專利名稱：發(fā)光物質(zhì)和含這種發(fā)光物質(zhì)的光源的制作方法
技術領域：
本發(fā)明涉及一種權利要求1的前述部分的發(fā)光物質(zhì)和含這種發(fā)光物質(zhì)的光源。特別是涉及基于石榴石的適用于光源如LED和燈的發(fā)光物質(zhì)。
背景技術：
從DE-GM 20108013中已知一種發(fā)光物質(zhì)和含這種發(fā)光物質(zhì)的光源，該發(fā)光物質(zhì)是某些稀土元素的石榴石，各種稀土元素的應用提供了在一定限度內(nèi)調(diào)節(jié)發(fā)光物質(zhì)色位的可能性。但在這類發(fā)光物質(zhì)中如果Y不是由稀土占據(jù)的晶格位置的主成分，則這類發(fā)光物質(zhì)是較不穩(wěn)定的或這類發(fā)光物質(zhì)的效率低或僅有小的吸收能力。雖然在石榴石中Al可由Ga部分取代，特別是在該已知的其色位處于綠光譜范圍的發(fā)光物質(zhì)情況下，可激發(fā)性和由此產(chǎn)生的轉(zhuǎn)換效率是不令人滿意的。對一種用于實現(xiàn)白光LED的已知石榴石發(fā)光物質(zhì)的所需色位的另一限制在于，常需要較高的鈰濃度，但這在制備工藝上要有非常大的耗費才能實現(xiàn)。
為達到如相應于中性白光色或暖白光色的某些色位，必需應用多種發(fā)光物質(zhì)的組合。這種雙組分體系原則上有多個缺點較長波發(fā)光物質(zhì)通常吸收短波發(fā)光物質(zhì)的發(fā)射。此外，該發(fā)光物質(zhì)的顆粒大小必需相互適配，以不發(fā)生團聚作用或沉積作用。另一因素是必需以精確的混合比非常均勻地混合發(fā)光物質(zhì)，以避免色位波動。最后該已知的發(fā)光物質(zhì)通常有不同的溫度相關性，由此在LED變暗或不同的環(huán)境溫度下會發(fā)生色位偏移。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于提供一種權利要求1的前序部分的發(fā)光物質(zhì)，該發(fā)光物質(zhì)的特征是在寬的色度圖范圍內(nèi)對色位的選擇具有耐久性和高靈敏度。
本發(fā)明的另一目的在于制備一種具有石榴石結構的穩(wěn)定高效的綠發(fā)光物質(zhì)，其適用于基于短波發(fā)射的主LED例如具有長使用壽期的發(fā)射藍光的主LED的全色適用的LED中。
本發(fā)明的另一目的在于制備一種高效石榴石發(fā)光物質(zhì)，其具有淮確適配于光子激發(fā)、特別是適配于通過白光LED激發(fā)的色位，以及提供一種光源，特別是僅以一種發(fā)光物質(zhì)作為轉(zhuǎn)換體的具有中性白光顯色至暖白光顯色的白光LED。在應用單一的發(fā)光物質(zhì)時，可限制色位波動且生產(chǎn)簡單，因為不存在混合問題和沉積問題。當然該發(fā)光物質(zhì)也可與其它發(fā)光物質(zhì)組合應用以提供光源。
這些目的是通過權利要求1的特征部分實現(xiàn)的。特別有利的方案列于從屬權利要求中。
按本發(fā)明，組分B，特別是Al3+被Si4+取代導致在具有石榴石結構的發(fā)光物質(zhì)體系如Y(Al，Ga)G:Ce中的明顯色位移動。通常由于電荷補償原因總需要另一組分，因為Si是四價離子，而組分B如Al是三價離子。由于此原因，至今總是僅研究顯而易見的方法，即用另一種占據(jù)同樣晶格位的三價離子如Ga或In來取代A。
