專利名稱：：雙軸取向聚丙烯薄膜的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明涉及一種適用于包裝用途、工業(yè)用途等的雙軸取向聚丙烯薄膜。更詳細(xì)來說，涉及一種適合作為電容器用電介質(zhì)的加工性和高溫下的耐電壓性優(yōu)異的雙軸取向聚丙烯薄膜。
背景技術(shù)：
：雙軸取向聚丙烯薄膜由于具有優(yōu)異的透明性、機(jī)械特性、電特性等，因此被用于包裝用途、膠帶用途、纜線包裝、電容器為代表的電用途等各種用途。其中，在電容器用途中，由于其優(yōu)異的耐電壓特性、低損失特性，因此不限于直流用途、交流用途，特別適合用于高電壓電容器用。該雙軸取向聚丙烯薄膜，其表面需要適當(dāng)粗糙面化，這是為了提高薄膜的滑動(dòng)性、油浸漬性或在蒸鍍電容器中賦予安全保障性。這里，所謂安全保障性，是指在以形成于該電介質(zhì)薄膜上的金屬蒸鍍膜為電極的金屬蒸鍍電容器中，在異常放電時(shí)蒸鍍金屬利用放電能量而飛散，恢復(fù)絕緣性、防止短路，從而維持電容器的機(jī)能乃至防止破壞的機(jī)能，從安全性考慮，也是非常有用的機(jī)能。作為該粗糙面化方法，迄今為止提出了壓紋法、噴砂法等的機(jī)械方法、利用溶劑進(jìn)行的化學(xué)蝕刻等的化學(xué)方法、拉伸混合有聚乙烯等的異種聚合物的片材的方法、對(duì)生成了P晶體的片材進(jìn)行拉伸的方法(參照例如專利文獻(xiàn)l、2)等。但是，在機(jī)械方法和化學(xué)方法中，突起物密度低，另外在將生成了p晶體的片材進(jìn)行拉伸的方法中，容易產(chǎn)生粗大突起，從突起的密度的方面出發(fā)，有時(shí)不能iJL是一定充分的。另外，用這些方法粗糙面化了的薄膜在形成電容器時(shí)，有時(shí)油向薄膜層間的浸漬不充分，容易產(chǎn)生部分未浸漬的部分，使電容器壽命低下。在將配合了聚乙烯等的異種聚合物的片材進(jìn)行拉伸的方法中，在形成電容器時(shí)氣泡的殘存少，但是在將該薄膜進(jìn)行循環(huán)利用的情況下，有時(shí)異種聚合物產(chǎn)生壞影響，存在循環(huán)利用性差的問題。另外，用任一方法獲得的雙軸取向聚丙烯薄膜，作為電容器的使用條件，在80。C以上的高溫并且電位梯度為200V/nm以上的嚴(yán)格條件下，安全保障性都不充分，從可靠性的方面出發(fā)，有時(shí)出現(xiàn)問題。這里，所謂電位梯度，是指施加于電介質(zhì)薄膜的電壓除以該薄膜的厚度而獲得的值，是平均單位薄膜厚度的施加電壓。另外，對(duì)于突起物密度、突起的均一性，提出了高熔融張力聚丙烯薄膜(例如參照專利文獻(xiàn)4)、該高熔融張力聚丙烯薄膜與通常的聚丙烯薄膜疊層的薄膜(例如參照專利文獻(xiàn)3)等，在使用高熔融張力聚丙烯樹脂本身用作電容器用途的情況下，存在下述問題，即，在樹脂結(jié)構(gòu)上不能獲得充分的耐熱性，高溫下的絕緣破壞電壓顯著降低的問題，另外，在高熔融張力聚丙烯樹脂疊層的技術(shù)中，特別地存在下述現(xiàn)狀用薄膜厚度為5jim以下的薄膜很難獲得均一的疊層厚度構(gòu)成，損害均一性，不能成為滿足實(shí)用的電介質(zhì)薄膜。專利文獻(xiàn)l:特開昭51-63500號(hào)z^才艮專利文獻(xiàn)2:特開2001-324607號(hào)爿^才艮專利文獻(xiàn)3:特開2001-129944號(hào)公報(bào)專利文獻(xiàn)4:特開2001-72778號(hào)公報(bào)
發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明鑒于上述現(xiàn)有技術(shù)，提供在80。C以上的高溫氣氛下也可以發(fā)揮優(yōu)異的耐電壓性和可靠性的雙軸取向聚丙烯薄膜。通過形成這樣的雙軸取向聚丙烯薄膜，可以提供適合包裝用、電容器用等的具有優(yōu)異的突起均一性、具有高的突起物密度的表面的雙軸取向聚丙烯薄膜。本發(fā)明為了解決上述課題，采用下述方法。即，本發(fā)明的雙軸取向聚丙烯薄膜，是由以丙烯為主體的聚丙烯樹脂形成的雙軸取向聚丙烯薄膜，其特征在于，該薄膜的表面的至少一面具有含梨皮狀的凹凸的基層，該表面的10點(diǎn)平均^L^度(Rz)為0.51.5jun，表面光澤度為90~135%。另外，本發(fā)明的雙軸取向聚丙烯薄膜優(yōu)選具備下述(1)~(5)所示的特征。(1)該薄膜表面具有火山口狀凹凸，該火山口狀凹凸的長(zhǎng)徑為150nm以下，(2)至少一方的薄膜表面的中心線平均粗糙度(Ra)與10點(diǎn)平均粗糙度(Rz)之比(Rz/Ra)為8以上，(3)該聚丙烯樹脂是在直鏈狀的聚丙烯中混合在230。C測(cè)定時(shí)的熔融張力(MS)與熔體流動(dòng)指數(shù)(MFR)滿足Log(MS)>-0.56Log(MFR)+0.74的關(guān)系式的支鏈狀聚丙烯(H)而獲得的，(4)該支鏈狀的聚丙烯(H)的含量為0.05~3重量％,(5)該聚丙烯樹脂含有0.1~0.9重量％的該支鏈狀的聚丙烯(H)。根據(jù)本發(fā)明，通過具有優(yōu)異的表面特性，可以提供即使是薄的薄膜、加工適應(yīng)性也優(yōu)異，從-40。C的低溫到超過90。C的高溫的廣范圍的氣氛溫度條件下也能發(fā)揮高耐電壓性的雙軸取向聚丙烯薄膜，因此其適合包裝用、電容器用等。圖1顯示本發(fā)明的雙軸取向聚丙烯薄膜的表面的微分干涉顯微鏡照片的一例。顯示本發(fā)明的雙軸取向聚丙烯薄膜的表面的3維粗糙度圖的一例。顯示通過結(jié)晶形態(tài)改變而形成的雙軸拉伸聚丙烯薄膜的表面的微分干涉顯微鏡照片?！紙D4顯示通過結(jié)晶形態(tài)改變而形成的雙軸拉伸聚丙烯薄膜的表面的3維粗糙度圖。圖5顯示僅由梨皮狀凹凸形成的雙軸拉伸聚丙烯薄膜的表面的微分干涉顯孩i鏡照片。顯示本發(fā)明的雙軸取向聚丙烯薄膜的表面的3維粗糙度圖的一例。