專(zhuān)利名稱::暖白光發(fā)光二極管及其溴化物熒光粉的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域:
:本發(fā)明是有關(guān)于一種電子
技術(shù)領(lǐng)域:
,尤指一種與廣義上被稱之為"固態(tài)光源"(Solidstatelighting)的照明技術(shù)有關(guān)的溴化物熒光粉及使用該溴化物熒光粉的暖白光發(fā)光二極管。
背景技術(shù):
:以氮化銦鎵InGaN異質(zhì)結(jié)(即P-N接面)為基礎(chǔ)的半導(dǎo)體光源逐漸取代了熒光燈、氣體放電燈等多種類(lèi)型的照明光源,使現(xiàn)代化的照明技術(shù)更加完善。在該半導(dǎo)體照明架構(gòu)中含有大量的量子阱成份,在半導(dǎo)體輻射中實(shí)質(zhì)性的增加了有效發(fā)光轉(zhuǎn)換,可增加有效電致發(fā)光的轉(zhuǎn)換過(guò)程。內(nèi)部電轉(zhuǎn)光效率95~99%,外部的取光效率大于40%。第二個(gè)重點(diǎn)指出高效的內(nèi)部參數(shù)不僅僅取決于半導(dǎo)體異質(zhì)結(jié)InGaN,特殊的發(fā)光光譜與熒光粉輻射材料的相互作用,相關(guān)部分在www.espacenet.com的專(zhuān)利中有詳細(xì)的描述。首先,指出其中將氮化物GaN半導(dǎo)體架構(gòu)與斯托克斯熒光粉相結(jié)合,是由日本中村修一(請(qǐng)參照S.NakanuraBluelaserSpringer-VerlarBerlin1997,在此不詳細(xì)描述)所提議。采用的輻射發(fā)光,最大發(fā)光輻射分布在可見(jiàn)光譜領(lǐng)域,可以產(chǎn)生其它色調(diào)的發(fā)光。具體有關(guān)提議在斯托克斯熒光粉的質(zhì)量中采用熟知的材料Y3AI5O12(請(qǐng)參照S.G.BlasseLuminescentmaterial.Amst.Berliu,1997)被用于在封裝架構(gòu)上。知名的日亞(Nichia)公司專(zhuān)利中(請(qǐng)參照S.Schimizu等人之美國(guó)US.20071149914專(zhuān)利申請(qǐng)案)利用藍(lán)光輻射及遵循十七世紀(jì)牛頓的互補(bǔ)色定律來(lái)獲取有效的白光。而早于這篇日本專(zhuān)利之前,互補(bǔ)色的物理發(fā)光原理就曾被利用,比如由藍(lán)光及黃光相結(jié)合運(yùn)用在彩色電視機(jī)的映像管上。在上述US20071149914專(zhuān)利申請(qǐng)案的描述中,其運(yùn)用異質(zhì)結(jié)InGaN為基質(zhì)。盡管這種技術(shù)得到廣泛的應(yīng)用,但它仍然存在著一系列的缺點(diǎn)l.在儀器中呈現(xiàn)出天藍(lán)色的發(fā)光;2.具有T〉6500K的高色溫輻射;3.對(duì)于光學(xué)參數(shù)不高的半導(dǎo)體輻射設(shè)備;4.懸浮液聚合物不穩(wěn)定性的熒光粉擁有dsf612微米;以及5.白光發(fā)光二極管的光學(xué)技術(shù)參數(shù)的范圍,在特殊的熒光粉合成過(guò)程中不具備復(fù)制性等。這些主要的原因,出現(xiàn)在WO2008/051486Al專(zhuān)利申請(qǐng)案中,其中有關(guān)描述納米尺寸的釔鋁石榴石,其具體的公式為(Y,A)3(A1,B)5(0,C)12。