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      一種低電阻ptc復(fù)合材料的制作方法

      文檔序號(hào):3673782閱讀:577來源:國(guó)知局
      一種低電阻ptc復(fù)合材料的制作方法
      【專利摘要】本發(fā)明公開了一種低電阻PTC復(fù)合材料,由熱塑性聚合物、經(jīng)偶聯(lián)劑表面處理后的導(dǎo)電材料、惰性填料、相容劑、抗氧劑、鈦酸酯偶聯(lián)劑構(gòu)成。本發(fā)明的導(dǎo)電填料是經(jīng)偶聯(lián)劑表面處理過的碳黑或碳納米管作為導(dǎo)電物質(zhì),改善其在基體中的分散性及與基體的結(jié)合性,提高導(dǎo)電性能、降低復(fù)合材料的室溫電阻率,并提高復(fù)合材料的性能穩(wěn)定性。使復(fù)合材料具有低電阻率,高PTC強(qiáng)度,良好的阻值穩(wěn)定性,極低的漏電流,滿足大電流和高電壓的要求。
      【專利說明】—種低電阻PTC復(fù)合材料
      【技術(shù)領(lǐng)域】
      [0001]本發(fā)明屬于高分子復(fù)合材料【技術(shù)領(lǐng)域】,具體涉及一種低電阻PTC復(fù)合材料。
      技術(shù)背景
      [0002]由于導(dǎo)電高分子復(fù)合材料具有正溫度系數(shù)“PTC”特性,且相互并聯(lián),能隨被加熱體系的溫度變化自動(dòng)調(diào)節(jié)輸出功率,自動(dòng)限制加熱溫度的特點(diǎn)。
      [0003]目前,工業(yè)生產(chǎn)中常用的聚合物基PTC復(fù)合材料主要是炭黑(CB)填充聚乙烯(PE)復(fù)合體系構(gòu)成,也有少量采用金屬顆粒填充聚乙烯,或炭黑填充雙組分共混聚合物等,但都因室溫電阻率較高或耐電壓較低而限制了其發(fā)展。
      [0004]炭黑的導(dǎo)電性好,粒徑小,價(jià)格低廉,是目前比較理想的一種導(dǎo)電填料,但一般碳黑的含量越高,復(fù)合材料的電阻率就越低,體系的導(dǎo)電性越高,但是體系的PTC強(qiáng)度就會(huì)降低。如果在基體中填充單一的CB粒子,結(jié)晶性聚合物與炭黑粒子之間的浸潤(rùn)性差,分散在基體內(nèi)的炭黑粒子之間又具有較強(qiáng)的附聚力,因此炭黑粒子在基體中的分散不穩(wěn)定,當(dāng)PTC材料在使用過程中隨著溫度升高一下降循環(huán)往復(fù)時(shí),處于非晶區(qū)的炭黑粒子很難回到原來的位置,尤其在聚合物結(jié)晶熔點(diǎn)以上時(shí),因晶區(qū)熔融和體積膨脹而分開的炭黑粒子很容易重新附聚,從而產(chǎn)生負(fù)溫度系數(shù)效應(yīng),最終導(dǎo)致炭黑分散狀態(tài)發(fā)生變化,PTC效應(yīng)的回復(fù)性變差。宏觀表現(xiàn)為電阻率增加,PTC強(qiáng)度和輸出功率逐漸衰退,導(dǎo)致室溫電阻率仍不能達(dá)到理想低阻。
      [0005]碳納米管(CNTs)是上世紀(jì)末才被發(fā)現(xiàn)的一種新型碳結(jié)構(gòu)材料,一般可分為單壁、雙壁和多壁碳納米管,理論預(yù)測(cè)和實(shí)驗(yàn)研究發(fā)現(xiàn)碳納米管具有奇特的電學(xué)性能,并和其物性及結(jié)構(gòu)密切相關(guān)。如果選用碳納米管作為導(dǎo)電填料,需要填充的碳納米管質(zhì)量百分?jǐn)?shù)在20%以上,這樣材料的成本太高,同時(shí)復(fù)合體系的阻值熱穩(wěn)定性并小好,如果單獨(dú)使用金屬粉末填充聚合物,由于金屬密度大,容易沉積,分散不均勻,且金屬粒子容易氧化,材料性能井不穩(wěn)定。
      [0006]隨著市場(chǎng)的需求,對(duì)聚合物PTC材料提出了越來越高的要求,耐大電流,高電壓,這就需要聚合物PTC材料,在低的室溫電阻率下,還有很高的PTC強(qiáng)度,以產(chǎn)生很小的漏電流來滿足產(chǎn)品的安全性。CB和CNTs均屬碳系材料,物理性能和化學(xué)性能比較匹配,如果在炭黑和聚合物復(fù)合體系中引入碳納米管,由于CNTs能在CB粒子間起到橋接作用,從而可以有效降低室溫電阻率及滲流閩值。

      【發(fā)明內(nèi)容】