為實現(xiàn)此目的有多種方法。在第一種方案中，隨Si同時引入占據(jù)同樣晶格位的但具有價位小于3的離子KB，即一價或二價的離子如Mg2+。另一可能性例如是Be2+。在這些情況下，代用離子KB常以氧化物引入，以致由于石榴石結構而不需另外的電荷補償。
在第二種方案中采用另一方法，其中隨Si同時引入占據(jù)具有相反電荷極性的另一晶格位的離子KC。由于該不同的電荷極性，在此情況下價態(tài)的選擇不構成限制。在此情況下特別優(yōu)選是用氮(意指N3-)取代氧(意指O2-)。
在第三種方案中，隨Si同時引入占據(jù)另一晶格位的離子KA，即組分A。這時電荷極性再次與Si的電荷極性相同。適用的候選元素例如是Na和Li。
在第四種方案中，無其它離子隨Si引入，而是通過位錯(按Krger-Vink，如果該位錯在晶格位A、B或O處，則用VA或VB或VC表示)進行電荷補償，該位錯本身的價態(tài)認為是零。
通常優(yōu)選適用的離子是其半徑盡可能接近待取代的離子的半徑的離子。在實際中表明，在較大半徑情況下，該限值為30％，即半徑大1.3倍。在半徑小于待取代離子半徑的離子情況下，該限值明顯遠不重要的。
在保持石榴石結構下的取代與新型次氮基硅酸鹽無關，盡管其可由類似的單一組分組成，但具有完全不同的化學計量、晶格結構和發(fā)射特性；一種典型的晶格結構是α-Sialon，參見“On new rare-earth dopedM-Si-Al-O-N materials”，van Krevel，TU Eindhoven 2000，ISBN 90-386-2711-4，第2章。
具體而言，在通過用N3-取代O2-而進行的同時電荷補償情況下，意外地表明比至今文獻中已知的用Ga通常部分取代Al的相應石榴石即Y(Al，Ga)G:Ce有明顯較短波的發(fā)射。這時幾乎保持了該純YAG:Ce發(fā)光物質(zhì)的高量子效率。例如可合成具有4摩爾％的鈰作為活化劑和主波長為559-573nm的量子效率約為85-90％的發(fā)光物質(zhì)。不使用硅時就必需大大減少鈰摻雜，以達到可比主波長。在4％鈰摻雜情況下，實際上達到的最短主波長是563nm。該鈰摻雜為0.1-10％。
意外的是在(Y，Tb，Gd)AG:Ce型純含Al的石榴石發(fā)光物質(zhì)中的取代有不同作用。在YAG:Ge中用Si少量取代(＜1摩爾％)Al可使主波長向較長波長移動幾nm，同時不降低該發(fā)光物質(zhì)的效率。由此可“最佳”調(diào)節(jié)該標準白光LED的白色位，而無需引入通常低效的第二種發(fā)光物質(zhì)以校準色位。
如果將硅含量增加到不大于20摩爾％，特別1是-20摩爾％，優(yōu)選不大于10摩爾％，則得到越來越明顯可見的紅色鈰發(fā)射。由此，主波長移動到直至584nm。這表明在應用這種發(fā)光物質(zhì)時，例如僅用一種發(fā)光物質(zhì)即可制成其色溫約為3200K、Ra值約為75-80的暖白光LED。該發(fā)光物質(zhì)的量子效率隨Si含量下降而增加。因此，相應的LED效率隨色溫增加而增加。這可實現(xiàn)一種光色與日光類似是從中性白光到暖白光的范圍、特別是色溫為2600-6500K的光源。
本文中的石榴石結構當然也意指稍偏離理想的石榴石的基于位錯或晶格擾動的結構，只要該晶體保持典型的石榴石結構即可。
本發(fā)明的典型的發(fā)光物質(zhì)具有包含新型基本變體A3-uB5-vSixO12-w:D的理想石榴石結構A3B5O12:D，其中Si僅位于組分B的晶格位上，并必需保持電中性，例如以A3B5-xSixKyO12-y:D形式實現(xiàn)，其中A＝稀土金屬(SE)，選自Y、Gd、Tb、La、Lu，單獨或組合使用；B＝Al、Ga，單獨或組合使用；
