專利名稱：基片清洗用二流體噴射模塊及利用其的基片清洗裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及基片清洗用二流體噴射模塊及利用其的基片清洗裝置，尤其涉及將兩種流體進行混合并擴散而噴射到基片表面的基片清洗用二流體噴射模塊及利用其的基片清洗裝置。
背景技術(shù)：
通常，半導(dǎo)體裝置或顯示裝置通過使用半導(dǎo)體晶片或平板顯示器(FPDflat panel display)，經(jīng)過蒸鍍工藝、蝕刻工藝、光刻工藝、離子注入工藝等多種制造工藝而制造。
在這些制造工藝中表面處理工藝是利用清洗液、蝕刻液或顯影液等處理液處理基片表面，以對基片進行清洗(cleaning)、蝕刻(etching)、顯影(developing)或去膜(stripping)的工藝。
即，所述表面處理工藝通過所述處理液處理由傳送帶(conveyor)等移送方法以一定速度沿水平方向進行移送的基片的上表面、下表面或上下兩面而對基片進行清洗、蝕刻、顯影或去膜。
此外，在基片經(jīng)過包括所述表面處理工藝的各種制造工藝的過程中，其表面會被顆粒及污染物污染而需要清除，為此在部分制造工藝的前/后進行所述清洗工藝。
如此，清洗工藝是用于清潔基片表面的工藝。
作為一例，清洗工藝由藥液處理工藝、沖洗工藝和干燥工藝組成，尤其藥液處理工藝為了清除基片表面的顆粒及污染物，在基片表面上使用去離子水(deionized water)或化學(xué)藥品(chemical)等清洗液。
并且，清洗工藝中曾經(jīng)公開過具有清洗基片用二流體噴射模塊(下面簡稱二流體噴射模塊)的基片清洗裝置，該二流體噴射模塊為了清除顆粒及污染物利用清洗液處理基片，并為了提高清洗能力在清洗液中混合干燥空氣(Clean Dry Air)形成二流體，然后將所生成的二流體擴散以泡沫(bubble)形態(tài)沖擊基片表面。
圖1為現(xiàn)有的二流體噴射模塊的示意圖，圖2為將圖1中示出的二流體噴射模塊沿A-A′線截取的剖面圖。
如圖1及圖2所示，現(xiàn)有的二流體噴射模塊在主體10內(nèi)部的混合空間11分別設(shè)有供應(yīng)干燥空氣和去離子水的供應(yīng)管30、40，干燥空氣和去離子水分別供應(yīng)到所述混合空間11進行混合而生成二流體。
如此，在主體10內(nèi)部的混合空間11生成的二流體將沿著在主體10的一端朝著基片的寬度方向設(shè)置的多個噴嘴尖端20擴散，以泡沫形態(tài)噴射到基片表面。
對于這種二流體噴射模塊而言，非常重要的是生成細微而均勻的二流體以提高清洗基片的效率，并將所生成的二流體均勻噴射到基片表面。
但是，現(xiàn)有的二流體噴射模塊采用分別供應(yīng)清洗液和干燥空氣之后在主體內(nèi)部簡單進行混合的方式，因此各二流體的液滴大小互不均勻，導(dǎo)致清洗效率降低。
尤其，現(xiàn)有的二流體噴射模塊由于各二流體液滴的大小未能充分變成微粒，因此難以在精細的清洗工藝中使用。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明是為了解決如上所述的問題而提出的，其目的在于提供一種以超微粒狀態(tài)均勻地生成二流體并進行噴射的基片清洗用二流體噴射模塊及利用其的基片清洗裝置。
為了實現(xiàn)上述目的依據(jù)本發(fā)明所提供的基片清洗用二流體噴射模塊，包含主體內(nèi)部的用于接收干燥空氣的第一接收部；所述主體內(nèi)部的用于接收清洗液的第二接收部；噴射通道，該噴射通道一端與所述第一接收部連通，另一端露在所述主體外部，而側(cè)方具有流入所述第二接收部的清洗液的混入口。
其中，所述噴射通道在其兩側(cè)形成相互偏心而設(shè)置的所述混入口，使清洗液可以與干燥空氣形成渦流的同時流入到所述噴射通道中。
并且，依據(jù)本發(fā)明所提供的基片清洗裝置，包含用于移送基片的移送部；設(shè)置在被移送的基片的上側(cè)、下側(cè)或上下兩側(cè)的所述二流體噴射模塊；向所述二流體噴射模塊供應(yīng)清洗液的清洗液供應(yīng)部；向所述二流體噴射模塊供應(yīng)干燥空氣的氣體供應(yīng)部。


