專利名稱：：具有硅和/或錫的乙烯基類聚合物及使用該聚合物的有機(jī)發(fā)光二極管的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明涉及一種包括硅和/或錫的乙烯基類聚合物，更具體地，涉及一種用于形成有機(jī)發(fā)光二極管的發(fā)光層的包括硅和錫的乙烯基類聚合物。
背景技術(shù)：
：相對于薄膜晶體管-液晶顯示器(TFT-LCD)，有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)具有多種優(yōu)點(diǎn)，例如驅(qū)動(dòng)需要的電壓更低、形狀變小、視角寬、響應(yīng)時(shí)間更快等。此外，與TFT-LCD相比，OLED提供等效或更優(yōu)異的圖像質(zhì)量，尤其是小型和中型尺寸，而且通過簡單的制造工藝制造，這使得其與其它類型的顯示裝置相比具有有竟?fàn)幜Φ膬r(jià)格。具有這些優(yōu)點(diǎn)，它已作為顯示技術(shù)的下一走向而成為關(guān)注點(diǎn)。OLED包括在透明玻璃基板上形成氧化銦錫(ITO)透明電極圖案作為陽極的下基板、在基板上形成金屬電極作為陰極的上基板以及布置在上基板和下基板之間的有機(jī)發(fā)光材料。由于這種結(jié)構(gòu)，當(dāng)在透明電極和金屬電極之間施加電壓時(shí)，電流流過有機(jī)發(fā)光材料，使得OLED發(fā)光。將諸如芳族二胺和鋁絡(luò)合物等小分子用作發(fā)光層材料(AppliedPhysicsLetters,Vol.51,p913,1987)。同時(shí)，使用這種材料的OLED首次由C.W.Tang等人作為具有實(shí)用性能的裝置進(jìn)行報(bào)道(AppliedPhysicsLetters,Vol.51,No.12,pp913-915,1987)。這些文件公開了一種有機(jī)發(fā)光層，具有二胺衍生物薄膜(空穴傳輸層)和Alq3(三(8-羥基-喹啉)鋁)薄膜(電子傳輸發(fā)光層)的堆疊結(jié)構(gòu)。上述用于發(fā)光層的材料與低分子量發(fā)光材料不同，均為可溶于普通溶劑的聚合物，且可通過涂布法形成發(fā)光層。最近，已提議了多種聚合物發(fā)光材料(例如AdvancedMaterials,VoU2，pp1737-1750,2000)。在使用聚合物發(fā)光材料通過涂布制造裝置時(shí)，與使用低分子真空沉積不同，聚合物發(fā)光材料提供以下優(yōu)點(diǎn)可簡化制造工藝，并可易于制造大尺寸裝置。當(dāng)對OLED施加電場時(shí)，使得空穴和電子從陽極和陰極注入，這些空穴和電子在發(fā)光層內(nèi)重組成激子。然后，激子在變?yōu)榛鶓B(tài)時(shí)發(fā)光。發(fā)光機(jī)理可分為兩類使用單線態(tài)激子的熒光和使用三線態(tài)激子的磷光。最近，已報(bào)道了磷光材料和熒光材料可用作OLED的發(fā)光材料(D.F.O'Brien等，AppliedPhysicsLetters,74(3)，pp442-444，1999;M.A.Baldo等，AppliedPhysicsLetters,75(1)，pp4-6,1999)。磷光基于以下機(jī)理在電子由基態(tài)躍遷至激發(fā)態(tài)后，通過系統(tǒng)間跨越發(fā)生單線態(tài)激子至三線態(tài)激子的非發(fā)射躍遷，然后發(fā)生三線態(tài)激子至基態(tài)的躍遷，同時(shí)發(fā)光。在此，由于三線態(tài)激子在躍遷中禁止直接自旋至基態(tài)，因此它們在電子自旋翻轉(zhuǎn)后躍遷至基態(tài)。由此，磷光相比熒光具有較長的壽命(發(fā)光時(shí)間)。即，熒光僅具有幾納秒的發(fā)光持續(xù)時(shí)間，而磷光具有幾微秒的相對長的持續(xù)時(shí)間。由量子力學(xué)來看，當(dāng)來自陽極的空穴與來自陰極的電子在OLED內(nèi)重新結(jié)合為激子時(shí)，單線態(tài)和三線態(tài)的產(chǎn)生比例為1:3,這意思是指產(chǎn)生的三線態(tài)激子是單線態(tài)激子的三倍。因此，在熒光中，25%的激子為激發(fā)單線態(tài)(75%為三線態(tài))，因而限制了發(fā)光效率。然而在磷光中，75%的三線態(tài)激子和25%的激發(fā)單線態(tài)激子可一起使用，這在理論上能夠得到100%的內(nèi)部量子效率。對于具有上述結(jié)構(gòu)的OLED，發(fā)光顏料(摻雜劑)可加入到發(fā)光層(主體)中以改善發(fā)光效率和穩(wěn)定性。在這種情況下，發(fā)光裝置的效率和性能可根據(jù)用于發(fā)光層的主體類型改變。如對發(fā)光層(主體)的研究提議，單分子有機(jī)主體材料的實(shí)例包括萘、蒽、菲、并四苯、芘、苯并芘、1,2-苯并菲、二苯并[a,i]菲、咔唑、芴、聯(lián)苯、三聯(lián)苯、苯并菲氧化物、二卣代聯(lián)苯、反-芪和1，4-二苯基丁二烯。聚合物主體還可通過合成包括如以上作為實(shí)例提議的分子的聚合物實(shí)現(xiàn)相同功能。盡管在OLED
技術(shù)領(lǐng)域：
已取得進(jìn)展，但仍需要進(jìn)一步提高發(fā)光效率、色純度和電穩(wěn)定性。而且，當(dāng)前在技術(shù)上的進(jìn)展還不足以實(shí)現(xiàn)大尺寸發(fā)光裝置。因此，仍需要能夠解決上述常規(guī)材料的問題的聚合物發(fā)光材料。
發(fā)明內(nèi)容因此，鑒于以上常規(guī)技術(shù)問題設(shè)計(jì)本發(fā)明，而且本發(fā)明的一個(gè)方面是提供一種用于OLED有機(jī)層的包括硅和/或錫的乙烯基類聚合物，該乙烯基類聚合物可溶于有機(jī)溶劑中并能發(fā)出從紅色到藍(lán)色波長的熒光和磷光以便用于OLED中有機(jī)發(fā)光層的主體材料。根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方面，通過對OLED的有機(jī)層提供包括硅和/或錫的乙烯基類聚合物能實(shí)現(xiàn)上述和其它目的，所述包括硅和/或錫的乙烯基類聚合物包括由以下通式2表示并通過聚合由以下通式l表示的單體形成的重復(fù)單元。根據(jù)本發(fā)明的另一個(gè)方面，用于OLED有機(jī)層的包括硅和/或錫的乙烯基類聚合物包括由以下通式2表示并通過聚合由以下通式l表示的單體形成的重復(fù)單元，以及由以下通式4表示并通過聚合由以下通式3表示的單體形成的重復(fù)單元。<formula>formulaseeoriginaldocumentpage15</formula>(在通式1和2中，X表示硅(Si)或錫(Sn);Ar!