專利名稱:充電構(gòu)件、處理盒和電子照相設(shè)備的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域:
本發(fā)明涉及充電構(gòu)件和使用其的處理盒。
背景技術(shù):
作為用于電子照相感光構(gòu)件的接觸充電的充電構(gòu)件,廣泛使用具有支承體、設(shè)置于所述支承體上的導(dǎo)電性彈性層和設(shè)置于所述導(dǎo)電性彈性層上的絕緣性表面層的充電構(gòu)件。目前,用于此類接觸充電系統(tǒng)的充電構(gòu)件與感光構(gòu)件保持接觸,因此前者的表面可被殘留于感光構(gòu)件表面上的任意調(diào)色劑和外部添加劑等刮擦,從而調(diào)色劑以及調(diào)色劑的外部添加劑趨于附著到被刮擦的部分。已部分附著調(diào)色劑和外部添加劑的此類充電構(gòu)件可能引起感光構(gòu)件上的不均勻帶電。表面層在其磨耗部分還可保持低電阻,因此,當(dāng)通過使用具有磨耗部分的充電構(gòu)件來使感光構(gòu)件靜電充電時,任何放電可集中于磨耗部分,結(jié)果使感光構(gòu)件的表面劣化。對于此類問題,專利文獻(xiàn)I公開了通過在充電構(gòu)件的各端部設(shè)置有間隔物構(gòu)件(spacer member)在充電構(gòu)件和感光構(gòu)件之間保持空隙從而在此放電的方法。專利文獻(xiàn)2還公開了使用帶電促進(jìn)顆粒來使充電構(gòu)件的表面始終磨耗從而實(shí)現(xiàn)穩(wěn)定充電的方法。專利文獻(xiàn)3進(jìn)一步公開了以40質(zhì)量%以下的比例包含表氯醇-環(huán)氧乙烷共聚物的聚氨酯樹脂膜具有高耐磨耗性,并且此類膜在充電輥中的使用帶來充電輥耐久性(運(yùn)行性能)的改善。[引文列表][專利文獻(xiàn)]專利文獻(xiàn)1:日本專利申請?zhí)亻_第H08-179591號專利文獻(xiàn)2:日本專利申請?zhí)亻_第2004-020844號專利文獻(xiàn)3:日本專利申請?zhí)亻_第H08-314233號
發(fā)明內(nèi)容
發(fā)明要解決的問題然而,根據(jù)由本發(fā)明人進(jìn)行的研究,根據(jù)專利文獻(xiàn)I的方法雖然因感光構(gòu)件和充電構(gòu)件彼此并不接觸可防止兩者磨耗,但是發(fā)現(xiàn)在有些情況中難以保持空隙。已發(fā)現(xiàn)根據(jù)專利文獻(xiàn)2的方法在有些情況中始終磨耗充電構(gòu)件從而難以使感光構(gòu)件恒定均勻地充電。另外,已發(fā)現(xiàn)根據(jù)專利文獻(xiàn)3的膜存在耐磨耗性進(jìn)一步改善的空間。因此,本發(fā)明的目的是提供充電構(gòu)件,所述充電構(gòu)件設(shè)置有即使由于充電構(gòu)件與感光構(gòu)件接觸也不能容易地磨耗并且還具有有助于在充電構(gòu)件與感光構(gòu)件之間形成適當(dāng)輥隙的適當(dāng)彈性的表面層。本發(fā)明另外的目的是提供能夠長期形成良好圖像的處理盒和電子照相設(shè)備。用于解決問題的方案
根據(jù)本發(fā)明,提供充電構(gòu)件,其包括:基體;彈性層;和表面層,其中:所述表面層包含具有S1-O-Hf鍵的高分子化合物;所述高分子化合物具有由下式(I)表示的結(jié)構(gòu)單元和由下式(2)表示的結(jié)構(gòu)單元:式(1)
權(quán)利要求
1.一種充電構(gòu)件,其包括:基體;彈性層;和表面層,其中:所述表面層包含具有S1-O-Hf 鍵的高分子化合物;和所述高分子化合物具有由下式(I)表示的結(jié)構(gòu)單元和由下式(2)表示的結(jié)構(gòu)單元:式⑴
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的充電構(gòu)件,其中式⑴中的R1和R2為由式⑵至(10)表示的結(jié)構(gòu)的任一種:
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的充電構(gòu)件,其中,在所述高分子化合物中,鉿的原子數(shù)與硅的原子數(shù)之比,Hf/Si,為0.1以上且5.0以下。
4.根據(jù)權(quán)利要求1至3任一項(xiàng)所述的充電構(gòu)件,其中所述高分子化合物為由式(11)表示的可水解硅烷化合物和由式(12)表示的可水解鉿化合物的交聯(lián)產(chǎn)物:R33-Si (OR34) (OR35) (OR36) (11)Hf(OR37) (OR38) (OR39) (OR40) (12) 其中,式(11)中,R33表示由式(13)至(16)表示的結(jié)構(gòu)的任一種;R34至R36各自獨(dú)立地表示具有I至4個碳原子的烷基;和式(12)中,R37至R4tl各自獨(dú)立地表示具有I至4個碳原子的烷基:
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的充電構(gòu)件,其中所述高分子化合物為由上式(11)表示的可水解硅烷化合物、由上式(12)表示的可水解鉿化合物和由式(17)表示的可水解硅烷化合物的交聯(lián)產(chǎn)物: R67-Si (OR68) (OR69) (OR70) (17) 其中,式(17)中,R67表示具有I至21個碳原子的烷基或苯基,和R68至R7tl各自獨(dú)立表示具有I至6個碳原子的烷基。
6.—種電子照相設(shè)備,其包括: 電子照相感光構(gòu)件;和與所述電子照相感光構(gòu)件接觸配置的根據(jù)權(quán)利要求1至5任一項(xiàng)所述的充電構(gòu)件。
7.一種處理盒,其包括: 電子照相感光構(gòu)件;和與所述電子照相感光構(gòu)件接觸配置的根據(jù)權(quán)利要求1至5任一項(xiàng)所述的充電構(gòu)件, 其中所述處理盒以可拆卸地安裝到電子照相設(shè)備的主體的方式形成。
全文摘要
本發(fā)明提供一種充電構(gòu)件,其當(dāng)與感光構(gòu)件接觸時不可能經(jīng)受磨耗并且其具有表面層,所述表面層具有有助于與感光構(gòu)件形成適當(dāng)輥隙的適當(dāng)彈性。所述充電構(gòu)件具有基體、彈性層和表面層,所述表面層包含具有Si-O-Hf鍵并具有由式(1)表示的結(jié)構(gòu)單元和由式(2)表示的結(jié)構(gòu)單元的高分子化合物式(1);HfO4/2 式(2)。
文檔編號C08G65/337GK103154827SQ201180046588
公開日2013年6月12日 申請日期2011年9月13日 優(yōu)先權(quán)日2010年9月27日
發(fā)明者鈴村典子, 黑田紀(jì)明, 友水雄也 申請人:佳能株式會社