D＝代替SE的活化劑，選自Ce、Pr、Eu，單獨或組合使用；K＝電荷補償劑，特別是選自Mg2+、Be2+和N3-，其補償Si的電荷失配。
其中特別適用的是0＜x≤1以及0≤y≤2x。
y值與晶格結構的單位有關，特別是在K＝N情況下y＝x。
通常特別要具體考慮，不同的晶格位可具有不同的價態(tài)，以致在考慮在晶格位A上的可能的補償組分KA、在晶格位B上的可能的補償組分KB、和在氧晶格位上的可能的補償組分KC的情況下的變體石榴石的形成會導致通式為[A3-aKAa]A[B5-b-xKBbSix]B[O12-sKCs]o:D，其中活化劑D歸入組分A。換句話說，該式也可表示為[A3-t-a#KAa#Dt]A[B5-b-xKBbSix]B[O12-sKCs]o。其中a#值與a值不同，該值如本身已知的由a通過并入摻雜的D而得。
該系數(shù)的主要條件通常可表示為a(mKA-3)+b(mKB-3)+x＝s(-mKC-2)。其中m是組分KA、KB或KC的引入離子的各自價態(tài)，假定可能的位錯的價態(tài)m＝0。
本發(fā)明具有多種基本的實施方案第一種類型是Si取代部分元素B，其中Si通過渡運即氧取代機理例如借助氮引入，以致下式為化學計量式A3B5-xSix[O12-sNs]o:D，下標O表述晶格位O。其中N是類型KC的離子，特別是s≤1.5和x≤1.5，優(yōu)選x＝s。
第二種類型是Si部分取代元素B，其中Si通過補償在晶格位B的電荷的機理引入，以致下式為化學計量式A3[B5-(x+y)SixKBy]BO12:D，下標B表述晶格位B。例如Si隨Mg或Na組合引入，即兩者均經(jīng)氧化合物作為過渡，其中特別是y≤1和x≤1。
在另一種引入共摻雜K的情況下，例如通過氮或另一取代氧的元素引入，該所得的化學計量給出第一類型的混合形式，即例如A3[B5-x-ySixKBy]B[O12-sNs]o:D。實例是x＝1和y＝0.5，B是Mg2+及s＝0.5。
第三種類型是Si部分取代元素B，其中Si通過部分取代晶格位A的元素作為渡運引入，即通過取代A的機理引入，以致下式看作是化學計量式[K3-yKAy]A[B5-xSix]BO12:D，下標A、B表述組分A和B的晶格位的歸屬。這里特別是x＝y(tǒng)。在二價離子情況如特別是Mg或Be時這種特性可特別顯現(xiàn)。但也可考慮呈一價引入的Na和Li作為KA，這時特別是y≤2和x≤2。
第四種類型是僅以形成位錯補償電荷平衡。在此情況下，Si可隨在所有晶格位上的位錯而出現(xiàn)。該化學計量式是A3-x/3B5-xSixO12:D，其中特別是x≤0.2。例如x＝0.1。
當然也可出現(xiàn)所有這些基本類型的混合形式。摻雜D通?？偙徽J為是晶格位A的成分。
在B＝Al的情況下，值x優(yōu)選為0.01≤x≤1，在B＝(Al，Ga)且Ga含量至少是B的20摩爾％的情況下，值x優(yōu)選為0.05≤x≤0.25。取決于外周條件，在石榴石結構中Si的加入與同類的不含Si的石榴石相比會引起紅偏移或藍偏移。更意外的是發(fā)現(xiàn)，該色位偏移的大小不是加入Si的單值函數(shù)，而更多的只是相關。特別是大的偏移可隨較小量Si加入而達到(x＝0.08-0.23)。在具體情況下該特性還與電荷補償劑K有關，特別是與其所屬的晶格位有關。