具體實(shí)施例方式本發(fā)明對(duì)上述課題即在80。C以上的高溫氣氛溫度條件下也可以發(fā)揮優(yōu)異的耐電壓性和可靠性的雙軸取向聚丙烯薄膜，進(jìn)行了深入研究，嘗試將特定的支鏈狀的聚丙烯(H)混合到直鏈狀聚丙烯中，結(jié)果發(fā)現(xiàn)，可以將熔融擠出的樹脂片的在冷卻工序中生成的球晶尺寸控制得很小，可以將拉伸工序中生成的絕緣缺陷的生成抑制為4艮小。進(jìn)而，成功地提供下述雙軸取向聚丙烯薄膜，即，支鏈狀聚丙烯(H)具有a結(jié)晶成核劑的作用，并且在少量添加的范圍內(nèi)，還可以通過結(jié)晶形態(tài)改變來形成粗糙面，具有減小上述球晶尺寸的效果，并且能夠使火山口狀凹凸尺寸很小地致密地形成，突起的均一性優(yōu)異、并且其突起物密度的平衡也優(yōu)異的具有特征性的表面粗糙度的雙軸取向聚丙烯薄膜。即，通過混合該特定的支鏈狀的聚丙烯(H)，對(duì)具有卯135。/。的表面粗糙度的特征性的梨皮狀的凹凸的基層賦予0.5~1.5nm的10點(diǎn)表面粗糙度(Rz)，從而解決了該課題。下面，對(duì)本發(fā)明的面形狀進(jìn)行詳細(xì)的說明。即，本發(fā)明提出的表面形態(tài)中的梨皮狀的凹凸，包括上述專利文獻(xiàn)3、4中獲得的粒狀乃至褶鈹狀結(jié)構(gòu)。在圖5中顯示了本發(fā)明中定義為梨皮狀凹凸的典型的粒狀結(jié)構(gòu)乃至褶皺狀結(jié)構(gòu)的表面照片，在圖6中顯示該3維粗糙度圖，但是這樣的形狀的凹凸具有優(yōu)異的均一性，但是由于是均一的，所以存在下述問題，即，形成薄膜輥、電容器元件時(shí)薄膜的層間容易打滑，容易使輥形狀不穩(wěn)定，產(chǎn)生鈹褶等的巻繞紊亂的問題，或者元件的形狀不穩(wěn)定，結(jié)果使電特性變差的問題。本發(fā)明者們?yōu)榱私鉀Q上述問題，嘗試以該梨皮狀的凹凸為基調(diào)，適度設(shè)計(jì)與該梨皮狀凹凸產(chǎn)生的表面突起比較、充分大的突起。作為在薄膜表面形成這樣的突起的方法，有添加與聚丙烯不相容的樹脂、無機(jī)和/或有才幾例子等的方法，但是不添加電雜質(zhì)，通過利用絕緣波壞電壓等的電特性惡化的可能性低的結(jié)晶形態(tài)改變，能夠獲得目標(biāo)突起。下面對(duì)通過結(jié)晶形態(tài)改變獲得的表面形態(tài)進(jìn)行說明。通過結(jié)晶形態(tài)改變進(jìn)行的面形成法，是指非專利文獻(xiàn)(M.Fujiyama,JournalofAppliedPolymerScience36，P.985-1948(1988)等中記載的利用聚丙烯具有的2個(gè)結(jié)晶體系來形成表面，是通過預(yù)先使a晶體(單斜晶系、結(jié)晶密度0.936g/cm2)系的球晶和(3晶體(六方晶系、結(jié)晶密度0.922g/cm2)系的球晶生成未拉伸片，在拉伸工序中使熱不穩(wěn)定的p晶體結(jié)晶形態(tài)改變?yōu)閍晶體，由此在薄膜表面形成凹凸。由本方法獲得的表面凹凸的基本單元起因于球晶的變形，因此該形狀具有形成為圓弧狀的火山口狀凹凸形狀。圖3顯示通過該結(jié)晶形態(tài)改變獲得的典型的表面形狀，可以確認(rèn)存在大量形成為橢圓狀的火山口狀凹凸形狀。圖4是該表面以3維表面粗糙度圖的形式表示的圖，可以確認(rèn)從薄膜表面突起的部分通過連接成圓弧狀而具有火山口狀凹凸形狀。進(jìn)而，根據(jù)本技術(shù)，具有下述特征在不存在p晶體系球晶的部位，不形成凹凸，變得平坦。該圓弧狀突起對(duì)應(yīng)于雙軸拉伸時(shí)的縱橫的拉伸倍率比而變化，在縱橫比為1即等方性的拉伸的情況下，形成大致圓形，隨著縱#黃比增加，而扁平化。通常來說通過逐次雙軸拉伸法獲得的形狀，沿薄膜的橫向(薄膜輥的寬度方向)具有長(zhǎng)軸。另外，關(guān)于球晶的表現(xiàn)形態(tài)，有時(shí)顯示出多個(gè)形狀不同的火山口狀凹凸重疊的形狀，有時(shí)圓弧不閉合為環(huán)狀而呈現(xiàn)弓狀乃至半弧狀的形狀。在本發(fā)明中，令人驚奇地發(fā)現(xiàn)，通過使支鏈狀聚丙烯(H)的添加量和制膜條件最適化，能夠在以梨皮狀凹凸為基調(diào)的表面生成該圓弧狀火山口狀凹凸。圖1中顯示本發(fā)明的實(shí)施例l獲得的表面照片，圖2顯示該3維度圖，在作為基調(diào)觀察到具有起伏的梨皮狀的凹凸的同時(shí)，觀察到多數(shù)圓弧狀的火山口狀凹凸形狀。火山口狀凹凸形狀比圖3小地致密地形成，因此在圖2的3維粗糙度圖中，沒有顯示明確的火山口狀凹凸形狀，但是可以確認(rèn)，與具有目標(biāo)起伏的基調(diào)的粗糙度比較，形成了充分高的突起。下面對(duì)本發(fā)明的薄膜的表面特性進(jìn)行詳述。該薄膜表面的10點(diǎn)平均M度(Rz)需要為0.5~1.5jim，進(jìn)一步優(yōu)選為0.7L3nm。如果Rz過小，則由于空氣排出不良等，不能4艮好地巻繞薄膜，可能使輥形狀產(chǎn)生紊亂，不能很好地形成電容器元件。另一方面，如果Rz過大，則絕緣破壞電壓有可能低下。另外，作為該薄膜表面的光澤度，在90~135%的范圍內(nèi)，優(yōu)選95~130%。即，降低光澤度，是指增加薄膜表面的光散射的密度，即，使薄膜表面的凹凸致密，但是如果降低光澤度，則雖然使液體的浸漬性變得良好，但是容易使薄膜層間打滑，元件巻繞性惡化，巻繞薄膜時(shí)的空氣排出性惡化，很難將薄膜巻繞成輥狀。另一方面，如果光澤度超過135%,則薄膜層間不易打滑，存在4艮難成形為扁平狀的電容器元件，不能維持充分的間隙，安全保障性惡化等問題。另外，如上所述，本發(fā)明的薄膜的表面優(yōu)選形成梨皮狀凹凸和火山口狀的凹凸。