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      高分子化合物和使用該高分子化合物的有機半導體元件的制作方法

      文檔序號:11107963閱讀:來源:國知局

      技術特征:

      1.一種高分子化合物,其包含式(1)所示的結構單元,

      式中,

      環(huán)A和環(huán)B各自獨立地表示雜環(huán),該雜環(huán)可以具有取代基,

      環(huán)C表示不具有線對稱軸和旋轉軸的稠合的芳香族雜環(huán),該芳香族雜環(huán)可以具有取代基,

      Z1和Z2各自獨立地表示式(Z-1)所示的基團、式(Z-2)所示的基團、式(Z-3)所示的基團、式(Z-4)所示的基團、式(Z-5)所示的基團、式(Z-6)所示的基團、或式(Z-7)所示的基團,

      式中,

      R表示烷基、環(huán)烷基、烷氧基、環(huán)烷氧基、烷硫基、環(huán)烷硫基、芳基或一價雜環(huán)基,這些基團可以具有取代基,在存在多個R的情況下,它們可以相同也可以不同。

      2.如權利要求1所述的高分子化合物,其中,

      所述式(1)所示的結構單元為式(2)所示的結構單元,

      式中,

      環(huán)A、環(huán)B、Z1和Z2表示與上文相同的含義,

      X3表示氧原子、硫原子或硒原子,

      環(huán)D表示選自苯環(huán)和2~4個苯環(huán)稠合成的稠環(huán)中的芳香族烴環(huán),該芳香族烴環(huán)可以具有取代基。

      3.如權利要求2所述的高分子化合物,其中,所述式(2)所示的結構單元為式(3)所示的結構單元,

      式中,

      環(huán)A、環(huán)B、X3、Z1和Z2表示與上文相同的含義,

      R1和R2各自獨立地表示氫原子、烷基、環(huán)烷基、烷氧基、環(huán)烷氧基、烷硫基、環(huán)烷硫基、芳基、一價雜環(huán)基、鹵原子、甲硅烷基、氨基、烯基、環(huán)烯基、炔基、羥基、硝基、氰基、羧基、烷基羰基、環(huán)烷基羰基、烷氧羰基或環(huán)烷氧羰基,這些基團之中,烷基、環(huán)烷基、烷氧基、環(huán)烷氧基、烷硫基、環(huán)烷硫基、芳基、一價雜環(huán)基、甲硅烷基、氨基、烯基、環(huán)烯基、炔基、烷基羰基、環(huán)烷基羰基、烷氧羰基和環(huán)烷氧羰基各自可以具有取代基。

      4.如權利要求3所述的高分子化合物,其中,所述式(3)所示的結構單元為式(4)所示的結構單元,

      式中,

      R1、R2、X3、Z1和Z2表示與上文相同的含義,

      X1和X2各自獨立地表示氧原子、硫原子或硒原子,

      Y1表示氮原子或-CR5=所示的基團,Y2表示氮原子或-CR6=所示的基團,R5和R6各自獨立地表示氫原子、烷基、環(huán)烷基、烷氧基、環(huán)烷氧基、烷硫基、環(huán)烷硫基、芳基、一價雜環(huán)基或鹵原子,這些基團之中,烷基、環(huán)烷基、烷氧基、環(huán)烷氧基、烷硫基、環(huán)烷硫基、芳基和一價雜環(huán)基各自可以具有取代基。

      5.如權利要求4所述的高分子化合物,其中,所述X1、所述X2和所述X3均為硫原子。

      6.如權利要求4或5所述的高分子化合物,其中,所述Y1和所述Y2為-CH=所示的基團。

      7.如權利要求1~6中任一項所述的高分子化合物,其中,所述Z1和所述Z2為所述式(Z-1)所示的基團。

      8.如權利要求1~7中任一項所述的高分子化合物,其中,還包含式(5)所示的結構單元,

      式中,

      Ar表示亞芳基或二價雜環(huán)基,這些基團可以具有取代基。

      9.如權利要求8所述的高分子化合物,其為所述式(1)所示的結構單元與所述式(5)所示的結構單元的交替共聚物。

      10.式(6)所示的化合物,

      式中,

      環(huán)A和環(huán)B各自獨立地表示雜環(huán),該雜環(huán)可以具有R7和R8以外的取代基,

      X3表示氧原子、硫原子或硒原子,

      Z1和Z2各自獨立地表示式(Z-1)所示的基團、式(Z-2)所示的基團、式(Z-3)所示的基團、式(Z-4)所示的基團、式(Z-5)所示的基團、式(Z-6)所示的基團、或式(Z-7)所示的基團,

      R1和R2各自獨立地表示氫原子、烷基、環(huán)烷基、烷氧基、環(huán)烷氧基、烷硫基、環(huán)烷硫基、芳基、一價雜環(huán)基、鹵原子、甲硅烷基、氨基、烯基、環(huán)烯基、炔基、羥基、硝基、氰基、羧基、烷基羰基、環(huán)烷基羰基、烷氧羰基或環(huán)烷氧羰基,這些基團之中,烷基、環(huán)烷基、烷氧基、環(huán)烷氧基、烷硫基、環(huán)烷硫基、芳基、一價雜環(huán)基、甲硅烷基、氨基、烯基、環(huán)烯基、炔基、烷基羰基、環(huán)烷基羰基、烷氧羰基和環(huán)烷氧羰基各自可以具有取代基,R7和R8各自獨立地表示氫原子、鹵原子、甲硅烷基、羥基、羧基、硼酸酯殘基、硼酸殘基或有機錫殘基,這些基團之中,甲硅烷基可以具有取代基,

      式中,

      R表示烷基、環(huán)烷基、烷氧基、環(huán)烷氧基、烷硫基、環(huán)烷硫基、芳基或一價雜環(huán)基,這些基團可以具有取代基,在存在多個R的情況下,它們可以相同也可以不同。

      11.如權利要求10所述的化合物,其中,所述式(6)所示的化合物為式(7)所示的化合物,

      式中,

      R1、R2、R7、R8、X3、Z1和Z2表示與上文相同的含義,

      X1和X2各自獨立地表示氧原子、硫原子或硒原子,

      Y1表示氮原子或-CR5=所示的基團,Y2表示氮原子或-CR6=所示的基團,R5和R6各自獨立地表示氫原子、烷基、環(huán)烷基、烷氧基、環(huán)烷氧基、烷硫基、環(huán)烷硫基、芳基、一價雜環(huán)基或鹵原子,這些基團之中,烷基、環(huán)烷基、烷氧基、環(huán)烷氧基、烷硫基、環(huán)烷硫基、芳基和一價雜環(huán)基各自可以具有取代基。

      12.一種有機半導體組合物,其含有權利要求1~9中任一項所述的高分子化合物。

      13.一種有機半導體元件,其具有第一電極、第二電極和有機半導體層,該有機半導體層中含有權利要求1~9中任一項所述的高分子化合物。

      14.如權利要求13所述的有機半導體元件,其為有機晶體管、光電轉換元件、有機電致發(fā)光元件、有機場效應型晶體管傳感器和有機電導率調(diào)制型傳感器中的任一種。

      15.如權利要求14所述的有機半導體元件,其為有機晶體管。

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