專利名稱：單分散Ag納米晶催化劑、其制備方法及其在Sonagashira反應(yīng)中的應(yīng)用的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種催化劑及其制備方法和應(yīng)用，具體涉及一種單分散Ag納米晶催化劑，該催化劑的制備方法及其在Sonagashira交叉偶聯(lián)反應(yīng)中的應(yīng)用。
背景技術(shù)：
Sonagashira交叉偶聯(lián)反應(yīng)最早在1975年由Sonogashira發(fā)現(xiàn)。經(jīng)過三十幾年的發(fā)展，它已逐漸為人們所熟知，并成為了一個(gè)重要的人名反應(yīng)。目前，Sonogashira反應(yīng)在取代炔烴以及大共軛炔烴的合成中得到了廣泛的應(yīng)用，在很多天然化合物、農(nóng)藥、醫(yī)藥、電光材料以及納米分子器件的合成中起著關(guān)鍵的作用。但是，Sonogashira反應(yīng)通常使用Pd 配合物、Pd納米粒子和Pd基雙金屬納米結(jié)構(gòu)作為催化劑，由于Pd價(jià)格昂貴、容易流失和回收利用困難，限制了該反應(yīng)在一些較大規(guī)模合成中的應(yīng)用。因此，迫切需要設(shè)計(jì)并合成出高活性、高選擇性、價(jià)廉且易回收的新型催化劑來取代傳統(tǒng)的、昂貴的Pd基催化劑。作為Pd的鄰族元素，Ag在光、電、傳感和催化等領(lǐng)域顯示出潛在的應(yīng)用前景，引起了研究者們的廣泛關(guān)注。目前，雖然不同尺寸和形貌的Ag納米晶已通過各種方法合成出來，但是其中大多數(shù)方法主要使用均相體系，能夠可控合成粒徑小于10 nm、分散性良好的 Ag納米晶的報(bào)道較少。此外，作為催化劑，Ag納米晶通常用于環(huán)氧化烯烴、氧化耦聯(lián)甲烷、 氧化苯甲醇、低溫氧化C0、催化氫化硝基苯、催化A3耦聯(lián)(即醛、胺和炔三組分之間的耦聯(lián)) 等反應(yīng)。研究表明，氧化添加金屬原子到碳一鹵鍵上是Sonogashira反應(yīng)的速率決定步驟，金屬納米粒子的尺寸越小，越有利于氧化添加步驟的發(fā)生。近來，一些研究者發(fā)現(xiàn)尺寸小于10 nm的Cu和Au納米晶可催化Sonogashira反應(yīng)。在Sonogashira反應(yīng)中，已經(jīng)報(bào)道的納米金屬催化劑包括鈀納米粒子、銅納米粒子、金納米粒子、鈷納米粒子以及鈀鎳合金納米粒子等(張金堂等，納米金屬催化在偶聯(lián)反應(yīng)中的應(yīng)用，化學(xué)進(jìn)展，Vol. 22 No. 7,2010 年7月，P1486)。然而，Ag納米晶還沒有用于催化Sonogashira反應(yīng)的報(bào)道。本發(fā)明旨在尋找合適的方法大規(guī)模合成尺寸小于10 nm的單分散Ag納米晶，并探索其在Sonogashira反應(yīng)中的應(yīng)用。這不僅有利于研究結(jié)構(gòu)與催化活性之間的關(guān)聯(lián)，而且有利于尋找新型催化劑取代傳統(tǒng)的Pd基催化劑應(yīng)用于有機(jī)合成化學(xué)和新興材料等領(lǐng)域。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是提供一種固液相化學(xué)反應(yīng)路線大規(guī)?？煽睾铣蓡畏稚g納米晶催化劑的方法，以及該方法制備的尺寸< 10 nm的單分散Ag納米晶催化劑。本發(fā)明的另一目的是提供一種Sonogashira反應(yīng)方法，將所制備的單分散Ag納米晶用作催化劑來催化Sonogashira反應(yīng)，以期用廉價(jià)的Ag納米晶來取代傳統(tǒng)的、昂貴的Pd 基催化劑應(yīng)用于Sonogashira反應(yīng)。本發(fā)明的技術(shù)方案如下一種單分散Ag納米晶催化劑的制備方法，其特征在于在潔凈、干燥的反應(yīng)容器中，將 AgNO3固體、Cltl以上長鏈有機(jī)胺和十八碳烯混合物從室溫以一定的升溫速率加熱至280 320°C，并在該溫度下保持20 40 min，分離后制得單分散Ag納米晶。所述的方法具體包括以下步驟
