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      一種集成電路芯片清洗劑及其制備方法

      文檔序號:9320264閱讀:617來源:國知局
      一種集成電路芯片清洗劑及其制備方法
      【技術(shù)領(lǐng)域】
      [0001] 本發(fā)明屬于清洗劑制備領(lǐng)域,具體涉及一種集成電路芯片清洗劑及其制備方法。
      [0002]
      【背景技術(shù)】
      [0003] 集成電路(1C)是一種微型電子器件或部件。通過一定的工藝步驟,將一個(gè)電路中 所需的晶體管、電阻、電容、電感、布線等原件互連一起,制作在一小塊或幾小塊半導(dǎo)體晶片 或介質(zhì)基片上,然后封裝在一個(gè)管殼內(nèi),成為具有所需電路功能的微型結(jié)構(gòu);其中,所有原 件在結(jié)構(gòu)上已組成一個(gè)整體,使電子原件向著微小型化、低功耗、智能化和高可靠性方面邁 進(jìn)了一大步。
      [0004] 電器在使用過程中會(huì)產(chǎn)生一定的污垢,所以要定期清洗集成電路芯片,傳統(tǒng)的除 污方法是通過毛刷清理,隨著科技的發(fā)展,電子產(chǎn)品的普及,集成電路無處不在,所以維護(hù) 成了全行業(yè)的問題。怎樣更安全、高效地清洗芯片是當(dāng)前繼續(xù)解決的問題。
      [0005]

      【發(fā)明內(nèi)容】

      [0006] 針對現(xiàn)有技術(shù)的不足,本發(fā)明的目的在于提供一種集成電路芯片清洗劑及其制備 方法,該清洗劑配方簡單,成本低、清潔效果,對芯片損傷小,同時(shí)制備方法簡單,易于產(chǎn)業(yè) 化。
      [0007] 為解決現(xiàn)有問題,本發(fā)明采取的技術(shù)方案為: 一種集成電路芯片清洗劑,包括以下按重量份數(shù)計(jì)的原料:檸檬酸5-8份,甘油5-8份, 乙醇10-15份,聚氧乙烯醚20-28份,雙氧水12-18份,氫氧化銨2-6份,丁烷15-22份,烷 基醇酰胺10-16份。
      [0008] 作為改進(jìn)的是,上述集成電路芯片清洗劑,包括以下按重量份數(shù)計(jì)的原料:檸檬酸 6份,75%乙醇12份,丙三醇5份,聚氧乙烯醚25份,雙氧水16份,氫氧化銨4份,丁烷20 份,烷基醇酰胺14份。
      [0009] 作為改進(jìn)的是,所述乙醇為75%乙醇。
      [0010] 上述集成電路芯片清洗劑的制備方法,包括以下步驟: 步驟1,按重量份數(shù)稱取原料,并將檸檬酸、乙醇、丙三醇和雙氧水投入密閉容器中,在 惰性氣體保護(hù)下以2-5°C/min恒速升溫到42-55°C得第一混合物; 步驟2,將聚氧乙烯醚、氫氧化銨和丁烷和烷基醇酰胺投入反應(yīng)釜中,在真空度為 0. 06-0. 12Mpa的真空條件下加熱至62-68°C后,以5-8°C/min升溫至75-80°C得第二混合 物; 步驟3,將第一混合物和第二混合物混合后,攪拌得集成電路清洗劑。
      [0011] 作為上述制備方法優(yōu)選的是,步驟1中恒速升溫的速率為2°C/min。
      [0012] 作為上述制備方法優(yōu)選的是,步驟2中真空條件下的真空度為0. 12Mpa。
      [0013] 作為上述制備方法優(yōu)選的是,步驟3中攪拌速度為200-300rpm,攪拌時(shí)間為 20-40min〇
      [0014] 有益效果 本發(fā)明集成電路芯片清洗劑的清潔力強(qiáng),泡沫性能在6mm以下,粘度低于0. 3mm2 ?s\ 易漂洗,不影響芯片,制備方法簡單,易行,適合產(chǎn)業(yè)化。