作為該火山口狀凹凸尺寸，越是大的該火山口狀凹凸，越有凹凸高度陡哨的傾向，對(duì)絕緣石皮壞特性產(chǎn)生影響，因此優(yōu)選降低火山口狀凹凸直徑，長(zhǎng)徑優(yōu)選為150nm以下，特別優(yōu)選為5~120nm?；鹕娇跔畎纪钩叽绲臏y(cè)定，詳細(xì)情況是如后所述那樣在薄膜表面形成鋁蒸鍍膜，用孩i分干涉顯微鏡實(shí)施。另外，本發(fā)明的雙軸取向聚丙烯薄膜，薄膜的至少一面的中心線平均表面粗糙度Ra優(yōu)選為0.02~0.10nm。如果中心線平均粗糙度過大，則在疊層薄膜的情況下，空氣進(jìn)入層間，使電容器元件劣化，另外，在薄膜上形成金屬層時(shí)，在金屬層中產(chǎn)生空穴等，高溫時(shí)的絕緣破壞強(qiáng)度、元件壽命低下，施加電壓時(shí)電荷集中，成為絕緣缺陷的原因。相反，如果過小，則薄膜的滑動(dòng)性差，操作性差，在電容器元件中浸漬絕緣油的情況下，不能在薄膜層間均一地浸漬絕緣油，連續(xù)使用時(shí)容量變化增加。薄膜的至少一面的中心線平均表面粗糙度的更優(yōu)選的范圍是0.030.08nm,特別優(yōu)選為0.04~0.07nm。本發(fā)明的雙軸取向聚丙烯薄膜，如上所述除了基層的梨皮狀的凹凸以外，還具有大的突起，因此優(yōu)選相對(duì)于該中心線平均表面粗糙度(Ra)，十點(diǎn)平均粗糙度(Rz)充分大。即，在至少一面，兩者的比(Rz/Ra)優(yōu)選為8以上，進(jìn)一步優(yōu)選為10~40，特別優(yōu)選為15~35。如果該比(Rz/Ra)過大，則粗大突起的比例增加，因此疊層薄膜的情況下，空氣iiX層間，使電容器元件劣化，另外，在薄膜上形成金屬層時(shí)，在金屬層中產(chǎn)生空穴等，高溫時(shí)的絕緣破壞強(qiáng)度、元件壽命低下，施加電壓時(shí)電荷集中，成為絕緣缺陷的原因。相反，如果該比(Rz/Ra)過小，則有時(shí)操作性差。另外，使用下述特定的薄膜即突起的均一性優(yōu)異并且其突起物密度的平衡性也優(yōu)異的具有特征性的表面**度的表面光澤度為90~135%的雙軸取向聚丙烯薄膜，來形成電容器時(shí)，即使產(chǎn)生絕緣破壞，在薄膜層間也保持適度的間隙，因此可以發(fā)揮下述優(yōu)異機(jī)能不破壞，可以維持電容器壽命，能夠穩(wěn)定發(fā)揮上述安全保障性。另外，該雙軸取向聚丙烯薄膜，如上所述在直鏈狀聚丙烯中混合有特定的支鏈狀聚丙烯(H)，該特定的雙軸取向聚丙烯薄膜，與作為通常的聚丙烯的熔融結(jié)晶化溫度為大致110。C附近相對(duì)，可以提高至115。C以上，有利于高溫下的安全保障性。即，利用在自恢復(fù)的工序中由于某種原因而使電介質(zhì)薄膜發(fā)生絕緣破壞時(shí)產(chǎn)生的放電能量，使放電部周圍的蒸鍍金屬飛散，但是由于局部變得高溫，因此薄膜也產(chǎn)生部分熔解，重結(jié)晶化，從而恢復(fù)絕緣性。如果電容器的氣氛溫度變?yōu)楦邷?，則很難重結(jié)晶化，4艮難恢復(fù)絕緣性，但是在本發(fā)明中，通過提高熔融結(jié)晶化溫度，可以提高高溫下的安全保障性。另外，該雙軸取向聚丙烯薄膜，不用說制膜性，強(qiáng)度等的物理特性也比直鏈狀聚丙烯更優(yōu)異，如果是直鏈狀聚丙烯4nm厚度的使用用途，則還可以發(fā)揮3nm的厚度能夠?qū)?yīng)的優(yōu)異的物理特性。本發(fā)明是在通常使用的聚丙烯即直鏈狀聚丙烯中混合特定的支鏈狀聚丙烯(H)而成的，即，可以用作a晶體成核劑，而作為該支鏈狀聚丙烯(H),優(yōu)選使用在230X:測(cè)定時(shí)的熔融張力(MS)與熔體流動(dòng)指數(shù)(MFR)滿足Log(MS)>-0.56Log(MFR)+0.74的關(guān)系式的支鏈狀的聚丙烯。這里，所謂在230"C測(cè)定時(shí)的熔融張力，是指基于JIS-K7210所示的熔體流動(dòng)指數(shù)(MFR)測(cè)定用的裝置測(cè)定的值。具體來說，是使用東洋精機(jī)制熔融張力測(cè)定器(melttensiontester),將聚丙烯加熱至230°C，將熔融聚丙烯以擠出速度15mm/分鐘吐出，形成線狀物，測(cè)定該線狀物以6.4m/分鐘的速度拉取時(shí)的張力，作為熔融張力(單位cN)。另外，所謂在230"C測(cè)定時(shí)的熔體流動(dòng)指數(shù)(MFR)，是指基于JIS-K6758在負(fù)荷21.18N下測(cè)定的值(單位g/10分鐘)。作為本發(fā)明的支鏈狀聚丙烯(H)，只要滿足上式，就沒有特別的限定，但是從制膜性的觀點(diǎn)出發(fā)，熔體流動(dòng)指數(shù)(MFR)優(yōu)選在1~20g/10分鐘的范圍內(nèi)，更優(yōu)選在l~10g/10分鐘的范圍內(nèi)。另外，關(guān)于熔融張力，優(yōu)選在l30cN的范圍內(nèi)，更優(yōu)選在220cN的范圍內(nèi)。如果熔融張力小，則突起的均一性差，10點(diǎn)平均粗糙度Rz與中心線平均表面粗糙度Ra的比(Rz/Ra)變大。另外，突起物密度也變小(平均單位面積的突起個(gè)數(shù)少)。熔融張力越大，突起的均一性越大，該比(Rz/Ra)也越有變小的傾向。為了獲得支鏈狀聚丙烯(H)，優(yōu)選使用下述方法混合具有分支結(jié)構(gòu)的低聚物、聚合物的方法；如特開昭62-121704號(hào)^S^艮記載的那樣在聚丙烯分子中導(dǎo)入長(zhǎng)鏈分支結(jié)構(gòu)的方法；或者日本專利第2869606號(hào)/>才艮記載的那樣的方法等。具體來說，可以列舉出Basell社制"ProfaxPF-814"、Borealis社制"DaployHMS畫PP"(WB130HMS、WB135HMS等)，其中，優(yōu)選使用通過電子束交聯(lián)法獲得的樹脂，因?yàn)樵摌渲械哪z成分少。在這樣的HMS樹脂中添加PP時(shí)的特征是，與PP的熔融結(jié)晶化溫度通常在110。