(1)稱取一定量的AgNO3固體，加入潔凈、干燥的三頸燒瓶中；
(2)加入適量的Cltl以上長鏈有機(jī)胺和十八碳烯，以一定的速率升溫至280 320°C，并在該溫度下維持20 40 min后，冷卻至室溫；
(3)將步驟(2)得到的產(chǎn)物沉淀、離心分離，洗滌后，室溫下真空干燥得到單分散Ag納米晶。所述的有機(jī)胺優(yōu)選C12 C18長鏈伯胺或其混合物。所述的AgNO3固體、有機(jī)胺和十八碳烯，其用量配比優(yōu)選為，AgNO3 2. 50 3. 80 g， 有機(jī)胺6 8 mL，十八碳烯8 10 mL。所述的升溫速率優(yōu)選為7°C 10°C / min。本發(fā)明還涉及上述方法制備的單分散Ag納米晶催化劑。采用X-射線粉末衍射儀(XRD)、透射電子顯微鏡(TEM)和高分辨透射電子顯微鏡 (HRTEM)對所述的單分散Ag納米晶進(jìn)行表征，結(jié)果表明，所述的單分散Ag納米晶為單晶結(jié)構(gòu)，為面心立方晶相，形貌為準(zhǔn)球形，大小均一，粒徑彡10 nm，平均直徑約為5 7 nm。所述的單分散Ag納米晶表面吸附有機(jī)胺，相鄰納米晶之間的距離約為2. 4-3. 0 nm。表面修飾長鏈有機(jī)胺，可提供空間位阻效應(yīng)，能有效防止Ag納米晶的聚集或團(tuán)聚。申請人:發(fā)現(xiàn)，所述的Ag納米晶具有優(yōu)異的催化性能，特別是用于催化 Sonogashira偶聯(lián)反應(yīng)時(shí)，具有意想不到的催化活性，其催化性能在相同反應(yīng)體系下甚至高于Pd納米晶(直徑約為4 6 nm)，從而可取代傳統(tǒng)的、昂貴的Pd基催化劑。因此，本發(fā)明還涉及所述催化劑用于催化芳香鹵代烴和端基炔烴之間的 Sonogashira β/ ^ Μ。本發(fā)明中Ag納米晶催化芳香鹵代烴和端基炔烴間的交叉偶聯(lián)反應(yīng)，其化學(xué)方程式可以下式表示
i + R^^= —-
式中Ar為芳香基團(tuán)，X為鹵素，R為烴基或取代烴基。所述的芳香鹵代烴優(yōu)選為碘代芳烴或溴代芳烴。Ag納米晶作為催化劑催化所述的Sonogashira反應(yīng)的一般方法是，在溶劑中加入芳香鹵代烴和端基炔烴化合物，然后加入催化量的Ag納米晶催化劑，以及PPh3配體、CuI助催化劑和無機(jī)堿，在惰性氣體氣氛下，60 80°C下攪拌反應(yīng)2 5 h。本發(fā)明通過固液相化學(xué)反應(yīng)在常壓和較低的溫度下可控合成了粒徑彡10 nm、 單分散的準(zhǔn)球形Ag納米晶，同時(shí)，以芳香鹵代烴和端基炔烴之間的交叉耦聯(lián)反應(yīng)(即 Sonogashira反應(yīng))作為探針反應(yīng)，考察了所得Ag納米晶的催化性能。本發(fā)明的制備方法工藝簡單，反應(yīng)時(shí)間短，適合于批量生產(chǎn)。所制得的單分散Ag納米晶具有優(yōu)異的催化性能。結(jié)果表明，本發(fā)明的單分散Ag納米晶作為催化劑，可高效催化Sonogashira反應(yīng)，選擇性高， 且產(chǎn)率可達(dá)90 %以上。與相同條件下合成的Pd納米晶(直徑4 6nm)相比，所得Ag納米晶顯示出更高的催化活性。因此，本發(fā)明的單分散Ag納米晶可作為理想的催化劑，取代傳統(tǒng)的、昂貴的Pd基催化劑應(yīng)用于Sonogashira反應(yīng)，在天然產(chǎn)物合成、藥物化學(xué)和電光材料等領(lǐng)域顯示出誘人的應(yīng)用前景。