Si4+的離子半徑與Al3+的離子半徑相當，因此可較易于引入以代替Al3+。這對于驚人的良好取代功能是很重要的一點。與此相反，在這里可作為電荷補償劑的Mg2+的離子半徑明顯大于Al3+的離子半徑，以致不易引入以代替Al3+。因此用Si4+-Mg2+體系僅能引入較小量的Si4+。
與此相反，以N3+作為電荷補償劑的Si4+體系明顯不太苛刻，因為氮離子取代近似相同大小的氧離子。因此用該體系可引入較大量的Si4+。
有利的是該機理有時還可對于色位偏移起活化劑D的作用，以致與通常的石榴石相比只需較少量的D。這特別適合D＝Ce的情況。
此外，該新型發(fā)光物質(zhì)的可激發(fā)性可延伸到寬的范圍，即可從約250nm，優(yōu)選300nm到約550nm，優(yōu)選490nm。最大激發(fā)在約350-約460m。由此該發(fā)光物質(zhì)不僅適于通過UV或發(fā)射藍光的主光源如LED或基于Hg的通常的放電燈激發(fā)，而且也適于光源如基于銦低壓放電或銦高壓放電的放電燈，其共振線例如是304、325、410和451nm。
該發(fā)射特性明顯與電荷補償劑有關。例如應用氮導致增加共價鍵含量，在文獻中該特性被描述為所謂的電子云重排效應。在該效應上又可同時疊加增高的晶體場分裂，例如這是由于N3+離子比O2+離子的電荷更高而引起的。比Al3+帶有更高電荷的Si4+離子也附加影響該效應，這里目標方向與細節(jié)有關。
本發(fā)明的發(fā)光物質(zhì)特別適合作為綠發(fā)光物質(zhì)。
本發(fā)明的發(fā)光物質(zhì)的特別優(yōu)點是其有較低的溫度淬滅。令人意外的是，四價離子如Si可被引入到三價離子的晶格位上且同時又無明顯的效率損失。
附圖簡介下面用多個實施例詳述本發(fā)明。


圖1示出用作適于白光或綠光的光源(LED)的半導體元件；圖2示出含本發(fā)明發(fā)光物質(zhì)的照明裝置；圖3示出含Si-石榴石的暖白光LED的發(fā)射光譜；圖4示出Si-石榴石的反射特性；圖5示出Si-石榴石的發(fā)射特性；圖6示出另一種Si-石榴石的發(fā)射特性；圖7示出另一種Si-石榴石的發(fā)射特性；圖8示出Si-石榴石的主波長的位移；圖9示出LED燈的光譜；圖10示出LED燈的光譜；圖11示出LED燈的光譜；圖12示出Si-石榴石的主波長的位移；圖13示出含Si-石榴石的藍光主LED體系的色圖；圖14-17示出各種Si-石榴石的倫琴衍射圖；圖18示出OLED的實例；圖19示出應用石榴石的含銦填料的低壓燈；圖20示出暖白色LED的長期穩(wěn)定性。
優(yōu)選實施方案為在暖白光LED中與GaInN芯片組合使用，例如應用類似在US5998925中所描述的結構。適于白光的這類光源的結構示于圖1中。該光源是InGaN類型的半導體元件(芯片1)，其峰發(fā)射波長為460nm，并帶有第一和第二接線端2、3，其埋入可透光的基殼8的凹槽9區(qū)域中。接線端之一3經(jīng)連接線14與芯片1相連。凹槽有壁17，其作為芯片1主輻射的反射器。凹槽9中充滿澆注料5，該澆注料含環(huán)氧鑄模樹脂(例如80-90重量％)和發(fā)光顏料6(例如小于15重量％)作為主要成分。另一些小量組分特別是硅膠。所述發(fā)光顏料由含硅石榴石顏料組成。其發(fā)射黃光并與該主輻射的其余未經(jīng)轉(zhuǎn)換的藍光相混合以形成白光。該相同結構也適用于制成發(fā)射綠光的LED，其中藍光主輻射經(jīng)全部轉(zhuǎn)換。
