專利名稱：用于從基材除去含硅殘留物的溶劑和使用該溶劑的去除方法
相關(guān)申請(qǐng)的交叉引用本申請(qǐng)要求于2004年3月2日遞交的美國(guó)臨時(shí)申請(qǐng)No.60/549,251的權(quán)利。
背景技術(shù)：
在微電子工業(yè)中不斷地希望能增加多層集成電路設(shè)備如記憶和邏輯芯片中的電路密度，以改善運(yùn)行速度和降低功耗。為了繼續(xù)減小集成電路上的設(shè)備的尺寸，必須使用具有低介電常數(shù)的絕緣體，以減少互連金屬化的電阻-電容(“RC”)時(shí)間延遲和防止不同金屬化層之間的電容性串音。這種低介電材料能理想地用于預(yù)金屬化介電層和內(nèi)層介電層。
用于具有180nm線寬設(shè)備的典型介電材料具有的介電常數(shù)在約3.8-4.2之間。當(dāng)線寬降低時(shí)，介電常數(shù)也應(yīng)當(dāng)降低。例如，具有130nm線寬的設(shè)備需要介電常數(shù)約為2.5-3.0的材料。極低介電常數(shù)(“ELK”)材料一般具有的介電常數(shù)在約2.0-2.5之間。具有90nm線寬的設(shè)備需要具有介電常數(shù)小于2.4的材料。
已經(jīng)有許多方法用來(lái)制備低介電常數(shù)或低k值的薄膜。化學(xué)氣相沉積法(CVD)和旋涂介電法(SOD)典型地用于制備絕緣層薄膜。通過(guò)這些方法沉積的多種低k值材料通常被分成幾種，如純無(wú)機(jī)材料、陶瓷材料、二氧化硅基片料、純有機(jī)材料或無(wú)機(jī)—有機(jī)混合物。同樣地，已經(jīng)有許多方法用于固化這些材料，以分解和/或除去揮發(fā)性組分，并且由例如加熱、用等離子體、電子束或紫外輻射處理該材料，使該薄膜基本交聯(lián)。
旋涂介電膜的制備典型地有五步。步驟1-3涉及將成膜組合物沉積到基片上；使組合物勻涂在基片的這頭到那頭；并干燥該薄膜。該成膜組合物典型地包括二氧化硅源和溶劑。在沉積步驟過(guò)程中，將包含在該成膜組合物中的溶劑蒸發(fā)以形成未固化的薄膜。這里的邊緣卷邊一般是沉積到基片上的薄膜如二氧化硅基、低介電常數(shù)薄膜的最外邊緣。使用溶劑以除去邊緣卷邊和在成膜過(guò)程中產(chǎn)生的無(wú)關(guān)材料，以便在基片的至少一部分上提供基本干凈的表面。在步驟4中，一種溶劑液流，在此稱為去除溶劑，被沉積到邊緣上并且被甩出以除去該薄膜的最外邊緣。加速該薄膜以除去溶劑和溶解的殘留物。在步驟5或烘烤步驟中，將該薄膜暴露于能源(需要限定該能源)如熱、紫外線、電子束、紅外線等中，以完成固化過(guò)程，以及在一些實(shí)施例中，除去生孔劑(porogen)。
對(duì)于光致抗蝕劑，選擇合適的溶劑去除部分殘留物如在涂覆基片上的含硅薄膜是很重要的。這可以使任何邊緣缺陷最小化，該缺陷可以是，如薄膜平整度損失(薄膜邊緣的凸起)、不適當(dāng)?shù)倪吘壿喞?被除去的薄膜沒(méi)有導(dǎo)致明顯的階式邊緣過(guò)渡或未除去的薄膜具有厚重的鈍邊)、毛邊(薄膜的溶解性差或邊緣卷邊去除溶劑在薄膜邊緣形成的坑)、薄膜滲出(覆蓋邊緣卷邊的區(qū)域從薄膜邊緣伸出的長(zhǎng)的薄的突出物)，以及從基片上除去薄膜不完全。因?yàn)檫吘壘磉吶コ軇┡c基片接觸，故優(yōu)選那些不含金屬或鹵化物污染物的溶劑。用來(lái)除去正性光致抗蝕劑的常用溶劑包括丙二醇單甲醚乙酸酯(PGMEA)、丙二醇單甲醚、乙酸正丁酯、乳酸乙酯、雙丙酮醇、乙?；宜嵋阴?、丙酮、甲醚酮及其混合物。然而，上述溶劑可能不足以除去至少一部分沉積到基片上和/或沉積裝置上的含硅薄膜。
與基片的頂部表面一樣，用于沉積薄膜的基片的背側(cè)和/或沉積裝置(如碗)也要求沒(méi)有顆粒和污染物。關(guān)于這一點(diǎn)，存在于基片背側(cè)的殘留物會(huì)對(duì)制備過(guò)程有害，原因在于對(duì)熱板的污染和/或基片與分檔器卡盤(pán)，即，在平版印刷過(guò)程中握持基片的卡盤(pán)的不良接觸，導(dǎo)致影象焦點(diǎn)模糊?？墒褂萌軇┏ミ@些在基片背部表面的殘留物，如基片邊緣周?chē)砬暮?或?yàn)R到沉積裝置側(cè)面或底部的光致抗蝕劑。此外，在沉積過(guò)程的薄膜部分的分配、勻涂和/或干燥過(guò)程中，大量含硅殘留物會(huì)沉積到沉積裝置自身上，如沉積裝置內(nèi)部。為了對(duì)此進(jìn)行校正，應(yīng)當(dāng)定期清洗沉積裝置的內(nèi)部。如果不除去殘留材料，在沉積裝置內(nèi)部會(huì)形成顆粒，并結(jié)合或駐留在初沉積薄膜表面。這些顆粒會(huì)導(dǎo)致該薄膜的外觀疵點(diǎn)，如拖尾、孔和條紋。如果這些顆粒結(jié)合到初沉積薄膜上，該缺陷會(huì)導(dǎo)致平版印刷過(guò)程中的影像模糊、不同的蝕刻速率、CMP過(guò)程失敗、阻擋層缺陷、金屬線路之間短路和設(shè)備故障。
發(fā)明概述本發(fā)明描述了一種用于從基片和/或沉積裝置除去含硅殘留物的方法。一方面，本發(fā)明提供了一種用于從涂覆基片的至少一部分和/或沉積裝置除去含硅殘留物的方法，其包括用沸點(diǎn)在120℃到250℃范圍內(nèi)、具有2.5厘泊或更低粘度的去除溶劑處理涂覆基片和/或沉積裝置。
另一方面，本發(fā)明提供了一種用于從涂覆基片的至少一部分和/或沉積裝置去除含硅的殘留物的方法，其包括用包含選自下列的化合物的去除溶劑處理涂覆基片和/或沉積裝置具有以下式的化合物R14COR15CO2R16，其中R14和R15各自獨(dú)立地是含1-6個(gè)碳原子的烴基，R16是含1-4個(gè)碳原子的烴基；具有以下式的化合物R173CCO2-R18，其中R17獨(dú)立地為H原子、含1-4個(gè)碳原子的烷氧基或含1-4個(gè)碳原子的烴基，R18為含1-8個(gè)碳原子的烴基、烷基醚基團(tuán)-(CH2)n-O-R19，其中R19為含1-4個(gè)碳原子的烷基，n為1-4的數(shù)字，或者為烷撐二醇烷基醚，其中烷撐二醇含2-4個(gè)碳原子，烷基含1-5個(gè)碳原子；及其混合物。
再一方面，本發(fā)明提供了一種用于從涂覆基片的至少一部分除去含硅殘留物的方法，其包括制備包含至少一種二氧化硅源和至少一種溶劑的成膜組合物；使用沉積裝置將該成膜組合物沉積到基片上，以提供包含含硅薄膜和含硅殘留物的涂覆基片；干燥該涂覆基片；用去除溶劑處理涂覆基片以除去殘留物；從涂覆基片除去去除溶劑和殘留物以提供處理過(guò)的基片；干燥該處理過(guò)的基片；并固化處理過(guò)的基片。
通過(guò)下列詳細(xì)說(shuō)明，將使這些方面及其它方面變得顯而易見(jiàn)。
附圖簡(jiǎn)述

圖1，2是在此描述方法的一個(gè)實(shí)施方案的流程圖。
發(fā)明詳述本發(fā)明公開(kāi)了一種用于從基片的至少一部分，如頂部表面、背側(cè)和/或沉積裝置去除不合乎需要的含硅和/或其它元素的殘留物的方法，和包括該方法的方法。期望含硅薄膜沉積到基片頂部表面上。然而，基片的邊緣、背側(cè)和/或沉積裝置也會(huì)沉積含硅薄膜或其它工藝殘留物。這些殘留物可以是液體、固體或其組合。由于用于形成聚合物光致抗蝕劑(例如具有最少羥基含量和/或大分子量的有機(jī)聚合物)的化學(xué)成分和方法顯著地不同于用于制備硅基薄膜(例如包含有機(jī)、無(wú)機(jī)組分和/或羥基；就地生成；和/或具有小分子量的聚合物)的成膜混合物，因此，用于除去包含光致抗蝕劑的殘留物的溶劑和用于除去硅薄膜的溶劑很可能是不同的。這些溶劑不能有效地除去由成膜組合物得到的殘留物，原因在于，例如溶劑不能提供足夠的溶解度以除去這些組合物。