圖1是本發(fā)明的單分散Ag納米晶的XRD圖譜。圖中存在四個(gè)明顯的衍射峰。與粉末衍射標(biāo)準(zhǔn)卡片(JCPDS) No. 04-0783對照后， 這四個(gè)衍射峰可歸屬為面心立方相Ag的(111)、(200)、(220)和(311)晶面。可見，在XRD 圖中，沒有其它雜質(zhì)衍射峰出現(xiàn)，表明所得產(chǎn)物為純的Ag納米晶。圖2a、圖2b和圖2c是根據(jù)本發(fā)明的單分散Ag納米晶的TEM和HRTEM圖。從低倍TEM圖片(圖2a)中可看出，所得Ag納米晶的形貌為準(zhǔn)球形，且大小較為均一，它們在碳支持的銅網(wǎng)上自發(fā)組裝形成有序的二維陣列。相應(yīng)的高倍TEM圖(圖2b)表明，單個(gè)Ag納米晶的粒徑約為6 nm，相鄰兩個(gè)納米晶之間的距離約為2. 4 3. 0 nm，約為相應(yīng)有機(jī)胺鏈長的兩倍，表明有機(jī)胺吸附在所得Ag NCs表面，可提供空間位阻效應(yīng)，能有效防止Ag納米晶的聚集或團(tuán)聚。圖2c為所得Ag納米晶的HRTEM圖，顯示出清晰的、連續(xù)的晶格條紋，表明所得Ag納米晶結(jié)晶很好，為單晶結(jié)構(gòu)。經(jīng)過測量，晶格條紋之間的間距約為 2.35 A，對應(yīng)于面心立方相Ag的(111)晶面，與XRD結(jié)果相吻合。
具體實(shí)施例方式本發(fā)明涉及一種固液相反應(yīng)合成單分散Ag納米晶新型高效催化劑的方法，所制備的催化劑及其在Sonagashira交叉偶聯(lián)反應(yīng)上的應(yīng)用。固液相化學(xué)反應(yīng)路線合成單分散Ag納米晶的具體方法為
室溫下，在潔凈、干燥的250 mL三頸燒瓶中，依次加入2. 5 3. 8克的AgNO3固體前驅(qū)物、 6 8 mL的Cltl以上長鏈有機(jī)胺(優(yōu)選C12 C18長鏈伯胺，如十二胺、十六胺、油胺等)和8 10 mL的十八碳烯。然后，將上述混合物以一定的升溫速率(7 SOmirT1)加熱至280 320°C，并在該溫度下保持20 40 min后關(guān)閉加熱源，使反應(yīng)器自然降溫至室溫。產(chǎn)物沉淀、離心分離，用正庚烷和乙醇洗滌所得產(chǎn)物4 5次，然后在40°C下真空干燥，用以分析和表征。所制得的Ag納米晶催化劑采用X-射線粉末衍射儀(XRD)測試所得Ag納米晶的成分和物相；利用透射電子顯微鏡(TEM)和高分辨透射電子顯微鏡(HRTEM)分析所得Ag納米晶的尺寸、形貌和微結(jié)構(gòu)。 本發(fā)明以芳香鹵代烴和端基炔烴之間的交叉耦聯(lián)反應(yīng)(Sonogashira反應(yīng))作為探針反應(yīng)，考察所得Ag納米晶的催化性能。 用Ag納米晶作為催化劑催化Sonogashira反應(yīng)的方法如下
在潔凈、干燥的50 mL圓底燒瓶中，加入2 10 mL的溶劑(如N—甲基吡咯烷酮，NMP)、 1 5 mmol的芳香鹵代烴和1 5 mmol端基炔烴，并通入高純N2排除空氣。然后依次加入 0.05 mmol Ag納米晶催化劑、0. 05 mmol PPh3配體、0.04 mmol CuI助催化劑以及 1. 5equiv的無機(jī)堿(如碳酸鉀等)。繼續(xù)通入N2氣，在不斷磁力攪拌下，將反應(yīng)體系從室溫升至60 800C，并在該溫度下反應(yīng)2 5 h。反應(yīng)完成后，關(guān)閉加熱源，自然降至室溫。將反應(yīng)后的混合物過濾，濾液用乙醚萃取(10 mLX3)，合并有機(jī)層。用無水硫酸鈉干燥，旋轉(zhuǎn)蒸發(fā)除去溶劑得粗產(chǎn)品。用己烷和乙酸乙酯(100:1)為展開劑，薄層層析分離得到純品。過濾出的固體先后用甲醇和乙醚洗滌， 洗滌后真空干燥，得到的固體即為回收的Ag納米晶，可重復(fù)使用。采用1H核磁共振譜儀(NMR)、質(zhì)譜儀(MS)和傅立葉變換紅外光譜儀(FT-IR)對所得催化產(chǎn)物的結(jié)構(gòu)進(jìn)行了分析和鑒定。所述的芳香鹵代烴優(yōu)選為碘代芳烴或溴代芳烴，包括但不限于，碘代苯、溴代苯、 烷基取代碘代苯或烷基取代溴代苯、烷氧基取代碘代苯或烷氧基取代溴代苯、二商代苯等。
