專(zhuān)利名稱(chēng):涂敷裝置及涂敷方法
技術(shù)領(lǐng)域:
本發(fā)明涉及往基板上涂敷涂敷液的涂敷裝置及涂敷方法。
背景技術(shù):
液晶顯示器和等離子顯示器等平板顯示器使用的是往玻璃基板上涂 敷抗蝕液的結(jié)構(gòu)(稱(chēng)為涂敷基板)。該涂敷基板利用均勻涂敷抗蝕液的涂 敷裝置形成。
該涂敷裝置具有載置基板的工作臺(tái)和噴出抗蝕液的涂敷單元, 一面從 涂敷單元噴出抗蝕液一面移動(dòng)涂敷單元,從而在基板上形成均勻厚度的抗 蝕液膜。
具體地說(shuō)如下述專(zhuān)利文獻(xiàn)1所述,若向工作臺(tái)上供給基板,則通過(guò)使 工作臺(tái)上的吸附孔產(chǎn)生負(fù)壓從而將基板吸附保持在工作臺(tái)上。此時(shí),為了 避免空氣層以氣泡形式夾在基板和工作臺(tái)之間,在載置基板之際,以撓曲 基板中央部分的狀態(tài)從該基板中央部分開(kāi)始載置在工作臺(tái)上。然后,在工 作臺(tái)上載置吸附基板后,使涂敷單元移動(dòng),噴出涂敷液,在基板上形成涂 敷膜。
專(zhuān)利文獻(xiàn)l:特開(kāi)2006—281091號(hào)公報(bào)
可是,上述專(zhuān)利文獻(xiàn)l所述的涂敷裝置中,是在基板整體被吸附固定 在工作臺(tái)上之后移動(dòng)涂敷單元,從而存在的問(wèn)題是涂敷裝置的作業(yè)周期變 長(zhǎng)。即,隨著基板大型化等,定位基板的微調(diào)變得困難,從而將大型基板 整體高精度地載置、固定在工作臺(tái)上需要花費(fèi)時(shí)間,涂敷裝置整體的作業(yè) 周期具有長(zhǎng)期化的傾向。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明即是鑒于上述問(wèn)題點(diǎn)而產(chǎn)生的,其目的在于提供一種即使在基 板往涂敷裝置的工作臺(tái)上固定需要時(shí)間的情況下也能夠抑制涂敷裝置整體的作業(yè)周期變長(zhǎng)的涂敷裝置及涂敷方法。
為了解決上述課題,本發(fā)明的涂敷裝置,具備載置基板的工作臺(tái); 和涂敷單元,其在相對(duì)于所述工作臺(tái)的表面上載置的基板相對(duì)移動(dòng)的同時(shí) 噴出涂敷液,從而在基板上形成涂敷膜,所述涂敷裝置的特征在于,所述 工作臺(tái)設(shè)有吸附保持基板的基板吸附裝置,所述基板吸附裝置具有初始吸 附部和主要吸附部,所述初始吸附部對(duì)形成涂敷開(kāi)始時(shí)的初始膜的基板的 初始膜形成區(qū)域進(jìn)行吸附,所述主要吸附部對(duì)除了該初始膜形成區(qū)域以外 的涂敷膜形成區(qū)域進(jìn)行吸附。
根據(jù)上述涂敷裝置,吸附基板的所述基板吸附裝置具有初始吸附部和 主要吸附部,從而,能夠在初始吸附部吸附了基板一部分后,移動(dòng)涂敷單 元,對(duì)與初始吸附部對(duì)應(yīng)的基板部分開(kāi)始涂敷。S卩,能夠在開(kāi)始了基板吸 附后,馬上向與所述初始吸附部對(duì)應(yīng)的基板部分移動(dòng)涂敷單元,從而與現(xiàn) 有那樣在吸附固定基板整體后開(kāi)始涂敷動(dòng)作的情況相比,能夠縮短涂敷裝 置整體的作業(yè)周期。
另外,能夠采用以下構(gòu)成,所述基板吸附裝置的初始吸附部及主要吸 附部分別形成有在工作臺(tái)的表面開(kāi)口而形成的吸引孔,所述基板吸附裝置 具備在所述吸引孔中產(chǎn)生吸引力的吸引裝置和相對(duì)于所述初始吸附部及 主要吸附部選擇性地產(chǎn)生來(lái)自該吸引裝置的吸引力的切換裝置。
根據(jù)該構(gòu)成能夠通過(guò)操作切換裝置從而只在所述初始吸附部產(chǎn)生吸 引力,將基板一部分吸附到初始吸附部后,在主要吸附部也產(chǎn)生吸引力, 吸附固定基板整體。因而,無(wú)須對(duì)初始吸附部和主要吸附部雙方分別設(shè)置 吸引裝置。
另外,還能夠采用以下構(gòu)成,所述基板吸附裝置的初始吸附部及主要 吸附部分別形成有在工作臺(tái)的表面開(kāi)口而形成的吸引孔,所述基板吸附裝 置相對(duì)于初始吸附部及主要吸附部分別獨(dú)立地設(shè)有在所述初始吸附部的 吸引口中產(chǎn)生吸引力的吸引裝置和在所述主要吸附部的吸引口中產(chǎn)生吸 引力的吸引裝置。
根據(jù)該構(gòu)成,相對(duì)于所述基板吸附裝置的初始吸附部及主要吸附部能 夠以適當(dāng)?shù)亩〞r(shí)相當(dāng)于各自分別獨(dú)立地產(chǎn)生吸引力。