、A&和Ar3可相同或不同，且各自表示CI~C30取代或未取代的烷基、C1C30取代或未取代的?；?、CI~C30取代或未取代的烷氧羰基、CI~C30取代或未取代的烷氧基、C2~C30取代或未取代的烯基、C2~C30取代或未取代的炔基、C2-C30取代或未取代的烷基羧基、C6-C30取代或未取代的芳基、C6~C30取代或未取代的芳烷基、C6-C30取代或未取代的芳烷氧基、C2-C30取代或未取代的雜芳基、C2C30取代或未取代的雜芳氧基、C6C30取代或未取代的芳氧基以及C4-C30取代或未取代的環(huán)烷基；Y為單鍵并表示亞烷基(優(yōu)選C1C20，更優(yōu)選C1C12，更進(jìn)一步優(yōu)選C1C8，例如亞曱基、亞乙基、亞丙基等)、亞芳基(優(yōu)選C6C30,更優(yōu)選C6-C20，更進(jìn)一步優(yōu)選C6-C12,例如亞苯基、亞聯(lián)苯基、亞萘基等)、氧化亞烷基(優(yōu)選C1C20,更優(yōu)選C1C12,更進(jìn)一步優(yōu)選C1C8，例如氧化亞甲基、氧化亞乙基等)、亞芳醚基(oxyarylene)(優(yōu)選C6~C20，更優(yōu)選C6~C16，更進(jìn)一步優(yōu)選C6C12,例如亞苯醚基、亞聯(lián)苯醚基亞萘醚基等)、氧羰基(oxycarbonylgroup)、?；栈?amidegroup)、尿烷基(urethanegroup)等，且這些二價(jià)有機(jī)基團(tuán)還可由上述取代基取代；K^和R2可相同或不同，并各自表示氫原子或單價(jià)取代基，即烷基(優(yōu)選C1~C20)、烯基(優(yōu)選C2~C20)、芳基(優(yōu)選C6~C30)、烷氧基(優(yōu)選CI~C20)、芳氧基(優(yōu)選C6C20)、氧雜基(hetero隱oxygroup)(優(yōu)選C2-C20)、曱硅烷氧基(優(yōu)選C3~C40)、?；?優(yōu)選CI~C20)、烷氧基羰基(優(yōu)選C2~C20)、酰氧基(優(yōu)選C2~C20)、酰氨基(優(yōu)選C2~C20)、烷氧基羰基氨基(優(yōu)選C2~C20)、芳氧基羰基氨基(優(yōu)選C7~C20)、氨磺酰氨基(優(yōu)選Cl~C20)、磺?；?優(yōu)選C0C20)、烷硫基(優(yōu)選C1-C20)、芳硫基(優(yōu)選C6C20)、雜環(huán)硫醇基(優(yōu)選C1~C20)、磺酰基(優(yōu)選C1~C20)、酰脲基(優(yōu)選C1C20)、磷酰胺基(優(yōu)選C1C20)、羥基、卣素、氰基、砜基、羧基、硝基、雜原子、曱硅烷基(優(yōu)選C3C40)等。)[通式3]<formula>formulaseeoriginaldocumentpage16</formula>[通式4]<formula>formulaseeoriginaldocumentpage16</formula>(在通式3和4中，L表示能夠被以下基團(tuán)取代的咔唑、三苯胺、苯基、萘基、蒽基、吡啶基等，所述基團(tuán)選自由氰基(-CN)、羥基(-OH)、可由Cl~C6烷氧基羰基取代的Cl~C30烷氧基羰基、Cl~C30(二)烷氨基羰基、C1C30烷基羰基、由素、羥基、曱硅烷基、C1C30烷基、C6~C18芳基、Cl~C30烷氧基、Cl~C30烷氧基羰基、Cl~C30酰氧基和Cl~C30烷基羰基構(gòu)成的組中；P4和R2可相同或不同，且各自表示氫原子或單價(jià)取代基，即烷基(優(yōu)選C1~C20)、烯基(優(yōu)選C2-C20)、芳基(優(yōu)選C6~C30)、烷氧基(優(yōu)選Cl~C20)、芳氧基(優(yōu)選C6-C20)、氧雜基(優(yōu)選C2~C20)、曱硅烷氧基(優(yōu)選C3~C40)、?；?優(yōu)選Cl~C20)、烷氧基羰基(優(yōu)選C2~C20)、酰氧基(優(yōu)選C2~C20)、酰氨基(優(yōu)選C2~C20)、烷氧基羰基氨基(優(yōu)選C2~C20)、芳基羰基氨基(優(yōu)選C7~C20)、氨磺酰氨基(優(yōu)選C1C20)、磺?；?優(yōu)選C0C20)、烷硫基(優(yōu)選Cl~C20)、芳硫基(優(yōu)選C6~C20)、雜環(huán)硫醇基(優(yōu)選Cl~C20)、磺?；?優(yōu)選Cl~C20)、酰脲基(優(yōu)選Cl~C20)、磷酰胺基(優(yōu)選Cl~C20)、羥基、卣素、氰基、砜基、羧基、硝基、雜原子、甲硅烷基(優(yōu)選C3C40)等。)根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施方式，由于包括硅和/或錫的乙烯基類聚合物可溶于有機(jī)溶劑中，而且能夠發(fā)出從紅色波長至藍(lán)色波長的焚光和磷光，因此該聚合物可用作OLED中有機(jī)發(fā)光層的主體材料。,人以下結(jié)合附圖的詳細(xì)說明中，本發(fā)明的以上和其它目的、特征和其它優(yōu)點(diǎn)將能更清楚地理解，其中圖l為包括基板、陽極、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層和陰極的常規(guī)OLED的橫截面圖2為實(shí)施例9中單體M-5的1H-NMR鐠；圖3為實(shí)施例14中的聚合物P-4的PL光譜；圖4為描述在具有Al(IOOOA)/LiF(IOA)/Alq3(200A)/Balq(50A)/EML(P-4+Ir(卯y)3)/PEDOT/ITO(1500A)結(jié)構(gòu)的裝置中的亮度和電壓之間關(guān)系的曲線圖；和圖5為描述在具有Al(IOOOA)/LiF(10A)/Alq3(200A)/Balq(50A)/EML(P-4+CBP+Ir(ppy)3)/PEDOT/ITO(1500A)結(jié)構(gòu)的裝置中的亮度和電壓之間關(guān)系的曲線圖。具體實(shí)施例方式根據(jù)本發(fā)明的第一實(shí)施方式，用于OLED有機(jī)層的包括硅和/或錫的乙烯基類聚合物包括由以下通式2表示并通過聚合由以下通式l表示的單體形成的重復(fù)單元。<formula>formulaseeoriginaldocumentpage18</formula>(在通式1和2中，X表示硅(Si)或錫(Sn);Ar!、A&和Ai"3可相同或不同，且各自表示CI~C30取代或未取代的烷基、C1C30取代或未取代的?