一種降低半熔高效鑄錠硬質(zhì)點(diǎn)的護(hù)板的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型涉及一種降低半熔高效鑄錠硬質(zhì)點(diǎn)的護(hù)板，屬于太陽能電池多晶硅鑄錠領(lǐng)域。
【背景技術(shù)】
[0002]現(xiàn)有技術(shù)中多晶爐內(nèi)保護(hù)坩禍用的石墨護(hù)板，底板都是平坦的，多晶爐的加熱器在護(hù)板的四周，使底板的溫度由外向內(nèi)是遞減的，對(duì)于半熔工藝而言，固液界面必然是個(gè)弧面，不利于半熔工藝降低籽晶高度，其次，護(hù)板規(guī)格很多，其開口形狀、大小、位置對(duì)于硅液表面蒸氣的走向有很大影響，完全封閉的護(hù)板、常規(guī)開口的護(hù)板都會(huì)影響排雜效果，同時(shí)，常見的護(hù)板開口后，其中上部仍有小塊護(hù)板阻擋排氣，從而降低鑄錠質(zhì)量。
【實(shí)用新型內(nèi)容】
[0003]本實(shí)用新型的目的是針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)的缺陷，提供一種降低半熔高效鑄錠硬質(zhì)點(diǎn)的護(hù)板，利于半熔工藝降低籽晶高度，增加雜質(zhì)排出，降低鑄錠硬質(zhì)點(diǎn)。
[0004]本實(shí)用新型是通過如下的技術(shù)方案予以實(shí)現(xiàn)的。
[0005]—種降低半熔高效鑄錠硬質(zhì)點(diǎn)的護(hù)板，包括底板和側(cè)板，其中，所述底板呈矩形，所述底板表面設(shè)有第一凹槽和若干第二凹槽，所述第一凹槽包括水平槽和豎直槽，所述水平槽和豎直槽垂直相連，所述水平槽和豎直槽的長度相等，所述第二凹槽呈圓形，所述若干第二凹槽同心均勻設(shè)置，且直徑依次增大，所述水平槽和豎直槽兩端依次穿過若干第二凹槽，并與直徑最大的第二凹槽相連，所述水平槽和豎直槽的交點(diǎn)位于第二凹槽的圓心處；
[0006]所述側(cè)板設(shè)置于底板四周，所述側(cè)板頂部設(shè)有第一開口和第二開口，所述第二開口有兩個(gè)，且分別位于第一開口兩側(cè)，所述第一開口和第二開口之間設(shè)有連接孔，所述側(cè)板側(cè)面設(shè)有若干安裝孔，所述若干安裝孔均勻間隔設(shè)置。
[0007]上述一種降低半熔高效鑄錠硬質(zhì)點(diǎn)的護(hù)板，其中，所述第一凹槽和第二凹槽的槽深度均為hi，槽寬度均為dl，所述hi為3mm，所述dl為5mm。
[0008]上述一種降低半熔高效鑄錠硬質(zhì)點(diǎn)的護(hù)板，其中，所述第二凹槽的數(shù)目為九個(gè)，所述九個(gè)第二凹槽中的最小直徑為d2，所述d2為58mm，相鄰第二凹槽的直徑差均為d3，所述d3為58mmο
[0009]上述一種降低半熔高效鑄錠硬質(zhì)點(diǎn)的護(hù)板，其中，所述第一開口的寬度為d4，所述d4為493mm。
[0010]上述一種降低半熔高效鑄錠硬質(zhì)點(diǎn)的護(hù)板，其中，所述第二開口的寬度為d5，所述d5為82mm，所述第二開口到側(cè)板邊緣的距離為d6，所述d6為145mm。
[0011]上述一種降低半熔高效鑄錠硬質(zhì)點(diǎn)的護(hù)板，其中，所述第一開口和第二開口的深度均為h2，所述h2為68mm。
[0012]本實(shí)用新型的有益效果為:
[0013]本實(shí)用新型在底板上增加了第一凹槽和第二凹槽，并且尺寸適宜，使多晶硅鑄錠過程中，底板橫向溫度梯度減小，固液面弧度減小，更利于半熔工藝降低籽晶高度。
[0014]本實(shí)用新型在側(cè)板以第一開口和第二開口的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)，并且尺寸適宜，使多晶硅鑄錠過程中，可以大幅度減少氬氣渦流，從而增加雜質(zhì)排出，降低鑄錠硬質(zhì)點(diǎn)。
【附圖說明】
[0015]圖1為本實(shí)用新型結(jié)構(gòu)不意圖。
[0016]圖2為本實(shí)用新型底板俯視圖。
[0017]圖3為本實(shí)用新型側(cè)板俯視圖。
【具體實(shí)施方式】
[0018]下面結(jié)合附圖對(duì)本實(shí)用新型的【具體實(shí)施方式】作進(jìn)一步說明。
[0019]—種降低半熔高效鑄錠硬質(zhì)點(diǎn)的護(hù)板，包括底板I和側(cè)板2，其中，所述底板I呈矩形，所述底板I表面設(shè)有第一凹槽3和若干第二凹槽4，所述第一凹槽3和第二凹槽4的槽深度均為hi，槽寬度均為dl，所述hi為3mm，所述dl為5mm，所述第一凹槽3包括水平槽5和豎直槽6，所述水平槽5和豎直槽6垂直相連，所述水平槽5和豎直槽6的長度相等；
[0020]所述第二凹槽4呈圓形，所述若干第二凹槽4同心均勻設(shè)置，且直徑依次增大，所述第二凹槽4的數(shù)目為九個(gè)，所述九個(gè)第二凹槽4中的最小直徑為d2，所述d2為58mm，相鄰第二凹槽4的直徑差均為d3，所述d3為58mm，所述水平槽5和豎直槽6兩端依次穿過若干第二凹槽4，并與直徑最大的第二凹槽4相連，所述水平槽5和豎直槽6的交點(diǎn)位于第二凹槽4的圓心處；
