述設(shè)計(jì)，其可通過(guò)多組位于不同高度位置的支撐桿件，以對(duì)片架進(jìn)行更為穩(wěn)定的支撐，從而確保其各個(gè)位置均不會(huì)發(fā)生偏移現(xiàn)象，進(jìn)而使得片架中各個(gè)高度的單晶硅的加工精度均可得以保證。
[0021]作為本發(fā)明的一種改進(jìn)，如圖2所示，所述反應(yīng)室I中設(shè)置有兩組支撐桿件，每組支撐桿件均包括有4根支撐桿件9，同一組中的支撐桿件9關(guān)于反應(yīng)室I的軸線成旋轉(zhuǎn)對(duì)稱。采用上述設(shè)計(jì)，其通過(guò)多根對(duì)稱的支撐桿件，使得片架在同一高度位置的支撐效果得以改善，并通過(guò)支撐桿件的對(duì)稱設(shè)計(jì)，使得多根支撐桿件對(duì)于片架形成的支持力亦可相互對(duì)稱。
[0022]采用上述技術(shù)方案的傳感器單晶硅刻蝕過(guò)程中的片架定位裝置，其可在片架于反應(yīng)室內(nèi)部進(jìn)行刻蝕加工的過(guò)程中，通過(guò)多個(gè)支撐桿件對(duì)片架進(jìn)行定位處理，使得其始終處于反應(yīng)室的軸線位置，從而使得片架之中的多個(gè)單晶硅的刻蝕加工的精度得以改善；與此同時(shí)，支撐桿件端部的導(dǎo)向輪可沿反應(yīng)室進(jìn)行滾動(dòng)，從而使得支撐桿件與片架可實(shí)現(xiàn)更為平滑的旋轉(zhuǎn)。
[0023]實(shí)施例2
[0024]作為本發(fā)明的一種改進(jìn)，所述反應(yīng)室中，每一個(gè)支撐桿件9的對(duì)應(yīng)水平位置均設(shè)置有沿反應(yīng)室I側(cè)端面進(jìn)行延伸的導(dǎo)向軌道11，所述導(dǎo)向輪10延伸至導(dǎo)向輪11內(nèi)部，其可通過(guò)導(dǎo)向軌道以使得導(dǎo)向輪的導(dǎo)向效果更為精準(zhǔn)，以避免其在反應(yīng)室軸向上發(fā)生偏移。
[0025]本實(shí)施例其余特征與優(yōu)點(diǎn)均與實(shí)施例1相同。
[0026]實(shí)施例3
[0027]作為本發(fā)明的一種改進(jìn)，所述導(dǎo)向軌道11的側(cè)端面之上設(shè)置有橡膠層，其可通過(guò)橡膠層以吸收導(dǎo)向輪在工作過(guò)程中產(chǎn)生的機(jī)械振動(dòng)。
[0028]本實(shí)施例其余特征與優(yōu)點(diǎn)均與實(shí)施例2相同。
[0029]實(shí)施例4
[0030]作為本發(fā)明的一種改進(jìn)，所述反應(yīng)室中，電磁線圈8所在的水平位置與導(dǎo)向軌道11所在的水平位置彼此交錯(cuò)排列。采用上述設(shè)計(jì)，其可避免導(dǎo)向輪在工作過(guò)程中對(duì)電磁線圈造成影響，使其發(fā)生脫落。
[0031]本實(shí)施例其余特征與優(yōu)點(diǎn)均與實(shí)施例3相同。
[0032]實(shí)施例5
[0033]作為本發(fā)明的一種改進(jìn)，所述反應(yīng)室中，每一個(gè)導(dǎo)向軌道11的對(duì)應(yīng)位置均設(shè)置有沿反應(yīng)室I的外壁成環(huán)形延伸的加強(qiáng)筋12。采用上述設(shè)計(jì)，其可避免因?qū)蜍壍赖脑O(shè)置而造成的反應(yīng)室側(cè)壁穩(wěn)定性的下降。
[0034]作為本發(fā)明的一種改進(jìn)，所述加強(qiáng)筋12的厚度為5厘米。