在圖2中示出作為照明裝置的平面光源20的截面圖。該裝置由共用的載體21組成，該載體上粘接有矩形外殼22。其上面有共用的蓋23。矩形外殼具有安放各個半導體元件24的間槽。該元件是發(fā)射峰一般為340nm的發(fā)射UV的發(fā)光二極管。轉(zhuǎn)換成白光是通過如圖1所述的直接置于各LED的鑄模樹脂中的轉(zhuǎn)換層或通過涂于所有UV輻射可達到的表面上的涂層25實現(xiàn)。外殼的側壁、上蓋和底板件的內(nèi)置表面均屬轉(zhuǎn)換層。該轉(zhuǎn)換層25由三種發(fā)光物質(zhì)組成，在利用本發(fā)明發(fā)光物質(zhì)時，該發(fā)光物質(zhì)發(fā)射紅光光譜、綠光光譜和藍光光譜。
首先表1示出引入石榴石中的一些重要元素的離子半徑。表2示出一些類型為Y(A13-xSixGa2)O12:Ce(4％)的Si-石榴石的相對量子效率QE。
圖3示出應用單一Si-石榴石作為轉(zhuǎn)換劑的暖白光LED的發(fā)射光譜。主輻射是460nm，由此色溫達3250K和色重現(xiàn)系數(shù)為80。
圖4示出Si-石榴石的反射特性與波長的關系。該石榴石是Y3Al4.9Si0.1O11.9N0.1:Ce。
圖5示出Si-石榴石(x＝0.25)的發(fā)射特性與波長(nm)的關系，即Y3A14.75Si0.251O11.75N0.25:Ce與不加Si(x＝0)的相同石榴石即YAG:Ce的發(fā)射特性的直接比較。令人意外的是峰波長有非常大的偏移。對鈰摻雜的典型值是A的0.5-4％。
圖6示出Si-石榴石Tb(A14.5Si0.5)O11.5N0.5:Ce的發(fā)射特性與波長的關系。圖7示出Si-石榴石(Y0.55Gd0.45)(A14.5Si0.5)O11.5N0.5:Ce的發(fā)射特性與波長的關系。
圖8示出發(fā)光物質(zhì)Y(A15-xSix)(O12-xNx):Ce在460nm激發(fā)的主波長(nm)的偏移與Si含量x的關系。令人意外的是該最大值在約0.25處。所以不存在線性關系。
圖9示出類型為Y2.88Ce0.12Al5O12(即YAG:Ce)的各種發(fā)光物質(zhì)在用SiN交換AlO時的效率和發(fā)射寬度的變化。
圖10示出類型為Y2.88Ce0.12Al3O12(即Y(Al，Ga)G:Ce)的各種發(fā)光物質(zhì)在以SiN加入Si以交換AlO時的效率和發(fā)射寬度的變化。
圖11示出Si-石榴石(x＝0.25)的發(fā)射特性與波長(nm)的關系，并與不加Si(x＝0)的相同的石榴石即Y3Al2Ga2:Ce的發(fā)射特性作直接比較。令人意外的是不僅峰波長有大的偏移，并且該偏移正好與圖5中呈相反的方向。這種不尋常的特性的詳情還不完全理解。
圖12示出Y(Al3-xGa2Six)O12:Ce發(fā)光物質(zhì)在460nm激發(fā)時主波長(nm)的偏移與Si含量x的關系。令人意外的是最大值在約0.25處。所以不存在線性關系。
圖13示出由藍光LED(發(fā)射峰在450-470nm)和本發(fā)明的Si-石榴石組成的體系的具有坐標x，y的色圖(CIE)。其表明，在通常的石榴石情況下，具有典型為3200或2850K或更低的暖白色顯色的體系可用單一的發(fā)光物質(zhì)首次實現(xiàn)。適于此的侯選者特別是基于稀土金屬Y、Tb和Gd的石榴石(空心三角)的Si-石榴石，其通過加入Si可向右偏移到較長波長(實心三角)。相反，從YAG:Ce出發(fā)，將Si加到含Ga的石榴石(Al:Ga之比優(yōu)選為0.5-2.5)中可成功實現(xiàn)良好的綠光LED，這時峰波長向左偏移到較短波長。
因此Si-石榴石可完美適配于按用戶需求的定制。