圖1提供了在此描述的方法的一個(gè)實(shí)施方案的流程圖。如圖1所述，步驟10是制備成膜組合物。含硅薄膜優(yōu)選地由在此所稱的成膜組合物形成。該組合物可以在形成含硅薄膜之前制備或在成膜的至少一部分過(guò)程中形成。根據(jù)薄膜形成方法，該組合物可以以流體形式沉積到基片上。此處使用的術(shù)語(yǔ)“流體”表示組合物的液相、氣相及其組合(例如蒸汽)。
在步驟20中，組合物可以選擇性地經(jīng)過(guò)0.1小時(shí)至1周，或1小時(shí)至72小時(shí)，或1小時(shí)至48小時(shí)時(shí)間的陳化。步驟20一般在環(huán)境溫度，或低于環(huán)境溫度的條件下進(jìn)行。
該成膜組合物一般包含至少一種二氧化硅源和至少一種溶劑。在此使用的“二氧化硅源”是含硅(Si)和氧(O)的化合物，并可以附加取代基如其它元素如H、B、C、P或鹵素原子和有機(jī)基團(tuán)如烷基或芳基，但不局限于此。該組合物可以進(jìn)一步包括其它組分如水、一種或多種生孔劑、催化劑和/或離子添加劑，但不局限于此。在組合物包括生孔劑的實(shí)施方案中，生孔劑相對(duì)于生孔劑和SiO2的結(jié)合重量的重量比即孔隙度在0.9-0.1范圍內(nèi)。該范圍可以依據(jù)所要求的由該組合物制得材料的介電常數(shù)而變化，因?yàn)樵摬牧系慕殡姵?shù)與生孔劑的重量比成反比，或與該組合物/薄膜的孔隙度成正比。上述比例中，SiO2的重量是從通過(guò)二氧化硅源引入該組合物內(nèi)的硅的總摩爾數(shù)計(jì)算得來(lái)的。但這不一定意味著二氧化硅源完全轉(zhuǎn)化為SiO2。在組合物包含離子添加劑的實(shí)施方案中，離子添加劑相對(duì)于生孔劑重量的重量比在0.5-0范圍內(nèi)。在另一個(gè)實(shí)施方案中，R，即有機(jī)組分對(duì)Si的摩爾比在0.2至3范圍內(nèi)，或從0.2至2，或從0.2至1。在進(jìn)一步的實(shí)施方案中，水對(duì)OR基團(tuán)的摩爾比可以在40至0.5范圍內(nèi)，其中OR是通過(guò)氧原子鍵合到硅上的有機(jī)基團(tuán)。在再一實(shí)施方案中，該材料可以進(jìn)一步包括硅-碳鍵，其Si-C鍵總數(shù)對(duì)硅原子總數(shù)之比在約20至約80摩爾％之間，或在約40至約60摩爾％之間。
在成膜組合物內(nèi)使用的化學(xué)品和/或在制備該薄膜的方法中使用的化學(xué)品要滿足電子工業(yè)的要求，因?yàn)樗鼞?yīng)含極少的或不含污染物，如金屬、鹵化物和/或其它那些可能會(huì)對(duì)該薄膜的電氣性質(zhì)產(chǎn)生不利影響的化合物。像含鹵素的無(wú)機(jī)酸類、帶鹵素抗衡離子的陽(yáng)離子表面活性劑和帶堿金屬抗衡離子的陰離子表面活性劑這樣的組分最好避免在該組合物中使用，因?yàn)樗鼈儠?huì)提供給本發(fā)明的材料不需要的離子。在此使用的溶劑包含的污染金屬的量可低于百萬(wàn)分之一(“ppm”)，或低于十億分之二百(“ppb”)，或低于十億分之五十。因此，本發(fā)明材料包含的污染金屬的量可低于百萬(wàn)分之一(“ppm”)，或低于十億分之二百(“ppb”)，或低于十億分之五十。本發(fā)明材料包含污染鹵化物的量?jī)?yōu)選低于1ppm，或低于750ppb，或低于500ppb。此外，在一些實(shí)施例中，在成膜組合物的化學(xué)試劑中包含的污染金屬的量可小于百萬(wàn)分之一(“ppm”)，或低于十億分之二百(“ppb”)，或低于十億分之五十。在一些實(shí)施方案中，如果該化學(xué)試劑包含1ppm或更多的污染金屬，化學(xué)試劑可以在添加到該組合物中之前純化。待審美國(guó)公開(kāi)申請(qǐng)2004-0048960提供了合適化學(xué)品和純化該用于成膜組合物的化學(xué)品的方法實(shí)例，在此引作參考并轉(zhuǎn)讓給本申請(qǐng)的受讓人。
下列是能用于本發(fā)明組合物和方法的二氧化硅源的非限制性實(shí)例。在隨后的化學(xué)式和該文件的所有化學(xué)式中，術(shù)語(yǔ)“獨(dú)立地”應(yīng)該理解為表示所指的R基不僅相對(duì)于其它具有不同上標(biāo)的R基獨(dú)立地選定，而且相對(duì)于任何其他相同R基也獨(dú)立地選定。例如，式RaSi(OR1)4-aSi中，當(dāng)a是2時(shí)，兩個(gè)R基彼此不必相同，和R1也不必相同。
在此使用的術(shù)語(yǔ)“價(jià)有機(jī)基團(tuán)”是指通過(guò)單碳鍵，即Si-C或O-C鍵合到一個(gè)所述元素，如Si或O上的有機(jī)基團(tuán)。價(jià)有機(jī)基團(tuán)的實(shí)例包括烷基、芳基、不飽和烷基和/或用烷氧基、酯、酸、羰基或烷基羰基官能團(tuán)取代的不飽和烷基。烷基可以是含1-5個(gè)碳原子的直鏈、支鏈或環(huán)鏈的烷基，例如甲基、乙基、丙基、丁基或戊基。作為價(jià)有機(jī)基團(tuán)的合適芳基實(shí)例包括苯基、甲基苯基、乙基苯基和氟代苯基。在一些實(shí)施方案中，烷基內(nèi)的一個(gè)或多個(gè)氫原子可以用其它原子如鹵素原子(即氟)或氧原子取代以提供羰基或醚官能團(tuán)。
在一些實(shí)施方案中，二氧化硅源可以用下列式來(lái)代表RaSi(OR1)4-a，其中R獨(dú)立地表示氫原子、氟原子或價(jià)有機(jī)基團(tuán)；R1獨(dú)立地表示價(jià)有機(jī)基團(tuán)；n是1-2的整數(shù)。用RaSi(OR1)4-a代表的化合物的具體實(shí)例包括甲基三甲氧基硅烷、甲基三乙氧基硅烷、甲基三正丙氧基硅烷、甲基三異丙氧基硅烷、甲基三正丁氧基硅烷、甲基三仲丁氧基硅烷、甲基三叔丁氧基硅烷、甲基三苯氧基硅烷、乙基三甲氧基硅烷、乙基三乙氧基硅烷、乙基三正丙氧基硅烷、乙基三異丙氧基硅烷、乙基三正丁氧基硅烷、乙基三仲丁氧基硅烷、乙基三叔丁氧基硅烷、乙基三苯氧基硅烷、正丙基三甲氧基硅烷、正丙基三乙氧基硅烷、正丙基三正丙氧基硅烷、正丙基三異丙氧基硅烷、正丙基三正丁氧基硅烷、正丙基仲丁氧基硅烷、正丙基三叔丁氧基硅烷、正丙基三苯氧基硅烷、異丙基三甲氧基硅烷、異丙基三乙氧基硅烷、異丙基三正丙氧基硅烷、異丙基三異丙氧基硅烷、異丙基三正丁氧基硅烷、異丙基三仲丁氧基硅烷、異丙基三叔丁氧基硅烷、異丙基三苯氧基硅烷、正丁基三甲氧基硅烷、正丁基三乙氧基硅烷、正丁基三正丙氧基硅烷、正丁基三異丙氧基硅烷、正丁基三正丁氧基硅烷、正丁基三仲丁氧基硅烷、正丁基三叔丁氧基硅烷、正丁基三苯氧基硅烷；仲丁基三甲氧基硅烷、仲丁基三乙氧基硅烷、仲丁基三正丙氧基硅烷、仲丁基三異丙氧基硅烷、仲丁基三正丁氧基硅烷、仲丁基三仲丁氧基硅烷、仲丁基三叔丁氧基硅烷、仲丁基三苯氧基硅烷、叔丁基三甲氧基硅烷、叔丁基三乙氧基硅烷、叔丁基三正丙氧基硅烷、叔丁基三異丙氧基硅烷、叔丁基三正丁氧基硅烷、叔丁基三仲丁氧基硅烷、叔丁基三叔丁氧基硅烷、叔丁基三苯氧基硅烷、異丁基三甲氧基硅烷、異丁基三乙氧基硅烷、異丁基三正丙氧基硅烷、異丁基三異丙氧基硅烷、異丁基三正丁氧基硅烷、異丁基三仲丁氧基硅烷、異丁基三叔丁氧基硅烷、異丁基三苯氧基硅烷、正戊基三甲氧基硅烷、正戊基三乙氧基硅烷、正戊基三正丙氧基硅烷、正戊基三異丙氧基硅烷、正戊基三正丁氧基硅烷、正戊基三仲丁氧基硅烷、正戊基三叔丁氧基硅烷、正戊基三苯氧基硅烷；仲戊基三甲氧基硅烷、仲戊基三乙氧基硅烷、仲戊基三正丙氧基硅烷、仲戊基三異丙氧基硅烷、仲戊基三正丁氧基硅烷、仲戊基三仲丁氧基硅烷、仲戊基三叔丁氧基硅烷、仲戊基三苯氧基硅烷、叔戊基三甲氧基硅烷、叔戊基三乙氧基硅烷、叔戊基三正丙氧基硅烷、叔戊基三異丙氧基硅烷、叔戊基三正丁氧基硅烷、叔戊基三仲丁氧基硅烷、叔戊基三叔丁氧基硅烷、叔戊基三苯氧基硅烷