其中A=Tb、Gd、La、Sr、Ba、Ca、Mg,主要的替取離子Y,B=Si、Ge、B、P、S,替換離子Al等。必須指出該化學(xué)公式并未遵照原專(zhuān)利的內(nèi)容,例如在熒光粉成份中的氮離子N^以及硫離子S—2。同樣,在吾人之前的專(zhuān)利中有提到在石榴石的熒光粉成份中加入F"離子以及Si+4離子(請(qǐng)參照SochchinN.等人之中華民國(guó)發(fā)明專(zhuān)利2495678,/2006/02/07),然而這一存在的缺點(diǎn)在WO2008/051486Al專(zhuān)利申請(qǐng)案中得以解決,其數(shù)據(jù)并且可以采用在本專(zhuān)利上。然而它仍然存在著缺點(diǎn)l.在藍(lán)光的激發(fā)下,具有6500K或更高的色溫;2.相對(duì)于發(fā)光效率不高的熒光粉,是因?yàn)樵诔煞葜袥](méi)有添加F"離子及Cl"離子;3.納米的石榴石顆粒穩(wěn)定性不高,綜合WO2008/051486Al專(zhuān)利申請(qǐng)案在黃色顆粒熒光粉上重要的藍(lán)光散射。
發(fā)明內(nèi)容為解決上述習(xí)知技術(shù)之缺點(diǎn),本發(fā)明之主要目的是提供一種溴化物熒光粉,其可消除已知材料的顆粒高色溫的不足。為解決上述習(xí)知技術(shù)之缺點(diǎn),本發(fā)明之另一目的是提供一溴化物熒光粉,其可排除不穩(wěn)定性及在儀器中的使用壽命。為解決上述習(xí)知技術(shù)之缺點(diǎn),本發(fā)明之另一目的是提供一種溴化物熒光粉,其具有稀土元素石榴石基質(zhì),可用于半導(dǎo)體二極管的暖紅色發(fā)光熒光粉。為解決上述習(xí)知技術(shù)之缺點(diǎn),本發(fā)明之另一目的是提供一種暖白光發(fā)光二極管,其創(chuàng)造以InGaN半導(dǎo)體異質(zhì)結(jié)為基質(zhì)的發(fā)光二極管架構(gòu)。為達(dá)上述之目的,本發(fā)明之一種溴化物熒光粉,是以稀土氧化石榴石元素為基礎(chǔ),其特征在于該熒光粉在石榴石成份中添加溴離子,其組成的化學(xué)當(dāng)量式為(2Ln)3Ah[Al(〇"Br2x)4]3,其中2Ln=Gd及/或Y及/或Lu及/或Dy及/或Ce及/或Pr。為達(dá)上述之目的,本發(fā)明之一種暖白光發(fā)光二極管,其系以InGaN半導(dǎo)體異質(zhì)結(jié)為基質(zhì),并涂有一發(fā)光轉(zhuǎn)換層,其特征在于該發(fā)光轉(zhuǎn)換層具有上述的溴化物熒光粉,以及該熒光粉顆粒是具有直徑d5。=0.6~2.75微米的橢圓型顆粒,其分布在透明的聚合物中與有機(jī)硅膠相結(jié)合,其分子質(zhì)量M=15000-25000碳單位。該熒光粉顆粒在該發(fā)光轉(zhuǎn)換層中的重量比率為875%。該發(fā)光轉(zhuǎn)換層具有均勻的厚度,其輻射表面與側(cè)面的厚度為80~160微米。所述的暖白光發(fā)光二極管,其中其主要輻射面呈中心對(duì)稱的形態(tài)分布,透過(guò)一球形光學(xué)透鏡,所產(chǎn)生的折射系數(shù)為n》1.45。所述的暖白光發(fā)光二極管,其中對(duì)于位于橙紅色光譜區(qū)域的輻射,其色坐標(biāo)值x=0.46±0.02,y=0.45±0.03,在2e=60°時(shí)I=100~500燭光,所采用儀器的工作電壓為3.0~3.9V。所述的暖白光發(fā)光二極管,其中在電功率為l瓦特時(shí),其光通量68~98流明。