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      一種多孔低介電聚酰亞胺薄膜在pi覆蓋膜上的應(yīng)用

      文檔序號(hào):8507967閱讀:632來(lái)源:國(guó)知局
      一種多孔低介電聚酰亞胺薄膜在pi覆蓋膜上的應(yīng)用
      【技術(shù)領(lǐng)域】
      [0001] 本發(fā)明屬于PI覆蓋膜制造領(lǐng)域,設(shè)及一種多孔低介電聚酷亞胺薄膜在PI覆蓋膜 上的應(yīng)用。
      【背景技術(shù)】
      [0002] PI覆蓋膜W其優(yōu)良的耐彎折性、重量輕、厚度薄等特點(diǎn),越來(lái)越多地被廣泛使用。 PI覆蓋膜主要由PI膜(聚酷亞胺薄膜)、膠層和貼合紙組成,其中,PI膜形成了覆蓋膜的 基礎(chǔ)。近年來(lái),隨著電子產(chǎn)品的不斷發(fā)展,產(chǎn)品的功能集成度更高,線路板材料更薄,更細(xì)和 更多層,對(duì)低介電常數(shù)的絕緣材料要求也越高。目前,絕緣薄膜所使用的材料主要為聚酷亞 胺和聚醋材料。由于聚酷亞胺起始分解溫度一般都在500°c左右,因此相較于聚醋材料耐受 溫度要大很多,適用范圍更廣。在美國(guó)的所有柔性電路制造廠商中,接近80 %的廠商是采用 聚酷亞胺簿膜作為柔性電路的材料,大約20%的制造廠商結(jié)合采用聚醋簿膜。
      [0003] 眾所周知,空氣的介電常數(shù)為1.0,因此在聚酷亞胺薄膜中引入孔隙有利于降低材 料的介電常數(shù)。Jiang等人首先通過(guò)溶膠-凝膠法制備了聚酷亞胺-氧化娃雜化薄膜,然后 利用氨氣酸除去氧化娃,制得多孔的PI薄膜,其介電常數(shù)最低至1.8,但此用到腐蝕性極強(qiáng) 的氨氣酸,工藝操作難度較大。Lee等人利用聚己二醇功能化的倍半硅氧烷為成孔劑,制備 了多孔的聚酷亞胺薄膜,孔徑為10-40nm,介電常數(shù)最低為2. 25。此方法能有效降低聚酷亞 胺的介電常數(shù),但新的單體、成孔劑的引入增加了生產(chǎn)成本和工藝控制的難度。因此,如何 在高密度柔性線路板中應(yīng)用一種工藝可控,成本較低的低介電常數(shù)聚酷亞胺薄膜對(duì)電子產(chǎn) 品的發(fā)展具有重要的意義。

      【發(fā)明內(nèi)容】

      [0004] 本發(fā)明的目的是提供一種聚酷亞胺薄膜在PI覆蓋膜上的應(yīng)用。
      [0005] 本發(fā)明的目的通過(guò)W下技術(shù)方案實(shí)現(xiàn)
      [0006] 1.本發(fā)明提供一種多孔低介電聚酷亞胺薄膜在PI覆蓋膜上的應(yīng)用。
      [0007] 所述PI覆蓋膜由多孔低介電聚酷亞胺薄膜、膠層和貼合紙組成,壓合方式為快速 壓合方式。
      [000引 2.上述1提供的應(yīng)用,其中,該薄膜由聚酷亞胺基體和增強(qiáng)填料兩部分組成,其 中,聚酷亞胺基體質(zhì)量分?jǐn)?shù)為80~lOOwt%,增強(qiáng)填料質(zhì)量分?jǐn)?shù)0%~20wt%
      [0009] 3.上述1提供的應(yīng)用,其中,聚酷亞胺基體質(zhì)量分?jǐn)?shù)為80~90wt%,增強(qiáng)填料質(zhì) 量分?jǐn)?shù)10%~20wt%。
      [0010] 4.上述1提供的應(yīng)用,其中,所述聚酷亞胺基體為芳香族二胺和芳香族二酢經(jīng)縮 聚反應(yīng)制得。