；I~C30取代或未取代的烷氧羰基、CI~C30取代或未取代的烷氧基、C2-C30取代或未取代的烯基、C2~C30取代或未取代的炔基、C2-C30取代或未取代的烷基羧基、C6-C30取代或未取代的芳基、C6~C30取代或未取代的芳烷基、C6C30取代或未取代的芳烷氧基、C2-C30取代或未取代的雜芳基、C2C30取代或未取代的雜芳氧基、C6C30取代或未取代的芳氧基、C4C30取代或未取代的環(huán)烷基；Y為單鍵，且表示亞烷基(優(yōu)選C1C20，更優(yōu)選C1C12,更進(jìn)一步優(yōu)選C1C8，例如亞甲基、亞乙基、亞丙基等)、亞芳基(優(yōu)選C6C30，更優(yōu)選C6C20,更進(jìn)一步優(yōu)選C6C12，例如亞苯基、亞聯(lián)苯基、亞萘基等)、氧化亞烷基(優(yōu)選C1C20,更優(yōu)選C1C12,更進(jìn)一步優(yōu)選C1C8，例如氧化亞曱基、氧化亞乙基等)、亞芳醚基(優(yōu)選C6C20,更優(yōu)選C6C16，更進(jìn)一步優(yōu)選C6C12，例如亞苯醚基、亞聯(lián)苯醚基、亞萘醚基等)、氧羰基、?；被?、尿烷基等，且這些二價(jià)有機(jī)基還可由上述取代基取代；R!和R2可相同或不同，并各自表示氫原子或單價(jià)取代基，即烷基(優(yōu)選C1C20)、烯基(優(yōu)選C2~C20)、芳基(優(yōu)選C6~C30)、烷氧基(優(yōu)選CI~C20)、芳氧基(優(yōu)選C6-C20)、氧雜基(優(yōu)選C2C20)、曱硅烷氧基(優(yōu)選C3-C40)、?；?優(yōu)選C1C20)、烷氧基羰基(優(yōu)選C2C20)、酰氧基(優(yōu)選C2~C20)、酰氨基(優(yōu)選C2-C20)、烷氧基羰基氨基(優(yōu)選C2-C20)、芳氧基羰基氨基(優(yōu)選C7-C20)、氨磺酰氨基(優(yōu)選Cl~C20)、磺酰基(優(yōu)選C0C20)、烷硫基(優(yōu)選C1C20)、芳硫基(優(yōu)選C6C20)、雜環(huán)硫醇基(優(yōu)選C1~C20)、磺酰基(優(yōu)選Cl~C20)、酰脲基(優(yōu)選C1~C20)、磷酰胺基(優(yōu)選C1C20)、羥基、卣素、氰基、砜基、羧基、硝基、雜原子、曱硅烷基(優(yōu)選C3C40)等。)根據(jù)本發(fā)明的第一實(shí)施方式，用于OLED有機(jī)層的包括硅和/或錫的乙烯基類聚合物包括由以下通式2表示并通過聚合由以下通式l表示的單體形成的重復(fù)單元。根據(jù)本發(fā)明的第二實(shí)施方式，用于OLED有機(jī)層的包括硅和/或錫的乙成的重復(fù)單元，以及由以下通式4表示并通過聚合由以下通式3表示的單體形成的重復(fù)單元。[通式2]R2RiIIHC—CIYAr工——X——Ar2(在通式1和2中，X表示硅(Si)或錫(Sn);Art、Ar2和Ar3可相同或不同，且各自表示C1~C30取代或未取代的烷基、C1C30取代或未取代的?；?、Cl-C30取代或未取代的烷氧羰基、ClC30取代或未取代的烷氧基、C2-C30取代或未取代的烯基、C2C30取代或未取代的炔基、C2-C30取代或未取代的烷基羧基、C6-C30取代或未取代的芳基、C6~C30取代或未取代的芳烷基、C6C30取代或未取代的芳烷氧基、C2-C30取代或未取代的雜芳基、C2C30取代或未取代的雜芳氧基、C6-C30取代或未取代的芳氧基以及C4-C30取代或未取代的環(huán)烷基；Y為單鍵，且表示亞烷基(優(yōu)選C1C20,更優(yōu)選C1-C12,更進(jìn)一步優(yōu)選C1C8，例如亞曱基、亞乙基、亞丙基等)、亞芳基(優(yōu)選C6C30,更優(yōu)選C6C20,更進(jìn)一步優(yōu)選C6C12,例如亞苯基、亞聯(lián)苯基、亞萘基等)、氧化亞烷基(優(yōu)選C1C20，更優(yōu)選C1C12，更進(jìn)一步優(yōu)選C1-C8，例如氧化亞曱基、氧化亞乙基等)、亞芳醚基(優(yōu)選C6C20,更優(yōu)選C6C16，更進(jìn)一步優(yōu)選C6C12,例如亞苯醚基、亞聯(lián)苯醚基、亞萘醚基等)、氧羰基、?；被⒛蛲榛龋疫@些二價(jià)有機(jī)基團(tuán)還可由上述取代基取代；&和R2可相同或不同，且各自表示氫原子或單價(jià)取代基，即烷基(優(yōu)選C1-C20)、烯基(優(yōu)選C2~C20)、芳基(優(yōu)選C6~C30)、烷氧基(優(yōu)選CI~C20)、芳氧基(優(yōu)選C6-C20)、氧雜基(優(yōu)選C2C20)、甲硅烷氧基(優(yōu)選C3-C40)、酰基(優(yōu)選C1C20)、烷氧基羰基(優(yōu)選C2C20)、酰氧基(優(yōu)選C2-C20)、酰氨基(優(yōu)選C2-C20)、烷氧基羰基氨基(優(yōu)選C2-C20)、芳氧基羰基氨基(優(yōu)選C7-C20)、氨磺酰氨基(優(yōu)選Cl~C20)、磺?；?優(yōu)選C0C20)、烷硫基(優(yōu)選C1C20)、芳石?；?優(yōu)選C6C20)、雜環(huán)硫醇基(優(yōu)選C1~C20)、磺?；?優(yōu)選Cl-C20)、酰脲基(優(yōu)選Cl~C20)、磷酰胺基(優(yōu)選C1C20)、羥基、卣素、氰基、砜基、羧基、硝基、雜原子、曱硅烷基(優(yōu)選C3C40)等。)[通式3][通式4]<formula>formulaseeoriginaldocumentpage20</formula>(在通式3和4中，L表示能被以下基團(tuán)取代的。卡唑、三苯胺、苯基、萘基、蒽基、吡啶基等，所述基團(tuán)選自由氰基(-CN)、羥基(-OH)、可由Cl~C6烷氧基羰基取代的CI~C30烷氧基羰基、CI~C30(二)烷氨基羰基、C1C30烷基羰基、面素、羥基、曱硅烷基、C1C30烷基、C6~C18芳基、Cl~C30烷氧基、Cl~C30烷氧基羰基、Cl~C30酰氧基和Cl~C30烷基羰基構(gòu)成的組中；！^和R2可相同或不同，各自表示氫原子或單價(jià)取代基，即烷基(優(yōu)選C1-C20)、烯基(優(yōu)選C2-C20)、芳基(優(yōu)選C6~C30)、烷氧基(優(yōu)選Cl~C20)、芳氧基(優(yōu)選C6~C20)、氧雜基(優(yōu)選C2~C20)、曱硅烷氧基(優(yōu)選C3~C40)、?；?優(yōu)選Cl~C20)、烷氧基羰基(優(yōu)選C2-C20)、酰氧基(優(yōu)選C2~C20)、酰氨基(優(yōu)選C2-C20)、烷氧基羰基氨基(優(yōu)選C2-C20)、芳氧基羰基氨基(優(yōu)選C7-C20)、氨磺酰氨基(優(yōu)選Cl~C20)、磺?；?優(yōu)選CO~C20)、烷硫基(優(yōu)選Cl~C20)、芳硫基(優(yōu)選C6~C20)、雜環(huán)硫醇基(優(yōu)選Cl~C20)、磺?；?優(yōu)選Cl~C20)、酰脲基(優(yōu)選Cl~C20)、磷酰胺基(優(yōu)選C1C20)、羥基、卣素、氰基、砜基、羧基、硝基、雜原子、曱硅烷基(優(yōu)選C3C40)等。)如上所述，本發(fā)明的反應(yīng)示意圖1和2都要求包括由通式2表示并通過聚合由通式1表示的單體形成的重復(fù)單元。本文中，當(dāng)由通式2表示的重復(fù)單元和由通式4表示的重復(fù)單元混合為共聚物時(shí)，相對于整體聚合物，通式2的重復(fù)單元和通式4的重復(fù)單元各自以至少0.5wt。