      [0007]本發(fā)明針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)中存在的問題,提供一種低電阻PTC復(fù)合材料,該導(dǎo)電聚合材料具有低電阻率、高PTC強(qiáng)度,與良好發(fā)安全性。
      [0008]為了達(dá)到上述目的,本發(fā)明是通過下列技術(shù)方案來實(shí)現(xiàn)的:
      [0009]—種低電阻PTC復(fù)合材料,由下列組份按重量份構(gòu)成:熱塑性聚合物:55-85份、經(jīng)偶聯(lián)劑表面處理后的導(dǎo)電材料:15-3 5份、惰性填料:3-10份、相容劑:3-6、抗氧劑:0.l-0.5 份。
      [0010]熱塑性聚合物為高密度聚乙烯、低密度聚乙烯、線性低密度聚乙烯、聚偏氟乙烯、乙烯一丙烯共聚物、乙烯一乙酸乙烯醋共聚物或乙烯一丙烯酸乙醋共聚物中至少一種。
      [0011]所述導(dǎo)電材料為炭黑與碳納米管按3-30:1組成。
      [0012]所述惰性填料為氫氧化鎂、氧化鋁、氫氧化鋁、氧化鋅、氧化鈦或三氧化二銻中的至少一種。
      [0013]所述相容劑為選自聚丙烯接枝馬來酸酐(PP-g-MAH)、聚丙烯接枝甲基丙烯酸縮水甘油酯(PP-g-GMA)、三元乙丙橡膠接枝馬來酸酐(EPDM-g-MAH)、三元乙丙橡膠接枝甲基丙烯酸縮水甘油酯(EPDM-g-GMA)中的至少一種。
      [0014]所述抗氧劑為四(β-(3,5-二叔丁基-4-羥基苯基)丙酸)季戊四醇酯(1010)、三(2,4_ 二叔丁基苯基)亞磷酸酯(168)、硫代二丙酸雙十八醇酯(DSTDP)中的至少一種。
      [0015]所述碳黑的粒徑為50nm-150nm,吸油量(DBP)為50_120ml/100g。
      [0016]更進(jìn)一步的,所述碳納米管的直徑為10-20nm,長(zhǎng)度為5_15um。
      [0017]鈦酸酯偶聯(lián)劑為NDZ-101或NDZ-40。
      [0018]本發(fā)明中的導(dǎo)電材料炭黑(CB)與碳納米管(CNTs)的表面需要進(jìn)行處理,主要利用鈦酸酯偶聯(lián)劑對(duì)CB、CNTs進(jìn)行表面修飾,以改善導(dǎo)電填料在有機(jī)物基體中的分散性,并使填料與基體的結(jié)合力更強(qiáng)。將CB和CNTs按配`比加入濃度為0.5-3%的偶聯(lián)劑的異丙醇溶液中,然后球磨0.5-2小時(shí)使得偶聯(lián)劑能均勻的覆蓋在導(dǎo)電填料的表面,并在烘箱中80-100°C將溶劑完全蒸發(fā)。之后在真空烘箱中于100-130°C反應(yīng)1_2小時(shí),得到修飾過的CB和CNTs導(dǎo)電填料。
      [0019]本發(fā)明的低電阻PTC復(fù)合材料的加工辦法同現(xiàn)有技術(shù)的加工方法,是將所有原料與經(jīng)表面處理的CB和CNTs導(dǎo)電填料于150-170°C熔融共混,最后通過擠出機(jī)于150-170°C、壓力5-20MPa下恒溫恒壓得PTC芯片;在PTC芯片的兩端涂覆導(dǎo)電銀漿,并于80-130°C處理l_2h,穩(wěn)定24h后即得超低阻有機(jī)PTC復(fù)合材料。
      [0020]本發(fā)明具有低電阻率,高PTC強(qiáng)度,良好的阻值穩(wěn)定性,極低的漏電流,此材料可以滿足大電流和高電壓的要求,同時(shí)根據(jù)高分子基體的不同,可以做成不同發(fā)熱溫度的自控溫導(dǎo)電發(fā)熱材料,此材料適用于制備電熱取暖,自控溫發(fā)熱器件等領(lǐng)域。
      [0021]本發(fā)明的導(dǎo)電填料是經(jīng)偶聯(lián)劑表面處理過的碳黑或碳納米管作為導(dǎo)電物質(zhì),將表面處理后的碳黑和碳納米管加入聚合物中,使該復(fù)合材料具有兩種填料的導(dǎo)電特征,碳納米管提供了遠(yuǎn)程電子輸送(可達(dá)幾個(gè)微米),而碳黑粒子則增加碳納米管之間的接觸,碳黑粒子提供近程導(dǎo)電,通過碳黑粒子的橋梁作用,啟動(dòng)碳納米管之間的接觸,導(dǎo)致復(fù)合材料電導(dǎo)率的增加,碳黑粒子和碳納米管近程和遠(yuǎn)程導(dǎo)電相結(jié)合,比單一碳黑或納米碳管填充或粒子性導(dǎo)電填料體系具有顯著導(dǎo)電優(yōu)勢(shì)。
      [0022]通過對(duì)炭黑和碳納米管進(jìn)行偶聯(lián)劑處理,可以改善其在基體中的分散性及與基體的結(jié)合性。