另外,也可以采用以下構(gòu)成,所述初始吸附部及主要吸附部形成有將基板吸附在所述工作臺(tái)的表面的吸附槽,該吸附槽與所述吸引孔連通,并 且在工作臺(tái)的表面開(kāi)口而形成,該初始吸附部的吸附槽和主要吸附部的吸 附槽通過(guò)防止相互連結(jié)的隔開(kāi)部分別獨(dú)立地形成。
根據(jù)該構(gòu)成,若在吸引孔中產(chǎn)生吸引力,則在與該吸引孔連通的吸附 槽中也產(chǎn)生吸引力,從而與吸附槽面對(duì)的基板部分整體被吸引到吸附槽 側(cè)。并且,即使在基板和工作臺(tái)之間夾雜有氣泡的情況下也能夠利用吸附 槽吸引氣泡,從而避免氣泡殘留在基板和工作臺(tái)之間的問(wèn)題。另外,由于 初始吸附部的吸附槽和主要吸附部的吸附槽分別獨(dú)立地形成,從而能夠防 止在初始吸附部產(chǎn)生吸引力的情況下對(duì)應(yīng)該由主要吸附部吸附的基板部 分作用吸引力。
另外,也可以采用以下構(gòu)成,所述基板吸附裝置的初始吸附部及主要 吸附部具備保持基板的銷(xiāo)構(gòu)件,該銷(xiāo)構(gòu)件分別收容在工作臺(tái)內(nèi),并且能夠 從工作臺(tái)的表面突出地設(shè)置,所述初始吸附部的銷(xiāo)構(gòu)件比所述主要吸附部 的銷(xiāo)構(gòu)件先收容在工作臺(tái)內(nèi)。
根據(jù)該構(gòu)成,在將基板載置于工作臺(tái)上之際,能夠最初將基板一部分 載置在初始吸附部。從而能夠使初始吸附部的基板吸附比主要吸附部的基 板吸附先開(kāi)始。另外,由于基板從初始吸附部開(kāi)始載置,接下來(lái)載置主要 吸附部,從而存在于基板和初始吸附部之間的空氣層向主要吸附部側(cè)逃 竄。從而能夠抑制空氣層以氣泡形式存在于基板和工作臺(tái)(初始吸附部) 之間。
另外,也能夠采用以下構(gòu)成,所述主要吸附部的銷(xiāo)構(gòu)件從所述初始吸 附部側(cè)依次收容在工作臺(tái)內(nèi)。
根據(jù)該構(gòu)成,載置在主要吸附部的基板部分從初始吸附部側(cè)向主要吸 附部側(cè)單向依次載置,從而存在于基板和工作臺(tái)之間的空氣層向未載置側(cè) 依次逃竄。從而,能夠抑制空氣層以氣泡形式存在于基板和工作臺(tái)之間。
另外,為了解決上述課題,本發(fā)明的涂敷方法,是涂敷裝置的涂敷方 法,包括基板載置工序,在工作臺(tái)的表面載置基板;初始膜形成工序, 在使噴出涂敷液的涂敷單元停止的狀態(tài)下在所述工作臺(tái)上載置的基板上 形成初始膜;涂敷膜形成工序,在形成所述初始膜后,從涂敷單元噴出涂 敷液的同時(shí)使該涂敷單元相對(duì)于基板相對(duì)移動(dòng),從而在基板上形成涂敷膜,所述涂敷方法的特征在于,所述基板載置工序具有將基板吸附在工作 臺(tái)的表面的吸附工序,該吸附工序包括對(duì)形成所述初始膜的基板的初始 膜形成區(qū)域進(jìn)行吸附的初始吸附工序;對(duì)除了該初始膜形成區(qū)域以外的基 板的涂敷膜形成區(qū)域進(jìn)行吸附的主要吸附工序,在結(jié)束所述初始吸附工序 后、結(jié)束所述主要吸附工序前,開(kāi)始所述初始膜形成工序。
根據(jù)該構(gòu)成,是在結(jié)束所述初始吸附工序后、結(jié)束所述主要吸附工序 前,開(kāi)始利用涂敷單元進(jìn)行的初始膜形成工序,從而與現(xiàn)有那樣在結(jié)束所 述基板載置工序后開(kāi)始涂敷膜形成工序的涂敷方法相比,能夠縮短涂敷裝 置整體的作業(yè)周期。
發(fā)明效果
根據(jù)本發(fā)明的涂敷裝置及涂敷方法,即使往涂敷裝置的工作臺(tái)上固定 基板需要花費(fèi)時(shí)間時(shí)也能夠抑制涂敷裝置整體的作業(yè)周期長(zhǎng)期化。
圖1是表示本發(fā)明實(shí)施方式的涂敷裝置的俯視圖。
圖2是上述涂敷裝置的側(cè)視圖。
圖3是表示在上述涂敷裝置上載置基板一部分的狀態(tài)的圖。 圖4是表示上述涂敷裝置的工作臺(tái)的圖,(a)是表示工作臺(tái)整體的圖, (b)是表示其表面部分的放大圖。
圖5是表示上述涂敷裝置中涂敷單元的腿部詳情的圖。
圖6是表示上述涂敷裝置的控制系統(tǒng)的框圖。
圖7是表示上述涂敷裝置的動(dòng)作的流程圖。
圖8是表示上述涂敷裝置的涂敷動(dòng)作的流程圖。
圖9是表示上述涂敷裝置的動(dòng)作中的涂敷單元的位置關(guān)系的圖。
圖IO是表示其他實(shí)施方式的涂敷裝置的真空泵和管道系統(tǒng)的概略圖。
圖中,IO —基板,ll一初始膜形成區(qū)域,12—涂敷膜形成區(qū)域,21 —
工作臺(tái),30—涂敷單元,34—管頭部,40—基板吸附裝置,41一初始吸附
部,42 —主要吸附部,90—控制裝置。
具體實(shí)施方式
利用