C附近相對(duì)，其提高至115130。C的范圍。在本發(fā)明中，在通常的聚丙烯樹脂中添加這樣的支鏈狀聚丙烯(H)的情況下，該(H)的添加量?jī)?yōu)選使上限為3重量％，進(jìn)一步優(yōu)選的添加量?jī)?yōu)選為0.02以上、小于1重量％，特別優(yōu)選為0.05~0.7重量％。通過釆用該樹脂組成，該聚丙烯樹脂，作為至少2個(gè)的第2輪測(cè)定時(shí)觀測(cè)到的熔融峰，除了第一熔融峰溫度160172。C之夕卜，作為肩峰，為148~157。C，可以形成均一的表面，因此優(yōu)選。通過以該配合量進(jìn)行混合，可以制造下述雙軸取向聚丙烯薄膜，其特征在于，具有突起的均一性優(yōu)異并且其突起物密度的平衡性也優(yōu)異的特征性的梨皮狀的凹凸形狀，其表面的表面光澤度為90~130%的粗糙面，即使在-40。C到超過90°C的寬范圍的氣氛溫度條件下也發(fā)揮優(yōu)異的加工性和高耐電壓性。另外，本發(fā)明的雙軸取向聚丙烯薄膜中使用的直鏈狀聚丙烯，通常用于包裝材料、電容器用，可以是冷二甲苯可溶部(以下記做CXS)優(yōu)選為4%以下，并且在230。C測(cè)定時(shí)的熔融張力(MS)與熔體流動(dòng)指數(shù)(MFR)滿足Log(MS)>-0.56Log(MFR)+0.74的關(guān)系式的聚丙烯。如果不滿足該關(guān)系式，則有時(shí)制膜穩(wěn)定性差，在制造雙軸取向的薄膜時(shí)，有時(shí)在薄膜中形成空隙，有時(shí)尺寸穩(wěn)定性和耐絕緣>皮壞特性的低下增加。這里，所謂冷二甲苯可溶部(CXS)，是將薄膜用二甲苯完全溶解后，在室溫析出后，溶解在二甲苯中的聚丙烯成分，可以認(rèn)為相當(dāng)于由于立體規(guī)則性低、分子量低等的原因而很難結(jié)晶化的成分。如果在樹脂中含有大量的這樣的成分，則有時(shí)出現(xiàn)下述問題薄膜的熱尺寸穩(wěn)定性差，高溫下的絕緣破壞電壓低下等。因此，CXS優(yōu)選為4。/。以下，進(jìn)一步優(yōu)選為3%以下，特別優(yōu)選為2%以下。為了形成具有這樣的CXS的聚丙烯薄膜，可以使用提高獲得樹脂時(shí)的催化劑活性的方法；將獲得的樹脂用溶劑或丙烯單體自身洗滌的方法等公知的方法。從同樣的觀點(diǎn)出發(fā)，該聚丙烯樹脂的全同立構(gòu)五單元組分?jǐn)?shù)優(yōu)選為0.95以上，進(jìn)一步優(yōu)選為0.97以上。全同立構(gòu)五單元組分?jǐn)?shù)是顯示用核磁共振法(NMR法)測(cè)定的聚丙烯的結(jié)晶相的立體規(guī)則性的指標(biāo)，該數(shù)值越高，結(jié)晶化度越高，熔點(diǎn)越高，高溫下的絕^坡壞電壓越高，因此優(yōu)選。對(duì)全同立構(gòu)五單元組分?jǐn)?shù)的上限沒有特別的限定。這樣，為了獲得立體規(guī)則性高的樹脂，可以列舉出，如上所述那樣，用正庚烷等的溶劑對(duì)獲得的樹脂粉末進(jìn)行洗滌的方法；適當(dāng)進(jìn)行催化劑和/或助催化劑的選擇、組成的選擇的方法。作為該直鏈狀聚丙烯，從制膜性的觀點(diǎn)出發(fā)，更優(yōu)選熔體流動(dòng)指數(shù)(MFR)為1~10g/10分鐘(230°C、21.18N負(fù)荷)，特別優(yōu)選為2~5g/10分鐘(230°C、21.18N負(fù)荷)的范圍。為了使熔體流動(dòng)指數(shù)(MFR)在上述值內(nèi)，采用控制平均分子量、分子量分布的方法等。作為該直鏈狀聚丙烯，主要由丙烯的均聚物構(gòu)成，但是在不損壞本發(fā)明的目的的范圍內(nèi)，可以含有由其它不飽和烴形成的共聚成分等，還可以摻混丙烯的非單獨(dú)聚合物。作為構(gòu)成這樣的共聚成分、摻混物的單體成分，可以列舉出例如，乙烯、丙烯(共聚了的摻混物的情況)、l-丁烯、l-戊烯、3-甲基戊烯-l、3-甲基丁烯-1、l-己烯、4-甲基戊烯-1、5-乙基己烯-1、1-辛烯、1-癸烯、l-十二碳烯、乙烯基環(huán)己烯、苯乙烯、烯丙基苯、環(huán)戊烯、降冰片烯、5-甲基-2-降冰片烯等。共聚量或摻混物量，從耐絕緣破壞特性、尺寸穩(wěn)定性的觀點(diǎn)出發(fā)，以共聚量計(jì)，優(yōu)選小于1摩爾％，以摻混量計(jì)，優(yōu)選小于10重量％。另外，該直鏈狀聚丙烯中，在不損害本發(fā)明的目的的范圍內(nèi)，還可以含有公知的添加劑、例如結(jié)晶成核劑、抗氧化劑、熱穩(wěn)定劑、潤(rùn)滑劑、抗靜電劑、防粘連劑、填充劑、粘度調(diào)節(jié)劑、防著色劑等。其中，抗氧化劑的種類和添加量的選定，有時(shí)參照長(zhǎng)期耐熱性的合適性來進(jìn)行。即，作為該抗氧化劑，是具有立體阻礙性的酚類，其中至少一種優(yōu)選為分子量500以上的高分子量型的物質(zhì)。作為其具體例，可以列舉出各種物質(zhì)，但是優(yōu)選例如與2，6-二叔丁基-對(duì)曱酚(BHT:分子量220.4)—起并用1，3，5-三甲基-2，4，6-三(3，5-二叔丁基-4-羥基節(jié)基)苯(例如于^力V斧一社制造的Irganox(注冊(cè)商標(biāo))1330:分子量775.2)或四-[亞曱基-3(3，5-二叔丁基-4-羥基-苯基)丙酸酯j曱烷(例如于^力、,年'一社制造的Irganox1010:分子量1177.7)等。這些抗氧化劑的總含量，相對(duì)于聚丙烯總量，優(yōu)選在0.03~1重量％的范圍內(nèi)。如果抗氧化劑過少，則有時(shí)長(zhǎng)期耐熱性差。如果抗氧化劑過多，則由于這些抗氧化劑的滲出導(dǎo)致的高溫下的粘連，有時(shí)對(duì)電容器元件產(chǎn)生壞影響。更優(yōu)選的含量是0.1~0.9重量％,特別優(yōu)選為0.2~0.8重量％。