      [0023]本復(fù)合材料相比添加單一炭黑填料,在填料含量相同的情況下,可以明顯降低復(fù)合材料的室溫電阻率,還能夠在較低填料含量時(shí)出現(xiàn)滲流現(xiàn)象,提高復(fù)合材料的性能穩(wěn)定性,并通過減少填料含量增強(qiáng)其機(jī)械性能。
      [0024]本PTC復(fù)合材料可以通過調(diào)節(jié)填料的總含量及兩種填料的比例調(diào)節(jié)室溫電阻率,而且由于電阻率隨著填料含量變化進(jìn)行相應(yīng)的連續(xù)的穩(wěn)定變化,因此可以較為精確地控制復(fù)合材料的室溫電阻率。
      【具體實(shí)施方式】:
      [0025]下面給出實(shí)施例以對(duì)本發(fā)明進(jìn)行具體的描述,有必要在此指出的是以下實(shí)施例只用于對(duì)本發(fā)明進(jìn)行進(jìn)一步說明,不能理解為對(duì)本發(fā)明保護(hù)范圍的限制,該領(lǐng)域的技術(shù)熟練人員根據(jù)本
      【發(fā)明內(nèi)容】
      對(duì)本發(fā)明做出的一些非本質(zhì)的改進(jìn)和調(diào)整仍屬于本發(fā)明的保護(hù)范圍。
      [0026]在本發(fā)明中,一種低電阻PTC復(fù)合材料的制備方法采用如下的方法:
      [0027](I)CBXNTs用偶聯(lián)劑表面處理:將CB和CNTs按配比加入濃度為0.5-3%的偶聯(lián)劑的異丙醇溶液中,然后球磨0.5-2小時(shí)使得偶聯(lián)劑能均勻的覆蓋在導(dǎo)電填料的表面,并在烘箱中80-100°C將溶劑完全蒸發(fā)。之后在真空烘箱中于100-130°C反應(yīng)1_2小時(shí),得到修飾過的CB和CNTs導(dǎo)電填料。本
      [0028](2)將所有原料與經(jīng)表面處理的CB和CNTs導(dǎo)電填料于150_170°C熔融共混,最后通過擠出機(jī)于150-170°C、壓力5-20MPa下恒溫恒壓得PTC芯片;
      [0029](3)在PTC芯片的兩端涂覆導(dǎo)電銀漿,并于80_130°C處理l_2h,穩(wěn)定24h后即得超低阻有機(jī)PTC復(fù)合材料。
      [0030]發(fā)明中所用的原料均是市售產(chǎn)品,各廠家生產(chǎn)的基本類似,在此不一一指出。碳黑的粒徑為50nm-150nm,吸油量(DBP)為50_120ml/100g ;碳納米管的直徑為10_20nm,長(zhǎng)度為 5_15um0
      [0031 ] 下面對(duì)本發(fā)明的原料配方進(jìn)行舉例說明。
      [0032]實(shí)施例1``[0033]高密度聚乙烯:55份;
      [0034]炭黑:12份
      [0035]碳納米管:4份;
      [0036]NDZ-101:1 份;
      [0037]氫氧化鎂:3份;
      [0038]抗1010:0.5 份;
      [0039]PP-g-MAH:3 份。
      [0040]實(shí)施例2
      [0041]低密度聚乙烯:60份;
      [0042]炭黑:33份
      [0043]碳納米管:2份;
      [0044]NDZ-40:2 份;
      [0045]氧化鋁:10份;
      [0046]抗1010:0.1 份;
      [0047]抗168:0.1 份;
      [0048]PP-g-GMA:4 份。
      [0049]實(shí)施例3
      [0050]線性低密度聚乙烯:70份;[0051]炭黑:25份
      [0052]碳納米管:5份;
      [0053]NDZ-40:3 份;
      [0054]氧化鋁:2份;
      [0055]氧化鋅:3份;
      [0056]抗DSTDP:0.2 份;
      [0057]抗168:0.3 份;
      [0058]PP-g-GMA:3 份。
      [0059]實(shí)施例4
      [0060]聚偏氟乙烯:80份;
      [0061]炭黑:30份
      [0062]碳納米管:1.5份;
      [0063]NDZ-40:2 份;`
      [0064]三氧化二銻:5份;
      [0065]抗1010:0.1 份;