/o或更多的量提供。即，無論是在由通式2表示的重復(fù)單元的聚合物中，還是在由通式2表示的重復(fù)單元和由通式4表示的重復(fù)單元的共聚物中，根據(jù)本發(fā)明的聚合物要求包括由通式2表示的重復(fù)單元。特別是為由通式2表示的重復(fù)單元和由通式4表示的重復(fù)單元的共聚物時(shí)，各重復(fù)單元形成整體聚合物的至少0.5wt。/。或更多。由此，包括至少0.5wt。/。或更多的由通式2表示的重復(fù)單元和由通式4表示的重復(fù)單元以形成共聚物的所有聚合物應(yīng)解釋為屬于本發(fā)明所附權(quán)利要求書的范圍內(nèi)。由通式1表示的單體可具體由以下通式5表示，更具體由以下化學(xué)式1表示。(在通式5中，X、Y、AivAr2、Ar3、和112各自表示與通式1相同；Z不存在或?yàn)镃I~C30取代或未取代的烷基、CI~C30取代或未取代的?；?、CI~C30取代或未取代的烷氧基羰基、CI~C30取代或未取代的烷氧基、C2C30取代或未取代的烯基、C2-C30取代或未取代的炔基、C2~C30取代或未取代的烷基羧基以及取代或未取代的環(huán)烷基。A和B中至少一個(gè)包括氮原子；R3R^和R'3R、o可相同或不同，且各自表示CI~C30取代或未取代的烷基、CI~C30取代或未取代的?；1C30取代或未取代的烷氧基羰基、C1-C30取代或未取代的烷氧基、C2-C30取代或未取代的烯基、C2-C30取代或未取代的炔基、C2~C30取代或未取代的烷基羧基、C6C30取代或未取代的芳基、C6C30取代或未取代的芳烷基、C6C30取代或未取代的芳烷氧基、C2C30取代或未取代的雜芳基、C2-C30取代或未取代的雜芳氧基、C6C30取代或未取代的芳氧基、C4C30取代或未取代的環(huán)烷基、-N(R)(R')(其中R和R'獨(dú)立地表示氫、C1C30烷基、C6-C30芳基或C2-C30雜芳基)、氰基、羥基和羧基。在此，R3R'k)的兩個(gè)或更多個(gè)相鄰基團(tuán)可連接成環(huán)。1為0~10的整數(shù)。)<formula>formulaseeoriginaldocumentpage24</formula>通過聚合由通式l表示的單體得到的由通式2表示的重復(fù)單元可具體由以下化學(xué)式2表示，且通過聚合由通式5表示的單體得到的重復(fù)單元可具體由以下化學(xué)式3表示。<formula>formulaseeoriginaldocumentpage24</formula>[化學(xué)式2][化學(xué)式3]<formula>formulaseeoriginaldocumentpage26</formula>(在化學(xué)式3中，X、Y、An、Ar2、Ar3、R！~R'10和1各自表示與通式5相同的基團(tuán)，且n為1-1000000的整數(shù)。)由通式3表示的單體可具體由以下化學(xué)式4表示，且由通式4表示的重復(fù)單元可具體由以下化學(xué)式5表示。<formula>formulaseeoriginaldocumentpage27</formula>在此，通式5和化學(xué)式l僅為通式1的示例性實(shí)例，由化學(xué)式2表示的重復(fù)單元僅為通式2的示例性實(shí)例，由化學(xué)式4表示的單體僅為通式3的示例性實(shí)例，由化學(xué)式5表示的重復(fù)單元僅為通式4的示例性實(shí)例?；瘜W(xué)式1~5僅為用于提供通式1~4的詳細(xì)說明的示例性實(shí)例。在本發(fā)明中，聚合方法不限于特定一種方法?？墒褂弥T如自由基聚合、陰離子聚合、陽離子聚合、活性陰離子聚合、活性陽離子聚合、配位聚合等普通聚合法。優(yōu)選地，使用自由基聚合、陰離子聚合和活性陰離子聚合。根據(jù)這些方法，聚合物可通過調(diào)節(jié)反應(yīng)溫度、反應(yīng)溶劑、反應(yīng)時(shí)間、反應(yīng)引發(fā)劑等得到。盡管根據(jù)本發(fā)明的聚合物的分子量能根據(jù)聚合方法和條件而改變，但聚合物的重均分子量范圍優(yōu)選為1000-5000000，更優(yōu)選2000~2000000，更進(jìn)一步優(yōu)選3000~1000000。聚合物的數(shù)均分子量范圍優(yōu)選為500-2000000，更優(yōu)選1000~1000000,更進(jìn)一步優(yōu)選2000-500000。重均分子量與數(shù)均分子量之比優(yōu)選為1~20，更優(yōu)選1~15，更進(jìn)一步優(yōu)選1~10。盡管根據(jù)本發(fā)明的聚合物的取代基關(guān)于方位的規(guī)整度、即立構(gòu)規(guī)整度根據(jù)聚合方法和條件而改變，但規(guī)整度可為間同立構(gòu)、全同立構(gòu)、間同立構(gòu)和全同立構(gòu)的結(jié)合、無規(guī)等。而且，聚合物的端基不限于任何一種特定基團(tuán)。下文中，根據(jù)以下反應(yīng)示意圖14詳細(xì)說明由通式1和2表示的化合物和聚合物的合成方法。除了根據(jù)以下反應(yīng)示意圖的方法以外，本發(fā)明包括硅和/或錫的單體及其聚合物可用其它方法制備，只要最終產(chǎn)物具有與單體或聚合物相同的結(jié)構(gòu)。因此，在制備本發(fā)明包括硅和/或錫的單體以及通過聚合該單體形成聚合物(共聚物)的反應(yīng)中，溶劑、反應(yīng)溫度、濃度、催化劑等無需具體限制，<formula>formulaseeoriginaldocumentpage29</formula>[反應(yīng)示意圖3]<formula>formulaseeoriginaldocumentpage30</formula>在OLED中，根據(jù)本發(fā)明的聚合物可用于發(fā)光層的材料、空穴注入材料、<formula>formulaseeoriginaldocumentpage30</formula>空穴傳輸材料、電子傳輸材料、電子注入材料、中間層以及空穴阻擋層的材料。優(yōu)選地，聚合物用于發(fā)光層的主體材料。除了包括陽極、發(fā)光層和陰極的通常部件以外，本發(fā)明的OLED可選擇地包括中間層、空穴傳輸層和電子傳輸層。圖1為包括基板、陽極、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層和陰;f及的OLED的橫截面圖。參照圖1將描述使用根據(jù)本發(fā)明的有機(jī)電致發(fā)光聚合物的電致發(fā)光顯示器的制造方法。首先，用陽極12用的電極材料涂布基板11。在此，基板11使用OLED用常規(guī)基板，優(yōu)選為能夠確保優(yōu)異的透明度、平整表面、易于處理并防水的玻璃基板或透明塑料基板。