在本發(fā)明中，在不違反本發(fā)明的目的的范圍內(nèi)，可以添加結(jié)晶成核劑。如上所述，支鏈狀聚丙烯樹脂其自身已經(jīng)具有a晶體成核劑效果，可以列舉出其它種類的a晶體成核劑(二亞千基山梨糖醇類、苯甲酸鈉等)、p晶體成核劑(1,2-羥基硬脂酸鉀、苯曱酸鎂、N，N，-二環(huán)己基-2，6-萘二甲酰胺等的酰胺類化合物、會(huì)吖^1酮類化合物等)等。但是，在本發(fā)明中，通過添加這些晶體成核劑，可能4艮難獲得目標(biāo)的表面粗糙度，出現(xiàn)高溫下的體積固有電阻低下等的對(duì)電特性的壞影響，作為添加量，優(yōu)選小于0.1重量％，進(jìn)一步優(yōu)選實(shí)質(zhì)上不添加。本發(fā)明的雙軸取向聚丙烯薄膜，是通過使用能夠賦予上述特性的原料，使其雙軸取向而獲得的。作為雙軸取向的方法，可以利用吹塑同時(shí)雙軸拉伸法、STENTOR式同時(shí)雙軸拉伸法、STENTOR式依次雙軸拉伸法的任一種方法，其中，從制膜穩(wěn)定性、厚度均一性、薄膜的表面形狀的控制的觀點(diǎn)考慮，優(yōu)選使用通過STENTOR式依次雙軸拉伸法制膜獲得的薄膜。本發(fā)明的雙軸取向聚丙烯薄膜的厚度，優(yōu)選為1.5~50jim，更優(yōu)選2.0~30|tim,特別優(yōu)選2.520nm。如果薄膜的厚度過薄，則有時(shí)機(jī)械強(qiáng)度、絕緣破壞強(qiáng)度差。如果薄膜的厚度過厚，則^b^制備均一厚度的薄膜，另夕卜，在用作電容器用的電介質(zhì)的情況下，單位體積的容量變小，因此不優(yōu)選。另夕卜，本發(fā)明的雙軸取向聚丙烯薄膜的灰分優(yōu)選為50ppm以下，更優(yōu)選為30ppm以下，特別優(yōu)選為20ppm以下。如果該灰分過多，則該薄膜的耐絕緣-破壞特性低下，在作為電容器的情況下，有時(shí)絕緣破壞強(qiáng)度低下。為了使灰分在該范圍內(nèi)，重要的是使用催化劑殘?jiān)俚脑?，可以采用還盡量降低制膜時(shí)由擠出體系引起的污染等的方法，例如使?jié)B移時(shí)間為1小時(shí)以上等的方法。本發(fā)明的雙軸取向聚丙烯薄膜，優(yōu)選用作電容器用電介質(zhì)薄膜，但是不限于電容器類型。具體來說，從電極構(gòu)成來說，可以是巻箔電容器、金屬蒸鍍膜電容器的任一者，從含浸絕緣油的浸油類型的電容器來說，還優(yōu)選用于完全不使用絕緣油的干式電容器。另外，從形狀來說，可以是巻繞式，也可以是疊層式。但是，從本發(fā)明的薄膜的特性來看，特別優(yōu)選用作金屬蒸鍍膜電容器。聚丙烯薄膜的表面能量低，4艮難穩(wěn)定實(shí)施金屬蒸鍍，因此為了使金屬附著力良好，優(yōu)選事前進(jìn)行表面處理。所謂表面處理，具體來說，可以列舉出電暈放電處理、等離子體處理、發(fā)光處理、火焰處理等。通常來說，聚丙烯薄膜的表面潤(rùn)濕張力為30mN/m左右，利用這些表面處理，通過使?jié)櫇駨埩?7~50mN/m，優(yōu)選為39~48mN/m左右，可以使得與金屬薄膜的粘結(jié)性優(yōu)異，安全保障性也良好，因此優(yōu)選。下面，對(duì)本發(fā)明的雙軸取向聚丙烯薄膜的制造方法進(jìn)行說明，但是不一定限于此。在將直鏈狀的聚丙烯樹脂與高熔融張力聚丙烯樹脂進(jìn)行混合后，熔融擠出，通過過濾器，然后在220280。C的溫度下，從狹縫狀口模中擠出，使其在冷卻轉(zhuǎn)筒上固化，獲得未拉伸片。這里，為了獲得本發(fā)明的薄膜，優(yōu)選適當(dāng)進(jìn)行冷卻轉(zhuǎn)筒的溫度控制，以使j5晶體適當(dāng)生成。這里，為了有效率地生成p晶體，優(yōu)選將p晶體的生成效率最大的樹脂溫度維持規(guī)定時(shí)間，該溫度通常為115~135。C。另夕卜，作為保持時(shí)間，優(yōu)選保持l秒以上。為了實(shí)現(xiàn)這樣的條件，可以根據(jù)樹脂溫度、擠出量、拉取速度等，決定適當(dāng)?shù)墓ば?，但是從生產(chǎn)性的觀點(diǎn)考慮，由于冷卻轉(zhuǎn)筒的直徑對(duì)保持時(shí)間有很大影響，因此優(yōu)選使該轉(zhuǎn)筒直徑至少為lm以上。進(jìn)而，作為應(yīng)該選定的冷卻轉(zhuǎn)筒溫度，雖然如上所述那樣，其它因素也有影響，因此具有某種程度的任意性，但是優(yōu)選為70~120°C，進(jìn)一步優(yōu)選為80~110°C，特別優(yōu)選85100。C的范圍。如果澆鑄轉(zhuǎn)筒溫度過高，則薄膜的結(jié)晶化過度進(jìn)行，有時(shí)很難進(jìn)行以后的工序中的拉伸，薄膜內(nèi)出現(xiàn)孔隙，耐絕緣破壞特性低下。作為向澆鑄轉(zhuǎn)筒粘附的方法，可以使用施加靜電法、利用水的表面張力的粘附方法、氣刀法、壓制輥法、水中澆鑄法等的任一方法，但是優(yōu)選平面性良好并且能夠控制表面粗糙度的氣刀法。接著，將該未拉伸薄膜進(jìn)行雙軸拉伸，使其雙軸取向。首先，將未拉伸薄膜通過保持在120150'C的輥，進(jìn)行預(yù)熱，接著將該片通過保持在130150。C的溫度并且設(shè)置有周速度差的輥間，沿長(zhǎng)度方向拉伸至2~6倍后，冷卻至室溫。然后將該拉伸薄膜導(dǎo)入到拉幅機(jī)中，在150170。C的溫度下沿寬度方向拉伸至5~15倍，然后沿寬度方向給予2~20%的松弛，同時(shí)在140170。C的溫度下熱固定，巻繞。然后為了使蒸鍍金屬與實(shí)施蒸鍍的面的粘結(jié)性良好，進(jìn)行在空氣中、氮?dú)庵?、二氧化碳?xì)怏w中或這些混合氣體中的電暈放電處理，用巻繞器巻繞。將所獲得的薄膜放置在真空蒸鍍裝置中，為了形成與目標(biāo)相應(yīng)的絕緣溝部，使用凹版涂布器將油涂布在薄膜上，然后將與目標(biāo)相應(yīng)的金屬蒸鍍成規(guī)定的薄膜電阻。