、異戊基三甲氧基硅烷、異戊基三乙氧基硅烷、異戊基三正丙氧基硅烷、異戊基三異丙氧基硅烷、異戊基三正丁氧基硅烷、異戊基三仲丁氧基硅烷、異戊基三叔丁氧基硅烷、異戊基三苯氧基硅烷、新戊基三甲氧基硅烷、新戊基三乙氧基硅烷、新戊基三正丙氧基硅烷、新戊基三異丙氧基硅烷、新戊基三正丁氧基硅烷、新戊基三仲丁氧基硅烷、新戊基三新丁氧基硅烷、新戊基三苯氧基硅烷、苯基三甲氧基硅烷、苯基三乙氧基硅烷、苯基三正丙氧基硅烷、苯基三異丙氧基硅烷、苯基三正丁氧基硅烷、苯基三仲丁氧基硅烷、苯基三叔丁氧基硅烷、苯基三苯氧基硅烷、δ-三氟丙基三甲氧基硅烷、δ-三氟丙基三乙氧基硅烷、二甲基二甲氧基硅烷、二甲基二乙氧基硅烷、二甲基二正丙氧基硅烷、二甲基二異丙氧基硅烷、二甲基二正丁氧基硅烷、二甲基二仲丁氧基硅烷、二甲基二叔丁氧基硅烷、二甲基二苯氧基硅烷、二乙基二甲氧基硅烷、二乙基二乙氧基硅烷、二乙基二正丙氧基硅烷、二乙基二異丙氧基硅烷、二乙基二正丁氧基硅烷、二乙基二仲丁氧基硅烷、二乙基二叔丁氧基硅烷、二乙基二苯氧基硅烷、二正丙基二甲氧基硅烷、二正丙基二乙氧基硅烷、二正丙基二正丙氧基硅烷、二正丙基二異丙氧基硅烷、二正丙基二正丁氧基硅烷、二正丙基二仲丁氧基硅烷、二正丙基二叔丁氧基硅烷、二正丙基二苯氧基硅烷、二異丙基二甲氧基硅烷、二異丙基二乙氧基硅烷、二異丙基二正丙氧基硅烷、二異丙基二異丙氧基硅烷、二異丙基二正丁氧基硅烷、二異丙基二仲丁氧基硅烷、二異丙基二叔丁氧基硅烷、二異丙基二苯氧基硅烷、二正丁基二甲氧基硅烷、二正丁基二乙氧基硅烷、二正丁基二正丙氧基硅烷、二正丁基二異丙氧基硅烷、二正丁基二正丁氧基硅烷、二正丁基二仲丁氧基硅烷、二正丁基二叔丁氧基硅烷、二正丁基二苯氧基硅烷、二仲丁基二甲氧基硅烷、二仲丁基二乙氧基硅烷、二仲丁基二正丙氧基硅烷、二仲丁基二異丙氧基硅烷、二仲丁基二正丁氧基硅烷、二仲丁基二仲丁氧基硅烷、二仲丁基二叔丁氧基硅烷、二仲丁基二苯氧基硅烷、二叔丁基二甲氧基硅烷、二叔丁基二乙氧基硅烷、二叔丁基二正丙氧基硅烷、二叔丁基二異丙氧基硅烷、二叔丁基二正丁氧基硅烷、二叔丁基二仲丁氧基硅烷、二叔丁基二叔丁氧基硅烷、二叔丁基二苯氧基硅烷、二苯基二甲氧基硅烷、二苯基二乙氧基硅烷、二苯基二正丙氧基硅烷、二苯基二異丙氧基硅烷、二苯基二正丁氧基硅烷、二苯基二仲丁氧基硅烷、二苯基二叔丁氧基硅烷、二苯基二苯氧基硅烷、甲基新戊基二甲氧基硅烷、甲基新戊基二乙氧基硅烷、甲基二甲氧基硅烷、乙基二甲氧基硅烷、正丙基二甲氧基硅烷、異丙基二甲氧基硅烷、正丁基二甲氧基硅烷、仲丁基二甲氧基硅烷、叔丁基二甲氧基硅烷、異丁基二甲氧基硅烷、正戊基二甲氧基硅烷、仲戊基二甲氧基硅烷、叔戊基二甲氧基硅烷、異戊基二甲氧基硅烷、新戊基二甲氧基硅烷、新己基二甲氧基硅烷、環(huán)己基二甲氧基硅烷、苯基基二甲氧基硅烷、甲基二乙氧基硅烷、乙基二乙氧基硅烷、正丙基二乙氧基硅烷、異丙基二乙氧基硅烷、正丁基二乙氧基硅烷、仲丁基二乙氧基硅烷、叔丁基二乙氧基硅烷、異丁基二乙氧基硅烷、正戊基二乙氧基硅烷、仲戊基二乙氧基硅烷、叔戊基二乙氧基硅烷、異戊基二乙氧基硅烷、新戊基二乙氧基硅烷、新己基二乙氧基硅烷、環(huán)己基二乙氧基硅烷、苯基二乙氧基硅烷、三甲氧基甲硅烷、三乙氧基甲硅烷、三正丙氧基甲硅烷、三異丙氧基甲硅烷、三正丁氧基甲硅烷、三仲丁氧基甲硅烷、三叔丁氧基甲硅烷、三苯氧基甲硅烷、烯丙基三甲氧基硅烷、烯丙基三乙氧基硅烷、乙烯基三甲氧基硅烷、乙烯基三乙氧基硅烷、(3-丙烯酰氧基丙基)三甲氧基硅烷、烯丙基三甲氧基硅烷、烯丙基三乙氧基硅烷、乙烯基三甲氧基硅烷、乙烯基三乙氧基硅烷和(3-丙烯酰氧基丙基)三甲氧基硅烷。上述化合物中，優(yōu)選的化合物是甲基三甲氧基硅烷、甲基三乙氧甲硅烷、甲基三正丙氧基硅烷、甲基三異丙氧基硅烷、乙基三甲氧基硅烷、乙基三乙氧基硅烷、二甲基二甲氧基硅烷、二甲基二乙氧基硅烷、二乙基二甲氧基硅烷和二乙基二乙氧基硅烷。
二氧化硅源可以是具有式Si(OR2)4的化合物，其中R2獨(dú)立地表示價(jià)有機(jī)基團(tuán)。由Si(OR2)4表示的化合物的具體實(shí)例包括四甲氧基硅烷、四乙氧基硅烷、四正丙氧基硅烷、四異丙氧基硅烷、四正丁氧基硅烷、四仲丁氧基硅烷、四叔丁氧基硅烷、四乙酸基硅烷和四苯氧基硅烷。其中一些優(yōu)選的化合物可以包括四甲氧基硅烷、四乙氧基硅烷、四正丙氧基硅烷、四異丙氧基硅烷或四苯氧基硅烷。
二氧化硅源可以是具有式R3b(R4O)3-bSi-(R7)-si(OR5)3-cR6c的化合物或其混合物，其中R3和R6獨(dú)立地是氫原子、氟原子或價(jià)有機(jī)基團(tuán)；R4和R5獨(dú)立地是價(jià)有機(jī)基團(tuán)；b和c可以相同或不同，各自是0-2的數(shù)字；R7是氧原子、亞苯基、聯(lián)苯基、萘基或由-(CH2)n-代表的基團(tuán)，其中n是1-6的整數(shù)；或其組合。這些其中R7是氧原子的化合物的具體實(shí)例包括六甲氧基二硅氧烷、六乙氧基二硅氧烷、六苯氧基二硅氧烷、1，1，1，3，3-五甲氧基-3-甲基二硅氧烷、1，1，1，3，3-五乙氧基-3-甲基二硅氧烷、1，1，1，3，3-五甲氧基-3-苯基二硅氧烷、1，1，1，3，3-五乙氧基-3-苯基二硅氧烷、1，1，3，3-四甲氧基-1，3-二甲基二硅氧烷、1，1，3，3-四乙氧基-1，3-二甲基二硅氧烷、1，1，3，3-四甲氧基-1，3-二苯基二硅氧烷、1，1，3，3-四乙氧基-1，3-二苯基二硅氧烷、1，1，3-三甲氧基-1，3，3-三甲基二硅氧烷、1，1，3-三乙氧基-1，3，3-三甲基二硅氧烷、1，1，3-三甲氧基-1，3，3-三苯基二硅氧烷、1，1，3-三乙氧基-1，3，3-三苯基二硅氧烷、1，3-二甲氧基-1，1，3，3-四甲基二硅氧烷、1，3-二乙氧基-1，1，3，3-四甲基二硅氧烷、1，3-二甲氧基-1，1，3，3-四苯基二硅氧烷和1，3-二乙氧基-1，1，3，3-四苯基二硅氧烷。其中優(yōu)選的化合物是六甲氧基二硅氧烷、六乙氧基二硅氧烷、六苯氧基二硅氧烷、1，1，3，3-四甲氧基-1，3-二甲基二硅氧烷、1，1，3，3-四乙氧基-1，3-二甲基二硅氧烷、1，1，3，3-四甲氧基-1，3-二苯基二硅氧烷、1，3-二甲氧基-1，1，3，3-四甲基二硅氧烷、1，3-二乙氧基-1，1，3，3-四甲基二硅氧烷、1，3-二甲氧基-1，1，3，3-四苯基二硅氧烷、1，3-二乙氧基-1，1，3，3-四苯基二硅氧烷。這些其中R7是由-(CH2)n-代表的基團(tuán)的化合物的具體實(shí)例包括雙(三甲氧基甲硅烷基)甲烷、雙(三乙氧基甲硅烷基)甲烷、雙(三苯氧基甲硅烷基)甲烷、雙(二甲氧基甲基甲硅烷基)甲烷、雙(二乙氧基甲基甲硅烷基)甲烷、雙(二甲氧基苯基甲硅烷基)甲烷、雙(二乙氧基苯基甲硅烷基)甲烷、雙(甲氧基二甲基甲硅烷基)甲烷、雙(乙氧基二甲基甲硅烷基)甲烷、雙(甲氧基二苯基甲硅烷基)甲烷、雙(乙氧基二苯基甲硅烷基)甲烷、1，2-雙(三甲氧基甲硅烷基)乙烷、1，2-雙(三乙氧基甲硅烷基)乙烷、1，2-雙(三苯氧基甲硅烷基)乙烷、1，2-雙(二甲氧基甲基甲硅烷基)乙烷、1，2-雙(二乙氧基甲基甲硅烷基)乙烷、1，2-雙(二甲氧基苯基甲硅烷基)乙烷、1，2-雙(二乙氧基苯基甲硅烷基)乙烷、1，2-雙(甲氧基二甲基甲硅烷基)乙烷、1，2-雙(乙氧基二甲基甲硅烷基)乙烷、1，2-雙(甲氧基二苯基甲硅烷基)乙烷、1，2-雙(乙氧基二苯基甲硅烷基)乙烷、1，3-雙(三甲氧基甲硅烷基)丙烷、1，3-雙(三乙氧基甲硅烷基)丙烷、1，3-雙(三苯氧基甲硅烷基)丙烷、1，3-雙(二甲氧基甲基甲硅烷基)丙烷、1，3-雙(二乙氧基甲基甲硅烷基)丙烷、1，3-雙(二甲氧基苯基甲硅烷基)丙烷、1，3-雙(二乙氧基苯基甲硅烷基)丙烷、1，3-雙(甲氧基二甲基甲硅烷基)丙烷、1，3-雙(乙氧基二甲基甲硅烷基)丙烷、1，3-雙(甲氧基二苯基甲硅烷基)丙烷和1，3-雙(乙氧基二苯基甲硅烷基)丙烷。這其中優(yōu)選的化合物為雙(三甲氧基甲硅烷基)甲烷、雙(三乙氧基甲硅烷基)甲烷、雙(二甲氧基甲基甲硅烷基)甲烷、雙(二乙氧基甲基甲硅烷基)甲烷、雙(二甲氧基苯基甲硅烷基)甲烷、雙(二乙氧基苯基甲硅烷基)甲烷、雙(甲氧基二甲基甲硅烷基)甲烷、雙(乙氧基二甲基甲硅烷基)甲烷、雙(甲氧基二苯基甲硅烷基)甲烷和雙(乙氧基二苯基甲硅烷基)甲烷。