      [001U5.上述1提供的應(yīng)用,其中,所述芳香族二胺為4,4' -二氨基二苯離、3,4' -二氨 基二苯離、對(duì)苯二胺、間苯二胺、4,4' -二氨基二苯甲燒、二氨基二苯甲酬、4,4' -二(4-氨 基苯氧基)二苯諷、1,3' -雙(3-氨基苯氧基)苯、4,4' -二(4-氨基苯氧基)二苯甲酬、 二氨基二苯基諷、4,4'-二氨基-二苯氧基-4',4-二苯基異丙烷中的一種或任意兩種的混 合物。
      [0012] 6.上述1提供的應(yīng)用,其中,所述芳香族二酢為均苯四甲酸二酢、3,3',4,4'-聯(lián)苯 四甲酸二酢、二苯酬甲酸二酢、異構(gòu)二苯硫離二酢中的一種或兩種混合物。
      [0013] 7.上述1提供的應(yīng)用,其中,所述增強(qiáng)填料為二氧化娃,粒徑《2ym,優(yōu)選粒徑 20~lOOnm;進(jìn)一步的,粒徑為20~40nm。
      [0014] 8.上述7提供的應(yīng)用,其中,該薄膜具有孔徑尺寸《2ym的微孔,孔隙率為 2% -20%,由碳酸巧粒子與稀鹽酸反應(yīng)后,碳酸巧被除去留下的空穴形成。
      [0015] 9.上述8提供的應(yīng)用,其中,碳酸巧粉末粒徑《2ym,制成后的薄膜具有孔徑尺寸 《2ym的微孔;優(yōu)選碳酸巧粉末粒徑為20-100nm,制成后的薄膜具有孔徑尺寸為20-100nm 的微孔。
      [0016] 10.上述9提供的應(yīng)用,其中,碳酸巧粉末粒徑為20-40nm,制成后的薄膜具有孔徑 尺寸為20-40nm的微孔。
      [0017] 有益效果;
      [001引通過(guò)試驗(yàn)測(cè)得,本發(fā)明提供的多孔低介電聚酷亞胺薄膜最低介電常數(shù)可W達(dá)到 2.6,而拉伸強(qiáng)度仍保持較高的拉伸強(qiáng)度為leOMPa,說(shuō)明本發(fā)明提供的薄膜具有優(yōu)良的性 狀,適用于適用于大規(guī)模集成電路的電子材料。
      [0019] W本發(fā)明提供的多孔低介電聚酷亞胺薄膜制作成的PI覆蓋膜,經(jīng)過(guò)檢測(cè),絕緣電 阻為1. 0X1〇11,300°C、10秒未出現(xiàn)氣泡和分層現(xiàn)象,剝離強(qiáng)度為1. 3~1.服fg/cm,遠(yuǎn)超標(biāo) 準(zhǔn)值,具有優(yōu)良的性狀。
      【具體實(shí)施方式】
      [0020] 下面結(jié)合實(shí)施例對(duì)本發(fā)明做進(jìn)一步說(shuō)明,下列實(shí)施例中未注明具體條件的實(shí)驗(yàn)方 法,通常按照本領(lǐng)域的公知手段。
      [0021] 實(shí)施例1
      [0022] (1)碳酸巧懸濁液制備
      [002引采用山西巧城華納納米材料有限公司生產(chǎn)的粒徑為lOOnm的納米碳酸巧4.化g, 加入非質(zhì)子性溶劑N,N'-二甲基己酷胺值MAc)中,40曲Z超聲波分散條件下,攬拌速度 200化/min,充分?jǐn)埌?0min,制成穩(wěn)定的懸濁液,保證碳酸巧懸濁液質(zhì)量濃度為5%。
      [0024] (2)聚酷胺酸復(fù)合溶液的制備
      [0025] 將上述獲得的懸濁液加入聚酷胺酸聚合反應(yīng)蓋中,補(bǔ)加足量溶劑??刂茰囟仍?40°C,加入20kg的0DA,進(jìn)行機(jī)械攬拌,待其完全溶解后,控制溫度在60°C,分批次小量加入 與二胺等摩爾比的PMDA21.8kg,并不斷攬拌,使二胺和二酢充分反應(yīng)制成黏度穩(wěn)定的聚酷 胺酸復(fù)合溶液。通過(guò)補(bǔ)加溶劑控制聚酷胺酸復(fù)合溶液的質(zhì)量濃度為25%。
      [0026] (3)聚酷亞胺薄膜的制成
      [0027]將上述得到的聚酷胺酸復(fù)合溶液在干凈的鋼板上流誕,亞胺化溫度為360°C,具體 流誕操作方法,為本領(lǐng)域常規(guī)方法。