將該蒸鍍膜裁開，形成用于制作電容器元件的2巻的一對(duì)蒸鍍巻。然后，開巻為元件狀，熱壓制，成形為扁平狀，進(jìn)行端部的金屬熔射(金屬噴鍍工序)、取出引線，根據(jù)需要含浸絕緣油、經(jīng)過外裝，形成電容器。本發(fā)明中的特性值的測(cè)定方法以及效果的評(píng)價(jià)方法如下。薄膜厚度(nm)根據(jù)JISC-2330(2001)的7.4.1.1，用千分尺法測(cè)定厚度。光澤度(gloss)依據(jù)JISK7105，使用7力'試驗(yàn)機(jī)林式會(huì)社制數(shù)字變角光澤計(jì)UGV-5D,將在入射角60。受光角60°的條件下測(cè)定的5點(diǎn)數(shù)據(jù)的平均值作為光澤度。(3)特性粘度([ti)將樣品O.lmg溶解在135。C的四氫萘100ml中，將該溶液在135。C的恒溫槽中，使用粘度計(jì)測(cè)定，根據(jù)比粘度S通過下式求出特性粘度[ti(單位dl/g)。=(S/0.1)x(1+0.22xS)(4)熔體流動(dòng)指數(shù)(MFR)依據(jù)JIS-K6758所示的聚丙烯試驗(yàn)方法(230°C、21.18N)進(jìn)行測(cè)定。(5)熔融張力(MS)依據(jù)JIS-K7210所示的MFR測(cè)定用的裝置進(jìn)行測(cè)定。使用東洋精機(jī)制熔融張力測(cè)定器，將聚丙烯加熱至230。C，將熔融聚丙烯以擠出速度15mm/分鐘吐出，形成線狀物，測(cè)定將該線狀物以6.5m/分鐘的速度拉取時(shí)的張力，作為熔融張力。(6)表面形狀的觀察、火山口狀凹凸的尺寸火山口狀凹凸的尺寸測(cè)定是在薄膜表面形成鋁蒸鍍膜，用微分干涉顯孩￡鏡(NIKON制OPTIPHOT)實(shí)施。觀察數(shù)是對(duì)單側(cè)表面的各5個(gè)視野(各視野的觀察面積為0.73mmx0.95mm),對(duì)各4見野拍才聶照片，通過目浮見確i人表面的形狀?；鹕娇跔畎纪故蔷哂?圓形乃至橢圓形"(下面統(tǒng)稱"橢圓")的邊的表面形態(tài)。典型的形狀是圖3所示的橢圓形狀的表面形態(tài)，橢圓形狀的邊部在表面粗糙度圖中形成比較尖銳的連續(xù)的突起狀(山脈狀)的形狀。通常來說，大部分為封閉的橢圓形狀，一部分該橢圓形狀不封閉，有時(shí)觀察為圓弧狀，在該情況下，該圓弧的長(zhǎng)度為從該圓弧外推的橢圓的圓周長(zhǎng)的70%以上的情況下，依據(jù)該形狀，也定義為火山口狀凹凸?；鹕娇跔畎纪沟某叽缬蒙鲜瞿菢佑^察到的各火山口狀凹凸視為橢圓形狀時(shí)的長(zhǎng)徑來定義，求出各視野內(nèi)觀察到的最大的值到第5大的值的平均值，進(jìn)而，將5個(gè)視野的平均值作為火山口狀凹凸的尺寸。(7)熔點(diǎn)、熔融結(jié)晶化溫度(°C)使用ir^n—社制RDC220差示掃描量熱計(jì)，在下述條件下進(jìn)行測(cè)定。<試樣的調(diào)制>將檢品5mg封入到測(cè)定用的鋁盤中。進(jìn)而在薄膜上實(shí)施了金屬蒸鍍等的情況下，適當(dāng)除去?！y(cè)定>用下述的(a)—(b)—(c)的步驟，將薄膜進(jìn)行熔融、重結(jié)晶、再熔融。作為樹脂的熔點(diǎn)，是將第2輪中觀察的熔融峰內(nèi)的最高的熔融峰溫度作為熔點(diǎn)。求出n-3的平均值。(a)第l輪30。C—280°C(升溫速度20。C/分鐘)(b)Tmc在280。C保持5分鐘后以20。C/分鐘冷卻至30°C(c)第2輪30°C—280°C(升溫速度20。C/分鐘)(8)全同立構(gòu)五單元組分?jǐn)?shù)(mmmm)將樣品溶解在溶劑中，使用"C-NMR，在下述條件下求出全同立構(gòu)五單元組分?jǐn)?shù)(參考文獻(xiàn)新版高分子分析八乂K:/、乂夕社團(tuán)法人日本分析化學(xué)會(huì)'高分子分析研究懇談會(huì)編1995年P(guān)6096U)。A.[測(cè)定條件]裝置Bmker公司制造的DRX-500測(cè)定核13(:核(共振頻率125.8MHz)測(cè)定濃度10重量％溶劑苯/氘代鄰二氯苯=1:3混合溶液測(cè)定溫度130°C自旋轉(zhuǎn)數(shù)12HzNMR樣品管5mm管脈沖寬度45°(4.5ps)脈沖重復(fù)時(shí)間10秒數(shù)據(jù)點(diǎn)64K換算次數(shù)10000次測(cè)定模式全解耦(completedecoupling)B.分析條件將LB(線擴(kuò)展因子)設(shè)定為1.0,進(jìn)行傅立葉變換，使mmmm峰為21.86ppm。使用WINFIT軟件(Bruker公司制造)進(jìn)4f^分割。此時(shí)，按如下方式從高磁場(chǎng)側(cè)的峰進(jìn)行峰分割，進(jìn)而進(jìn)行軟件的自動(dòng)擬合，對(duì)峰分割進(jìn)行優(yōu)化，然后將mmmm和ss(mmmm的自旋邊頻帶峰)的峰分率的合計(jì)作為全同立構(gòu)五單元組分?jǐn)?shù)(mmmm)。另外，測(cè)定是用n-5進(jìn)行的，求出其平均值。峰(a)mrrm(b)(c)rrrm(作為兩個(gè)峰進(jìn)行分割)(d)rrrr(e)mrmm+rmrr(f)mmrr(g)mmmr(h)ss(mmmm的自旋邊頻帶峰)(0mmmm(j)rmmr(9)數(shù)均分子量與重均分子量的比(Mw/Mn)使用凝膠滲透色鐠法(GPC),以單分散聚苯乙烯為基準(zhǔn)來求出。數(shù)均分子量(Mn)、重均分子量(Mw)分別根據(jù)通過分子量校準(zhǔn)曲線獲得的GPC曲線的各溶出位置的分子量(Mi)的分子數(shù)(Ni),用下式來定義。