[0021 ]所述側(cè)板2設(shè)置于底板I四周，所述側(cè)板I頂部設(shè)有第一開口 7和第二開口 8，所述第二開口 8有兩個(gè)，且分別位于第一開口 7兩側(cè)，所述第一開口 7的寬度為d4，所述d4為493mm，所述第二開口 8的寬度為d5，所述d5為82mm，所述第二開口 8到側(cè)板2邊緣的距離為d6，所述d6為145mm，所述第一開口 7和第二開口 8的深度均為h2，所述h2為68mm，所述第一開口 7和第二開口 8之間設(shè)有連接孔9，所述側(cè)板2側(cè)面設(shè)有若干安裝孔10，所述若干安裝10孔均勻間隔設(shè)置。
[0022]本實(shí)用新型在底板上增加了第一凹槽和第二凹槽，并且尺寸適宜，使多晶硅鑄錠過程中，底板橫向溫度梯度減小，固液面弧度減小，更利于半熔工藝降低籽晶高度，同時(shí)在側(cè)板以第一開口和第二開口的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)，并且尺寸適宜，使多晶硅鑄錠過程中，可以大幅度減少氬氣渦流，從而增加雜質(zhì)排出，降低鑄錠硬質(zhì)點(diǎn)。
[0023]上述僅為本實(shí)用新型較佳的【具體實(shí)施方式】，但本實(shí)用新型的保護(hù)范圍并不局限于此，任何熟悉本技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員在本實(shí)用新型揭露的技術(shù)范圍內(nèi)，可輕易想到的變化或替換，都應(yīng)涵蓋在本實(shí)用新型的保護(hù)范圍內(nèi)。因此，本實(shí)用新型的保護(hù)范圍應(yīng)該以權(quán)利要求書的保護(hù)范圍為準(zhǔn)。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種降低半熔高效鑄錠硬質(zhì)點(diǎn)的護(hù)板，包括底板和側(cè)板，其特征為，所述底板呈矩形，所述底板表面設(shè)有第一凹槽和若干第二凹槽，所述第一凹槽包括水平槽和豎直槽，所述水平槽和豎直槽垂直相連，所述水平槽和豎直槽的長度相等，所述第二凹槽呈圓形，所述若干第二凹槽同心均勻設(shè)置，且直徑依次增大，所述水平槽和豎直槽兩端依次穿過若干第二凹槽，并與直徑最大的第二凹槽相連，所述水平槽和豎直槽的交點(diǎn)位于第二凹槽的圓心處； 所述側(cè)板設(shè)置于底板四周，所述側(cè)板頂部設(shè)有第一開口和第二開口，所述第二開口有兩個(gè)，且分別位于第一開口兩側(cè)，所述第一開口和第二開口之間設(shè)有連接孔，所述側(cè)板側(cè)面設(shè)有若干安裝孔，所述若干安裝孔均勻間隔設(shè)置。2.如權(quán)利要求1所述的一種降低半熔高效鑄錠硬質(zhì)點(diǎn)的護(hù)板，其特征為，所述第一凹槽和第二凹槽的槽深度均為hi，槽寬度均為dl，所述hi為3mm，所述dl為5mm。3.如權(quán)利要求1所述的一種降低半熔高效鑄錠硬質(zhì)點(diǎn)的護(hù)板，其特征為，所述第二凹槽的數(shù)目為九個(gè)，所述九個(gè)第二凹槽中的最小直徑為d2，所述d2為58mm，相鄰第二凹槽的直徑差均為d3，所述d3為58mm。4.如權(quán)利要求1所述的一種降低半熔高效鑄錠硬質(zhì)點(diǎn)的護(hù)板，其特征為，所述第一開口的寬度為d4，所述d4為493mm。5.如權(quán)利要求1所述的一種降低半熔高效鑄錠硬質(zhì)點(diǎn)的護(hù)板，其特征為，所述第二開口的寬度為d5，所述d5為82mm，所述第二開口到側(cè)板邊緣的距離為d6，所述d6為145mm。6.如權(quán)利要求1所述的一種降低半熔高效鑄錠硬質(zhì)點(diǎn)的護(hù)板，其特征為，所述第一開口和第二開口的深度均為h2，所述h2為68mm。
【專利摘要】本實(shí)用新型涉及一種降低半熔高效鑄錠硬質(zhì)點(diǎn)的護(hù)板，包括底板和側(cè)板，底板表面設(shè)有第一凹槽和若干第二凹槽，第一凹槽包括水平槽和豎直槽，第二凹槽呈圓形，若干第二凹槽同心均勻設(shè)置，且直徑依次增大，水平槽和豎直槽的交點(diǎn)位于第二凹槽的圓心處，側(cè)板頂部設(shè)有第一開口和第二開口，第二開口有兩個(gè)，且分別位于第一開口兩側(cè)，第一開口和第二開口之間設(shè)有連接孔，側(cè)板側(cè)面設(shè)有若干安裝孔；本實(shí)用新型利于半熔工藝降低籽晶高度，增加雜質(zhì)排出，降低鑄錠硬質(zhì)點(diǎn)。
【IPC分類】C30B28/06, C30B29/06
【公開號(hào)】CN205329211
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201521075355
【發(fā)明人】吳慶, 徐勇, 王海慶, 王祿寶
【申請(qǐng)人】鎮(zhèn)江大展硅科技有限公司
【公開日】2016年6月22日
【申請(qǐng)日】2015年12月22日