本發(fā)明的實(shí)施方式。
圖1是概略表示本發(fā)明一實(shí)施方式的涂敷裝置的俯視圖,圖2是其側(cè) 視圖,圖3是表示在涂敷裝置上載置基板一部分的狀態(tài)的圖。
如圖1 圖3所示,涂敷裝置是在基板10上形成藥液和抗蝕液等液狀 物(以下稱(chēng)為涂敷液)的涂敷膜的裝置,具備底座2、用來(lái)載置基板10
的工作臺(tái)21和能夠相對(duì)于該工作臺(tái)21沿特定方向(圖1中是左右方向) 移動(dòng)地構(gòu)成的涂敷單元30。
還有,以下的說(shuō)明中,以涂敷單元30移動(dòng)的方向?yàn)閄軸方向,以與 之在水平面上正交的方向?yàn)閅軸方向,以與X軸及Y軸方向雙方正交的 方向?yàn)閆軸方向進(jìn)行說(shuō)明。
所述底座2在其中央部分配置工作臺(tái)21。該工作臺(tái)21將搬入的基板 IO載置并保持在其表面。并且,在該工作臺(tái)21上設(shè)置基板吸附裝置40, 利用該基板吸附裝置40能夠?qū)⒒?0吸附保持在工作臺(tái)21的表面。具 體地說(shuō),在該工作臺(tái)21上形成開(kāi)口于其表面的多個(gè)吸引孔41a、 42a (參 照?qǐng)D4),這些吸引孔41a、 42a和真空泵81 (真空泵81a、 81b)通過(guò)管道 84連接。并且,在工作臺(tái)21表面載置了基板10的狀態(tài)下使真空泵81動(dòng) 作,從而在吸引孔41a、 42a中產(chǎn)生吸引力,將基板10吸引到工作臺(tái)21 的表面?zhèn)冗M(jìn)行吸附保持。本實(shí)施方式中,如圖3所示,后述的初始吸附部 41與真空泵81a連結(jié),后述的主要吸附部42與真空部81b連結(jié),相對(duì)于 初始吸附部41及主要吸附部42分別獨(dú)立地設(shè)置真空泵81 (真空泵81a、 81b)。
另外,所述基板吸附裝置40如圖4所示,由初始吸附部41和主要吸 附部42構(gòu)成。在此,圖4是表示工作臺(tái)21的圖,圖4 (a)是表示工作臺(tái) 21的整體立體圖,圖4 (b)是表示其表面部分的放大圖。該初始吸附部 41在利用涂敷單元30進(jìn)行的涂敷開(kāi)始時(shí)在基板10上形成初始膜,將形成 該初始膜的基板IO的表面部分(圖3所示的初始膜形成區(qū)域11)吸附在 工作臺(tái)21上。還有,利用涂敷單元30形成的初始膜為線狀形狀,從而, 初始膜形成區(qū)域11可以是形成初始膜的線狀形狀,不過(guò)也可以是包含該 線狀形狀的規(guī)定區(qū)域。即,可以是具有能夠不產(chǎn)生涂敷不勻地穩(wěn)定形成初 始膜這種程度的區(qū)域的部分,本實(shí)施方式中,表示包括該線狀形狀的一定區(qū)域的情況。
該初始吸附部41如圖4 (b)所示,形成吸引孔41a和吸附槽41b, 以使能夠通過(guò)真空泵81a的動(dòng)作,在吸引孔41a和吸附槽41b中產(chǎn)生吸引 力。具體地說(shuō),吸附槽41b連通吸引孔41a在工作臺(tái)21表面形成網(wǎng)格狀。 并且,若在初始吸附部41載置基板10 (初始膜形成區(qū)域11),則成為由 該基板10覆蓋吸引孔41a和吸附槽41b的狀態(tài)。在該狀態(tài)下使真空泵81a 動(dòng)作,從而對(duì)吸引孔41a及吸附槽41b作用吸引力,以使基板10的初始 膜形成區(qū)域11被吸附在初始吸附部41上。并且,即使在基板10的初始 膜形成區(qū)域11和工作臺(tái)21的初始吸附部41之間存在氣泡時(shí),也由于氣 泡被吸引到基板10的整個(gè)面上形成的吸附槽41b中,從而能夠避免在基 板10的初始膜形成區(qū)域11和工作臺(tái)21的初始吸附部41之間殘留氣泡。 從而,無(wú)須為了避免氣泡的夾雜而從基板10的中央部分開(kāi)始載置,能夠 從作為基板IO端部的初始膜形成區(qū)域11開(kāi)始載置。
另外,所述主要吸附部42將除了形成初始膜的部分以外的基板10的 表面(圖3所示的涂敷膜形成區(qū)域12)吸附在工作臺(tái)21上。該主要吸附 部42具有與上述初始吸附部41同樣的構(gòu)成,形成吸引孔42a和連通該吸 引孔42a形成網(wǎng)格狀的吸附槽42b。并且,通過(guò)真空泵81b的動(dòng)作,從而 使基板10的涂敷膜形成區(qū)域12被吸附在主要吸附部42上。另外,即使 在基板10的涂敷膜形成區(qū)域12和工作臺(tái)21的主要吸附部42之間存在氣 泡時(shí),也由于氣泡被吸引到吸附槽42b中,從而能夠避免在基板10的涂 敷膜形成區(qū)域12和工作臺(tái)21的主要吸附部42之間殘留氣泡。
