專利名稱：一種無(wú)機(jī)填充物、樹脂組合物及其應(yīng)用的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種電學(xué)材料，尤其涉及一種適用于印制電路板的無(wú)機(jī)填充物、含有該無(wú)機(jī)填充物的樹脂組合物及它們?cè)谥苽溆≈齐娐钒逯械膽?yīng)用。
背景技術(shù)：
層壓板是印制電路板的制造原料。目前，現(xiàn)有技術(shù)中通常采用的層壓板制造方法為將樹脂組合物含浸于玻璃纖維布上，經(jīng)由烘烤后形成半固化膠片，再將半固化膠片與上下兩層銅箔疊合后經(jīng)真空、熱壓方式壓合成銅箔層壓板，其中半固化膠片固化形成銅箔層壓板的絕緣層。為了改善銅箔層壓板絕緣層的導(dǎo)熱、鐳射鉆孔性及熱膨脹性，業(yè)界通常都會(huì)在樹脂組合物中添加一定量的無(wú)機(jī)填充物。對(duì)于物質(zhì)介電性能，本領(lǐng)域中通常會(huì)用介電常數(shù)(Dielectric constant，Dk)和耗散因子(Dissipation factor，Df )進(jìn)行描述，通常情況下Dk，Df值越低則介電性能越佳，而 Dk, Df值越高則意味著較差的介電性能?，F(xiàn)有技術(shù)使用的無(wú)機(jī)填充物包含二氧化硅(熔融態(tài)、非熔融態(tài)或多孔結(jié)構(gòu))、氫氧化鋁、氧化鋁、氧化鎂、滑石、云母粉及二氧化硅與氧化鋁等氧化物的共熔物等種類。其中，由于二氧化硅與氧化鋁等氧化物共熔的復(fù)合無(wú)機(jī)填充物具有良好的鉆孔性，如電子級(jí)玻璃纖維(E-glass)填料及G2-C粉體(SIBELC0公司產(chǎn)品名)等， 因而被廣泛用于層壓板的制備，然而現(xiàn)有技術(shù)中所公開的該類復(fù)合無(wú)機(jī)填充物普遍存在介電性能不佳的缺陷，在IMHz頻率下，介電常數(shù)(Dielectric constant, Dk)通常在5. (Γ6. 0 之間，耗散因子(Dissipation factor, Df )通常在0. 00廣0. 002之間，甚至更高，因而無(wú)法或者難于滿足電子工業(yè)中高頻傳輸?shù)陌l(fā)展要求。

發(fā)明內(nèi)容
為了解決上述技術(shù)問(wèn)題，本發(fā)明提供了一種無(wú)機(jī)填充物，用于制備印制電路板中的層壓板。該無(wú)機(jī)填充物相較于現(xiàn)有技術(shù)中公開的E-glass填料及G2-C粉體等無(wú)機(jī)填充物，在具備良好鉆孔性的同時(shí)，具有更優(yōu)的介電性能，將采用該無(wú)機(jī)填充物制成的層壓板用于制備高頻傳輸印制電路板，表現(xiàn)出良好的高頻傳輸性能。本發(fā)明公開了一種無(wú)機(jī)填充物，以氧化物換算的質(zhì)量百分比計(jì)，該無(wú)機(jī)填充物包含⑴62 80wt% 的 SiO2 ； (2)0 10wt% 的 Al2O3 ；⑶20 30wt% 的 B2O3 ； (4)0 5wt% 的的 Na2O 或K2O或二者的組合；其中該無(wú)機(jī)填充物最大粒徑在100 μ m以下。優(yōu)選地，以氧化物換算的質(zhì)量百分比計(jì)，本發(fā)明的無(wú)機(jī)填充物包含(l)66 72wt% 的 SiO2 ； (2) 3 5wt% 的 Al2O3 ； (3) 22 30wt% 的 B2O3 ； (4) 0 0· lwt% 的 Na2O 或 K2O 或二者的組合；所述無(wú)機(jī)填充物的粒徑優(yōu)選控制在廣10 μ m范圍內(nèi)。本發(fā)明所公開的無(wú)機(jī)填充物，相比于現(xiàn)有技術(shù)中E-glass填料及G2-C粉體等無(wú)機(jī)填充物，其區(qū)別在于不含CaO，或者即便添加CaO也會(huì)將CaO的含量控制在小于0. lwt%，而通過(guò)介電性能的測(cè)試實(shí)驗(yàn)表明，本發(fā)明的無(wú)機(jī)填充物由于不含CaO或者低含量的CaO而具有較低的Dk/Df值，亦即具有良好的介電性能。另外，相比于現(xiàn)有技術(shù)中E-glass填料及G2-C粉體等無(wú)機(jī)填充物，本發(fā)明所公開的無(wú)機(jī)填充物，具有更高的化03含量，而通過(guò)介電性能的測(cè)試實(shí)驗(yàn)表明，化03的含量較高使得本發(fā)明的無(wú)機(jī)填充物能達(dá)到較低的Dk/Df值，亦即具有良好的介電性能。如表1所示的幾種無(wú)機(jī)填充物的組成份及介電性能比較，由數(shù)據(jù)顯示，相比于現(xiàn)有技術(shù)中E-glass填料及G2-C粉體等無(wú)機(jī)填充物，本發(fā)明公開的無(wú)機(jī)填充物Dk/Df值較低，具有更好的介電性能。表一、現(xiàn)有技術(shù)與本發(fā)明無(wú)機(jī)填充物的介電性能比較