圖1為現(xiàn)有的基片清洗用二流體噴射模塊的示意圖；圖2為將圖1中示出的二流體噴射模塊沿A-A′線截取的剖面圖；圖3為本發(fā)明所提供的基片清洗用二流體噴射模塊的第一實施例的示意圖；圖4為將圖3中示出的基片清洗用二流體噴射模塊沿B-B′線截取的剖面圖；圖5為本發(fā)明所提供的基片清洗用二流體噴射模塊的第二實施例的示意圖；圖6為將圖5中示出的基片清洗用二流體噴射模塊沿C-C′線截取的剖面圖；圖7為將圖5中示出的基片清洗用二流體噴射模塊沿D-D′線截取的剖面圖；圖8為本發(fā)明所提供的基片清洗用二流體噴射模塊的第三實施例的示意圖；圖9為將圖8中示出的基片清洗用二流體噴射模塊沿E-E′線截取的剖面圖；圖10為將圖8中示出的基片清洗用二流體噴射模塊沿F-F′線截取的剖面圖；圖11為利用本發(fā)明所提供的基片清洗用二流體噴射模塊的基片清洗裝置一實施例的剖面圖。
主要符號說明100為主體，110、210為第一接收部，120、310為第二接收部，130、330為噴射通道，131、132、331、332為混入口，140、340為噴嘴尖端，150、220為第一供應(yīng)管，160、320為第二供應(yīng)管，200為第一主體，300為第二主體，400為移送部，500為二流體噴射模塊，600為清洗液供應(yīng)部，700為氣體供應(yīng)部。
具體實施例方式
以下，參照附圖詳細說明本發(fā)明的優(yōu)選實施例。
<實施例1>
圖3為本發(fā)明所提供的基片清洗用二流體噴射模塊的第一實施例的示意圖，圖4為將圖3中示出的基片清洗用二流體噴射模塊沿B-B′線截取的剖面圖。
如圖3及圖4所示，依據(jù)本發(fā)明所提供的基片清洗用二流體噴射模塊的第一實施例中，二流體噴射模塊包含接收干燥空氣的第一接收部110；接收清洗液的第二接收部120；噴射通道130，該噴射通道130一端與所述第一接收部110連通，另一端與噴嘴尖端140結(jié)合，而側(cè)方具有與所述第二接收部120連通的混入口131。
尤其，所述第一接收部110、所述第二接收部120、所述噴射通道130及所述混入口131通過在同一個主體100內(nèi)進行孔加工而形成。
具體來講，第一接收部110通過從主體100的上表面朝底面按預(yù)定深度進行孔加工而形成，噴射通道130通過從第一接收部110的底端朝所述主體100的底面進行孔加工而形成，第二接收部120通過從主體100外側(cè)面朝噴射通道130的側(cè)方按預(yù)定深度進行孔加工而形成，混入口131通過從第二接收部120的端部進行孔加工而形成，以接通噴射通道130。
即，由于第一接收部110和噴射通道130的直徑沿著加工方向變小，因此易于進行孔加工；同樣，第二接收部120和混入口131的直徑也沿著加工方向變小，因此易于進行孔加工。
如上所述的依據(jù)本發(fā)明所提供的基片清洗用二流體噴射模塊的第一實施例中，供應(yīng)干燥空氣的第一供應(yīng)管150連接于第一接收部110，供應(yīng)清洗液的第二供應(yīng)管160連接于所述第二接收部120。
因此，供應(yīng)到第一接收部110的干燥空氣沿著噴射通道130朝垂直下方流動，而供應(yīng)到第二接收部120的清洗液根據(jù)文丘里(venturi)效應(yīng)通過混入口131高速流入到噴射通道130中。
高速流入到噴射通道130的清洗液與噴射通道130內(nèi)部的干燥空氣高速沖突而進行混合，因此與現(xiàn)有的簡單的混合方式相比生成更加細微并均勻的二流體薄霧。
如此混合而生成的二流體沿著噴射通道130移動的同時被擴散而生成更加細微的薄霧，最后通過噴射通道130端部的噴嘴尖端140噴射到基片上。
并且，在噴射通道130內(nèi)混合而生成并進行擴散的二流體根據(jù)噴射通道130端部的噴嘴尖端140的形狀以特定的液滴形態(tài)噴射到基片表面。
綜上所述，依據(jù)本發(fā)明所提供的二流體噴射模塊的第一實施例，根據(jù)文丘里效應(yīng)使干燥空氣和清洗液形成均勻的二流體薄霧，并通過機械加工在同一個主體100內(nèi)部形成各接收部110、120和噴射通道130以及混入口131，因而提高制作的簡便性。
<實施例2>