本發(fā)明的一些實(shí)施方案中，式RaSi(OR1)4-a中的R1；式Si(OR2)4中的R2；以及式R3b(R4O)3-bSi-(R7)-Si(OR5)3-cR6c中的R4和/或R5可以各自獨(dú)立地是具有下列式的價(jià)有機(jī)基團(tuán)
其中n是0-4范圍內(nèi)的整數(shù)。這些化合物的具體實(shí)例包括四乙酸基硅烷、甲基三乙酸基硅烷、乙基三乙酸基硅烷、正丙基三乙酸基硅烷、異丙基三乙酸基硅烷、正丁基三乙酸基硅烷、仲丁基三乙酸基硅烷、叔丁基三乙酸基硅烷、異丁基三乙酸基硅烷、正戊基三乙酸基硅烷、仲戊基三乙酸基硅烷、叔戊基三乙酸基硅烷、異戊基三乙酸基硅烷、新戊基三乙酸基硅烷、苯基三乙酸基硅烷、二甲基二乙酸基硅烷、二乙基二乙酸基硅烷、二正丙基二乙酸基硅烷、二異丙基二乙酸基硅烷、二正丁基二乙酸基硅烷、二仲丁基二乙酸基硅烷、二叔丁基基二乙酸基硅烷、二苯基二乙酸基硅烷、三乙酸基硅烷。這些化合物中，四乙酸基硅烷和甲基三乙酸基硅烷是優(yōu)選的。
至少一種二氧化硅源的其它實(shí)例可以包括氟代硅烷或氟代硅氧烷，例如在美國(guó)專利6,258,407中提供的那些。
至少一種二氧化硅源的另一實(shí)例可以包括在消除時(shí)產(chǎn)生Si-H鍵的化合物。
至少一種二氧化硅源更進(jìn)一步實(shí)例可以在非水解的化學(xué)方法描述中找到，例如，參考Hay等“通過(guò)非水解的溶膠-凝膠方法合成有機(jī)-無(wú)機(jī)混合物”，Chem.Mater.，13，3396-3403(2001)或Hay等“通過(guò)非水解的溶膠-凝膠方法有機(jī)改性二氧化硅和多孔二氧化硅的多種途徑”，J.Mater.Chem.，10，1811-1818(2000)。
二氧化硅源的還有的其它實(shí)例包括倍半硅氧烷如氫倍半硅氧烷(HSQ，HSiO1.5)和甲基倍半硅氧烷(MSQ，RSiO1.5，其中R是甲基)。
在一些實(shí)施方案中，至少一種二氧化硅源可以優(yōu)選具有至少一個(gè)鍵合到硅原子上的羧酸酯。這些二氧化硅源的實(shí)例包括四乙酸基硅烷、甲基三乙酸基硅烷、乙基三乙酸基硅烷和苯基三乙酸基硅烷。除了至少一種二氧化硅源(此處的二氧化硅源具有至少一個(gè)其上連接有羧酸酯基的Si原子)外，該組合物可以進(jìn)一步包括其他的不一定具有鍵合于硅原子上的羧酸酯基的二氧化硅源。
在一些實(shí)施方案中，親水性和疏水性的二氧化硅源可以結(jié)合用于該組合物中。在此使用的術(shù)語(yǔ)“親水性”是指其硅原子可以通過(guò)至少四個(gè)鍵交聯(lián)的化合物。在這些實(shí)施方案中，疏水性二氧化硅源對(duì)二氧化硅源總量的比例大于約0.2摩爾比或?yàn)?.2-0.8摩爾比。親水性源的一些實(shí)例包括具有烷氧基官能團(tuán)并能至少部分交聯(lián)的烷氧基硅烷，即具有四個(gè)甲氧基、乙氧基、丙氧基、乙酸基等基團(tuán)的硅原子，或在硅原子和在硅原子上的所有其它官能團(tuán)之間具有碳或氧鍵的烷氧基化合物物料。如果硅原子不完全交聯(lián)，殘余的Si-OH基可以作為吸水端基存在。術(shù)語(yǔ)“疏水性”是指其中至少一個(gè)烷氧基官能團(tuán)已經(jīng)被Si-C或Si-F端鍵即硅-甲基、硅-乙基、硅-苯基、硅-環(huán)己基等水解后不會(huì)產(chǎn)生羥基的基團(tuán)取代的化合物。在這些源中，如果端基保持原樣，由于Si-OH基的水解和縮合，即使在完全交聯(lián)時(shí)，硅的交聯(lián)也將小于四個(gè)橋連。在一些實(shí)施方案中，疏水性二氧化硅源包含與硅原子連接的甲基。
在此公開(kāi)的成膜組合物包括至少一種溶劑?？捎糜谠摮赡そM合物的至少一種溶劑的示例可以是醇類溶劑、酮類溶劑、酰胺溶劑或酯系溶劑。該溶劑也可以含有羥基、羰基或酯官能團(tuán)。在一些實(shí)施方案中，溶劑含有一個(gè)或多個(gè)羥基或酯官能團(tuán)，例如具有下列通式的那些溶劑HO-CHR8-CHR9-CH2-CHR10R11，其中R8、R9、R10和R11可以獨(dú)立地是含1至4個(gè)碳原子的烷基或氫原子；R12-CO-R13，其中R12是含3至6個(gè)碳原子的烴基，R13是含1-3個(gè)碳原子的烴基；及其混合物。其它的溶劑示例包括含4-6個(gè)碳原子的醇類異構(gòu)體；含4-8個(gè)碳原子的酮類異構(gòu)體；線性的或支鏈烴乙酸酯，其中該烴類含4-6個(gè)碳原子；乙二醇或丙二醇醚；乙二醇或丙二醇醚乙酸酯。其它能使用的溶劑包括1-戊醇、2-戊醇、2-甲基-1-丁醇、2-甲基-1-戊醇、2-乙氧基乙醇、2-丙氧基乙醇、1-丙氧基2-丙醇、2-庚酮、4-庚酮、1-叔丁氧基-2-乙氧基乙醇、2-甲氧基乙基乙酸酯、丙二醇單甲醚乙酸酯、乙酸戊酯、1-叔丁氧基-2-丙醇、2，3-二甲基-3-戊醇、1-甲氧基-2-丁醇、4-甲基-2-戊醇、1-叔丁氧基-2-甲氧基乙烷、3-甲基-1-丁醇、2-甲基-1-丁醇、2-甲氧基乙醇、3-甲基-2-戊醇、1，2-二乙氧基乙烷、1-甲氧基-2-丙醇、1-丁醇、3-甲基-2-丁醇、5-甲基-2-己醇。溶劑的更進(jìn)一步的示例包括乳酸酯、丙酮酸酯和二醇。以上枚舉的溶劑可以單獨(dú)使用或兩種或更多種溶劑組合使用。
在一些實(shí)施方案中，成膜組合物包含生孔劑。在此使用的“生孔劑”是用于在所得薄膜內(nèi)形成空隙容積的試劑。在本發(fā)明介電材料中使用的合適生孔劑包括不穩(wěn)定的有機(jī)基團(tuán)、溶劑、可分解的聚合物、表面活性劑、樹(shù)枝狀聚合物、超支化聚合物、聚氧化烯化合物、有機(jī)大分子或其組合。合適生孔劑的進(jìn)一步實(shí)例包括在待審專利申請(qǐng)Attorney Docket 06274P2中描述的那些生孔劑，其權(quán)利轉(zhuǎn)讓給本發(fā)明的受讓人。
在本發(fā)明的一些實(shí)施方案中，生孔劑可以包括不穩(wěn)定的有機(jī)基團(tuán)。當(dāng)一些不穩(wěn)定的有機(jī)基團(tuán)存在于該組合物中時(shí)，不穩(wěn)定的有機(jī)基團(tuán)可以包含足夠的氧以在固化步驟中轉(zhuǎn)化成氣體產(chǎn)物。包含不穩(wěn)定有機(jī)基團(tuán)的化合物的一些實(shí)例包括在美國(guó)專利6,171,945中公開(kāi)的化合物，其在此全部引作參考。
在本發(fā)明的一些實(shí)施方案中，生孔劑可以是高沸點(diǎn)溶劑。在這一點(diǎn)上，該溶劑一般存在于基質(zhì)物料交聯(lián)的至少一部分過(guò)程中。典型地用于幫助孔隙形成的溶劑具有相對(duì)較高的沸點(diǎn)，即大于170℃或大于200℃。適于在本發(fā)明組合物內(nèi)用作生孔劑的溶劑包括那些例如由美國(guó)專利6,231,989提供的溶劑。
在一些實(shí)施方案中，生孔劑可以是小分子，例如參考Zheng等“用羥基乙酸衍生物作模板通過(guò)溶膠-凝膠方法合成中孔二氧化硅材料”，J.Inorg.Organomet.Polymers，10，103-113(2000)中的描述，或季胺鹽如四丁銨硝酸鹽。