另外,如圖4 (b)所示,在該初始吸附部41的吸附槽41b和主要吸 附部42的吸附槽42b之間形成隔開(kāi)部43,吸附槽41b和吸附槽42b沒(méi)有 相互連通連接,而是分別獨(dú)立地形成。從而,即使初始吸附部41側(cè)(或 主要吸附部42側(cè))的真空泵81a (真空泵81b)動(dòng)作時(shí),也不會(huì)使主要吸 附部42 (或初始吸附部41側(cè))的吸附槽41b、 42b中產(chǎn)生吸引力。
另外,在工作臺(tái)21設(shè)有使基板10升降動(dòng)作的基板升降機(jī)構(gòu)。具體地 說(shuō),在工作臺(tái)21表面、即初始吸附部41及主要吸附部42上形成多個(gè)銷(xiāo) 孔,在該銷(xiāo)孔中埋入設(shè)有能夠沿Z軸方向升降動(dòng)作的升降銷(xiāo)51 (本發(fā)明 的銷(xiāo)構(gòu)件)。即,若在從工作臺(tái)21表面突出升降銷(xiāo)51的狀態(tài)下搬入基板10,則升降銷(xiāo)51的前端部分抵接基板IO,能夠保持基板IO,下降升降銷(xiāo)
51將其收容在銷(xiāo)孔中,從而將基板10載置在工作臺(tái)21表面(初始吸附部 41及主要吸附部42)(參照?qǐng)D3)。
另外,在工作臺(tái)21表面載置基板10的狀態(tài)下,上升升降銷(xiāo)51,從而 升降銷(xiāo)51的前端部分抵接基板10,能夠用多個(gè)升降銷(xiāo)51的前端部分將基 板IO保持在規(guī)定的高度位置。從而,能夠盡可能地抑制并保持與基板10 的接觸部分,能夠不損傷基板10地順暢更換。
在此,載置基板10時(shí),初始吸附部41上的升降銷(xiāo)51以比主要吸附 部42上的升降銷(xiāo)51早的定時(shí)收容在銷(xiāo)孔中,由升降銷(xiāo)51保持的基板10 從初始吸附部41先載置,接著載置在主要吸附部42。從而,存在于基板 10和初始吸附部41之間的空氣層向主要吸附部42側(cè)逃竄,從而能夠抑制 空氣層以氣泡形式夾雜在基板IO和工作臺(tái)21之間。
另外,關(guān)于主要吸附部42的升降銷(xiāo)51也是從初始吸附部41側(cè)向離 開(kāi)初始吸附部41的一側(cè)依次收容在銷(xiāo)孔中(參照?qǐng)D3)。從而,基板10 的涂敷膜形成區(qū)域12從初始吸附部41側(cè)向未載置側(cè)(圖3中是右側(cè))單 向依次載置。因而,存在于基板10和工作臺(tái)21之間的空氣層依次向未載 置側(cè)逃竄,從而能夠抑制空氣層以氣泡形式存在于基板IO和工作臺(tái)21之 間。
并且,形成的構(gòu)成是在工作臺(tái)21上設(shè)置基板10的定位機(jī)構(gòu)(沒(méi)有圖 示),以使能夠?qū)⑤d置在初始吸附部41上的基板10定位。g卩,由升降銷(xiāo) 51保持的基板IO若其一部分基板10 (初始膜形成區(qū)域11)被載置在初始 吸附部41上,則利用定位機(jī)構(gòu)定位該一部分。并且,在基板10的初始膜 形成區(qū)域11定位在初始吸附部41的狀態(tài)下,使真空泵81a動(dòng)作,將該初 始膜形成區(qū)域11吸附保持在初始吸附部41上。其后,使真空泵81b動(dòng)作, 從而將基板10吸附保持在主要吸附部42上。從而使基板10整體高精度 地吸附保持在工作臺(tái)21上。
另外,涂敷單元30往基板10上涂敷涂敷液。該涂敷單元30如圖5 所示,具有與底座2連結(jié)的腿部31和沿Y軸方向延伸的管頭部34,以沿 Y軸方向橫跨在底座2上的狀態(tài)能夠沿X軸方向移動(dòng)地進(jìn)行安裝。具體地 說(shuō),在底座2的Y軸方向兩端部分分別設(shè)置沿X軸方向延伸的軌道22,腿部31沿該軌道22滑動(dòng)自如地進(jìn)行安裝。并且,在腿部31上安裝線性
馬達(dá)33,通過(guò)驅(qū)動(dòng)控制線性馬達(dá)33,從而能夠使涂敷單元30沿X軸方向 移動(dòng),在任意位置停止。
具體地說(shuō),該涂敷單元30在初始狀態(tài)下停止在脫離工作臺(tái)21的位置、 即退避位置(圖9的位置A)。并且,在開(kāi)始涂敷動(dòng)作時(shí),移動(dòng)到形成初 始膜的初始膜形成位置(圖9的位置C),能夠使其停止在該位置。
在涂敷單元30的腿部31安裝有涂敷涂敷液的管頭部34。具體地說(shuō), 在該腿部31上設(shè)有沿Z軸方向延伸的軌道37和沿著該軌道37滑動(dòng)的滑 塊35,將這些滑塊35和管頭部34連結(jié)。并且,在滑塊35上安裝由伺服 馬達(dá)36 (參照?qǐng)D6)驅(qū)動(dòng)的滾珠螺桿機(jī)構(gòu),通過(guò)驅(qū)動(dòng)控制該伺服馬達(dá)36, 從而能夠使滑塊35沿Z軸方向移動(dòng),同時(shí)停止在任意位置。即,管頭部 34相對(duì)于保持在工作臺(tái)21上的基板10能夠接觸脫離地進(jìn)行支撐。