      [002引 (4)多孔聚酷亞胺薄膜
      [0029] 將所得聚酷亞胺薄膜W0. 5m/s的速度緩慢經(jīng)過(guò)稀鹽酸溶液除去碳酸巧顆粒。W 去離子水除去薄膜表面殘留物,最后120°C干燥得多孔聚酷亞胺薄膜,由于所使用的4.化g碳酸巧的粒徑為lOOnm,碳酸巧均勻分布于薄膜中,除去后,得到的多孔聚酷亞胺薄膜孔徑 為lOOnm。
      [0030] 實(shí)施例2
      [0031] (1)碳酸巧、二氧化娃懸濁液制備
      [003引采用山西巧城華納納米材料有限公司生產(chǎn)的粒徑為40皿的納米碳酸巧2.化g, 4. 5kg粒徑為40nm的納米二氧化娃(西亞試劑生產(chǎn)),加入非質(zhì)子性溶劑N,N'-二甲基己 酷胺值MAc)中,60曲Z超聲波分散條件下,攬拌速度3000r/min充分?jǐn)埌?0min,制成穩(wěn)定 的懸濁液,保證納米碳酸巧和二氧化娃質(zhì)量濃度為20%。
      [0033] (2)聚酷胺酸復(fù)合溶液的制備
      [0034] 將上述獲得的懸濁液加入聚酷胺酸聚合反應(yīng)蓋中,補(bǔ)加足量溶劑,控制溫度在 10°C,加入20kg的ODA,進(jìn)行機(jī)械攬拌,待其完全溶解后,控制溫度在50°C,分批次小量加入 與二胺等摩爾比的PMDA21.8kg,并不斷攬拌,使二胺和二酢充分反應(yīng)制成黏度穩(wěn)定的聚酷 胺酸復(fù)合溶液。通過(guò)補(bǔ)加溶劑保證聚酷胺酸復(fù)合溶液的質(zhì)量濃度為15%。
      [0035] (3)聚酷亞胺薄膜的制成
      [0036]將上述得到的聚酷胺酸復(fù)合溶液在干凈的鋼板上流誕,亞胺化溫度為360°C,具體 流誕操作方法,為本領(lǐng)域常規(guī)方法。
      [0037] (4)多孔聚酷亞胺薄膜
      [003引將所得聚酷亞胺薄膜W0.Im/s的速度緩慢經(jīng)過(guò)稀鹽酸溶液除去碳酸巧顆粒。W去離子水除去薄膜表面殘留物,最后120°C干燥得多孔聚酷亞胺薄膜。由于所使用的納米碳 酸巧的粒徑為40nm,納米碳酸巧均勻分布于薄膜中,除去后,得到的多孔聚酷亞胺薄膜孔徑 為 40nm。
      [0039] 實(shí)施例3
      [0040] (1)碳酸巧、二氧化娃懸濁液制備
      [0041] 采用山西巧城華納納米材料有限公司生產(chǎn)的粒徑為20nm的納米碳酸巧化g,10kg 粒徑為100皿的納米二氧化娃(西亞試劑生產(chǎn)),加入160kg非質(zhì)子性溶劑N,N'-二甲基 己酷胺(DMAc)中,100曲Z超聲波分散條件下,攬拌速度2000r/min,充分?jǐn)埌?0min,制成穩(wěn) 定的懸濁液,保證碳酸巧和二氧化娃質(zhì)量濃度為15%。
      [0042] (2)聚酷胺酸復(fù)合溶液的制備
      [0043] 將上述獲得的懸濁液加入聚酷胺酸聚合反應(yīng)蓋中,補(bǔ)加足量溶劑??刂茰囟仍?25°C,加入16kg的孤A,4kg的MDA,進(jìn)行機(jī)械攬拌,待其完全溶解后,控制溫度在55°C,分批 次小量加入與二胺等摩爾比的PMDA21.8kg,并不斷攬拌,使二胺和二酢充分反應(yīng)制成黏度 穩(wěn)定的聚酷胺酸復(fù)合溶液。通過(guò)補(bǔ)加溶劑控制聚酷胺酸復(fù)合溶液的質(zhì)量濃度為20%。
      [0044] (3)聚酷亞胺薄膜的制成
      [0045]將上述得到的聚酷胺酸復(fù)合溶液在干凈的鋼板上流誕,亞胺化溫度為360°C,具體 流誕操作方法,為本領(lǐng)域常規(guī)方法。
      [0046] (4)多孔聚酷亞胺薄膜
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