生孔劑也可以是可分解的聚合物?？煞纸獾木酆衔锟梢允禽椛淇煞纸?，或更優(yōu)選為熱可分解。除非明確表示相反的意思，在此使用術(shù)語(yǔ)“聚合物”也包含術(shù)語(yǔ)低聚物和/或共聚物。輻射可分解的聚合物是暴露于輻射如紫外線、X-射線、電子束等發(fā)生分解的聚合物。熱可分解的聚合物在高達(dá)二氧化硅源材料的縮合溫度的溫度下進(jìn)行熱分解，并存在于至少部分交聯(lián)的過(guò)程中。這種聚合物是可以促進(jìn)玻璃化反應(yīng)成模，可以控制和限定孔徑大小，和/或在加工中在合適的時(shí)間分解并擴(kuò)散到基質(zhì)外的那些。這些聚合物的實(shí)例包括具有三維立體結(jié)構(gòu)的聚合物，如嵌段共聚物，即二嵌段、三嵌段和多嵌段共聚物；星嵌段共聚物；放射狀二嵌段共聚物；接枝二嵌段共聚物；共接枝共聚物；樹(shù)枝狀接枝共聚物；遞變嵌段共聚物和這些結(jié)構(gòu)的組合，但不局限于此?？山到饩酆衔锏倪M(jìn)一步實(shí)例可以在美國(guó)專利6,204,202中發(fā)現(xiàn)，其在此全部引作參考。
生孔劑可以是超支化或樹(shù)枝聚合物。超支化和枝狀聚合物一般具有低的溶液和熔體粘度、因表面官能團(tuán)而具有的高化學(xué)反應(yīng)性以及即使在更高分子量時(shí)的增溶性。合適的可分解超支化聚合物和樹(shù)枝聚合物的一些非限定性實(shí)例提供于“Comprehensive Polymer Science”，第二增刊，Aggarwal，71-132頁(yè)(1996)，其在此全部引作參考。
成膜組合物內(nèi)的生孔劑也可以是聚氧化烯化合物，如聚氧化烯非離子型表面活性劑、聚氧化烯聚合物、聚氧化烯共聚物、聚氧化烯低聚物或其組合。其具體實(shí)例包括C2-C6烷基部分的聚氧化烯，如聚氧化乙烯、聚氧化丙烯及其共聚物。
生孔劑也可以包括表面活性劑。對(duì)于二氧化硅溶膠凝膠基薄膜，其多孔性可通過(guò)加入隨后將被除去的表面活性劑引入，改變表面活性劑的量可以改變孔隙率。典型的表面活性劑顯示兩親性，意味著它們可以同時(shí)是親水的和疏水的。兩親型表面活性劑具有親水端基或基團(tuán)，其對(duì)水具有強(qiáng)烈的親合力，以及親有機(jī)質(zhì)的和排斥水的長(zhǎng)疏水尾端。表面活性劑可以是陰離子、陽(yáng)離子、非離子的或兩性的。表面活性劑另外的類別包括硅樹(shù)脂表面活性劑、聚(氧化烯)表面活性劑和含氟化合物表面活性劑。但是，對(duì)用于IC應(yīng)用的介電層形成而言，一般優(yōu)選非離子型表面活性劑。在該組合物中使用的合適的表面活性劑包括，但不局限于，辛基和壬基酚乙氧基化合物，如TRITONX-114、X-102、X-45、X-15；脂肪醇乙氧基化合物，如BRIJ56(C16H33(OCH2CH2)10OH)(ICI)、BRIJ58(C16H33(OCH2CH2)20OH)(ICI)和炔的二醇，如SURFYNOLS465和485(AirProducts and chemicals公司)。表面活性劑進(jìn)一步包括聚合物，如三嵌段EO-PO-EO共聚物PLURONICL121、L123、L31、L81、L101和P123(BASF公司)。表面活性劑更進(jìn)一步的示例包括醇類(伯和仲)乙氧基化合物、胺乙氧基化合物、葡糖苷、葡糖酰胺、聚乙二醇、聚(乙二醇-共-丙二醇)或其它表面活性劑，可以參考由Glen Rock，N.J.的Manufacturers Confectioners Publishing公司于2000年出版的北美版，McCutcheon’s Emulsifiers and Detergents。
參考圖1的步驟30，成膜組合物沉積到基片上以提供涂覆基片。在此使用的術(shù)語(yǔ)基片是任何在本發(fā)明的電介質(zhì)膜被用于和/或形成于那些組合物上之前形成的合適的組合物?？梢耘c本發(fā)明一起使用的合適的基片包括，但不局限于，半導(dǎo)體材料如砷化鎵(“GaAs”)、硅、和包含硅(如晶體硅、多晶硅、非晶硅、外延硅、二氧化硅(″SiO2″)及其混合物)的組合物。其它合適的基片包括鉻、鉬及通常用于半導(dǎo)體、集成電路、平板顯示器和柔性顯示器應(yīng)用的其它金屬。該組合物可以通過(guò)各種方法沉積到基片上，方法包括但不限于浸漬、輥、刷、噴射、擠壓、旋涂沉積、印刷及其組合。用于步驟30的沉積方法的進(jìn)一步示例包括振動(dòng)非接觸性感應(yīng)鋪展力、重力-感應(yīng)鋪展力、潤(rùn)濕-感應(yīng)鋪展力、縫口擠塑及其組合。
在一個(gè)特別的實(shí)施方案中，步驟30是使用旋涂沉積法進(jìn)行的。簡(jiǎn)言之，該成膜組合物分配到基片上，并且蒸發(fā)其中包含的溶劑以形成涂覆基片。進(jìn)一步地，使用離心力以確保該組合物均勻地沉積到基片上。在這些實(shí)施方案中，旋涂沉積裝置或沉積裝置結(jié)構(gòu)可以是密閉的、半密閉的或開(kāi)口的旋涂碗式結(jié)構(gòu)。在密閉的旋涂碗式結(jié)構(gòu)中，在旋轉(zhuǎn)室上有一個(gè)蓋子，在涂布、變薄和干燥薄膜過(guò)程中使旋轉(zhuǎn)室保持密閉。像密閉的旋涂碗式結(jié)構(gòu)一樣，半密閉式碗也具有蓋或壓板，它們?cè)谡麄€(gè)薄膜形成過(guò)程中可以調(diào)節(jié)，而在分配和薄膜形成過(guò)程中便于該薄膜暴露在環(huán)境條件中。蓋或壓板的調(diào)節(jié)能控制湍流和溶劑的蒸發(fā)過(guò)程，隨著溶劑離開(kāi)薄膜，使得該薄膜的形成過(guò)程得到出色的控制。在開(kāi)口旋涂碗式結(jié)構(gòu)中，在加工用具上不存在蓋子。
在這里描述的方法的一些實(shí)施方案中，在進(jìn)行步驟40和50，即涂布和勻涂步驟時(shí)，該組合物是涂布到基片上，然后勻涂以提供基本均勻的涂層。在涂覆基片形成后，于步驟60中，例如，可以干燥涂覆基片，以便，例如，使二氧化硅源的水解基本完成，并繼續(xù)交聯(lián)過(guò)程和/或從該薄膜中除去殘留溶劑，如果存在的話。
參考圖1，進(jìn)行處理步驟70以除去基片頂部邊緣的殘留物。合適的去除溶劑實(shí)例包括具有下式的化合物R14COR15CO2R16，其中R14和R15各自獨(dú)立地是含1至6個(gè)碳原子的烴基，R16是含1至4個(gè)碳原子的烴基；R173CCO2-R18，其中R17獨(dú)立地是氫原子、含1至4個(gè)碳原子的烷氧基，或含1至4碳原子的烴基，并且R18是含1至8個(gè)碳原子的烴基、烷基醚基-(CH2)n-O-R19，其中R19是含1至4個(gè)碳原子的烷基，n是1至4的數(shù)字；或烷撐二醇烷基醚，其中烷撐二醇含2至4個(gè)碳原子，且烷基含1至5個(gè)碳原子。在上式中，術(shù)語(yǔ)“烴基”指僅含碳和氫原子的基團(tuán)；可以是直鏈、支鏈或環(huán)鏈；可以是飽和或不飽和的。去除溶劑的具體實(shí)例包括乙酰乙酸乙酯、乙酰乙酸甲酯、乙酰乙酸烯丙酯、乙酰乙酸叔丁酯、苯甲酸甲酯、丙酸酐、3-乙氧基丙酸乙酯、乙酸2-丁氧基乙酯、乙酸己酯、碳酸二正丙酯及其混合物。合適的去除溶劑進(jìn)一步實(shí)例包括苯乙酮、芐胺、糠醛、二甘醇二甲醚和四甲脲。
在一些實(shí)施方案中，去除溶劑不同于成膜組合物中的至少一種溶劑。但是，在可供選擇的實(shí)施方案中，去除溶劑可以和成膜組合物中使用的溶劑相同，例如在此公開(kāi)的任何溶劑。