數(shù)均分子量Mn=￡(Ni.MO/SNi重均分子量Mw=￡(Ni'Mi2)/2:(Ni,Mi)分子量分布Mw/Mn另外，測(cè)定條件如下(()內(nèi)表示制造公司)裝置凝膠滲透色鐠GPC-150C(Waters)檢測(cè)器示差折射率檢測(cè)器RI靈敏度32x、20%(Waters)色鐠柱ShodexHT-806M(2)(昭和電工)溶劑流速溫度1，2，4-三氯苯(添加BHT0.1w/v%)(Ardrich)l.Oml/min135°C試樣溶解條件165±5°Cx10分鐘(攪拌)濃度0.20w/v%過濾薄膜濾器孔徑0."nm(昭和電工)注入量200jil分子量校準(zhǔn)使用將單分散聚苯乙烯(東曹)在與檢測(cè)體同一條件下測(cè)定獲得的分子量和保持時(shí)間的關(guān)系，求出聚丙烯的分子量。是以聚苯乙烯為基準(zhǔn)的相對(duì)值，數(shù)據(jù)處理利用(林)東l/!J步一于iry夕一制GPC數(shù)據(jù)處理體系。(10)冷二甲苯可溶部(CXS)將聚丙烯薄膜樣品0.5g溶解在沸騰二曱苯100ml中，放冷后，在20°C的恒溫水槽中進(jìn)^f亍l小時(shí)的重結(jié)晶，然后將溶解在濾液中的聚丙烯系成分用液相色譜法定量(X(g))。使用樣品0.5g的精量值(X0(g)),用下式求出。CXS(重量％)=X/X0x100(11)中心線平均粗糙度(Ra)和十點(diǎn)平均粗糙度(Rz)利用JISB-0601(1982)，使用林式會(huì)社小坂研究所制"非接觸三元微細(xì)形狀測(cè)定器(ET-30HK)"和"三元粗糙度分析裝置(MODELSPA-ll)，，進(jìn)行測(cè)定。測(cè)定數(shù)為3，求出其平均值。詳細(xì)條件如下。測(cè)定面處理對(duì)測(cè)定面真空蒸鍍鋁，進(jìn)行非接觸法。測(cè)定長(zhǎng)度lmm;鏡向倍率200倍縱向倍率20000倍截止值0.25mm寬度方向運(yùn)送速度0.1mm/秒長(zhǎng)度方向運(yùn)送間3巨10nm長(zhǎng)度方向運(yùn)送數(shù)20次測(cè)定方向薄膜的寬度方向(12)絕緣石皮壞電壓(V/nm)依據(jù)JISC2330(2001年版)7.4.11.2.B法(平板電極法)，求出平均值(Xav)和最小值(Xmin)，除以所測(cè)定的樣品的薄膜的厚度()，用V/拜表記。另外，假設(shè)Xav很大、良好，但是Xmin小，則也顯示很大的偏差，可能產(chǎn)生問題，因此優(yōu)選Xmin為Xav的60Q/Q以上。(13)蒸鍍電容器特性的評(píng)價(jià)對(duì)后述的各實(shí)施例和比較例中獲得的薄膜，用ULVAC制真空蒸鍍才幾將鋁以膜電阻5ft/sq實(shí)施蒸鍍圖形，該蒸鍍圖形具有沿垂直于長(zhǎng)度方向的方向設(shè)置有空白部的所謂T型空白圖形的蒸鍍圖形，從而獲得寬50mm的蒸鍍巻。然后，使用該巻，用皆藤制作所制元件巻繞機(jī)巻繞電容器元件，實(shí)施金屬噴鍍，然后在真空中在120。C的溫度下實(shí)施16小時(shí)的熱處理，安裝引線，然后用環(huán)氧樹脂進(jìn)行灌注(Potting)，形成電容器元件。此時(shí)的電容器元件的靜電容量是10nF。使用這樣獲得的電容器元件5個(gè)，在常溫下對(duì)電容器元件施加500VDC的電壓，在該電壓下經(jīng)過10分鐘后，以階梯狀按照每50VDC來提高施加電壓那樣進(jìn)行重復(fù)操作，進(jìn)行所謂的梯度試驗(yàn)。測(cè)定此時(shí)的靜電容量變化，在圖表上制圖，將該容量達(dá)到初始值的80%時(shí)的電壓除以薄膜厚度，作為耐電壓。另外，提高電壓直至靜電容量減少至初始值的5%以下，然后將電容器元件解體，研究破壞的狀態(tài)，用下述級(jí)別來評(píng)價(jià)安全保障性。狀態(tài)級(jí)別元件形狀沒有變化，沒有觀察到貫通狀的破壞4元件形狀沒有變化，觀察到薄膜10層以內(nèi)的貫通狀的破壞3發(fā)現(xiàn)元件形狀變化，或者觀察到超過10層的貫通狀的破壞2元件;皮壞1級(jí)別4可以沒有問題地使用，級(jí)別3根據(jù)條件的不同，能夠使用。級(jí)別2以下出現(xiàn)實(shí)用上的問題。實(shí)施例下面，列舉實(shí)施例，來進(jìn)一步說明本發(fā)明的效果。另外，表l中一并示出實(shí)施例中使用的樹脂特性。__<table>tableseeoriginaldocumentpage21</column></row><table>Tm:溶點(diǎn)Tmc:熔融結(jié)晶4匕溫度mmmm:全同立構(gòu)五單元組分?jǐn)?shù)CXS:冷二曱苯可溶部Mw/Mn:數(shù)均分子量與重均分子量之比實(shí)施例1~5在表l的:/，,厶求y^—(林)制聚丙烯樹脂(直鏈狀PP:PP-A樹脂)中添加BaseII社制高熔融張力PP(ProfaxPF-814、以下稱作HMS)，按照全樹脂中的HMS添加量為0.1重量％(實(shí)施例1)、0.3重量％(實(shí)施例2)、0.5重量％(實(shí)施例3)、1.0重量％(實(shí)施例4)、1.5重量％(實(shí)施例5)那樣進(jìn)行調(diào)制。任一樹脂都利用擠出機(jī)進(jìn)行熔融混煉，在樹脂溫度265。C下用T型狹縫模頭擠出成片狀。將該熔融片在保持90'C的直徑lm的冷卻轉(zhuǎn)筒上冷卻固化。115~135。C的保持時(shí)間用放射溫度計(jì)測(cè)定的結(jié)果是1.3秒。接著，將該片在135。C進(jìn)行預(yù)熱，然后通過保持在145。C的溫度并且設(shè)置有周速度差的輥間，沿長(zhǎng)度方向拉伸至5倍。然后將該薄膜導(dǎo)入到拉幅機(jī)中，在158'C沿寬度方向拉伸9倍，然后在沿寬度賦予5%的松弛的同時(shí)，在162。C進(jìn)行熱處理，獲得薄膜厚度為2.9nm的2層疊層雙軸取向聚丙烯薄膜。