管頭部34涂敷涂敷液并在基板10上形成涂敷膜。該管頭部34是具 有單向延伸的形狀的柱狀構(gòu)件,與涂敷單元30的移動(dòng)方向幾乎正交地設(shè) 置。在該管頭部34上形成縱向延伸的縫隙噴嘴34a,向管頭部34供給的 涂敷液從縫隙噴嘴34a橫貫縱向均勻噴出。因而,將涂敷單元30以從該 縫隙噴嘴34a噴出涂敷液的狀態(tài)沿X軸方向移動(dòng),從而橫貫縫隙噴嘴34a 的縱向在基板10上形成一定厚度的涂敷膜。
另外,在腿部31上安裝高度位置檢測(cè)傳感器32 (參照?qǐng)D2)。該高度 位置檢測(cè)傳感器32測(cè)定Z軸方向上的基板10的高度位置。具體地說(shuō),向 Z方向向下輸出激光,接受由基板10反射的激光,從而能夠測(cè)定到基板 10的Z方向距離。然后,根據(jù)到該基板10的測(cè)定距離和管頭部34的縫 隙噴嘴34a的高度位置的關(guān)系,能夠算出基板10的高度位置。從而能夠 保持基板10和管頭部34的縫隙噴嘴34a的距離為一定地進(jìn)行涂敷動(dòng)作。
另外,腿部31上在保持基板10的高度位置安裝異物檢測(cè)傳感器39。 該異物檢測(cè)傳感器39用來(lái)檢測(cè)基板10上是否存在異物。具體地說(shuō),異物 傳感器由在Y軸方向一側(cè)的腿部31上發(fā)出激光的發(fā)光部和在其Y軸方向 另一側(cè)的腿部31上接受從所述發(fā)光部發(fā)出的激光的受光部構(gòu)成,安裝在 比基板10表面稍高的位置。并且,若基板10上存在異物,則遮住由受光 部接受的激光,從而能夠檢測(cè)到異物。從而,能夠防止由于在縫隙噴嘴34a和基板10間咬入異物而使縫隙噴嘴34a或基板10受到損傷。
接下來(lái),利用圖6所示的框圖關(guān)于上述涂敷裝置的控制系統(tǒng)的構(gòu)成進(jìn) 行說(shuō)明。
圖6是表示該涂敷裝置所設(shè)置的控制系統(tǒng)90的控制系統(tǒng)的框圖。如 圖6所示,該涂敷裝置設(shè)有控制上述各種單元的驅(qū)動(dòng)的控制裝置90。該控 制裝置90具有控制本體部91、驅(qū)動(dòng)控制部92、輸入輸出裝置控制部93 和外部裝置控制部94。
控制本體部91包括執(zhí)行邏輯運(yùn)算的大家熟知的CPU、預(yù)先存儲(chǔ)控制 該CPU的各種程序等的ROM、在裝置動(dòng)作過(guò)程中臨時(shí)存儲(chǔ)各種數(shù)據(jù)的 RAM、存儲(chǔ)各種程序和OS、還有生產(chǎn)程序等各種數(shù)據(jù)的HDD等。并且, 控制本體部91具有主控制部91a、運(yùn)算判定部91b和存儲(chǔ)部91c。
主控制部91a要按照預(yù)先存儲(chǔ)的程序執(zhí)行一系列涂敷動(dòng)作,通過(guò)驅(qū)動(dòng) 控制部92驅(qū)動(dòng)控制各單元的伺服馬達(dá)36、線線馬達(dá)33等驅(qū)動(dòng)裝置。
運(yùn)算判定部91b根據(jù)各傳感器等的測(cè)量結(jié)構(gòu)進(jìn)行運(yùn)算及判定。本實(shí)施 方式中,根據(jù)利用高度位置檢測(cè)傳感器32測(cè)量的高度位置數(shù)據(jù),運(yùn)算從 基板10表面到管頭部34的縫隙噴嘴34a的高度位置。并且,比較該運(yùn)算 結(jié)果和存儲(chǔ)在后述存儲(chǔ)部91c中的高度位置數(shù)據(jù),通過(guò)主控制部91a進(jìn)行 控制以使管頭部34的縫隙噴嘴34a的高度位置達(dá)到規(guī)定的高度位置。
另外,根據(jù)來(lái)自異物檢測(cè)傳感器39的測(cè)量結(jié)果判定基板IO上是否存 在異物。即, 一面移動(dòng)涂敷單元30—面根據(jù)從異物檢測(cè)傳感器39輸出的 信號(hào)判斷是否存在異物。具體地說(shuō),若從發(fā)光部發(fā)出的光被異物擋住,則 發(fā)光部中的信號(hào)產(chǎn)生變化,從而判斷基板IO上存在異物。并且,在這種 情況下,不開(kāi)始涂敷單元30的移動(dòng),中止涂敷動(dòng)作,與此同時(shí)在觸摸面 板82上顯示產(chǎn)生異常從而告知操作員。
存儲(chǔ)部91c用來(lái)儲(chǔ)存各種數(shù)據(jù),同時(shí)臨時(shí)儲(chǔ)存運(yùn)算結(jié)果等。具體地說(shuō), 存儲(chǔ)進(jìn)行涂敷動(dòng)作時(shí)管頭部34的縫隙噴嘴34a距基板10表面的高度位置 數(shù)據(jù)。