與在該成膜組合物內(nèi)的至少一種溶劑一樣，沸點(diǎn)、表面張力、溶解度參數(shù)和粘度可以影響去除溶劑的性能。表1說(shuō)明特定的去除溶劑可以有效地除去含硅殘留物。更優(yōu)選該去除溶劑顯示一種或多種下列特性具有足夠高的沸點(diǎn)以最大化該薄膜與溶劑相互作用的時(shí)間，并且沸點(diǎn)足夠低以在該過(guò)程結(jié)束時(shí)蒸發(fā)；具有足夠的表面張力和粘度以滯留在基片邊緣但不擴(kuò)散到該薄膜內(nèi)而導(dǎo)致凸起；應(yīng)該能有效地溶解含硅殘留物；除去涂覆基片邊緣的物質(zhì)，沒(méi)有殘留物殘留(基片邊緣清潔)；除去該薄膜的整個(gè)厚度(硅酸鹽聚合物的溶解度)；制備鋒利的、形狀合適的薄膜邊緣；和/或不引起留在基片上的薄膜溶脹。如果處理步驟70結(jié)果導(dǎo)致該薄膜的表面平整性改變或邊緣輪廓不鋒利，很可能出現(xiàn)，后續(xù)加工步驟如化學(xué)機(jī)械平面化(CMP)可以使介電層分層或碟型化。在一些實(shí)施方案中，去除溶劑不含有羥基官能團(tuán)。在其它實(shí)施方案中，去除溶劑在120℃至250℃或在150℃至250℃下沸騰。在再其它的實(shí)施方案中，去除溶劑的粘度可以是2.5厘泊或更低(cP)。在另一實(shí)施方案中，去除溶劑的表面張力是22達(dá)因/厘米或更大。在再進(jìn)一步的實(shí)施方案中，去除溶劑的溶解度參數(shù)是17(J/cm3)1/2或更大。
表I作為示范的去除溶劑及其性質(zhì)

(1)二甘醇二甲醚(2)乙二醇醚EB乙酸酯，Eastman EB乙酸酯。
n/a＝性質(zhì)不能被發(fā)現(xiàn)在一個(gè)特定的實(shí)施方案中，如果使用離心力進(jìn)行干燥步驟60，則在干燥步驟60后立即進(jìn)行處理步驟70。在這個(gè)實(shí)施方案中，可以使涂覆基片自其初始干燥周期減速，使得在處理步驟70的至少一部分過(guò)程中涂覆基片在500至3000rpm速率范圍旋轉(zhuǎn)。去除溶劑可以通過(guò)如壓力驅(qū)動(dòng)噴嘴分配到涂覆基片上。該噴嘴可以是例如軟管、管道或孔。在噴嘴用于分配的實(shí)施方案中，具有各種不同幾何形狀橫截面(即圓形、正方形、卵形等)的噴嘴內(nèi)徑是0.7mm或更小。噴嘴朝涂覆基片上表面的角度為70°或更小。噴嘴朝基片邊緣的角度是120°或更小。施加于基片邊緣的去除溶劑可持續(xù)一段時(shí)間，如1-180秒，以形成薄膜邊緣和清洗基片外部。
在處理步驟70完成時(shí)，在步驟80中干燥基片，從處理后的基片上除去去除溶劑。在一些實(shí)施方案中，干燥步驟80使用離心力來(lái)進(jìn)行。在這些實(shí)施方案中，可以加速基片以除去去除溶劑并完成干燥該薄膜。
在一些實(shí)施方案中，基片背部側(cè)也可以用去除溶劑處理。在可選步驟90和可選步驟100中，基片的背部表面可以用去除溶劑處理并干燥，以分別從處理過(guò)的基片的背部表面或下面除去任何殘留物。步驟90可以在除去上部邊緣卷邊的至少一部分過(guò)程中(即步驟70)或在上部邊緣卷邊除去完成之后進(jìn)行。在背部表面上的殘留物可以包含硅、光致抗蝕劑或其它物料。在一些優(yōu)選實(shí)施方案中，步驟90和100可利用與步驟70和80一樣的方式實(shí)施。這些用于步驟90的溶劑可以是去除溶劑、來(lái)自于成膜組合物的溶劑、或任何能夠從基片背側(cè)除去殘留物的溶劑。溶劑的選擇可以根據(jù)要除去的殘留物來(lái)改變。在一些實(shí)施方案中，用于清洗背部側(cè)面的去除溶劑應(yīng)對(duì)該薄膜具有足夠的溶解度參數(shù)，優(yōu)選25(J/cm3)1/2或更小，并且沸點(diǎn)為250℃或更小。
如早些描述的一樣，在去除步驟70中必須除去如涂覆基片頂面外邊的殘留物，以使基片的另外的處理不會(huì)導(dǎo)致破壞該薄膜或產(chǎn)生任何額外的顆粒。當(dāng)去除溶劑作為液流噴到邊緣上時(shí)，優(yōu)選壓力或機(jī)械驅(qū)動(dòng)的方式，應(yīng)在從基片表面的該薄膜的化學(xué)和機(jī)械除去之間建立平衡，以產(chǎn)生可接受的薄膜邊緣輪廓。例如，如果機(jī)械除去該薄膜很快發(fā)生而薄膜沒(méi)有充分溶解于去除溶劑中，那末該薄膜邊緣粗糙或者溶于溶劑的物料會(huì)再沉積到在該薄膜邊緣上，留下殘留物和粗糙的表面。任何殘留物或邊緣缺陷會(huì)導(dǎo)致該薄膜堆積和設(shè)備故障方面的缺陷。與步驟70相反，在一些實(shí)施方案中，步驟90或除去背部表面的殘留物比邊緣輪廓更重要。在該步驟中，殘留物在溶劑中的溶解性對(duì)于提供干凈的背部表面是必不可少的條件。
在步驟120中，在加工中使用的沉積裝置也要用去除溶劑處理以從設(shè)備的底部和側(cè)面除去由加工引起任何殘留物。沉積裝置的處理可以減少在設(shè)備內(nèi)表面上含硅及其他工藝殘留物的累積，從而減少在以后基片加工過(guò)程中產(chǎn)生顆粒的潛在因素。根據(jù)裝配線的需要，步驟120可以在各單獨(dú)基片加工之后進(jìn)行或在許多基片加工之后進(jìn)行。用于處理沉積裝置的溶劑應(yīng)該顯示出下面一個(gè)或更多個(gè)特征能充分除去其上沉積的殘留物如成膜組合物；具有的總?cè)芙舛葏?shù)為25(J/cm3)1/2或更??；和/或蒸發(fā)很快，具有的沸點(diǎn)為250℃或更低，以便在沉積裝置中的溶劑蒸氣最少。如果在沉積裝置中留有較大的溶劑蒸氣壓，在沉積裝置中沉積到基片上的薄膜可能受溶劑氣氛的影響，從而改變成膜組合物的蒸發(fā)性能?？梢韵嘈旁撟兓瘯?huì)造成不一致的薄膜厚度、均勻度、介電常數(shù)和基片內(nèi)部模量以及不可接受的后續(xù)基片之間薄膜與薄膜的變異。
然后在步驟130中，在低于300℃的一個(gè)或多個(gè)溫度下烘烤處理的基片。特定的溫度和持續(xù)時(shí)間根據(jù)組合物內(nèi)的成分、基片和所要求的孔隙體積而改變。在一些實(shí)施方案中，固化步驟在兩個(gè)或更多溫度下進(jìn)行而不是受控直線上升或保溫。第一個(gè)溫度，典型地為低于300℃，可以用來(lái)從物料或薄膜中除去水和/或溶劑，并進(jìn)一步進(jìn)行交聯(lián)反應(yīng)。第二個(gè)溫度可以用來(lái)除去生孔劑和基本上而不一定完全使物料交聯(lián)。烘烤步驟130優(yōu)選通過(guò)加熱法如加熱板、烘箱、加熱爐等來(lái)進(jìn)行。對(duì)于加熱法，烘烤步驟130可以在控制條件下，比如使用氮、惰性氣體、空氣或其他的N2/O2混合物(0-21％的O2)的大氣壓力下、在真空下或在具有控制氧濃度的減壓下進(jìn)行。
在烘烤步驟130完成后，在步驟140中固化處理過(guò)的基片。在一些實(shí)施方案中，通過(guò)將處理過(guò)的基片加熱到一個(gè)或多個(gè)在約250至約450℃的溫度范圍，或更優(yōu)選約400℃或更低的溫度進(jìn)行固化步驟140。固化步驟140可以進(jìn)行約30分鐘或更短時(shí)間，或約15分鐘或更短，或約6分鐘或更短。換句話說(shuō)，固化步驟140可以通過(guò)電子束、臭氧、等離子體、X射線、紫外線或其他方式進(jìn)行。固化條件比如時(shí)間、溫度和氛圍可以依據(jù)所選方法改變。在一些實(shí)施方案中，固化步驟140通過(guò)加熱法在空氣、氮、或惰性氣氛中、在真空下、或在具有10％或更低的氧濃度的減壓下進(jìn)行。
在可選步驟150中，基片可以進(jìn)一步進(jìn)行二次固化步驟比如后固化電子束、紫外線、X射線或其他處理。與比如在美國(guó)專利6,329,017中描述的化學(xué)后處理不同，該處理，例如，可增加材料的機(jī)械整體性或可通過(guò)減少羥基從而減少可能的吸水位置降低介電常數(shù)。
實(shí)施例在下列實(shí)施例中，除非另有說(shuō)明，試樣薄膜被旋到低電阻(0.01Ωcm)單晶硅基片上并加熱到400℃，由該試樣薄膜獲取性能。對(duì)于厚度值，通過(guò)輪廓曲線測(cè)定法測(cè)定的模擬厚度和實(shí)際薄膜厚值之間的誤差通常小于2％。200和300mm的基片均勻度是使用標(biāo)準(zhǔn)49點(diǎn)基片圖譜在Rudolph Model #Focus FeIV-D分光鏡橢偏儀上進(jìn)行測(cè)定的。