進(jìn)而，對(duì)該A層表面以25W.min/m2的處理強(qiáng)度在大氣中進(jìn)行電暈放電處理。這樣獲得的雙軸拉伸薄膜的特性如表2所示。另外，圖1、圖2示出了實(shí)施例3的冷卻轉(zhuǎn)筒面?zhèn)缺砻嬗梦⒎指缮骘@微鏡拍攝的表面照片和表面粗糙度圖，可以觀察到梨皮狀的凹凸和火山口狀凹凸。梨皮狀凹凸，在1度圖中，可以觀察為大突起以外的基層的起伏。這些實(shí)施例的任一者的耐電壓都優(yōu)異，作為電容器特性也優(yōu)異。其中，HMS添加量為1.5重量％以上的情況下，有耐電壓稍稍降低的傾向。實(shí)施例6與實(shí)施例3具有同樣的樹脂組成，對(duì)于制膜條件，將縱拉伸的預(yù)熱、拉伸溫度分別提高4。C，在139'C預(yù)熱，然后在149。C拉伸，除此之外，同樣操作，獲得薄膜。將這樣獲得的薄膜的冷卻轉(zhuǎn)筒面?zhèn)缺砻娴奈⒎指缮骘@微鏡照片示于圖7，粗糙度圖示于圖8，通過提高縱拉伸溫度來突顯基層的粗糙，如表2所示，可以確認(rèn)，Ra變得稍大，Rz/Ra變小，粗糙度變得均質(zhì)化。該薄膜的耐電壓與實(shí)施例3比較，稍稍下降，使用該薄膜制作電容器元件時(shí)，發(fā)現(xiàn)稍稍紊亂的傾向，因此通過使條件最佳化，可以使元件巻繞性變得良好。另外，如表2所示，絕緣破壞電壓特性、電容器特性良好。比較例1在實(shí)施例1中，不添加HMS，僅用樹脂PP-A，同樣操作來獲得薄膜。這樣獲得的薄膜的冷卻轉(zhuǎn)筒面?zhèn)缺砻娴奈⒎指缮骘@微鏡照片示于圖3,3維表面粗糙度圖示于圖4。由圖3可知，觀察到具有大的火山口狀突起和平坦的表面，這也可以由圖4的粗糙度圖來確認(rèn)。另夕卜，如表2所示那樣，該薄膜的絕緣石皮壞電壓特性、電容器特性都差。比較例2~3在實(shí)施例1~2中，除了使冷卻轉(zhuǎn)筒溫度為50'C之外，同樣制膜。在放射溫度計(jì)的測(cè)定中，能夠在115135。C保持的時(shí)間是0.5秒以下。這樣獲得的薄膜中能夠觀察到梨皮狀的凹凸，但是沒有觀察到火山口狀凹凸。片狀材料的耐電壓呈現(xiàn)顯著高的特性，但是安全保障性差，在電容器實(shí)用特性方面有問題。比較例4使HMS添加量為3重量％，與實(shí)施例1同樣進(jìn)行制膜評(píng)價(jià)。將這樣獲得的雙軸拉伸薄膜的冷卻轉(zhuǎn)筒面?zhèn)鹊谋砻嫘螤钍居趫D5、圖6，形成完全不具有火山口狀凹凸的均勻的梨皮狀凹凸，在制膜機(jī)的巻繞工序中，薄膜沿橫方向出現(xiàn)巻繞錯(cuò)位。進(jìn)而，在將該薄膜裁成小寬度時(shí)，也產(chǎn)生同樣的問題。片狀材料的耐電壓也低。實(shí)施例6，7作為聚丙烯樹脂，使用PP-B、PP-C，與實(shí)施例2同樣獲得薄膜，任一者都具有優(yōu)異的電特性。實(shí)施例、比較例的表表2a<table>tableseeoriginaldocumentpage24</column></row><table>A面冷卻轉(zhuǎn)筒面、B面非冷卻轉(zhuǎn)筒面表2b<table>tableseeoriginaldocumentpage25</column></row><table>產(chǎn)業(yè)可利用性本發(fā)明的雙軸取向聚丙烯薄膜適合用于包裝用、工業(yè)用等。進(jìn)而，本發(fā)明的雙軸取向聚丙烯薄膜加工性和高溫下的耐電壓性優(yōu)異，因此特別適合作為電容器用電介質(zhì)。權(quán)利要求1.一種雙軸取向聚丙烯薄膜，是由以丙烯為主體的聚丙烯樹脂形成的聚丙烯薄膜，其特征在于，該薄膜的表面的至少一面具有含梨皮狀的凹凸的基層，該表面的10點(diǎn)平均粗糙度(Rz)為0.5～1.5μm，表面光澤度為90～135％。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的雙軸取向聚丙烯薄膜，該薄膜表面具有火山口狀凹凸，該火山口狀凹凸的長(zhǎng)徑為150jim以下。3.根據(jù)權(quán)利要求1或2的任一項(xiàng)所述的雙軸取向聚丙烯薄膜，至少一方的薄膜表面的中心線平均粗糙度(Ra)與10點(diǎn)平均粗糙度(Rz)之比(Rz/Ra)為8以上。4.根據(jù)權(quán)利要求1~3的任一項(xiàng)所述的雙軸取向聚丙烯薄膜，該聚丙烯樹脂是在直鏈狀聚丙烯中混合在230'C測(cè)定時(shí)的熔融張力(MS)與熔體流動(dòng)指數(shù)(MFR)滿足Log(MS)>-0.56Log(MFR)+0.74的關(guān)系式的支鏈狀聚丙烯(H)而獲得的。5.根據(jù)權(quán)利要求1~4的任一項(xiàng)所述的雙軸取向聚丙烯薄膜，該聚丙烯樹脂含有0.05~3重量％的該支鏈狀聚丙烯(H)。6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的雙軸取向聚丙烯薄膜，該支鏈狀的聚丙烯(H)的含量是0.1~0.9重量％。7.根據(jù)權(quán)利要求1~6的任一項(xiàng)所述的雙軸取向聚丙烯薄膜，該雙軸取向聚丙烯薄膜的薄膜厚度為1~5um。全文摘要本發(fā)明的課題在于提供一種在80℃以上的高溫氣氛下也可以發(fā)揮優(yōu)異的高耐電壓性和安全保障性的雙軸取向聚丙烯薄膜。本發(fā)明的雙軸取向聚丙烯薄膜是由以丙烯為主體的聚丙烯樹脂形成的聚丙烯薄膜，其特征在于，該薄膜的表面的至少一面具有含梨皮狀的凹凸的基層，該表面的10點(diǎn)平均粗糙度(Rz)為0.5～1.5μm，表面光澤度為90～135％。文檔編號(hào)C08L23/10GK101374891SQ200680052920公開日2009年2月25日申請(qǐng)日期2006年2月17日優(yōu)先權(quán)日2006年2月17日發(fā)明者伊藤達(dá)也,巖下雅仁,新田晃平,森口勇,植松君剛,河村幸伸申請(qǐng)人:東麗株式會(huì)社