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種傳感器單晶硅刻蝕過(guò)程中的片架定位裝置，其包括有反應(yīng)室，反應(yīng)室的上端部設(shè)置有送氣管道，其連接至設(shè)置在反應(yīng)室外部的氣源室，反應(yīng)室的下端部設(shè)置有抽氣管道，其連接至設(shè)置在反應(yīng)室外部的真空栗；所述反應(yīng)室的軸線位置設(shè)置有片架，其連接至設(shè)置在反應(yīng)室外部的片架旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)；所述反應(yīng)室外側(cè)設(shè)置有電磁線圈；其特征在于，所述反應(yīng)室中，片架之上設(shè)置有多個(gè)在水平方向上延伸的支撐桿件，每一個(gè)支撐桿件的端部位置均設(shè)置有導(dǎo)向輪，其與支撐桿件通過(guò)轉(zhuǎn)軸進(jìn)行連接，所述導(dǎo)向輪的軸線平行于反應(yīng)室的軸線，導(dǎo)向輪相交于反應(yīng)室的內(nèi)壁之上。2.按照權(quán)利要求1所述的傳感器單晶硅刻蝕過(guò)程中的片架定位裝置，其特征在于，所述反應(yīng)室中設(shè)置有多組支撐桿件，其在片架的高度方向上均勻分布；每組支撐桿件均包括有多根位于同一水平位置的支撐桿件。3.按照權(quán)利要求2所述的傳感器單晶硅刻蝕過(guò)程中的片架定位裝置，其特征在于，所述反應(yīng)室中設(shè)置有至少兩組支撐桿件，每組支撐桿件均包括有至少4根支撐桿件，同一組中的支撐桿件關(guān)于反應(yīng)室的軸線成旋轉(zhuǎn)對(duì)稱。4.按照權(quán)利要求3所述的傳感器單晶硅刻蝕過(guò)程中的片架定位裝置，其特征在于，所述反應(yīng)室中，每一個(gè)支撐桿件的對(duì)應(yīng)水平位置均設(shè)置有沿反應(yīng)室側(cè)端面進(jìn)行延伸的導(dǎo)向軌道，所述導(dǎo)向輪延伸至導(dǎo)向輪內(nèi)部。5.按照權(quán)利要求4所述的傳感器單晶硅刻蝕過(guò)程中的片架定位裝置，其特征在于，所述導(dǎo)向軌道的側(cè)端面之上設(shè)置有橡膠層。6.按照權(quán)利要求5所述的傳感器單晶硅刻蝕過(guò)程中的片架定位裝置，其特征在于，所述反應(yīng)室中，電磁線圈所在的水平位置與導(dǎo)向軌道所在的水平位置彼此交錯(cuò)排列。7.按照權(quán)利要求6所述的傳感器單晶硅刻蝕過(guò)程中的片架定位裝置，其特征在于，所述反應(yīng)室中，每一個(gè)導(dǎo)向軌道的對(duì)應(yīng)位置均設(shè)置有沿反應(yīng)室的外壁成環(huán)形延伸的加強(qiáng)筋。8.按照權(quán)利要求7所述的傳感器單晶硅刻蝕過(guò)程中的片架定位裝置，其特征在于，所述加強(qiáng)筋的厚度至少為3厘米。
【專利摘要】本實(shí)用新型公開(kāi)了一種傳感器單晶硅刻蝕過(guò)程中的片架定位裝置，其包括有反應(yīng)室，反應(yīng)室的軸線位置設(shè)置有片架，其連接至設(shè)置在反應(yīng)室外部的片架旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)；所述反應(yīng)室外側(cè)設(shè)置有電磁線圈；所述反應(yīng)室中，片架之上設(shè)置有多個(gè)在水平方向上延伸的支撐桿件，每一個(gè)支撐桿件的端部位置均設(shè)置有導(dǎo)向輪，其與支撐桿件通過(guò)轉(zhuǎn)軸進(jìn)行連接，所述導(dǎo)向輪的軸線平行于反應(yīng)室的軸線，導(dǎo)向輪相交于反應(yīng)室的內(nèi)壁之上；采用上述技術(shù)方案的傳感器單晶硅刻蝕過(guò)程中的片架定位裝置，其可在片架于反應(yīng)室內(nèi)部進(jìn)行刻蝕加工的過(guò)程中，通過(guò)多個(gè)支撐桿件對(duì)片架進(jìn)行定位處理，使得其始終處于反應(yīng)室的軸線位置，從而使得片架之中的多個(gè)單晶硅的刻蝕加工的精度得以改善。
【IPC分類】C30B33/08
【公開(kāi)號(hào)】CN204825135
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201520491999
【發(fā)明人】牟恒
【申請(qǐng)人】江蘇德?tīng)柹瓊鞲衅骺萍加邢薰?br>【公開(kāi)日】2015年12月2日
【申請(qǐng)日】2015年7月9日