使用威廉米懸片法在Kruss Digital Tensiometer # K10ST上測(cè)量表面張力。將一個(gè)垂直的、典型的由鉑制備的周長(zhǎng)已知的平板與天平相連，當(dāng)平板降低進(jìn)入成膜組合物中時(shí)，用數(shù)字張力計(jì)測(cè)量因濕潤(rùn)而導(dǎo)致的力。
使用德克薩斯儀器公司的SR5受控應(yīng)力流變儀進(jìn)行粘度測(cè)量。所有測(cè)量在25℃下進(jìn)行；使用Peltier加熱器控制溫度。使用40毫米的平行板夾具。使用一次性吸移管將樣品加到底板上；板隙為標(biāo)稱的0.3毫米。在對(duì)數(shù)尺上五個(gè)均勻的間隔點(diǎn)上施加剪切應(yīng)力以獲得在100和1000秒1范圍的剪切速率。各點(diǎn)處使用的凝固時(shí)間和測(cè)量時(shí)間分別為45秒和15秒。
在Tencor P-2斷面儀上測(cè)量表面糙度和邊緣輪廓。為了確定表面糙度，將基片放置到具有從邊緣向里掃描約10mm面積的樣品座上。掃描長(zhǎng)度是1毫米和以每40微米取樣。在開(kāi)始掃描時(shí)，在5微米端頭上施加2mg的力。為了確定邊緣輪廓、凸起和殘留物除去工藝的清潔度，特別是在邊緣卷邊上的，開(kāi)始對(duì)基片表面掃描并移動(dòng)至去除溶劑處理過(guò)的基片區(qū)域(典型地從該薄膜邊緣開(kāi)始掃描150至200微米)。繼續(xù)掃描遍及邊緣并至平膜表面上，直到掃描完成。然后根據(jù)掃描確定邊緣的形狀、凸起的高度和薄膜厚度。
用于除去邊緣卷邊的溶劑的比較用于顯示此處公開(kāi)的本發(fā)明方法和去除溶劑效果的薄膜約3000厚，介電常數(shù)為2.2。該成膜組合物是以下列方式制備的。將包含22.5g的四乙氧基甲硅烷(TEOS)、22.5g的甲基三乙氧甲硅烷(MTES)、140g的丙二醇單丙醚(PGPE)和9.7g的辛基苯酚乙氧基化合物或商品名為T(mén)riton X-114的表面活性劑的第一溶液，即溶液A在一個(gè)瓶子內(nèi)混合在一起。在一個(gè)單獨(dú)的瓶子里，將24g 0.1M的HNO3和1g 2.4wt％的氫氧化四甲銨水溶液(TMAH)混合在一起，以提供溶液B。在連續(xù)攪拌下，將溶液B加入溶液A中。最終組合物在周?chē)h(huán)境條件下靜置陳化16-24小時(shí)。
利用類似于待審美國(guó)公開(kāi)申請(qǐng)2004-0048960中所述的方法，將該成膜組合物內(nèi)和該薄膜加工步驟中的所有組分，包括用于除去含硅殘留物或邊緣卷邊的溶劑，純化到小于百萬(wàn)分之一的堿金屬含量，該申請(qǐng)?jiān)诖艘鲄⒖疾⑥D(zhuǎn)讓權(quán)利給本申請(qǐng)受讓人。除非另有說(shuō)明，在開(kāi)放旋涂碗式結(jié)構(gòu)中用于將該薄膜沉積至200和300毫米基片上的旋涂條件如下所示。該基片以2000rpm的轉(zhuǎn)速旋轉(zhuǎn)15秒(5000rpm/s的加速度變化率)；將成膜組合物開(kāi)始以500rpm的轉(zhuǎn)速經(jīng)8秒時(shí)間分配到基片上(1000rpm/s的加速度變化率，分配溶液)，然后以2000rpm的轉(zhuǎn)速經(jīng)6秒時(shí)間分布組合物到基片上(30000rpm/s的加速度變化率，涂布)；然后在第一干燥步驟中以1200rpm的轉(zhuǎn)速旋轉(zhuǎn)涂覆基片15秒(3000rpm/s加速度變化率，干燥1)和在第二干燥步驟中以1800rpm的轉(zhuǎn)速旋轉(zhuǎn)10秒(30000rpm/s的加速度變化率，干燥2)。
或者用0.51毫米(mm)內(nèi)徑(ID)的、使用在15psig下增壓的去除溶劑的噴嘴，或者用0.61mm內(nèi)徑的噴嘴，以流速60ml/min、距離基片邊緣4-5mm進(jìn)行頂部處理步驟或頂部EBR，持續(xù)9秒，此后在下一個(gè)4秒(總暴露時(shí)間為13s)將噴嘴移到基片邊緣。用于執(zhí)行頂部EBR的去除溶劑的特性、每種溶劑的總?cè)芙舛葏?shù)、表面張力、沸點(diǎn)(BP)、蒸氣壓和粘度提供于表I中。噴嘴對(duì)基片表面的取向?yàn)?0°角，對(duì)基片邊緣為90℃。將溶劑分配到涂覆基片上，并以1200rpm的轉(zhuǎn)速旋轉(zhuǎn)15秒(3000rpm/s的加速度變化率，除去頂部邊緣卷邊)，然后以2000rpm的轉(zhuǎn)速旋轉(zhuǎn)10秒進(jìn)行干燥(1000rpm/s的加速度變化率，最后干燥)，以提供處理過(guò)的基片。一旦完成最后干燥，在烘烤或固化之前不再將另外的溶劑分配到處理過(guò)的基片上，即在任何烘烤或固化步驟之前完成EBR。在該薄膜沉積、勻涂和干燥之后，在空氣中90℃下焙烘該薄膜90秒，180℃下焙烘90秒，并且在400℃下焙烘180秒，以獲得完全固化的、光學(xué)性能、低介電常數(shù)、沒(méi)有條紋的薄膜。
在加工該基片后，由輪廓曲線測(cè)定法和光學(xué)照相術(shù)檢查基片的邊緣，以核對(duì)基片的邊緣清潔度(稱為“邊緣效應(yīng)”)，并確定該薄膜表面平整度是否存在任何變化(稱為“凸起”)。該檢查的結(jié)果提供于表II中。表II說(shuō)明僅一種溶劑，即實(shí)施例1中的乙酰乙酸乙酯，提供了干凈的基片邊緣且不影響該薄膜的表面平整度。表II的結(jié)果證明，有效的去除溶劑至少具有下列一個(gè)參數(shù)小于0.1psia的蒸氣壓；酯官能團(tuán)；粘度為2.5cP或更低；沸點(diǎn)為120℃或更大；總?cè)芙舛葏?shù)(δ)為17(J/cm3)1/2或更大；表面張力(γ)為22達(dá)因/厘米或更大。
表II不同的去除溶劑使用相同工藝條件去除殘留物的效果

改變EBR工藝參數(shù)的效果除去含硅邊緣卷邊或其他殘留物的工藝也可以受工藝參數(shù)的影響。使用實(shí)施例1的去除溶劑即乙酰乙酸乙酯，在200和300mm基片上，對(duì)3000厚具有2.2的介電常數(shù)的薄膜，進(jìn)行邊緣卷邊研究。以與實(shí)施例1和比較例2-6所述的相同方式的制備該薄膜。
采用改變的工藝參數(shù)進(jìn)行EBR去除工藝，比如距測(cè)試基片1，2，3mm的噴嘴高度；溶劑分配噴嘴的攻角為30°、45°和60°；扭轉(zhuǎn)角(對(duì)于基片的旋轉(zhuǎn)角)為60°、90°和120°；在EBR除去后的薄膜干燥時(shí)間為30、40和50s；EBR分配時(shí)間為5、10和15s；EBR壓力為5、10和15psi；噴嘴端部尺寸為0.3、0.4和0.5mm。使用7-factor Box Behnken設(shè)計(jì)分析結(jié)果并提供于表III中。對(duì)于每個(gè)測(cè)試基片目測(cè)觀察邊緣，并分為1至5等，5為“潔凈的”或具有清潔的邊緣。按埃()計(jì)量凸起高度。Behnken設(shè)計(jì)用來(lái)實(shí)驗(yàn)鑒別哪個(gè)因素對(duì)預(yù)期結(jié)果影響最大。進(jìn)一步地，用于實(shí)驗(yàn)的Behnken設(shè)計(jì)也確定是否與其他因素有關(guān)。
表III的結(jié)果指出，對(duì)處理和除去殘留物最重要的工藝變量是噴嘴尺寸。相對(duì)較大的噴嘴尺寸提供更好結(jié)果。進(jìn)一步地，噴射去除溶劑的壓力更高和/或處理時(shí)間更長(zhǎng)也提供更好的結(jié)果。