所述的暖白光發(fā)光二極管,其中加熱外殼溫度達(dá)到T二85。C時(shí),其色溫T=2500~4500K。所述的暖白光發(fā)光二極管,其演色系數(shù)R》70。具體實(shí)施例方式首先,本發(fā)明之目的在于消除上述熒光粉及使用該熒光粉之暖白光發(fā)光二極管的缺點(diǎn)。為了達(dá)到這個(gè)目標(biāo),本發(fā)明之稀土溴化物熒光粉,以稀土氧化石榴石元素為基礎(chǔ),其特征在于該熒光粉在石榴石成份中添加溴離子,其組成的化學(xué)當(dāng)量式為(2Ln)3Ah[Al(0"BnO小,其中2Ln=Gd及/或Y及/或Lu及/或Dy及/或Ce及/或Pr。其中,該熒光粉組成之原子分率主要有0.5《Gd/2Ln《0.95;0.01<Y/2Ln《0.5;0.01《Tb/2Ln《0.11;0.01<Ce/2Ln《0.045;0.0001<Pr/5:Ln《0.01;O.OOkLu/2Ln《0.03;0.0001《Dy/2Ln《0.01。其中,該化學(xué)計(jì)量指數(shù)為x=0.0001~0.05;立方晶格參數(shù)值為a=12.1~12.6A,且在光譜的橙紅色發(fā)光區(qū)域的最大輻射波長(zhǎng)入=580~610nm,色坐標(biāo)x=0.46,y=0.532。其中,該熒光粉之激發(fā)光譜位于在次能帶上的波長(zhǎng)入<formula>formulaseeoriginaldocumentpage7</formula>其中,當(dāng)增加合成熒光粉中的Br含量時(shí),其發(fā)光輻射波長(zhǎng)增長(zhǎng)從入=580~610nm。其中,當(dāng)達(dá)到溫度85t:時(shí),其發(fā)光亮度還有在室溫25。C下的92°%。其中,當(dāng)引入的爐料中增大或減少Br成份時(shí),該熒光粉的顆粒具有直徑d5。=0.6~2.75微米,且呈橢圓型。其中,進(jìn)一步可結(jié)合氧化稀土元素?zé)峒庸ぬ幚?,其中該熱加工處理是在可還原氣體的5XH2+95^N2中,添加含氧化程度為Br"溴的氣態(tài),當(dāng)熱加工處理溫度從T=800~1400°C,采用Ce(BrCb)3.9H20作為激活成份。首先,本發(fā)明是屬于有關(guān)釓-鋁石榴石族元素,主要的在陽(yáng)離子晶格中的Gd+3離子,而并非傳統(tǒng)的早先主要熟知的石榴石熒光粉成份(請(qǐng)參照上述習(xí)知專(zhuān)利);第二,本發(fā)明所提出之的添加材料包括大尺寸的Br"離子,第三,本發(fā)明所提出之材料屬于雙線性石榴石,不僅僅具有傳統(tǒng)的氧離子,組成八面體[A10小但是同樣第二個(gè)配合體中添加Br",引入[A10"B仏]的形式中。本發(fā)明所提出之熒光粉的差別在于增大晶格的參數(shù)自a=12.1~12.16A。而對(duì)于氟氧化物(Y!-丄n。3Al2[Al(OHF2y)小,數(shù)值為a=11.95~11.98A。而接著本發(fā)明所提出之熒光粉成份其特征位于在陽(yáng)離子的晶格中添加引入稀土添加物,像這樣的添加物總共有五個(gè),這所有的添加物位于活效的光譜中,如Tb"離子的添加保證了光譜激發(fā)充分的擴(kuò)展,及輻射光譜在+10nm上,鎦離子Lu+3的添加保證了熒光粉短波位移的激發(fā)光譜在A=-5nm。接著稀土添加物則作為激活劑,在鈰離子Ce"在5d2成份中的轉(zhuǎn)換,保證了主要的發(fā)光輻射位于波長(zhǎng)入二520800nm處。