用于陽極12的電極材料實(shí)例包括透明且導(dǎo)電性優(yōu)異的氧化銦錫(ITO)、氧化錫(Sn02)、氧化鋅(ZnO)等?？昭▊鬏攲?3通過真空沉積、濺射或旋涂形成在陽極12上，發(fā)光層14通過真空沉積、旋涂、或者諸如噴墨印刷等浸涂形成在空穴傳輸層上。電子傳輸層15在形成陰極16之前形成在發(fā)光層14上。在此，發(fā)光層14的厚度為5nm-lpm,優(yōu)選10~500nm，且空穴傳輸層13和電子傳輸層15的厚度各自為10~10000A。電子傳輸層15可通過真空沉積、濺射或旋涂由本領(lǐng)域通常使用的材料形成?？昭▊鬏攲?3和電子傳輸層15用于通過有效地將載流子傳輸?shù)桨l(fā)光層而增強(qiáng)發(fā)光聚合物中的發(fā)光再結(jié)合。根據(jù)本發(fā)明，用于空穴傳輸層B和電子傳輸層15的材料未限制具體種類。用于空穴傳輸層的材料實(shí)例包括PEDOT:PSS和N,N'-雙(3-甲苯基)-N,N-二苯基-[l,l'-聯(lián)苯基]-4，4'-二胺(TPD),其中PEDOT:PSS是用聚(苯乙烯磺酸)(PSS)層摻雜的聚(3,4-亞乙二氧基p塞吩)(PEDOT)。此外，用于電子傳輸層的材料實(shí)例包括三羥基喹啉鋁(Alq3)、1,3,4-噁二唑的衍生物PBD(2-(4-聯(lián)苯基)-5-苯基-l,3,4-噁二唑)、喹喔啉的衍生物TPQ(l,3,4-三[(3-戊基-6-三氟甲基)喹喔啉-2-基]苯)和三唑衍生物。本發(fā)明的聚合物可與發(fā)磷光的有機(jī)化合物組合使用。本文中，發(fā)磷光的有機(jī)化合物為能夠在三線態(tài)發(fā)磷光的有機(jī)金屬絡(luò)合物，并包含至少選自GregorJohannMendel周期表中的VIII族的金屬離子,即Fe、Co、Ni、Ru、Ph、Os、Ir和Pt。優(yōu)選地，發(fā)磷光的有機(jī)化合物為包含Ir或Pt離子的金屬絡(luò)合物。以下化學(xué)式6表示金屬絡(luò)合物的實(shí)例，但應(yīng)注意，本發(fā)明不限于這些實(shí)例。<formula>formulaseeoriginaldocumentpage32</formula>當(dāng)根據(jù)本發(fā)明的聚合物經(jīng)浸涂形成層時(shí)，它可與低分子量主體共混。以下化學(xué)式7表示低分子量主體的示例性實(shí)例，但應(yīng)注意，本發(fā)明不限于這些實(shí)例。另外，聚合物可與具有諸如氟類聚合物、聚苯撐乙烯、聚對苯撐等共軛雙鍵的聚合物共混。需要時(shí)，可與粘結(jié)劑樹脂混合。粘結(jié)劑樹脂的實(shí)例包括聚乙烯基呼唑、聚碳酸酯、聚酯、聚丙烯酸酯、聚苯乙晞、丙烯酸聚合物、曱基丙烯酸聚合物、聚丁縮醛、聚乙烯醇縮乙醛、對苯二甲酸二丙烯酯聚合物、酚醛樹脂、環(huán)氧樹脂、硅酮樹脂、聚砜樹脂、脲醛樹脂等。這些樹脂可單獨(dú)或組合使用?？蛇x擇地，可進(jìn)一步通過真空沉積等形成氟化鋰(LiF)空穴阻擋層以控制發(fā)光層14中的空穴傳輸速度并提高電子和空穴的重新結(jié)合效率。最后，用陰極16用電極材料涂布電子傳輸層15。用于陰極的金屬實(shí)例包括具有低功函的鋰(Li)、鎂(Mg)、釣(Ca)、鋁(Al)以及Al:Li、Ba:Li、Ca:Li等。類單體以及聚合該單體形成的共聚物的示例性實(shí)施例。但應(yīng)注意，給出以下實(shí)施例僅用于說明，并不限制本發(fā)明。而且，在此將省略對本領(lǐng)域4支術(shù)人員顯而易見的內(nèi)容的i兌明。實(shí)施例1:中間體A的制備在氮?dú)夥罩袑-(4-渙苯基)咔唑(5g，15.51mmol)溶于無水二乙醚(50ml)中，隨后在-78。C滴入正丁基鋰(10.7ml，17.06mmol)并攪拌混合物1小時(shí)。將二氯曱基硅烷(2g，15.51mmo1)加入到無水二乙醚(30ml)中，隨后冷卻至-78。C,并將制得的"，唑產(chǎn)物緩慢地滴入溶液中。在-78。C攪拌混合物20分鐘，然后在室溫下攪拌1小時(shí)。將混合物冷卻至-78。C后，將4,4'-二溴苯(3.65g,15.51mmo1)溶于無水二乙醚(30ml)中，并滴入正丁基鋰(10.7ml，17.06mmo1),隨后攪拌l小時(shí)。將產(chǎn)物緩慢放入硅化合物中。在-78。C攪拌制得的混合物20分鐘，然后在室溫下攪拌8小時(shí)或更長。當(dāng)反應(yīng)結(jié)束時(shí)，用乙醚萃取混合物，隨后用水和10%碳酸氫鈉洗滌數(shù)次并用無水硫酸鎂干燥。過濾制得的產(chǎn)物以除去溶劑，并通過使用二氯曱烷/己烷(1/3)共混溶劑的硅膠柱提純，由此得到3.1g(43.8%)的中間體A。實(shí)施例2:單體M-l的制備在氬氣氛下，在裝有溫度計(jì)、回流冷凝器和攪拌器的250ml圓底燒瓶中將3.1g(6.79mmol)的中間體A、l.Og(6.79mmol)的乙烯基苯基硼酸和0.15g四(三苯基膦)合鈀溶于四氫呋喃(THF)。然后，將20ml的2M碳酸鉀加入到溶解的混合物中并在75。C回流48小時(shí)。當(dāng)反應(yīng)結(jié)束后，將制得溶液冷卻至室溫，隨后用二氯曱烷萃取數(shù)次，并用水洗滌萃取物數(shù)次。用無水硫酸鎂除去水后，過濾萃取物以除去溶劑。得到的產(chǎn)物通過使用二氯曱烷/己烷(1/3)共混溶劑的硅膠柱提純，由此得到2.32g(71.3%)的單體M-l。該單體在其溶液態(tài)具有348nm的最大發(fā)光波長。實(shí)施例3:中間體B的制備在氮?dú)夥罩袑?-(3-溴-5-(9H-咕唑-9-基)苯基-9H-口f唑(10g,20.5mmol)溶于無水二乙醚(60ml)中，隨后在-78。C滴入正丁基鋰(15.4ml，24.6mmol)并攪拌混合物1小時(shí)。將二氯曱基硅烷(2.91g，22.5mmo1)加入到無水二乙醚(50ml)中，隨后冷卻至-78°C,并將制得的咕唑產(chǎn)物緩慢地滴入溶液中。在-78。C攪拌混合物20分鐘，然后在室溫下攪拌1小時(shí)。將混合物冷卻至-78。C后，將4，4'-二溴苯(5.3g,22.5mmo1)溶于無水二乙醚(50ml)中，并滴入正丁基鋰(16.87ml，27mmo1),隨后攪拌l小時(shí)。將產(chǎn)物緩慢放入硅化合物中。在-78。C攪拌制得的混合物20分鐘，然后在室溫下攪拌8小時(shí)或更長。當(dāng)反應(yīng)結(jié)束時(shí)，用乙醚萃取混合物，隨后用水和10%碳酸氫鈉洗滌數(shù)次并用無水硫酸鎂干燥。過濾制得的產(chǎn)物以除去溶劑，并通過使用二氯曱烷/己烷(1/2)共混溶劑的硅膠柱提純，由此得到2.28g(41.4%)的中間體B。實(shí)施例4:化學(xué)式l中單體M-4的制備在氬氣氛下，在裝有溫度計(jì)、回流冷凝器和攪拌器的250ml圓底燒瓶中將3.0g(4.82mmo1)的中間體B和0:75g(5.06mmo1)的乙烯基苯基硼酸和0.13g四(三苯基膦)合釔溶于四氫呋喃(THF)。