驅(qū)動(dòng)控制部92根據(jù)來(lái)自主控制部91a的控制信號(hào),驅(qū)動(dòng)控制線性馬 達(dá)33及伺服馬達(dá)36等。具體地說(shuō),通過(guò)控制線性馬達(dá)33及伺服馬達(dá)36 從而驅(qū)動(dòng)控制涂敷單元30的移動(dòng)及管頭部34的升降動(dòng)作等。輸入輸出裝置控制部93控制異物檢測(cè)傳感器39、鍵盤(pán)83、觸摸面板 82等各輸入輸出裝置。具體地說(shuō),若由于基板IO上存在異物而在受光部 的信號(hào)上產(chǎn)生變化,則輸入輸出控制部93向控制本體部91輸出與來(lái)自異 物檢測(cè)傳感器39的信號(hào)對(duì)應(yīng)的信號(hào)。并且,當(dāng)在控制本體部91中判斷存 在異物時(shí),通過(guò)輸入輸出裝置控制部93在觸摸面板82上進(jìn)行向操作員催 促警告的警告顯示。另外,可從鍵盤(pán)83及觸摸面板82進(jìn)行涂敷動(dòng)作的條 件設(shè)定等。
外部裝置控制部94根據(jù)來(lái)自主控制部91a的控制信號(hào),進(jìn)行外部裝 置的驅(qū)動(dòng)控制。本實(shí)施方式中與真空泵81 (81a、 81b)連接,通過(guò)驅(qū)動(dòng)該 真空泵81 ,從而在初始吸附部41及主要吸附部42上進(jìn)行基板10的吸附 保持等。
接下來(lái),參照?qǐng)D7、 8所示的流程圖及圖9所示的表示涂敷單元30的 位置關(guān)系的概略圖,關(guān)于該涂敷裝置的動(dòng)作進(jìn)行說(shuō)明。還有,圖9中以實(shí) 線表示位于退避位置(位置A)的涂敷單元30,用二點(diǎn)劃線表示位于高度 位置測(cè)量開(kāi)始位置(位置B)及初始膜形成位置(位置C)的涂敷單元30。
首先,在步驟Sl中,進(jìn)行基板10的搬入。具體地說(shuō),以從工作臺(tái) 21表面突出多個(gè)升降銷(xiāo)51的狀態(tài)待機(jī),利用沒(méi)有圖示的機(jī)器手在升降銷(xiāo) 51的前端部分載置基板IO。
接下來(lái),在步驟S2 S3中,在工作臺(tái)21上載置基板10 (基板載置工 序)。具體地說(shuō),在步驟S2中,從基板10保持在升降銷(xiāo)51上的狀態(tài),以 比主要吸附部42的升降銷(xiāo)51早一些的定時(shí)(以載置的基板10不落下的 程度)收容初始吸附部41的升降銷(xiāo)51,從而基板10的初始膜形成區(qū)域 11被載置在工作臺(tái)21的初始吸附部41 (參照?qǐng)D3)。從而,由于存在于基 板10和初始吸附部41之間的空氣層向主要吸附部42側(cè)逃竄,因而有效 地抑制空氣層以氣泡形式夾在基板10和初始吸附部41之間。然后,若初 始膜形成區(qū)域11被載置在初始吸附部41上,則定位機(jī)構(gòu)動(dòng)作,從而高精 度地定位初始膜形成區(qū)域11。其后,使真空泵81a動(dòng)作,在初始吸附部 41的吸引孔41a及吸附槽41b中產(chǎn)生吸引力,從而夾雜在基板10和初始 吸附部41之間的氣泡被吸引到吸引孔41a及吸附槽41b,同時(shí),基板10 的初始膜形成區(qū)域11被吸附保持在初始吸附部41 (初始吸附工序)。作為該基板10的端部的初始膜形成區(qū)域11以高精度定位的狀態(tài)被固定,從而 高精度地進(jìn)行基板10整體的定位。
接下來(lái),在步驟S3中,進(jìn)行基板10整面的吸附(主要吸附工序),
同時(shí)與之并行在S4中進(jìn)行涂敷動(dòng)作。g口,由于在步驟S2中基板10的初 始膜形成區(qū)域11被吸附在工作臺(tái)21的初始吸附部41,從而將還沒(méi)有被吸 附的與主要吸附部42對(duì)應(yīng)的基板10的表面(涂敷膜形成區(qū)域12)吸附在 工作臺(tái)21的主要吸附部42。具體地說(shuō),從主要吸附部42的升降銷(xiāo)51中 位于初始吸附部41側(cè)的開(kāi)始依次收容在工作臺(tái)21內(nèi),從而基板10的涂 敷膜形成區(qū)域12從初始吸附部41側(cè)依次載置在主要吸附部42上。從而 存在于基板10和工作臺(tái)21之間的空氣層依次逃竄到未載置側(cè),因此有效 地抑制空氣層以氣泡形式存在于基板10和工作臺(tái)21之間。并且,如上所 述高精度定位了基板10的初始膜形成區(qū)域11,因而從該狀態(tài)動(dòng)作該真空 泵81b,從而將基板10的涂敷膜形成區(qū)域12吸附在主要吸附部42上,將 基板10整體吸附固定在工作臺(tái)21上。此時(shí),夾雜在基板10和主要吸附 部42間的氣泡被吸引到吸引孔42a及吸附槽42b中。