對(duì)于Pr"離子,在起初引進(jìn)4f,特殊獨(dú)立的窄波帶輻射區(qū)域是從入=608~612nm,同時(shí)加強(qiáng)激活劑Ce+3的作用。在此強(qiáng)調(diào),在陽(yáng)離子晶格中每種物質(zhì)的最佳原子分率例如但不限于為0.5《Gd/2Ln《0.95;0.01<Y/2Ln《0.5;0.01《Tb/SLn《0.11;0.01<Ce/2Ln《0.045;0.0001<Pr/2Ln《0.01;O.OOlcLu/2Ln《0.03;0.0001《Dy/2Ln《0.01。像這樣的熒光粉的特質(zhì),對(duì)于熟知的Y3Al5012:Ce標(biāo)準(zhǔn)機(jī)構(gòu)的波長(zhǎng)位移透過(guò)固化反應(yīng)的模式建立Y3Al5012-Gd3Al5012,對(duì)于部分釔被釓取代,當(dāng)釓離子濃度達(dá)到40%時(shí),波長(zhǎng)從入=540nm位移到A二569nm,位移量A二29nm。吾人指出,當(dāng)添加Br"離子時(shí),會(huì)有明顯的位移量A=10nm,該位移顯示在熒光粉輻射波長(zhǎng)上Br—i離子是非常有效的成份,除此之外,還顯示擴(kuò)大傳統(tǒng)習(xí)知的半波寬入。口120128nm。在不對(duì)稱的光譜曲線圖中,Br—工的最大濃度值在氧化鋁四面體同樣也位于不對(duì)程的高斯輻射曲線圖上,在此部分的紅色,橙色發(fā)光部分有增加。本發(fā)明所提出之熒光粉的一個(gè)不尋常的特質(zhì),即在熒光粉的基質(zhì)中將Pr"與Ce"及Dy"相結(jié)合其最大輻射光譜有提升。本發(fā)明所提出之熒光粉,其特征在于在熒光粉的成份其中所添加引入Br"離子為基質(zhì)的材料從0.0001~0.05原子分率,Br"取代替換部分圍繞四面體周遭的氧鋁離子。Br"離子進(jìn)入復(fù)雜的四面體組份中,氧離子0—2(ro二1.381.40A)與Br"(rb^1.90A)之間存在著不同的尺寸。本發(fā)明所提出之熒光粉其實(shí)質(zhì)上的優(yōu)勢(shì),其特征在于在熒光粉的成份中添加Br"離子可敏化激活物Ce+3離子,可使激活物Ce"離子濃度小些。必須指出本發(fā)明所提出之熒光粉成份中Br"的一個(gè)重要的特性,在化學(xué)式中改變成份〇'2——Br—i出現(xiàn)了一個(gè)有效的電子裝填。在化學(xué)式中等值替換0—2=2Br—、在離子半徑中不存在不同的數(shù)值,因?yàn)樗嶙h的在化學(xué)計(jì)量式中加入替換的Ce"替換Gd"離子,根據(jù)公式Ce+4+Br-1—(CeGd)。+(Br。)、本發(fā)明所提出之熒光粉還顯露出一重要的特性,即有關(guān)熒光粉的熱穩(wěn)定性。一般對(duì)于標(biāo)準(zhǔn)的石榴石發(fā)光熒光粉提升溫度,其發(fā)光亮度都會(huì)降低,但本發(fā)明的熒光粉當(dāng)溫度增加至75。C時(shí),所產(chǎn)生的亮度僅降低了2~4%,當(dāng)溫度增加至T二85'C時(shí),所產(chǎn)生的亮度僅僅降低了6~8%。類(lèi)似于這樣的亮度下降不多的發(fā)光,該材料可以運(yùn)用在中等電功率以及高功率的半導(dǎo)體儀器設(shè)備上。本發(fā)明所提出之熒光粉采用分散的成份分散度(15。=4~8微米,對(duì)于采用自動(dòng)化生產(chǎn)設(shè)備所需的熒光粉成份分散度d50=1~2微米。