      [0015]
      【具體實(shí)施方式】
      [0016] 下面結(jié)合實(shí)施例對本發(fā)明作進(jìn)一步描述。以下實(shí)施例只是用于更加清楚地說明本 發(fā)明的性能,而不能僅局限于下面的實(shí)施例。
      [0017] 實(shí)施例1 一種集成電路芯片清洗劑,包括以下按重量份數(shù)計(jì)的原料:檸檬酸5份,甘油5份,75% 乙醇10份,聚氧乙烯醚20份,雙氧水12份,氫氧化銨2份,丁烷15份,烷基醇酰胺10份。
      [0018] 上述集成電路芯片清洗劑的制備方法,包括以下步驟: 步驟1,按重量份數(shù)稱取原料,并將檸檬酸、乙醇、丙三醇和雙氧水投入密閉容器中,在 惰性氣體保護(hù)下以2°C/min恒速升溫到42°C得第一混合物; 步驟2,將聚氧乙烯醚、氫氧化銨和丁烷和烷基醇酰胺投入反應(yīng)釜中,在真空度為 0. 06Mpa的真空條件下加熱至62°C后,以5°C/min升溫至75°C得第二混合物; 步驟3,將第一混合物和第二混合物混合后,以200rpm攪拌20min得集成電路清洗劑。
      [0019] 實(shí)施例2 一種集成電路芯片清洗劑,包括以下按重量份數(shù)計(jì)的原料:檸檬酸6份,75%乙醇12 份,丙三醇5份,聚氧乙烯醚25份,雙氧水16份,氫氧化銨4份,丁烷20份,烷基醇酰胺14 份。
      [0020] 上述集成電路芯片清洗劑的制備方法,包括以下步驟: 步驟1,按重量份數(shù)稱取原料,并將檸檬酸、乙醇、丙三醇和雙氧水投入密閉容器中,在 惰性氣體保護(hù)下以3°C/min恒速升溫到50°C得第一混合物; 步驟2,將聚氧乙烯醚、氫氧化銨和丁烷和烷基醇酰胺投入反應(yīng)釜中,在真空度為 0.lOMpa的真空條件下加熱至65°C后,以7°C/min升溫至78°C得第二混合物; 步驟3,將第一混合物和第二混合物混合后,以250rpm攪拌30min得集成電路清洗劑。
      [0021] 實(shí)施例3 一種集成電路芯片清洗劑,包括以下按重量份數(shù)計(jì)的原料:檸檬酸8份,甘油8份,75% 乙醇15份,聚氧乙烯醚28份,雙氧水18份,氫氧化銨6份,丁烷22份,烷基醇酰胺16份。
      [0022] 上述集成電路芯片清洗劑的制備方法,包括以下步驟: 步驟1,按重量份數(shù)稱取原料,并將檸檬酸、乙醇、丙三醇和雙氧水投入密閉容器中,在 惰性氣體保護(hù)下以5°C/min恒速升溫到55°C得第一混合物; 步驟2,將聚氧乙烯醚、氫氧化銨和丁烷和烷基醇酰胺投入反應(yīng)釜中,在真空度為 0. 12Mpa的真空條件下加熱至68°C后,以8°C/min升溫至80°C得第二混合物; 步驟3,將第一混合物和第二混合物混合后,以300rpm攪拌40min得集成電路清洗劑。
      [0023] 對比例1 一種集成電路芯片清洗劑,包括以下按重量份數(shù)計(jì)的原料:檸檬酸6份,75%乙醇12 份,丙三醇5份,聚氧乙烯醚25份,雙氧水16份,氫氧化銨4份,丁烷20份,烷基醇酰胺14 份。
      [0024] 上述集成電路芯片清洗劑的制備方法,包括以下步驟: 步驟1,按重量份數(shù)稱取原料,并將檸檬酸、乙醇、丙三醇和雙氧水投入密閉容器中,在 惰性氣體保護(hù)下升溫到50°C得第一混合物; 步驟2,將聚氧乙烯醚、氫氧化銨和丁烷和烷基醇酰胺投入反應(yīng)釜中,在真空度為 0.lOMpa的真空條件下加熱至78°C得第二混合物; 步驟3,將第一混合物和第二混合物混合后,以250rpm攪拌30min得集成電路清洗劑。
      [0025] 性能測試 對以上實(shí)施例和對比例制備的集成電路芯片清洗劑進(jìn)行性能測試,結(jié)果如下:
      從上表數(shù)據(jù)可以看出,本發(fā)明集成電路芯片清洗劑漂洗時(shí)間短,粘度低,易于清洗,無 殘留,對芯片的損傷小,從實(shí)施例2和對比例1的步驟來看,制備方法中步驟2采用恒速升 溫的方法所得的清洗劑漂洗需時(shí)短,粘度小,提高了產(chǎn)品的性能。另外,制備方法簡單,適合 產(chǎn)業(yè)化,值得推廣。
      【主權(quán)項(xiàng)】
      1. 一種集成電路芯片清洗劑,其特征在于,包括以下按重量份數(shù)計(jì)的原料:檸檬酸5-8 份,甘油5-8份,乙醇10-15份,聚氧乙烯醚20-28份,雙氧水12-18份,氫氧化銨2-6份,丁 烷15-22份,烷基醇酰胺10-16份。2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的集成電路芯片清洗劑,其特征在于,包括以下按重量份數(shù)計(jì) 的原料:檸檬酸6份,75%乙醇12份,丙三醇5份,聚氧乙烯醚25份,雙氧水16份,氫氧化 銨4份,丁烷20份,烷基醇酰胺14份。3. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的集成電路芯片清洗劑,其特征在于:所述乙醇為75%乙醇。4. 權(quán)利要求1或2所述的集成電路芯片清洗劑的制備方法,其特征在于,包括以下步 驟: 步驟1,按重量份數(shù)稱取原料,并將檸檬酸、乙醇、丙三醇和雙氧水投入密閉容器中,在 惰性氣體保護(hù)下以2-5°C /min恒速升溫到42-55°C得第一混合物; 步驟2,將聚氧乙烯醚、氫氧化銨和丁烷和烷基醇酰胺投入反應(yīng)釜中,在真空度為 0. 06-0. 12Mpa的真空條件下加熱至62-68°C后,以5-8°C /min升溫至75-80°C得第二混合 物; 步驟3,將第一混合物和第二混合物混合后,攪拌得集成電路清洗劑。5. 根據(jù)權(quán)利要求4所述的集成電路芯片清洗劑的制備方法,其特征在于:步驟1中恒 速升溫的速率為2°C /min。6. 根據(jù)權(quán)利要求4所述的集成電路芯片清洗劑的制備方法,其特征在于:步驟2中真 空條件下的真空度為〇. 12Mpa。7. 根據(jù)權(quán)利要求4所述的集成電路芯片清洗劑的制備方法,其特征在于:步驟3中攪 拌速度為200-300rpm,攪拌時(shí)間為20-40min。
      【專利摘要】一種集成電路芯片清洗劑及其制備方法,該清洗劑包括以下原料:檸檬酸,甘油,乙醇,聚氧乙烯醚,雙氧水,氫氧化銨,丁烷,烷基醇酰胺。制備方法:按重量份數(shù)稱取原料,并將檸檬酸、乙醇、丙三醇和雙氧水投入密閉容器中,在惰性氣體保護(hù)下以2-5℃/min恒速升溫到42-55℃得第一混合物;將聚氧乙烯醚、氫氧化銨和丁烷和烷基醇酰胺投入反應(yīng)釜中,在真空度為0.06-0.12Mpa的真空條件下加熱至62-68℃后,以5-8℃/min升溫至75-80℃得第二混合物;將第一混合物和第二混合物混合后,攪拌得集成電路清洗劑。本發(fā)明集成電路芯片清洗劑清潔能力強(qiáng),對芯片損傷少,制備簡單,適合推廣。
      【IPC分類】C11D10/02
      【公開號】CN105039035
      【申請?zhí)枴緾N201510372008
      【發(fā)明人】熊開勝, 張海防, 謝建庭
      【申請人】蘇州東辰林達(dá)檢測技術(shù)有限公司
      【公開日】2015年11月11日
      【申請日】2015年6月30日
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