圖5為本發(fā)明所提供的基片清洗用二流體噴射模塊的第二實施例的示意圖，圖6為將圖5中示出的基片清洗用二流體噴射模塊沿C-C′線截取的剖面圖，圖7為將圖5中示出的基片清洗用二流體噴射模塊沿D-D′線截取的剖面圖。在此，與先前的附圖相同的附圖標記表示具有相同功能的部件。
如圖5至圖7所示，依據(jù)本發(fā)明所提供的基片清洗用二流體噴射模塊的第二實施例中，二流體噴射模塊包含接收干燥空氣的第一接收部110；接收清洗液的第二接收部120；噴射通道130，該噴射通道130一端與所述第一接收部110連通，另一端與噴嘴尖端140結(jié)合，而側(cè)方具有與所述第二接收部120連通的混入口131；尤其，所述第二接收部120在主體100的外側(cè)面形成為相互對稱的一對，而所述混入口131、132如圖7所示，形成在噴射通道130的兩側(cè)并相互偏心而設(shè)置。
因此，供應(yīng)到第一接收部110的干燥空氣沿著噴射通道130朝垂直下方流動，而供應(yīng)到第二接收部120的清洗液根據(jù)文丘里效應(yīng)通過混入口131、132高速流入到噴射通道130中。
高速流入到噴射通道130的清洗液與噴射通道130內(nèi)部的干燥空氣形成旋回狀的渦流，而且與干燥空氣高速沖突，因此不僅可以更加細微地進行擴散，而且生成更加均勻的二流體薄霧。
如此混合而生成的二流體沿著噴射通道130流動的同時再次被擴散而通過噴射通道130端部的噴嘴尖端140噴射到基片上。
如上所述，依據(jù)本發(fā)明所提供的二流體噴射模塊的第二實施例，由于具有文丘里結(jié)構(gòu)和偏心設(shè)置的混入口131、132，從而使干燥空氣和清洗液在噴射通道130中的流動性大幅增加。
因此，依據(jù)本發(fā)明所提供的二流體噴射模塊的第二實施例，由于使清洗液流入到噴射通道130，因此干燥空氣和清洗液形成渦流，同時清洗液與干燥空氣高速沖突而形成均勻的超微粒狀態(tài)的二流體薄霧。
<實施例3>
圖8為本發(fā)明所提供的基片清洗用二流體噴射模塊的第三實施例的示意圖，圖9為將圖8中示出的基片清洗用二流體噴射模塊沿E-E′線截取的剖面圖，圖10為將圖8中示出的基片清洗用二流體噴射模塊沿F-F′線截取的剖面圖。在此，與先前的附圖相同的附圖標記表示具有相同功能的部件。
如圖8至圖10所示，依據(jù)本發(fā)明所提供的基片清洗用二流體噴射模塊的第三實施例中，二流體噴射模塊包含接收干燥空氣的第一接收部210；接收清洗液的第二接收部310；噴射通道330，該噴射通道330一端與所述第一接收部210連通，另一端與噴嘴尖端340結(jié)合，而側(cè)方具有與所述第二接收部310連通的混入口331、332。
尤其，所述第一接收部210和所述第二接收部310分別形成在互不相同的主體200、300內(nèi)部，設(shè)置為上下結(jié)構(gòu)。
如上所述的依據(jù)本發(fā)明所提供的基片清洗用二流體噴射模塊的第三實施例中，形成第一接收部210的第一主體200上連接用于供應(yīng)干燥空氣的第一供應(yīng)管220、形成第二接收部310的第二主體300上連接用于供應(yīng)清洗液的第二供應(yīng)管320。
另外，所述<實施例2>中分別設(shè)置形成在主體100兩側(cè)的第二接收部120和向各第二接收部120供應(yīng)清洗液的第二供應(yīng)管160，而該第三實施例中只在第二主體300的一側(cè)連接第二供應(yīng)管320，但也能向所述混入口331、332分別供應(yīng)清洗液。
因此，供應(yīng)到第一接收部210的干燥空氣沿著噴射通道330朝垂直下方流動，而供應(yīng)到第二接收部320的清洗液根據(jù)文丘里效應(yīng)通過混入口331、332高速流入到噴射通道330中。
高速流入到噴射通道330的清洗液與噴射通道330內(nèi)部的干燥空氣形成旋回狀的渦流，而且與干燥空氣高速沖突，因此不僅可以更加細微地進行擴散，而且生成更加均勻的二流體薄霧。
如此混合而生成的二流體沿著噴射通道330流動的同時再次被擴散而通過噴射通道330端部的噴嘴尖端340噴射到基片上。