然后，將20ml的2M碳酸鉀加入到溶解的混合物中并在75。C回流48小時(shí)。當(dāng)反應(yīng)結(jié)束后，將制得溶液冷卻至室溫，隨后用二氯曱烷萃取數(shù)次，并用水洗滌萃取物數(shù)次。用無水硫酸鎂除去水后，過濾萃取物以除去溶劑。得到的產(chǎn)物通過使用二氯曱烷/己烷(1/2)共混溶劑的硅膠柱提純，由此得到1.37g(43.4%)的單體M-2。該單體在其溶液態(tài)具有346nm的最大發(fā)光波長。實(shí)施例5:中間體C的制備在氮?dú)夥罩袑?,4'-二溴苯(20.0g,84.77mmol)溶于無水二乙醚(80ml)中，隨后在-78。C滴入正丁基鋰(63.5ml,101.7mmol)并攪拌混合物1小時(shí)。將二氯甲基硅烷(4.75g,36.8mmo1)加入到無水二乙醚(40ml)中，隨后冷卻至-78°C，并將制得的呼唑產(chǎn)物緩慢地滴入溶液中。在-78。C攪拌混合物20分鐘，然后在室溫下攪拌1小時(shí)。當(dāng)反應(yīng)結(jié)束時(shí)，用乙醚萃取混合物，隨后用水和10%碳酸氫鈉洗滌數(shù)次并用無水^i酸鎂干燥。過濾制得的產(chǎn)物以除去溶劑，通過使用己烷溶劑的硅膠柱提純，并在己烷中重結(jié)晶，由此得到6.4g(47%)的白色晶體中間體C。實(shí)施例6:中間體D的制備在氬氣氛下，在裝有溫度計(jì)、回流冷凝器和攪拌器的250ml圓底燒瓶中將4.0g(10.08mmo1)的中間體C、9陽(4-(4,4,5，5-四甲基-l,3，2-二氧硼烷-2-基)苯基)-9H-呻唑(10.5mmo1)和0.22g四(三苯基膦)合鈀溶于THF。然后，將20ml的2M碳酸鉀加入到溶解的混合物中并在75。C回流48小時(shí)。當(dāng)反應(yīng)結(jié)束后，將制得溶液冷卻至室溫，隨后用二氯甲烷萃取數(shù)次，并用水洗滌萃取物數(shù)次。用無水硫酸鎂除去水后，過濾萃取物以除去溶劑。得到的產(chǎn)物通過使用二氯曱烷/己烷(1/2)共混溶劑的硅膠柱提純，由此得到2.8g(50.0%)的中間體D。實(shí)施例7:化學(xué)式1中單體M-2的制備在氬氣氛下，在裝有溫度計(jì)、回流冷凝器和攪拌器的250ml圓底燒瓶中將2.53g(4.75mmo1)的中間體D、0.77g(5.22mmo1)的乙烯基苯基硼酸和0.Ug四(三苯基膦)合鈀溶于THF中。然后，將20ml的2M碳酸鉀加入到溶解的混合物中并在75。C回流48小時(shí)。當(dāng)反應(yīng)結(jié)束后，將制得溶液冷卻至室溫，隨后用二氯曱烷萃取數(shù)次，并用水洗滌萃取物數(shù)次。用無水硫酸鎂除去水后，過濾萃取物以除去溶劑。得到的產(chǎn)物通過使用二氯甲烷/己烷(1/3)共混溶劑的硅膠柱提純，由此得到1.7g(64.4%)的單體M-2。該單體在其溶液態(tài)具有370nm的最大發(fā)光波長。實(shí)施例8:中間體E的制備在氬氣氛下，在裝有溫度計(jì)、回流冷凝器和攪拌器的250ml圓底燒瓶中將4.0g(10.8mmo1)的中間體C、3-(9H-呼唑-9-基)-5-(4,4,5，5-四曱基-1,3，2-二氧硼烷-2-基)苯基)-9H-呼唑(10.5mmo1)和0.22g四(三苯基膦)合把溶于THF。然后，將20ml的2M碳酸鉀加入到溶解的混合物中并在75。C回流48小時(shí)。當(dāng)反應(yīng)結(jié)束后，將制得溶液冷卻至室溫，隨后用二氯曱烷萃取數(shù)次，并用水洗滌萃取物數(shù)次。用無水硫酸鎂除去水后，過濾萃取物以除去溶劑。得到的產(chǎn)物通過使用二氯曱烷/己烷(1/2)共混溶劑的硅膠柱提純，由此得到3.5g(47.8%)的中間體E。實(shí)施例9:化學(xué)式1中單體M-5的制備在氬氣氛下，在裝有溫度計(jì)、回流冷凝器和攪拌器的250ml圓底燒瓶中將3.0g(4.29mmo1)的中間體E、0.7g(4.72mmo1)的乙烯基苯基硼酸和O.lg四(三苯基膦)合鈀溶于THF中。然后，將2Gml的2M碳酸鉀加入到溶解的混合物中并在75。C回流48小時(shí)。當(dāng)反應(yīng)結(jié)束后，將制得溶液冷卻至室溫，隨后用二氯甲烷萃取數(shù)次，并用水洗滌萃取物數(shù)次。用無水硫酸鎂除去水后，過濾萃取物以除去溶劑。得到的產(chǎn)物通過使用二氯甲烷/己烷(1/3)共混溶劑的硅膠柱提純，由此得到1.87g(60.5%)的單體M-5。該單體在其溶液態(tài)具有380nm的最大發(fā)光波長。實(shí)施例10:化學(xué)式1中單體M-IO的制備在氮?dú)夥罩袑?-(3-溴-5-(9H-咔唑-9-基)苯基)-9H-咔唑(10.2mmol)溶于無水二乙醚(50ml)中，隨后在-78。C滴入正丁基鋰(7.1ml，11.2mmol)并攪拌1小時(shí)。將二氯曱基硅烷(1.23g,10.2mmo1)加入到無水二乙醚(20ml)中，隨后冷卻至-78。C，并將之前制得的產(chǎn)物放入溶液中。在-78。C攪拌混合物20分鐘，然后在室溫下攪拌1小時(shí)。當(dāng)反應(yīng)結(jié)束時(shí)，用乙醚萃取混合物，隨后用水和10%碳酸氫鈉洗滌數(shù)次并用無水硫酸鎂千燥。過濾制得的產(chǎn)物以除去溶劑，并通過使用二氯曱烷/己烷(1/3)共混溶劑的硅膠柱提純，由此得到2.9g(58%)的單體M-IO。實(shí)施例11:化學(xué)式2中的聚合物P-1的制備在氮?dú)夥罩袑?.7g(1.45mmol)的單體M-l和2.4mg(0.014mmol)的AIBN溶于2.5ml的NMP中。混合物通過冷凍-抽氣-融化工藝(freeze-pump-thawprocess)脫氣并在7(TC攪拌48小時(shí)。然后，反應(yīng)物在曱醇中沉淀以得到白色聚合物。過濾制得的產(chǎn)物并再溶于氯仿中以再沉淀。過濾再沉淀的聚合物并在Soxhlet設(shè)備中用丙酮提純24小時(shí)，由此得到0.45g聚合物。該聚合物在其溶液態(tài)具有348nm的最大發(fā)光波長。實(shí)施例12:化學(xué)式2中聚合物P-2的制備在氮?dú)夥罩袑?.7g(1.26mmol)的單體M-2和2.0mg(0.012mmol)的AIBN溶于2.5ml的NMP中?；旌衔锿ㄟ^冷凍-抽氣-融化工藝脫氣并在7(TC攪拌48小時(shí)。然后，反應(yīng)物在曱醇中沉淀以得到白色聚合物。過濾制得的產(chǎn)物并再溶于氯仿中以再沉淀。然后，過濾再沉淀的聚合物并在Soxhlet設(shè)備中用丙酮提純24小時(shí)，由此得到0.23g的聚合物。該聚合物在其溶液態(tài)具有370nm的最大發(fā)光波長。實(shí)施例13:化學(xué)式2中的聚合物P-3的制備在氮?dú)夥罩袑?.7g(1.08mmol)的單體M-4和1.7mg(0.010mmol)的AIBN溶于2.3ml的NMP中?