權(quán)利要求
1.一種無(wú)機(jī)填充物，其特征在于，以氧化物換算的質(zhì)量百分比計(jì)，該無(wú)機(jī)填充物包含 (1)62 80wt% 的 SiA ； (2)0 10wt% 的 Al2O3 ； (3)20 30wt% 的化03 ； (4)0 5wt% 的的 Nei2O 或 K2O或二者的組合；其中該無(wú)機(jī)填充物最大粒徑在100 μ m以下。
2.如申請(qǐng)權(quán)利要求1所述的無(wú)機(jī)填充物，其特征在于介電常數(shù)于IMHz下小于4.1，其耗散因子于IMHz下小于0. 001。
3.一種樹脂組合物，其特征在于該樹脂組合物中包含權(quán)利要求1或2中所述的無(wú)機(jī)填充物和至少一種樹脂。
4.如申請(qǐng)權(quán)利要求3所述的樹脂組合物，其特征在于所述樹脂為環(huán)氧樹脂、苯酚樹脂、酚醛樹脂、酸酐樹脂、苯乙烯樹脂、丁二烯樹脂、聚酰胺樹脂、聚酰亞胺樹脂、聚酯樹脂、 聚醚樹脂、聚苯醚樹脂、氰酸酯樹脂、異氰酸酯樹脂、馬來(lái)酰亞胺樹脂、苯并惡嗪樹脂、溴化樹脂、含磷樹脂、含氮樹脂中的一種或兩種以上的組合。
5.如申請(qǐng)權(quán)利要求3所述的樹脂組合物，其特征在于該樹脂組合物進(jìn)一步包含固化促進(jìn)劑，所述固化促進(jìn)劑為2-甲基咪唑、1-甲基咪唑、2-乙基-4-甲基咪唑、2-苯基咪唑、 2-十一烷基咪唑、2-苯基-甲基咪唑、三氟化硼胺復(fù)合物、氯化乙基三苯基鱗、4- 二甲基胺基吡啶中的至少一者的劉易斯堿，或錳、鐵、鈷、鎳、銅及鋅中至少一者之金屬鹽化合物的劉易斯酸，或有機(jī)過(guò)氧化物，所述有機(jī)過(guò)氧化物為過(guò)氧化二異丙苯。
6.如申請(qǐng)權(quán)利要求3所述的樹脂組合物，其特征在于，該樹脂組合物還包括下列阻燃性化合物中的至少一種多溴二苯醚、十溴二苯乙烷、乙撐雙四溴鄰苯二甲酰亞胺、雙酚聯(lián)苯磷酸鹽、聚磷酸銨、對(duì)苯二酚-雙_( 二苯基磷酸鹽)、雙酚A-雙_( 二苯基磷酸鹽)、三 (2-羥乙基)膦、三(異丙基氯)磷酸鹽、三甲基磷酸鹽、二甲基-甲基磷酸鹽、間苯二酚雙二甲苯基磷酸鹽、聚磷酸三聚氰胺、磷氮基化合物、偶磷氮化合物、9，10-二氫-9-氧雜-10-磷菲- ο-氧化物及其衍生物或樹脂、三聚氰胺尿酸酯及三-羥乙基異氰尿酸酯。
7.如申請(qǐng)權(quán)利要求3所述的樹脂組合物，其特征在于該樹脂組合物進(jìn)一步包含偶聯(lián)劑，所述偶聯(lián)劑為硅烷偶聯(lián)劑、硅氧烷偶聯(lián)劑、鈦酸酯偶聯(lián)劑、硼酸酯偶聯(lián)劑、稀土偶聯(lián)劑、 鋯酸酯偶聯(lián)劑、鋁酸酯偶聯(lián)劑、含氟偶聯(lián)劑中的一種或兩種以上的組合。
8.一種半固化膠片，其特征在于該半固化膠片包含增強(qiáng)材料及權(quán)利要求3所述的樹脂組合物，所述增強(qiáng)材料包覆有經(jīng)由加熱成半固化態(tài)的樹脂組合物，所述增強(qiáng)材料為無(wú)機(jī)纖維、有機(jī)合成纖維中的一種或二者的混合物。
9.一種層壓板，包括至少一金屬箔及至少一絕緣層，其特征在于該絕緣層系權(quán)利要求8所述的半固化膠片經(jīng)固化而成。
10.一種電路板，其特征在于該電路板包括至少一種如申請(qǐng)權(quán)利要求9所述的層壓板。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種無(wú)機(jī)填充物，其特征在于，以氧化物換算的質(zhì)量百分比計(jì)，該無(wú)機(jī)填充物包含(1)62~80wt%的SiO2；(2)0~10wt%的Al2O3；(3)20~30wt%的B2O3；(4)0~1wt%的Na2O或K2O或二者的組合；其中該無(wú)機(jī)填充物最大粒徑在100μm以下。本發(fā)明還公開了含有該無(wú)機(jī)填充物的樹脂組合物及該樹脂組合物在制備印制電路板中的應(yīng)用。使用本發(fā)明的無(wú)機(jī)填充物制備而成的層壓板，在具備良好鉆孔性的同時(shí)，具有更優(yōu)的介電性能，將采用該無(wú)機(jī)填充物制成的層壓板用于制備高頻傳輸印制電路板，表現(xiàn)出良好的高頻傳輸性能。
文檔編號(hào)C08K3/38GK102504333SQ201110340880
公開日2012年6月20日 申請(qǐng)日期2011年11月2日 優(yōu)先權(quán)日2011年11月2日
發(fā)明者王榮濤 申請(qǐng)人:臺(tái)光電子材料(昆山)有限公司