實(shí)施例1
在潔凈、干燥的250 mL三頸燒瓶中，加入2. 75克的AgNO3固體前驅(qū)物、8 mL的十二胺和10 mL的十八碳烯。然后，將上述混合物以7 8°C rniiT1的升溫速率加熱至280°C，并在該溫度下保持20 40 min后關(guān)閉加熱源，使反應(yīng)器自然降溫至室溫。用正庚烷和乙醇洗滌所得產(chǎn)物4 5次，然后在40°C下真空干燥，用以分析和表征。采用X-Ray粉末衍射對產(chǎn)品的組份和物相結(jié)構(gòu)進(jìn)行了分析(圖1)，證明所得產(chǎn)物為純的Ag納米晶，其物相結(jié)構(gòu)為面心立方相。TEM分析結(jié)果(圖2a和2b)表明所得Ag納米晶大小較為均一，約為6nm，形貌為準(zhǔn)球形。相應(yīng)的HRTEM分析(圖2c)顯示出清晰的、連續(xù)的晶格條紋，證明所得Ag納米晶結(jié)晶很好，為單晶結(jié)構(gòu)。晶格條紋之間的間距為2. 35 A，對應(yīng)于面心立方相Ag的(111)晶面，與XRD結(jié)果相吻合。 實(shí)施例2
利用實(shí)施例1所制得的單分散Ag納米晶催化劑催化Sonogashira反應(yīng)，以考察其對于 Sonogashira反應(yīng)的催化性能，具體過程如下
在潔凈、干燥的50 mL圓底燒瓶中，加入2 mL的NMP、1 mmol的碘代苯和1 mmol的 1-己炔，并通入高純N2排除空氣。然后依次加入0. 05 mmol Ag納米晶催化劑、0. 05 mmol PPh3配體、0. 04 mmol CuI助催化劑以及無機(jī)堿(1. 5equiv的K2CO3繼續(xù)通入N2氣，在不斷磁力攪拌下，將反應(yīng)體系從室溫升至80°C，反應(yīng)2 h后關(guān)閉加熱源，自然冷卻至室溫。將反應(yīng)后的混合物過濾，濾液用乙醚萃取(10 mLX3)，合并有機(jī)層。用無水硫酸鈉干燥，旋轉(zhuǎn)蒸發(fā)除去溶劑得粗產(chǎn)品。用己烷和乙酸乙酯(100:1)為展開劑，薄層層析分離得到Sonogashira反應(yīng)產(chǎn)物。采用1H核磁共振譜儀(NMR)、質(zhì)譜儀(MS)和傅立葉變換紅外光譜儀(FT-IR)對所得催化產(chǎn)物的結(jié)構(gòu)進(jìn)行了分析和鑒定。結(jié)果表明，Ag納米晶可高效催化碘代苯的Sonogashira反應(yīng)。具體的催化結(jié)果見表1。與相同反應(yīng)體系下合成的Pd納米晶(直徑約為4-6 nm)相比(轉(zhuǎn)換頻率，TOF值為84. 6 ymol S4eatalyst h—1)，Ag納米晶顯示出更高的催化活性，TOF值可高達(dá)87. 1 μ mol ^1catalyst h—1。此外，由于所得Ag納米晶結(jié)晶度很高，其在催化過程中的流失問題可得到有效抑制，因而，所得Ag納米晶催化劑可有效回收?；厥盏拇呋瘎┲貜?fù)使用3 5次基本不損失催化活性。
實(shí)施例3
在潔凈、干燥的250 mL三頸燒瓶中，加入3. 4克的AgNO3固體前驅(qū)物、8 mL的油胺和 10 mL的十八碳烯。然后，將上述混合物以7 8°C miiT1的升溫速率加熱至300°C，并在該溫度下保持20 40 min后關(guān)閉加熱源，使反應(yīng)器自然降溫至室溫。用正庚烷和乙醇洗滌所得產(chǎn)物4 5次，然后在40°C下真空干燥，用以分析和表征。采用XRD、TEM和HRTEM對所得Ag納米晶進(jìn)行了分析和表征，結(jié)果與實(shí)施例1相同。