當(dāng)然像這樣的微型顆粒所采用的類(lèi)似的發(fā)光,在這里的操作透過(guò)改變熒光粉的顆粒形態(tài)(外部形態(tài)),這降低了其效能并使其原子排列變壞,如此會(huì)影響其熱穩(wěn)定性。個(gè)別具有大光通量(F〉5001m)的制備,采用的異質(zhì)結(jié)吸收尺寸大于1.5X1.5mm,制備這樣的發(fā)光轉(zhuǎn)換層中的熒光粉具有正確的形態(tài),比較熒光粉的顆粒直徑其成份為d5。=12~16微米,除此之外,熒光粉顆粒應(yīng)該具有d9。》20微米。所有的熒光粉發(fā)光顆粒形式具有微型粒徑、中等粒徑及大粒徑,對(duì)于復(fù)雜的生產(chǎn)需要精確的熒光粉合成機(jī)構(gòu)組織。對(duì)于本發(fā)明所提出之具有微型及中等型分散形式的合成熒光粉,這確定了中型顆粒分散尺寸與Br"離子數(shù)量(濃度)在空氣中合成熒光粉顆粒的倚賴關(guān)系。如若成份中Br1濃度小于0.5%原子分率,那么顆粒的中位線直徑&。=3~4微米。如果Br在空氣中的濃度增長(zhǎng)至1%,或者更高,那么其熒光粉中位線直徑會(huì)減小至L52.5微米。但是假設(shè)顆粒的直徑與Br"成份的濃度在空氣中合成熒光粉包括;Br"離子在熒光粉合成物中的可溶性與大氣中的B一成正比,熒光粉顆粒中的Br—'離子濃度過(guò)高時(shí),也就是說(shuō),當(dāng)Br"濃度一直上升(t二1.90A)時(shí),Br—1離子半徑過(guò)大而造成熒光粉不同程度范圍的破裂,而出現(xiàn)的微型顆粒在如圖4的熒光粉測(cè)試報(bào)告中可以看到樣品1的顆粒形狀為橢圓形,且顆粒直徑減小。實(shí)現(xiàn)這樣的優(yōu)勢(shì)在本發(fā)明所提出之熒光粉,其材料創(chuàng)造具有橢圓型的微型顆粒,ds。二0.62.75微米。直徑減少,增加獨(dú)立的Br"物質(zhì)在爐子中的合成法來(lái)制備熒光粉。所有熟知的具有石榴石架構(gòu)的熒光粉一般采用陶瓷工藝方法或者凝膠合成法。在初始的配料中多半采用氧化物類(lèi)型Lu203、Ce02、Ah03等必須的物質(zhì),亦可采用氫氧化物,同樣這樣的成份Lu(OH)3、Ce(OH》、A1(〇H)3等。在采用凝膠技術(shù)工藝合成在最初物質(zhì)采用水以及酒精溶液組成Y3(N〇3)3.6H20Al(NCb)3.9H20等及相似成份的物質(zhì)。本發(fā)明所提出之新型的合成熒光粉技術(shù)架構(gòu),在初次的試劑中釆用稀土氧化成份及鋁的成份,猶如Ce(BrCh)3.9H20,之后在還原氣體中煅燒。由添加NBn及Br2成份,爐內(nèi)的溴氣成份與氮?dú)獾谋壤秊锽n:H2:N2=0.1:4.9:95~l:4:95,爐溫為T(mén)=800~1300°C,保持616小時(shí),冷卻后取出配料,用稀釋酸液(HC1、HNOs、H3P〇4等)酸洗。合成本發(fā)明所提出之熒光粉具體的特殊組份,猶如表l中所述。表1<table>tableseeoriginaldocumentpage12</column></row><table>以下,請(qǐng)一并參照?qǐng)D1圖5,用以解釋本發(fā)明所提出之螢光粉的成份之影響作用。其中,圖l為表l中樣品l的光譜圖;圖2為表1屮樣品2的光譜圖;圖3為表1中樣品3的光譜圖;圖4為表1中樣品1的顆粒形狀圖;圖5本發(fā)明之發(fā)光二極管的架構(gòu)示意圖。如圖5所示,其繪示根據(jù)本發(fā)明之熒光粉所制成之發(fā)光二極管的架構(gòu)示意圖。