如上所述，依據(jù)本發(fā)明所提供的二流體噴射模塊的第三實施例，不僅生成均勻的超微粒狀態(tài)的二流體薄霧，而且由于具有形成第二接收部320的第二主體300，因而即使只在第二主體300的一側(cè)連接第二供應(yīng)管320，也能向用于形成渦流的混入口331、332分別供應(yīng)清洗液，因此使設(shè)備變得簡單。
<實施例4>
圖11為利用本發(fā)明所提供的基片清洗用二流體噴射模塊的基片清洗裝置一實施例的剖面圖。在此，與先前的附圖相同的附圖標記表示具有相同功能的部件。
如圖11所示，利用依據(jù)本發(fā)明所提供的基片清洗用二流體噴射模塊的基片清洗裝置的一實施例包含用于移送基片S的移送部400；設(shè)置在被移送的基片S的上側(cè)、下側(cè)或上下兩側(cè)的所述<實施例1>至<實施例3>中的任意一個二流體噴射模塊500；向所述二流體噴射模塊500供應(yīng)清洗液的清洗液供應(yīng)部600；向所述二流體噴射模塊500供應(yīng)干燥空氣的氣體供應(yīng)部700。
在此，雖然舉了所述二流體噴射模塊500采用所述<實施例2>的二流體噴射模塊500的例子，但是還可以采用所述<實施例1>或所述<實施例3>的基片清洗用二流體噴射模塊。
綜上所述，雖然通過附圖以特定的優(yōu)選實施例為例說明了本發(fā)明，但本發(fā)明并不限定于上述實施例，在不脫離本發(fā)明思想的范圍內(nèi)本發(fā)明所屬技術(shù)領(lǐng)域的具有通常知識的工作者可以進行各種變更和修改。
如上所述，由于本發(fā)明向基片表面噴射均勻并形成為超微粒狀態(tài)的二流體薄霧，因此不僅大幅度提高基片的清洗效率，而且可以進行精細的清洗過程。
并且，由于本發(fā)明通過各種方式以最簡單的結(jié)構(gòu)進行制造，因此易于制造和維護。
權(quán)利要求
1.一種基片清洗用二流體噴射模塊，其特征在于包含形成在主體內(nèi)部的第一接收部，以用于接收干燥空氣；形成在所述主體內(nèi)部的第二接收部，用于接收清洗液；噴射通道，該噴射通道一端與所述第一接收部連通，另一端露在所述主體外部，而側(cè)方具有流入所述第二接收部的清洗液的混入口。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基片清洗用二流體噴射模塊，其特征在于所述噴射通道在其兩側(cè)形成相互偏心而設(shè)置的所述混入口，使清洗液與干燥空氣形成渦流的同時流入到所述噴射通道中。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的基片清洗用二流體噴射模塊，其特征在于所述主體包含形成所述第一接收部的第一主體和形成所述第二接收部及所述噴射通道的第二主體。
4.根據(jù)權(quán)利要求1至3中的任意一項所述的基片清洗用二流體噴射模塊，其特征在于所述噴射通道的另一端設(shè)置噴嘴尖端。
5.一種基片清洗裝置，其特征在于包含用于移送基片的移送部；設(shè)置在被移送的基片的上側(cè)、下側(cè)或上下兩側(cè)的權(quán)利要求1至3中的任意一項所述的二流體噴射模塊；向所述二流體噴射模塊供應(yīng)清洗液的清洗液供應(yīng)部；向所述二流體噴射模塊供應(yīng)干燥空氣的氣體供應(yīng)部。
全文摘要
本發(fā)明涉及基片清洗用二流體噴射模塊及利用該二流體噴射模塊的基片清洗裝置，所提供的基片清洗用二流體噴射模塊包含主體內(nèi)部的用于接收干燥空氣的第一接收部；所述主體內(nèi)部的用于接收清洗液的第二接收部；噴射通道，該噴射通道一端與所述第一接收部連通，另一端露在所述主體外部，而側(cè)方具有流入所述第二接收部的清洗液的混入口。依據(jù)本發(fā)明，由于向基片表面噴射混合而生成的均勻的二流體，因此大幅度提高基片的清洗效率。而且，由于本發(fā)明通過各種方式以最簡單的結(jié)構(gòu)進行制造，因此易于制造和維護。
文檔編號B05B7/04GK1990124SQ200610110689
公開日2007年7月4日 申請日期2006年8月8日 優(yōu)先權(quán)日2005年12月29日
發(fā)明者尹勤植, 蔡熙成 申請人:K.C.科技股份有限公司