實(shí)施例4
在潔凈、干燥的250 mL三頸燒瓶中，加入2. 5克的AgNO3固體前驅(qū)物、6 mL的十二胺和8 mL的十八碳烯。然后，將上述混合物以7 SOmirT1的升溫速率加熱至320°C，并在該溫度下保持20 40 min后關(guān)閉加熱源，使反應(yīng)器自然降溫至室溫。用正庚烷和乙醇洗滌所得產(chǎn)物4 5次，然后在40°C下真空干燥，用以分析和表征。采用XRD、TEM和HRTEM對所得Ag納米晶的成分、物相結(jié)構(gòu)和微結(jié)構(gòu)進(jìn)行了分析和表征，結(jié)果與實(shí)施例1相同。
實(shí)施例5
在潔凈、干燥的250 mL三頸燒瓶中，加入3.0克的AgNO3固體前驅(qū)物、8 mL的十二胺和8 mL的十八碳烯。然后，將上述混合物以7 SOmirT1的升溫速率加熱至280°C，并在該溫度下保持20 40 min后關(guān)閉加熱源，使反應(yīng)器自然降溫至室溫。用正庚烷和乙醇洗滌所得產(chǎn)物4 5次，然后在40°C下真空干燥，用以分析和表征。采用XRD、TEM和HRTEM對所得Ag納米晶的成分、物相結(jié)構(gòu)和微結(jié)構(gòu)進(jìn)行了分析和表征，結(jié)果與實(shí)施例1相同。
實(shí)施例6
利用實(shí)施例3所制得的單分散Ag納米晶催化劑催化Sonogashira反應(yīng)，以考察其對于 Sonogashira反應(yīng)的的催化性能，具體過程如下
在潔凈、干燥的50 mL圓底燒瓶中，加入8 mL的NMP、3 mmol的碘代苯和3 mmol的苯乙炔，并通入高純隊(duì)排除空氣。然后依次加入0.05 mmol Ag納米晶催化劑、0. 05 mmol PPh3 配體、0.04 mmol CuI助催化劑以及無機(jī)堿(1. 5equiv的K2C03)。繼續(xù)通入N2氣，在不斷磁力攪拌下，將反應(yīng)體系從室溫升至80°C，反應(yīng)2 h后關(guān)閉加熱源，自然冷卻至室溫。催化反應(yīng)產(chǎn)物的提取、純化、結(jié)構(gòu)鑒定和催化劑回收與實(shí)施例2相同。反應(yīng)結(jié)果見表1。 實(shí)施例7
利用實(shí)施例4所制得的單分散Ag納米晶催化劑催化Sonogashira反應(yīng)，以考察其對于 Sonogashira反應(yīng)的的催化性能，具體過程如下在潔凈、干燥的50 mL圓底燒瓶中，加入5 mL的NMP、1 mmol的對甲基碘代苯和1. 2 mmol的1-己炔，并通入高純N2排除空氣。然后依次加入0.05 mmol Ag納米晶催化劑、0. 05 mmol PPh3配體、0. 04 mmol CuI助催化劑以及無機(jī)堿(1. 5equiv的K2C03)。 繼續(xù)通入N2 氣，在不斷磁力攪拌下，將反應(yīng)體系從室溫升至80°C，反應(yīng)2h后關(guān)閉加熱源，自然冷卻至室
ilm ο催化反應(yīng)產(chǎn)物的提取、純化、結(jié)構(gòu)鑒定和催化劑回收與實(shí)施例2相同。反應(yīng)結(jié)果見表1。
實(shí)施例8 16
按照與實(shí)施例2基本相同的方法，利用本發(fā)明的單分散Ag納米晶催化一系列不同芳香鹵代烴和端基炔烴之間的Sonogashira耦聯(lián)反應(yīng)，其化學(xué)方程式可以下式表示
權(quán)利要求