；旌衔锿ㄟ^冷凍-抽氣-融化工藝脫氣并在7(TC攪拌48小時(shí)。然后，反應(yīng)物在曱醇中沉淀以得到白色聚合物。過濾制得的產(chǎn)物并再溶于氯仿中以再沉淀。然后，過濾再沉淀的聚合物并在Soxhlet設(shè)備中用丙酮提純24小時(shí)，由此得到0.42g的聚合物。該聚合物在其溶液態(tài)具有346nm的最大發(fā)光波長。實(shí)施例14:化學(xué)式2中的聚合物P-4的制備在氮?dú)夥罩袑?.7g(0.97mmol)的單體M-5和1.6mg(0.0097mmol)的AIBN溶于2.3ml的NMP中?；旌衔锿ㄟ^冷凍-抽氣-融化工藝脫氣并在70°C攪拌48小時(shí)。然后，反應(yīng)物在曱醇中沉淀以得到白色聚合物。過濾制得的產(chǎn)物并再溶于氯仿中以再沉淀。然后，過濾再沉淀的聚合物并在Soxhlet設(shè)備中用丙酮提純24小時(shí)，由此得到0.49g的聚合物。該聚合物在其溶液態(tài)具有380nm的最大發(fā)光波長。實(shí)施例15:化學(xué)式2中的聚合物P-6的制備在氮?dú)夥罩袑?.8g(0.97mmol)的單體M-10和2.66mg(0.0162mmol)的AIBN溶于2.3ml的NMP中?；旌衔锿ㄟ^冷凍-抽氣-融化工藝脫氣并在70°C攪拌48小時(shí)。然后，反應(yīng)物在曱醇中沉淀以得到白色聚合物。過濾制得的產(chǎn)物并再溶于氯仿中以再沉淀。過濾再沉淀的聚合物并在Soxhlet設(shè)備中用丙酮提純24小時(shí)，由此得到0.3g的聚合物。實(shí)施例16:裝置特性的評價(jià)旋涂處理用作陽極的ITO基板以形成PEDOT。通過將聚合物主體纟參入到具有7%的摻雜劑的PEDOT中，通過旋涂在PEDOT上形成發(fā)光層。將BAlq真空沉積到發(fā)光層上以形成厚度為50A的空穴阻擋層。然后，將Alq3真空沉積在發(fā)光層上以形成厚度為200A的電子傳輸層。在電子傳輸層上依次真空沉積10A的LiF和1000A的Al以形成陰極，由此制得OLED。根據(jù)此實(shí)施例制造的OLED在1000尼特時(shí)具有表1所示的閥值電壓和驅(qū)動(dòng)電壓、電流效率以及功率效率。被評價(jià)裝置的結(jié)構(gòu)Al(IOOOA)/LiF(IOA)/Alq3(200A)/Balq(50A)/EML(聚合物主體+Ir(ppy)3)/PEDOT/ITO(1500A)<table>tableseeoriginaldocumentpage39</column></row><table>實(shí)施例17:裝置特性的評價(jià)旋涂處理用作陽極的ITO基板以形成PEDOT。通過將重量比為1:2的P-4和CBP的混合物摻入到具有7%的摻雜劑的PEDOT中，通過旋涂在PEDOT上形成發(fā)光層。將BAlq真空沉積到發(fā)光層上以形成厚度為50A的空穴阻擋層。然后，將Alq3真空沉積在發(fā)光層上以形成厚度為200A的電子傳輸層。在電子傳輸層上依次真空沉積10A的LiF和1000A的Al以形成陰極，由此制得OLED。對比裝置包括PVK作為聚合物主體。被評價(jià)裝置的結(jié)構(gòu)Al(1000A)/LiF(10A)/Alq3(200A)/Balq(50A)/EML(P-4+CBP+Ir(ppy)3)/PEDOT/ITO(1500A)對比裝置的結(jié)構(gòu)Al(IOOOA)/LiF(10A)/Alq3(200A)/Balq(50A)/EML(PVK+CBP+Ir(ppy)3)/PEDOT/ITO(1500A)根據(jù)前述實(shí)施例制造的OLED在1000尼特時(shí)具有表2所示的閥值電壓和驅(qū)動(dòng)電壓、電流效率以及功率效率。<table>tableseeoriginaldocumentpage40</column></row><table>盡管已參照了本發(fā)明的示例性實(shí)施方式，但本發(fā)明不限于這些實(shí)施方式和附圖。應(yīng)理解的是，本領(lǐng)域技術(shù)人員可進(jìn)行多種修改、變更和替代而不背離所附權(quán)利要求書公開的本發(fā)明的精神和范圍。因此，應(yīng)理解的是，提供上述示例性實(shí)施方式僅用于說明，而不會(huì)限制本發(fā)明的范圍。權(quán)利要求1、一種用于有機(jī)發(fā)光二極管的有機(jī)層的聚合物，包括由以下通式2表示并通過聚合由以下通式1表示的單體形成的重復(fù)單元[通式1][通式2](在通式1和2中，X表示硅(Si)或錫(Sn)；Ar1、Ar2和Ar3可相同或不同，且各自表示C1～C30取代或未取代的烷基、C1～C30取代或未取代的?；?、C1～C30取代或未取代的烷氧羰基、C1～C30取代或未取代的烷氧基、C2～C30取代或未取代的烯基、C2～C30取代或未取代的炔基、C2～C30取代或未取代的烷基羧基、C6～C30取代或未取代的芳基、C6～C30取代或未取代的芳烷基、C6～C30取代或未取代的芳烷氧基、C2～C30取代或未取代的雜芳基、C2～C30取代或未取代的雜芳氧基、C6～C30取代或未取代的芳氧基以及C4～C30取代或未取代的環(huán)烷基；Y為單鍵，且表示亞烷基(優(yōu)選C1～C20，更優(yōu)選C1～C12，更進(jìn)一步優(yōu)選C1～C8，例如亞甲基、亞乙基、亞丙基等)、亞芳基(優(yōu)選C6～C30，更優(yōu)選C6～C20，更進(jìn)一步優(yōu)選C6～C12，例如亞苯基、亞聯(lián)苯基、亞萘基等)、氧化亞烷基(優(yōu)選C1～C20，更優(yōu)選C1～C12，更進(jìn)一步優(yōu)選C1～C8，例如氧化亞甲基、氧化亞乙基等)、亞芳醚基(優(yōu)選C6～C20，更優(yōu)選C6～C16，更進(jìn)一步優(yōu)選C6～C12，例如亞苯醚基、亞聯(lián)苯醚基、亞萘醚基等)、氧羰基、?；被?、尿烷基等，且這些二價(jià)有機(jī)基團(tuán)還可由上述取代基取代；R1和R2可相同或不同，并各自表示氫原子或單價(jià)取代基，即烷基(優(yōu)選C1～C20)、烯基(優(yōu)選C2～C20)、芳基(優(yōu)選C6～C30)、烷氧基(優(yōu)選C1～C20)、芳氧基(優(yōu)選C6～C20)、氧雜基(優(yōu)選C2～C20)、甲硅烷氧基(優(yōu)選C3～C40)、?；?優(yōu)選C1～C20)、烷氧基羰基(優(yōu)選C2～C20)、酰氧基(優(yōu)選C2～C20)、酰氨基(優(yōu)選C2～C20)、烷氧基羰基氨基(優(yōu)選C2～C20)、芳氧基羰基氨基(優(yōu)選C7～C20)、氨磺酰氨基(優(yōu)選C1～C20)、磺?；?優(yōu)選C0～C20)、烷硫基(優(yōu)選C1～C20)、芳硫基(優(yōu)選C6～C20)、雜環(huán)硫醇基(優(yōu)選C1～C20)、磺?