表III


權(quán)利要求
1.一種用于從涂覆基片的至少一部分和/或沉積裝置除去含硅殘留物的方法，該方法包括用去除溶劑處理涂覆基片和/或沉積裝置，該溶劑的沸點(diǎn)在120℃-250℃范圍內(nèi)，并且具有2.5厘泊或更低的粘度。
2.如權(quán)利要求1所述的方法，其中去除溶劑具有22達(dá)因/厘米或更大的表面張力。
3.如權(quán)利要求1所述的方法，其中去除溶劑具有17(J/cm3)1/2或更大的總?cè)芙舛葏?shù)。
4.如權(quán)利要求1所述的方法，其中去除溶劑的沸點(diǎn)在150℃至250℃的溫度范圍內(nèi)。
5.如權(quán)利要求1所述的方法，其中去除溶劑包含具有以下式的化合物R14COR15CO2R16，其中R14和R15各自獨(dú)立地是含1-6個(gè)碳原子的烴基，R16是含1-4個(gè)碳原子的烴基。
6.如權(quán)利要求5所述的方法，其中所述化合物至少一種選自乙酰乙酸乙酯、乙酰乙酸甲酯、乙酰乙酸烯丙酯、乙酰乙酸叔丁酯、乙基-3-乙氧基丙酸酯和乙酸2-丁氧基乙酯。
7.如權(quán)利要求6所述的方法，其中所述化合物是乙酰乙酸乙酯。
8.如權(quán)利要求1所述的方法，其中去除溶劑包含具有以下式的化合物R173CCO2-R18，其中R17獨(dú)立地是H原子、含1-4個(gè)碳原子的烷氧基或含1-4個(gè)碳原子的烴基，并且R18是含1-8個(gè)碳原子的烴基、烷基醚基-(CH2)n-O-R19，其中R19是含1-4個(gè)碳原子的烷基，n是1-4的數(shù)字，或烷撐二醇烷基醚，其中烷撐二醇含2-4個(gè)碳原子，且烷基含1-5個(gè)碳原子。
9.如權(quán)利要求8所述的方法，其中該化合物至少一種選自碳酸二正丙酯和乙酸己酯。
10.如權(quán)利要求1所述的方法，其中該化合物至少一種選自苯乙酮、芐胺、糠醛、二甘醇二甲醚和四甲脲。
11.一種用于從涂覆基片的至少一部分和/或沉積裝置除去含硅殘留物的方法，該方法包括用去除溶劑處理涂覆基片和/或沉積裝置，該溶劑包含選自下列的化合物具有以下式的化合物R14COR15CO2R16，其中R14和R15各自獨(dú)立地是含1-6個(gè)碳原子的烴基，且R16是含1-4個(gè)碳原子的烴基；具有以下式的化合物R173CCO2-R18，其中R17獨(dú)立地是H原子、含1-4個(gè)碳原子的烷氧基或含1-4個(gè)碳原子的烴基，并且R18是含1-8個(gè)碳原子的烴基、烷基醚基-(CH2)nO-R19，其中R19是含1-4個(gè)碳原子的烷基，n是1-4的數(shù)字，或烷撐二醇烷基醚，其中烷撐二醇含2-4個(gè)碳原子，且烷基含1-5個(gè)碳原子；及其混合物。
12.如權(quán)利要求11所述的方法，其中去除溶劑的沸點(diǎn)在120至250℃的溫度范圍內(nèi)。
13.如權(quán)利要求11所述的方法，其中去除溶劑的沸點(diǎn)在150至250℃的溫度范圍內(nèi)。
14.如權(quán)利要求11所述的方法，其中去除溶劑具有22達(dá)因/厘米或更大的表面張力。
15.如權(quán)利要求11所述的方法，其中去除溶劑具有2.5厘泊或更低的粘度。
16.如權(quán)利要求11所述的方法，其中去除溶劑進(jìn)一步具有17(J/cm3)1/2或更大的總?cè)芙舛葏?shù)。
17.一種用于從涂覆基片的至少一部分除去含硅殘留物的方法，該方法包括制備包含至少一種二氧化硅源和至少一種溶劑的成膜組合物；使用沉積裝置將該成膜組合物沉積到基片上，以提供包括含硅薄膜和含硅殘留物的涂覆基片；干燥該涂覆基片；用去除溶劑處理該涂覆基片，以除去至少部分的殘留物；從該涂覆基片上除去去除溶劑和殘留物以提供處理過(guò)的基片；干燥該處理過(guò)的基片；和固化該處理過(guò)的基片。
18.如權(quán)利要求17所述的方法，其進(jìn)一步包括使所述沉積裝置與去除溶劑接觸以除去其上包含的殘留物。
19.如權(quán)利要求17所述的方法，其中去除溶劑的沸點(diǎn)在120至250℃的溫度范圍內(nèi)。
20.如權(quán)利要求19所述的方法，其中去除溶劑的沸點(diǎn)在150至250℃的溫度范圍內(nèi)。
21.如權(quán)利要求19所述的方法，其中去除溶劑具有2.5厘泊或更低的粘度。
22.如權(quán)利要求19所述的方法，其中去除溶劑具有22達(dá)圓厘米或更大的表面張力。
23.如權(quán)利要求19所述方法，其中去除溶劑具有17(J/cm3)1/2或更大的總?cè)芙舛葏?shù)。
24.如權(quán)利要求19所述的方法，其中去除溶劑包含具有下列通式的化合物R14COR15CO2R16，其中R14和R15各自獨(dú)立地是含1-6個(gè)碳原子的烴基，且R16是含1-4個(gè)碳原子的烴基。
25.如權(quán)利要求24所述的方法，其中所述去除溶劑包含選自下列的化合物乙酰乙酸乙酯、乙酰乙酸甲酯、乙酰乙酸烯丙酯、乙酰乙酸叔丁酯、乙基-3-乙氧基丙酸酯和乙酸2-丁氧基乙酯及其混合物。
26.如權(quán)利要求25所述的方法，其中去除溶劑包含乙酰乙酸乙酯。
27.如權(quán)利要求19所述的方法，其中去除溶劑包含具有下列通式的化合物R173CCO2-R18，其中R17獨(dú)立地是H原子、含1-4個(gè)碳原子的烷氧基或含1-4個(gè)碳原子的烴基，并且R18是含1-8個(gè)碳原子的烴基、烷基醚基-(CH2)n-O-R19，其中R19是含1-4個(gè)碳原子的烷基，n是1-4的數(shù)字，或烷撐二醇烷基醚，其中烷撐二醇含2-4個(gè)碳原子，且烷基含1-5個(gè)碳原子。
28.如權(quán)利要求27所述的方法，其中去除溶劑包含選自碳酸二正丙酯、乙酸己酯的化合物及其混合物。
29.如權(quán)利要求17所述的方法，其中所述處理步驟包括從噴嘴噴出去除溶劑，并在至少部分的噴射過(guò)程中旋轉(zhuǎn)該涂覆基片。
30.如權(quán)利要求29所述的方法，其中所述噴嘴的內(nèi)徑為0.7毫米或更小。
31.如權(quán)利要求29所述的方法，其中噴嘴與基片的角度為90°。
32.如權(quán)利要求29所述的方法，其中噴嘴與基片的角度為60°。
33.如權(quán)利要求29所述的方法，其中去除溶劑用氣壓從噴嘴噴出。
34.如權(quán)利要求29所述的方法，其中去除溶劑通過(guò)機(jī)械方法從噴嘴噴出。
35.如權(quán)利要求29所述的方法，其中涂覆基片以500-3000rpn的速度旋轉(zhuǎn)。
36.如權(quán)利要求17所述的方法，其中處理步驟的持續(xù)時(shí)間為1-180秒。
37.如權(quán)利要求17所述的方法，其中處理和干燥步驟在固化步驟之前進(jìn)行。
38.如權(quán)利要求17所述的方法，其中在成膜組合物中的至少一種溶劑和去除溶劑相同。
39.如權(quán)利要求17所述的方法，其中在成膜組合物中的至少一種溶劑和去除溶劑不同。
40.如權(quán)利要求17所述的方法，其中去除溶劑具有的金屬純度水平為約500ppm或更低。
全文摘要
在此公開(kāi)一種用于從基片頂部和背部的至少一部分和/或沉積裝置除去含硅殘留物的方法。另一方面，本發(fā)明提供了一種用于除去殘留物的方法，其包括用去除溶劑處理涂覆基片和/或沉積裝置。
文檔編號(hào)B05D3/10GK1714951SQ200510065520
公開(kāi)日2006年1月4日 申請(qǐng)日期2005年3月2日 優(yōu)先權(quán)日2004年3月2日
發(fā)明者S·J·韋格爾, S·N·克霍特, R·P·莫里斯-奧斯卡尼安, S·G·梅厄加, J·E·馬多加爾, L·塞內(nèi)卡 申請(qǐng)人:氣體產(chǎn)品與化學(xué)公司