1.一種單分散Ag納米晶催化劑的制備方法，其特征在于在潔凈、干燥的反應(yīng)容器中， 將AgNO3固體、C10以上的長鏈有機(jī)胺和十八碳烯混合物從室溫以一定的升溫速率加熱至 280 320°C，并在該溫度下保持20 40 min,分離后制得單分散Ag納米晶。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的催化劑的制備方法，其特征在于，所述的方法包括以下步驟(1)稱取一定量的AgNO3固體，加入潔凈、干燥的三頸燒瓶中；(2)加入適量的Cltl以上長鏈有機(jī)胺和十八碳烯，以一定的速率升溫至280 320°C，并在該溫度下維持20 40 min后，冷卻至室溫；(3)將步驟(2)得到的產(chǎn)物沉淀、離心分離，洗滌后，室溫下真空干燥得到單分散Ag納米晶。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的催化劑的制備方法，其特征在于所述的有機(jī)胺為C12 C18長鏈伯胺或其混合物。
4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的催化劑的制備方法，其特征在于所述的升溫速率為 7°C 10°C / min。
5.一種根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法制備的單分散Ag納米晶催化劑。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的單分散Ag納米晶催化劑，其特征在于，所述的單分散Ag納米晶為單晶結(jié)構(gòu)，面心立方晶相，其形貌為準(zhǔn)球形，平均直徑為5 7 nm。
7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的單分散Ag納米晶催化劑，其特征在于，所述的單分散Ag納米晶表面吸附C12 C18長鏈伯胺，相鄰納米晶之間的距離為2. 4 3.0 nm。
8.權(quán)利要求5所述的單分散Ag納米晶催化劑用于催化芳香鹵代烴和端基炔烴之間的 Sonogashira JxlS^lSM。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的單分散Ag納米晶催化劑用于催化芳香鹵代烴和端基炔烴之間的Sonogashira反應(yīng)的應(yīng)用，其特征在于，所述的芳香鹵代烴為碘代芳烴或溴代芳烴。
10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的單分散Ag納米晶催化劑用于催化芳香鹵代烴和端基炔烴之間的Sonogashira反應(yīng)的應(yīng)用，其特征在于，所述的催化Sonogashira反應(yīng)的方法是，在溶劑中加入芳香鹵代烴和端炔基化合物，然后加入催化量的Ag納米晶催化劑，以及PPh3配體、CuI助催化劑和無機(jī)堿，在惰性氣體氣氛下，60 80°C下攪拌反應(yīng)2 5 h。
全文摘要
一種單分散Ag納米晶催化劑及其制備方法和在Sonagashira反應(yīng)上的應(yīng)用。所述催化劑的制備方法是，將AgNO3固體、C10以上長鏈有機(jī)胺和十八碳烯混合物從室溫以一定的升溫速率加熱至280-320℃，并在該溫度下保持20-40min，分離后制得單分散Ag納米晶。所述催化劑具有準(zhǔn)球形結(jié)構(gòu)，粒徑≤10nm，平均直徑約為6nm。本發(fā)明通過固液相化學(xué)反應(yīng)合成得到單分散的球形Ag納米晶，工藝簡單，適合于批量生產(chǎn)。直接用本發(fā)明的單分散Ag納米晶可高效催化Sonogashira反應(yīng)，選擇性高，且產(chǎn)率可達(dá)90%以上。與Pd納米晶相比，所得Ag納米晶顯示出更高的催化活性。
文檔編號(hào)C07C15/48GK102350344SQ20111022723
公開日2012年2月15日 申請日期2011年8月10日 優(yōu)先權(quán)日2011年8月10日
發(fā)明者劉蘇莉, 包建春, 戴志暉, 韓敏 申請人:南京師范大學(xué)