      [0066]抗DSTDP:0.1份;
      [0067]PP-g-GMA:0.2 份。
      [0068]實(shí)施例5
      [0069]乙烯一丙烯共聚物:85份;
      [0070]炭黑:30份
      [0071]碳納米管:3份;
      [0072]NDZ-101:2.5 份;
      [0073]氧化鈦:3份;
      [0074]抗DSTDP:0.5 份;
      [0075]EPDM-g-MAH:3 份;
      [0076]EPDM-g-GMA:3 份。
      [0077]對(duì)比試驗(yàn):
      [0078]將上述實(shí)施例1-5中制得的聚合物材料按照統(tǒng)一工藝注塑成長(zhǎng)為5_、寬為5_、厚為0.5 mm的樣品,采用微歐計(jì)測(cè)量樣品的電阻,根據(jù)面積和厚度換算得到各聚合材料的常溫電阻札。再把制成的樣品放入150度恒溫箱中30分鐘后測(cè)量樣品的電阻民,用電阻民除以樣品的常溫電阻R1,得到PTC強(qiáng)度數(shù)據(jù)。
      [0079]表1:聚合材料的PTC性能測(cè)試比較
      [0080]
      --j電阻/歐姆.厘米Iptc強(qiáng)度/ Rmax/RO
      實(shí)施例1 0.244 2.33*108
      實(shí)施例2 0.054 9.78*107
      【權(quán)利要求】
      1.一種低電阻PTC復(fù)合材料,其特征在于:由下列組份按重量份構(gòu)成:熱塑性聚合物:55-85份、經(jīng)偶聯(lián)劑表面處理后的導(dǎo)電材料:15-35份、惰性填料:3_10份、相容劑:3_6、抗氧劑:0.1-0.5份、鈦酸酯偶聯(lián)劑:1-3份。
      2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的低電阻PTC復(fù)合材料,其特征在于:熱塑性聚合物為高密度聚乙烯、低密度聚乙烯、線性低密度聚乙烯、聚偏氟乙烯、乙烯一丙烯共聚物、乙烯一乙酸乙烯醋共聚物或乙烯一丙烯酸乙醋共聚物中至少一種。
      3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的低電阻PTC復(fù)合材料,其特征在于:所述導(dǎo)電材料為炭黑與碳納米管按3-30:1組成。
      4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的低電阻PTC復(fù)合材料,其特征在于:所述惰性填料為氫氧化鎂、氧化鋁、氫氧化鋁、氧化鋅、氧化鈦或三氧化二銻中的至少一種。
      5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的低電阻PTC復(fù)合材料,其特征在于:所述相容劑為選自聚丙烯接枝馬來酸酐(PP-g-MAH)、聚丙烯接枝甲基丙烯酸縮水甘油酯(PP-g-GMA)、三元乙丙橡膠接枝馬來酸酐(EPDM-g-MAH)、三元乙丙橡膠接枝甲基丙烯酸縮水甘油酯(EPDM-g-GMA)中的至少一種。
      6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的低電阻PTC復(fù)合材料,其特征在于:所述抗氧劑為四(β-(3, 5-二叔丁基-4-羥基苯基)丙酸)季戊四醇酯(1010)、三(2,4-二叔丁基苯基)亞磷酸酯(168)、硫代二丙酸雙十八醇酯(DSTDP)中的至少一種。
      7.根據(jù)權(quán)利要求3所 述的低電阻PTC復(fù)合材料,其特征在于:所述碳黑的粒徑為50nm-150nm,吸油量(DBP)為 50_120ml/100g。
      8.根據(jù)權(quán)利要求3所述的低電阻PTC復(fù)合材料,其特征在于:所述碳納米管的直徑為10_20nm,長(zhǎng)度為 5_15um。
      【文檔編號(hào)】C08L23/06GK103804743SQ201210453943
      【公開日】2014年5月21日 申請(qǐng)日期:2012年11月13日 優(yōu)先權(quán)日:2012年11月13日
      【發(fā)明者】李貽連 申請(qǐng)人:安邦電氣集團(tuán)有限公司
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