；?優(yōu)選C1～C20)、酰脲基(優(yōu)選C1～C20)、磷酰胺基(優(yōu)選C1-C20)、羥基、鹵素、氰基、砜基、羧基、硝基、雜原子、甲硅烷基(優(yōu)選C3～C40)等)。2、一種用于有機(jī)發(fā)光二極管的有機(jī)層的聚合物，包括由通式2表示并通過聚合由通式1表示的單體形成的重復(fù)單元，以及由以下通式4表示并通過聚合由以下通式3表示的單體形成的重復(fù)單元<formula>formulaseeoriginaldocumentpage3</formula>(在通式3和4中，L表示能被以下基團(tuán)取代的呼唑、三苯胺、苯基、萘基、蒽基、吡啶基等，所述基團(tuán)選自由氰基(-CN)、羥基(-OH)、可由Cl~C6烷氧基羰基取代的Cl~C30烷氧基羰基、Cl~C30(二)烷氨基羰基、C1C30烷基羰基、囟素、羥基、曱硅烷基、C1C30烷基、C6~C18芳基、Cl~C30烷氧基、Cl~C30烷氧基羰基、Cl~C30酰氧基和Cl~C30烷基羰基構(gòu)成的組中；R!和R2可相同或不同，并各自表示氫原子或單價(jià)取代基，即烷基(優(yōu)選Cl~C20)、烯基(優(yōu)選C2~C20)、芳基(優(yōu)選C6~C30)、烷氧基(優(yōu)選Cl~C20)、芳氧基(優(yōu)選C6~C20)、氧雜基(優(yōu)選C2~C20)、曱硅烷氧基(優(yōu)選C3~C40)、酰基(優(yōu)選Cl~C20)、烷氧基羰基(優(yōu)選C2C20)、酰氧基(優(yōu)選C2C20)、酰氨基(優(yōu)選C2-C20)、烷氧基羰基氨基(優(yōu)選C2~C20)、芳氧基羰基氨基(優(yōu)選C7~C20)、氨磺酰氨基(優(yōu)選C1C20)、磺酰基(優(yōu)選CO~C20)、烷疏基(優(yōu)選CI~C20)、芳硫基(優(yōu)選C6~C20)、雜環(huán)硫醇基(優(yōu)選Cl~C20)、磺?；?優(yōu)選Cl~C20)、酰脲基(優(yōu)選Cl~C20)、磷酰胺基(優(yōu)選C1C20)、羥基、卣素、氰基、砜基、羧基、硝基、雜原子、曱硅烷基(優(yōu)選C3~C40)等)。3、根據(jù)權(quán)利要求2所述的聚合物，其中由通式2表示的重復(fù)單元形成整體所述聚合物的至少0.5wt。/?；蚋?。4、根據(jù)權(quán)利要求2所述的聚合物，其中由通式4表示的重復(fù)單元形成整體所述聚合物的至少0.5wt。/。或更多。5、根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的聚合物，其中由通式1表示的單體選自由以下通式5表示的單體的組中[通式5](在通式5中，X、Y、ArPAr2、Ar3、R、和112各自表示與通式1中限定相同的基團(tuán)；Z不存在或?yàn)镃I~C30取代或未取代的烷基、C1C30取代或未取代的?；?、CI~C30取代或未取代的烷氧基羰基、Cl-C30取代或未取代的烷氧基、C2C30取代或未取代的烯基、C2C30取代或未取代的炔基、C2C30取代或未取代的烷基羧基以及取代或未取代的環(huán)烷基；A和B中至少一個(gè)包括氮原子；R3Rk)和R'3R、o可相同或不同，且各自表示CI~C30取代或未取代的烷基、C1-C30取代或未取代的酰基、C1~C30取代或未取代的烷氧基羰基、CI~C30取代或未取代的烷氧基、C2-C30取代或未取代的烯基、C2~C30取代或未取代的炔基、C2~C30取^或未取代的烷基羧基、C6-C30取代或未取代的芳基、C6C30取代或未取代的芳烷基、C6~C30取代或未取代的芳烷氧基、C2~C30取代或未取代的雜芳基、C2-C30取代或未取代的雜芳氧基、C6C30取代或未取代的芳氧基、C4~C30取代或未取代的環(huán)烷基、-N(R)(R')(其中R和R'獨(dú)立地表示氫、Cl~C30烷基、C6C30芳基或C2C30雜芳基)、氰基、羥基和羧基；在此，R3R'^的兩個(gè)或更多個(gè)相鄰基團(tuán)可連接成環(huán)；1為010的整數(shù))。6、根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的聚合物，其中由通式1表示的單體選自由以下化學(xué)式1表示的單體的組中[化學(xué)式l]<formula>formulaseeoriginaldocumentpage7</formula>7、根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的聚合物，其中由通式2表示的重復(fù)單元選自由以下化學(xué)式2表示的重復(fù)單元的組中。<formula>formulaseeoriginaldocumentpage8</formula>[化學(xué)式3]<formula>formulaseeoriginaldocumentpage9</formula>(在化學(xué)式3中，X、Y、Ar!、Ar2、Ar3、R！~R'10和1各自表示與權(quán)利要求5的通式5中相同，且n為1-1000000的整數(shù))。8.<image>imageseeoriginaldocumentpage9</image>9、根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的聚合物，其中由通式3表示的單體由以下化學(xué)式4表示[化學(xué)式4]10、根據(jù)權(quán)利要求2所述的聚合物，其中由通式4表示的重復(fù)單元是由以下化學(xué)式5表示的重復(fù)單元[化學(xué)式5]<formula>formulaseeoriginaldocumentpage10</formula>11、根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的聚合物，其中所述聚合物的重均分子量為1000-5000000。12、根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的聚合物，其中所述聚合物的數(shù)均分子量500-2000000。13、一種有機(jī)發(fā)光二極管，包括一對電極以及包含根據(jù)權(quán)利要求1~12中任何一項(xiàng)所述的聚合物作為一種組分的有機(jī)層。全文摘要本發(fā)明公開了一種用于OLED有機(jī)層的具有硅和/或錫的乙烯基類聚合物。所述聚合物可溶于有機(jī)溶劑中，能夠發(fā)出從紅光到藍(lán)光波長的熒光和磷光以便用于OLED中有機(jī)發(fā)光層的主體材料。文檔編號C09K11/06GK101641422SQ200780052480公開日2010年2月3日申請日期2007年12月26日優(yōu)先權(quán)日2007年5月17日發(fā)明者李鎬在,柳銀善,蔡美榮,鄭成顯,金亨宣,金南洙,金永勛申請人:第一毛織株式會(huì)社