其中,該發(fā)光二極管包括兩個(gè)接腳2、3、一InGaN半導(dǎo)體異質(zhì)結(jié)4(以下稱半導(dǎo)體異質(zhì)結(jié))、一錐形發(fā)光5及發(fā)光轉(zhuǎn)換層7,該發(fā)光轉(zhuǎn)換層7系由熒光粉顆粒6與聚合物(圖未示)所結(jié)合而成,該發(fā)光二極管的表層進(jìn)一步裝有球形光學(xué)透鏡8。對(duì)于暴露的輻射輸出其間隔是在球形光學(xué)透鏡8與聚合物的透明發(fā)光轉(zhuǎn)換層7之間。使用本發(fā)明所提出之熒光粉之發(fā)光二極管在附加電壓值U=3.0~3.9V時(shí),開(kāi)始發(fā)出光波長(zhǎng)為;i二455nm的藍(lán)光。其發(fā)光數(shù)量依附著可滲透性,經(jīng)過(guò)該半導(dǎo)體異質(zhì)結(jié)4之電流,一般這一參數(shù)為I=20~350mA。藍(lán)光呈現(xiàn)出與熒光粉顆粒6相互配合,分布在聚合物發(fā)光轉(zhuǎn)換層7上,這時(shí)熒光粉顆粒6發(fā)出橙紅色的具有入二580nm的光,而經(jīng)過(guò)該半導(dǎo)體異質(zhì)結(jié)4所發(fā)出之第一級(jí)藍(lán)光與該發(fā)光轉(zhuǎn)換層7具有橙黃色發(fā)光相結(jié)合,其結(jié)果將呈現(xiàn)出暖白發(fā)光。這樣的發(fā)光分布在所有的面,具有幫助圓錐型發(fā)光轉(zhuǎn)換透過(guò)球形光學(xué)透鏡8。以下將更詳細(xì)的描述該發(fā)光轉(zhuǎn)換層7。這一部分的儀器位于該半導(dǎo)體異質(zhì)結(jié)4的表面由2個(gè)部分組成聚合物透光層(圖未示)以及本發(fā)明所提出之熒光粉顆粒6分布。在聚合膜層中本發(fā)明檢驗(yàn)用不同的組織相結(jié)合環(huán)氧樹(shù)脂(epoxy),丙烯酸乙烯及有機(jī)硅聚合物。指出最佳的聚合物來(lái)自硅膠,具有分子質(zhì)量M=1500025000碳單位。同樣規(guī)定,該熒光粉顆粒6在發(fā)光轉(zhuǎn)換層7中的重量比率8~75%。這樣具有強(qiáng)烈的發(fā)光轉(zhuǎn)換層7再次藍(lán)光輻射保證了必要的暖白色輻射光。在該半導(dǎo)體異質(zhì)結(jié)4為基質(zhì)上,帶有發(fā)光轉(zhuǎn)換層7,其特征在于該發(fā)光轉(zhuǎn)換層7內(nèi)的熒光粉6系分布在以硅膠為基質(zhì)的光學(xué)透明聚合物中,具有分子質(zhì)量M=1500025000碳單位,該熒光粉顆粒6在該發(fā)光轉(zhuǎn)換層7中的重量比率8~75%。該發(fā)光轉(zhuǎn)換層7組份中含有專(zhuān)業(yè)的配料架構(gòu)在半導(dǎo)體異質(zhì)結(jié)4的表層。由聚合物及熒光粉顆粒6中選擇這樣的樣本,全部輻射棱面及端面覆蓋濃度均勻的聚合膜層。聚合物成份與熒光粉顆粒6之間的比例為1至10厘泊(cP)。該發(fā)光轉(zhuǎn)換層7的最佳厚度例如但不限于為80160微米,同時(shí)指出,該發(fā)光轉(zhuǎn)換層7應(yīng)該具有相等的厚度。在發(fā)光二極管中達(dá)到的這一成就,其特征在于對(duì)于發(fā)光二極管實(shí)現(xiàn)具有相同厚度形式,最佳的表層薄壁厚度例如但不限于為80160微米。該球形光學(xué)透鏡8的焦點(diǎn)應(yīng)該是直接的,其透鏡中心與半導(dǎo)體異質(zhì)結(jié)4主要的輻射表面相連接,該半導(dǎo)體異質(zhì)結(jié)4的表層與半球形光學(xué)透鏡8間填入了光學(xué)透明聚合物(圖未示),其具有的折射系數(shù)為n>1.45,這保證了高機(jī)械及發(fā)光二極管的撞擊強(qiáng)度(耐久性)。