并且,與之并行根據(jù)圖8的流程圖,幾乎在結(jié)束基板10的初始膜形 成區(qū)域11的吸附的同時(shí)開(kāi)始涂敷動(dòng)作。
首先,在步驟S41中進(jìn)行涂敷單元30的移動(dòng)。S卩,幾乎在結(jié)束與初 始吸附部41對(duì)應(yīng)的基板10表面的吸附的同時(shí),開(kāi)始涂敷單元30的移動(dòng)。 具體地說(shuō),將涂敷單元30從退避位置(位置A)移動(dòng)到在基板10上形成 初始膜的位置(初始膜形成位置、圖9中的位置C)。
在移動(dòng)途中,步驟S42中開(kāi)始基板10的高度位置測(cè)量。具體地說(shuō), 如圖9所示,若涂敷單元30到達(dá)高度位置測(cè)量開(kāi)始位置(位置B),貝U開(kāi) 始基板10的高度位置測(cè)量。g卩,當(dāng)基板10的初始膜形成區(qū)域11位于高 度位置檢測(cè)傳感器32的正下方之際開(kāi)始基板10的高度位置測(cè)量。然后, 隨著涂敷單元30的移動(dòng),連續(xù)地測(cè)量基板10的高度,根據(jù)該測(cè)量值調(diào)節(jié) 管頭部34的高度位置以使管頭部34的縫隙噴嘴34a和基板10表面的距 離為一定。
另外,與之并行在步驟S43中,利用異物檢測(cè)傳感器39開(kāi)始異物檢 測(cè)。即,在開(kāi)始高度位置測(cè)量后,檢測(cè)基板IO上是否存在異物。然后,當(dāng)在基板10上檢測(cè)到異物時(shí)停止涂敷單元30的移動(dòng),沒(méi)有檢測(cè)到異物時(shí)
移動(dòng)到初始膜形成位置。這樣一來(lái),涂敷單元30在初始吸附部41上一面
進(jìn)行高度位置檢測(cè)及異物檢測(cè)一面移動(dòng)。
接下來(lái),在步驟S44中形成初始膜。具體地說(shuō),若涂敷單元30到達(dá) 初始膜形成位置(C),則涂敷單元30停止在該位置。然后,在將涂敷單 元30停止在初始膜形成位置的狀態(tài)下噴出規(guī)定微量的涂敷液,從而基于 從縫隙噴嘴34a噴出的涂敷液,縫隙噴嘴34a和基板10成為連結(jié)狀態(tài)。 即、在縫隙噴嘴34a和基板10之間利用涂敷液形成初始膜。這樣一來(lái), 在縫隙噴嘴34a的縱向上形成初始膜,從而結(jié)束初始膜形成工序。
接下來(lái),在步驟S45中,開(kāi)始主要涂敷(涂敷膜形成工序)。即,再 從初始膜形成位置移動(dòng)涂敷單元30,且噴出涂敷液,從而在與主要吸附部 42對(duì)應(yīng)的基板IO表面形成涂敷膜。還有,在該主要涂敷動(dòng)作開(kāi)始時(shí),步 驟S3的基板10整面吸附已結(jié)束。
接下來(lái),在步驟S5中進(jìn)行基板10的取出。即,經(jīng)過(guò)S45的主要涂敷 在基板10表面結(jié)束涂敷膜形成后,將初始吸附部41及主要吸附部42的 升降銷(xiāo)51上升,從而以升降銷(xiāo)51的前端部分保持基板10。然后,在沒(méi)有 圖示的機(jī)器手上進(jìn)行基板10的交接,從工作臺(tái)21表面排出基板10。
根據(jù)這樣的涂敷裝置及涂敷方法,吸附基板的所述基板吸附裝置40具 有初始吸附部41和主要吸附部42,從而,能夠在初始吸附部41吸附了基板 IO的一部分后,移動(dòng)涂敷單元30,對(duì)與初始吸附部41對(duì)應(yīng)的基板10表面開(kāi) 始涂敷。即,能夠在開(kāi)始了基板吸附后,馬上向與所述初始吸附部41對(duì)應(yīng) 的基板10表面移動(dòng)涂敷單元30,從而與現(xiàn)有那樣在吸附固定基板10整體后 開(kāi)始涂敷動(dòng)作的情況相比,能夠縮短涂敷裝置整體的作業(yè)周期。
另外,上述實(shí)施方式中,關(guān)于分別設(shè)有在初始吸附部41的吸引孔41a 中產(chǎn)生吸引力的真空泵81a和在主要吸附部42的吸引孔42a中產(chǎn)生吸引力 的真空泵81b的例子進(jìn)行了說(shuō)明,不過(guò)也可以如圖10所示,用一個(gè)真空泵 81使初始吸附部41及主要吸附部42的吸引孔41a、 42a產(chǎn)生吸引力。具體地 說(shuō),可以在連結(jié)真空泵81和初始吸附部41及主要吸附部42的吸引孔41a、 42a的管道84上安裝切換閥44,利用控制裝置能夠自動(dòng)切換該切換閥44, 從而在初始吸附部41的吸引孔41a和主要吸附部42的吸引孔42a中選擇性地產(chǎn)生吸引力。由于像這樣共用真空泵81,從而能夠形成更廉價(jià)的涂敷裝 置。