圖14示出Si含量x＝0.1的表明典型石榴石結構的YAG:Ce的倫琴衍射圖，并與通常的YAG:Ce相比較，參見下面的譜線。圖15示出Si含量x＝0.25的倫琴衍射圖。
圖16示出Si含量x＝0.25的表明典型石榴石結構的YAl3Ga2O12:Ce的倫琴衍射圖，并與通常的YAG:Ce相比較，參見下面的譜線，其中第二譜線表示釔氧氮化物，但其結構不適于所研究的發(fā)光物質(zhì)。圖17示出Si含量x＝0.5的倫琴衍射圖。
典型的制備方法主要是基于YAG:Ce的通常制備，并有下面示例性的修改配料相應于表3如下選擇該配料在莫氏研磨中混合約40分鐘；接著在1460-1560℃下灼燒幾小時(典型為3小時)。準確的溫度與組成有關和特別是與所加熔劑有關。通常加入硼酸H3BO3。
圖18示出另一應用，如基本上已從US-B 6700322中所知的。這時本發(fā)明的發(fā)光物質(zhì)與OLED組合應用。光源是有機發(fā)光二極管31，其由有機膜30和透明基片32組成。該膜30特別發(fā)射藍色主光，例如通過PVK:PBD:香豆素產(chǎn)生。該發(fā)射通過由本發(fā)明的發(fā)光物質(zhì)層33構成的頂層部分轉(zhuǎn)換成二次發(fā)射的黃色光，以致總體上通過主發(fā)射光和二次發(fā)射光的色混實現(xiàn)白光發(fā)射。優(yōu)選是本發(fā)明的發(fā)光物質(zhì)和藍綠光主發(fā)射共同作用。這意味主發(fā)射的峰波長在480-505nm。這特別優(yōu)選也可通過具有兩峰的有機發(fā)光物質(zhì)來實現(xiàn)，即一峰在430-490nm的藍光區(qū)，另一峰在495-520nm，從而組合起來該主波長在藍綠光處。該體系僅用兩種發(fā)光物質(zhì)(膜和改性的石榴石發(fā)光物質(zhì))就在4000-4600K的色溫下達到驚人的色重現(xiàn)值(Ra優(yōu)于85)。該OLED主要由至少一層發(fā)光聚合物層或所謂尚在兩電極中的小分子組成，該電極由本身已知的材料組成，如ITO作為陽極，高反應性金屬如Ba或Ca作為陰極。經(jīng)常也可應用在由極間的多層，這些層可作用空穴傳輸層(例如Baytron-P，購自HC Starck公司)或也可在小分子區(qū)用作電子傳輸層。
作為發(fā)射聚合物可使用如聚芴(Polyfluorence)材料或聚螺(Polyspiro)材料。
本發(fā)明的發(fā)光物質(zhì)的另一應用是在發(fā)光燈中，在燈中該發(fā)光物質(zhì)涂于燈泡的內(nèi)面，如本身已知的也可與其它已知的發(fā)光物質(zhì)如鹵代磷酸鹽組合應用。這時通過已知的Hg譜線，特別是在254nm處的Hg譜線激發(fā)。
一種具體的應用是在銦燈中。圖19示出含無汞氣體填料21(圖示)的低壓放電燈20，該氣體填料含有銦化合物和類似WO 02/10374中的緩沖氣，其中施有含Si石榴石層22。該裝置的特別優(yōu)點是該改性的石榴石良好地適配于銦輻射，因為該輻射在UV中和在藍光譜范圍中有能被石榴石同等良好吸收的主要成分，這使其應用優(yōu)于至今已知的發(fā)光物質(zhì)。這些已知的發(fā)光物質(zhì)或僅明顯吸收UV輻射或僅明顯吸收銦的藍光輻射，以致本發(fā)明的銦燈有明顯更高的效率。這種結論也適用于US 4810938中的基于高壓的銦燈。
另一應用是在電致發(fā)光燈中通過發(fā)射峰為440-520nm的發(fā)射藍光或藍綠光的電致發(fā)光發(fā)光物質(zhì)進行的激發(fā)。