上述白光發(fā)光二極管之其特征在于其主要的輻射面中心是直接的,與球形光學(xué)透鏡8相結(jié)合,該球形光學(xué)透鏡8的空間與填充在發(fā)光轉(zhuǎn)換層7表層的透明聚合物之間具有n>1.45的折射系數(shù)。以上已指出,本發(fā)明之白光發(fā)光二極管具有在白色及橙黃色可見(jiàn)光譜區(qū)域體,具有暖白色輻射,其色坐標(biāo)x=0.46±0.02,y=0.45±0.03,藍(lán)光輻射從I二100500cd,對(duì)于28二60°下發(fā)光二極管透過(guò)電流100~500mA,工作電壓U二3.03.9V。對(duì)于專(zhuān)業(yè)的發(fā)光技術(shù)改變自本發(fā)明所提議之發(fā)光二極管的光通量,對(duì)于激發(fā)功率為1瓦特,其特征在于對(duì)于發(fā)光二極管的功率為1瓦特時(shí)其光通量為F=6898流明,發(fā)光光譜之色溫T=25004500K。雖然本發(fā)明已以較佳實(shí)施例揭露如上,然其并非用以限定本發(fā)明,任何熟習(xí)此技藝者,在不脫離本發(fā)明之精神及范圍內(nèi),當(dāng)可作少許之更動(dòng)與潤(rùn)飾,因此本發(fā)明之保護(hù)范圍當(dāng)視后附之申請(qǐng)專(zhuān)利范圍所界定者為準(zhǔn)。圖式簡(jiǎn)單說(shuō)明接腳2、3半導(dǎo)體異質(zhì)結(jié)4錐形發(fā)光5熒光粉顆粒6發(fā)光轉(zhuǎn)換層7球形光學(xué)透鏡8主要組件符號(hào)說(shuō)明圖1為一示意圖圖2為一矛圖3為一^圖4為一示意圖其繪示表1中樣品其繪示表1中樣品其繪示表1中樣品其繪示表1中樣品1的光譜示意圖。2的光譜圖。3的光譜圖。1的顆粒形狀圖。圖5為一示意圖,其繪示本發(fā)明之發(fā)光二極管的架構(gòu)示g圖。權(quán)利要求1.一種溴化物熒光粉,以稀土氧化石榴石元素為基礎(chǔ),其特征在于該熒光粉在石榴石成份中添加溴離子,其組成的化學(xué)當(dāng)量式為(∑Ln)3Al2[Al(O1-xBr2x)4]3,其中∑Ln=Gd及/或Y及/或Lu及/或Dy及/或Ce及/或Pr。2.如權(quán)利要求1所述的溴化物熒光粉,其中該熒光粉組成中的原子分率主要有0.5《Gd/ZLn《0.95;0.01<Y/2Ln《0.5;0.01《Tb/2Ln《0.11;0.01<Ce/2Ln《0.045;0.0001<Pr/2Ln《0.01;0.001<:Lu/2;Ln《0.03;0.0001《Dy/2Ln《0.01。3.如權(quán)利要求1所述的溴化物熒光粉,其中該化學(xué)計(jì)量指數(shù)為x二0.0001-0.05;立方晶格參數(shù)值為a:12.112.6A,且在光譜的橙紅色發(fā)光區(qū)域的最大輻射波長(zhǎng)A二580610nm,色坐標(biāo)x二0.46,y=0.532。4.如權(quán)利要求1所述的溴化物熒光粉,其激發(fā)光譜位于在次能帶上的波長(zhǎng)入=400~490nm。5.如權(quán)利要求1所述之溴化物熒光粉,其中當(dāng)增加合成熒光粉中的Br含量時(shí),其發(fā)光輻射波長(zhǎng)增長(zhǎng)從入二580610誰(shuí)。6.如權(quán)利要求1所述的溴化物熒光粉,其中當(dāng)達(dá)到溫度85。C時(shí),其發(fā)光亮度還有在室溫25°0下的92%。7.如權(quán)利要求1所述的溴化物熒光粉,其中當(dāng)引入的爐料中增大或減少Br成份時(shí),該熒光粉的顆粒具有直徑dsf0.62.75微米,且呈橢圓型。8.如權(quán)利要求1所述的溴化物熒光粉,其進(jìn)一步可結(jié)合氧化稀土元素?zé)峒庸ぬ幚?,其中該熱加工處理是在可還原氣體的5%仏+95%^中,添加含氧化程度為Br"溴的氣態(tài),當(dāng)熱加工處理溫度從T二800140CTC,—采用Ce(BrCb)3.9H20作為激活成份。9.一種暖白光發(fā)光二極管,其是以InGaN半導(dǎo)體異質(zhì)結(jié)為基質(zhì),并涂有一發(fā)光轉(zhuǎn)換層,其特征在于該發(fā)光轉(zhuǎn)換層具有如權(quán)利要求l中所述引入的熒光粉組份中,以及如權(quán)利要求7中所述橢圓的顆粒分布在透明的聚合物中與有機(jī)硅膠相結(jié)合,其分子質(zhì)量M二15000~25000碳單位。10.如權(quán)利要求9所述的暖白光發(fā)光二極管,其中該熒光粉顆粒在該發(fā)光轉(zhuǎn)換層中的重量比率為8~75%。11.如權(quán)利要求9所述的暖白光發(fā)光二極管,其中該發(fā)光轉(zhuǎn)換層具有均勻的厚度,其輻射表面與側(cè)面的厚度為80160微米。12.如權(quán)利要求9所述的暖白光發(fā)光二極管,其中其主要輻射面呈中心對(duì)稱的形態(tài)分布,透過(guò)一球形光學(xué)透鏡,所產(chǎn)生的折射系數(shù)為n^1.45。13.如權(quán)利要求9所述的暖白光發(fā)光二極管,其中對(duì)于位于橙紅色光譜區(qū)域的輻射,其色坐標(biāo)值乂=0.46±0.02,y=0.45±0.03,在29=60°時(shí)1=100~500燭光,所采用儀器的工作電壓為3.03.9V。14.如權(quán)利要求9所述的暖白光發(fā)光二極管,其中在電功率為1瓦特時(shí),其光通量6898流明。15.如權(quán)利要求9所述的暖白光發(fā)光二極管,其中加熱外殼溫度達(dá)到T-85。C時(shí),其色溫T二25004500K。16.如權(quán)利要求9所述的暖白光發(fā)光二極管,其演色系數(shù)R》70。全文摘要本發(fā)明是關(guān)于一種溴化物熒光粉,其是以稀土氧化石榴石元素為基礎(chǔ),其特征在于該熒光粉在石榴石成份中添加溴離子,其組成的化學(xué)當(dāng)量式為(∑Ln)<sub>3</sub>Al<sub>2</sub>[Al(O<sub>1-x</sub>Br<sub>2x</sub>)<sub>4</sub>]<sub>3</sub>,其中∑Ln=Gd及/或Y及/或Lu及/或Dy及/或Ce及/或Pr,該化學(xué)計(jì)量指數(shù)為x=0.0001~0.05;立方晶格參數(shù)值為a=12.1~12.6A,且在光譜的橙紅色發(fā)光區(qū)域的最大輻射波長(zhǎng)λ=580~610nm,色坐標(biāo)x=0.46,y=0.532。此外,本發(fā)明亦揭露一種使用該溴化物熒光粉的暖白光發(fā)光二極管。文檔編號(hào)C09K11/86GK101368102SQ20081016149公開(kāi)日2009年2月18日申請(qǐng)日期2008年10月6日優(yōu)先權(quán)日2008年10月6日發(fā)明者索辛納姆,羅維鴻,蔡綺睿申請(qǐng)人:羅文淵