圖20示出應用圖3中所述發(fā)光物質(zhì)時的暖白光LED的良好的長期穩(wěn)定性。光通量(圖20a)及色坐標x和y(圖20b，20c)均幾乎保持500小時以上的穩(wěn)定性。
表1.離子半徑(典型值)，nm

表2.在460nm激發(fā)下的Y(Al3-xSixGa2)G:Ce的相對量子效率

表3

權利要求
1.一種具有A3B5O12:D型石榴石結構的發(fā)光物質(zhì)，其特征在于，部分組分B由含量為x的Si所取代，其中為進行電荷補償，可引入至少一種其它組分K，式中A＝稀土金屬，B＝單獨或組合的Al、Ga，D＝稀土金屬。
2.權利要求1的發(fā)光物質(zhì)，其特征在于，A＝單獨或組合的Y、Tb、Gd、La、Lu。
3.權利要求1的發(fā)光物質(zhì)，其特征在于，D＝單獨或組合的Ce、Pr、Eu。
4.權利要求1的發(fā)光物質(zhì)，其特征在于，x≤1。
5.權利要求1的發(fā)光物質(zhì)，其特征在于，所述石榴石具有下列結構，其中電荷補償組分KA、KB、KC可位于晶格位A、B和/或O，其中m是引入的離子的價態(tài)[A3-aKAa]A[B5-b-xKBbSix]B[O12-sKCs]O:D，其中a(mKA-3)+b(mKB-3)+x＝s(-mKC-2)。
6.權利要求1的發(fā)光物質(zhì)，其特征在于，元素Mg、N或Be或Na或Li中的一種或多種起電荷補償劑KA、KB、KC的作用。
7.權利要求5的發(fā)光物質(zhì)，其特征在于，該發(fā)光物質(zhì)具有化學計量式A3B5-xSixKyO12-y:D，其中y≤2x。
8.權利要求1的發(fā)光物質(zhì)，其特征在于，x＝0.1-0.5。
9.權利要求5的發(fā)光物質(zhì)，其特征在于，KC＝N和x＝s。
10.權利要求5的發(fā)光物質(zhì)，其特征在于，所述石榴石具有下列結構A3B5-xSix[O12-sNs]O:D，其中特別是s≤1.5和x≤1.5，和優(yōu)選x＝s。
11.權利要求5的發(fā)光物質(zhì)，其特征在于，所述石榴石具有下列結構A3[B5-(x+y)SixKBy]BO12:D，其中特別是y≤1和x≤1。
12.權利要求5的發(fā)光物質(zhì)，其特征在于，所述石榴石具有下列結構[A3-yKAy]A[B5-xSix]BO12:D，其中特別是y≤2和x≤2。
13.權利要求5的發(fā)光物質(zhì)，其特征在于，所述石榴石具有下列結構A3-x/3B5-xSixO12:D，其中特別是x≤0.2。
14.一種含權利要求1的發(fā)光物質(zhì)的光源，其中該光源的主發(fā)射用于激發(fā)所述發(fā)光物質(zhì)，并且主發(fā)射的最大值在250-550nm，其中該主輻射至少部分轉(zhuǎn)換成次級輻射，特別是用以產(chǎn)生白光。
15.權利要求14的光源，其特征在于，該光源是LED或OLED或放電燈。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種具有石榴石結構的發(fā)光物質(zhì)，其特征在于加有Si。其特別適于通過具有發(fā)射波長為250－550nm的光源的光子激發(fā)。
文檔編號C09K11/80GK1918264SQ200480041915
公開日2007年2月21日 申請日期2004年12月16日 優(yōu)先權日2003年12月22日
發(fā)明者T·費德勒, T·弗里斯, F·耶曼, M·察豪, F·茨瓦希卡 申請人:電燈專利信托有限公司