另外,上述實(shí)施方式中,關(guān)于以比主要吸附部42的升降銷(xiāo)51早一些的 定時(shí)收容初始吸附部41的升降銷(xiāo)51的例子進(jìn)行了說(shuō)明,不過(guò),也可以以相 同的定時(shí)收容全部升降銷(xiāo)51。從而,能夠防止保持在升降銷(xiāo)51前端部分的 基板10從較早定時(shí)收容的初始吸附部41的升降銷(xiāo)51側(cè)落下。
權(quán)利要求
1. 一種涂敷裝置,具備載置基板的工作臺(tái);和涂敷單元,其在相對(duì)于所述工作臺(tái)的表面上載置的基板相對(duì)移動(dòng)的同時(shí)噴出涂敷液,從而在基板上形成涂敷膜,所述涂敷裝置的特征在于,所述工作臺(tái)設(shè)有吸附保持基板的基板吸附裝置,所述基板吸附裝置具有初始吸附部和主要吸附部,所述初始吸附部對(duì)形成涂敷開(kāi)始時(shí)的初始膜的基板的初始膜形成區(qū)域進(jìn)行吸附,所述主要吸附部對(duì)除了該初始膜形成區(qū)域以外的涂敷膜形成區(qū)域進(jìn)行吸附。
2. 根據(jù)權(quán)利要求l所述的涂敷裝置,其特征在于,所述基板吸附裝置的初始吸附部及主要吸附部分別形成有在工作臺(tái) 的表面開(kāi)口而形成的吸引孔,所述基板吸附裝置具備在所述吸引孔中產(chǎn)生 吸引力的吸引裝置和相對(duì)于所述初始吸附部及主要吸附部選擇性地產(chǎn)生 來(lái)自該吸引裝置的吸引力的切換裝置。
3. 根據(jù)權(quán)利要求l所述的涂敷裝置,其特征在于,所述基板吸附裝置的初始吸附部及主要吸附部分別形成有在工作臺(tái) 的表面開(kāi)口而形成的吸引孔,所述基板吸附裝置相對(duì)于初始吸附部及主要 吸附部分別獨(dú)立地設(shè)有在所述初始吸附部的吸引口中產(chǎn)生吸引力的吸引 裝置和在所述主要吸附部的吸引口中產(chǎn)生吸引力的吸引裝置。
4. 根據(jù)權(quán)利要求2或3所述的涂敷裝置,其特征在于, 所述初始吸附部及主要吸附部形成有將基板吸附在所述工作臺(tái)的表面的吸附槽,該吸附槽與所述吸引孔連通,并且在工作臺(tái)的表面開(kāi)口而形 成,該初始吸附部的吸附槽和主要吸附部的吸附槽通過(guò)防止相互連結(jié)的隔 開(kāi)部而分別獨(dú)立地形成。
5. 根據(jù)權(quán)利要求1 4中任意一項(xiàng)所述的涂敷裝置,其特征在于, 所述基板吸附裝置的初始吸附部及主要吸附部具備保持基板的銷(xiāo)構(gòu)件,該銷(xiāo)構(gòu)件分別收容在工作臺(tái)內(nèi),并且能夠從工作臺(tái)的表面突出地設(shè)置, 所述初始吸附部的銷(xiāo)構(gòu)件比所述主要吸附部的銷(xiāo)構(gòu)件先收容在工作臺(tái)內(nèi)。
6. 根據(jù)權(quán)利要求5所述的涂敷裝置,其特征在于,所述主要吸附部的銷(xiāo)構(gòu)件從所述初始吸附部側(cè)依次收容在工作臺(tái)內(nèi)。
7. —種涂敷方法,是涂敷裝置的涂敷方法,包括 基板載置工序,在工作臺(tái)的表面載置基板;初始膜形成工序,在使噴出涂敷液的涂敷單元停止的狀態(tài)下在所述工作臺(tái)上載置的基板上形成初始膜;涂敷膜形成工序,在形成所述初始膜后,從涂敷單元噴出涂敷液的同 時(shí)使該涂敷單元相對(duì)于基板相對(duì)移動(dòng),從而在基板上形成涂敷膜,所述涂敷方法的特征在于,所述基板載置工序具有將基板吸附在工作臺(tái)的表面的吸附工序, 該吸附工序包括對(duì)形成所述初始膜的基板的初始膜形成區(qū)域進(jìn)行吸附的初始吸附工序;對(duì)除了該初始膜形成區(qū)域以外的基板的涂敷膜形成區(qū)域進(jìn)行吸附的主要吸附工序,在結(jié)束所述初始吸附工序后、結(jié)束所述主要吸附工序前,開(kāi)始所述初始膜形成工序。
全文摘要
一種即使在基板往工作臺(tái)上固定需要時(shí)間的情況下也能夠抑制涂敷裝置整體的作業(yè)周期長(zhǎng)期化的涂敷裝置及涂敷方法。這種涂敷裝置的涂敷方法包括在工作臺(tái)的表面載置基板的基板載置工序、在載置于工作臺(tái)的表面的基板上形成初始膜的初始膜形成工序和從涂敷單元噴出涂敷液且在基板上形成涂敷膜的涂敷膜形成工序,基板載置工序具有在工作臺(tái)的表面吸附基板的吸附工序,該吸附工序包括初始吸附工序和主要吸附工序,初始吸附工序是吸附包括涂敷開(kāi)始位置的基板的初始膜形成區(qū)域,主要吸附工序是吸附除了初始膜形成區(qū)域以外的基板的涂敷膜形成區(qū)域,在結(jié)束初始吸附工序后、結(jié)束主要吸附工序前,開(kāi)始初始膜形成工序。
文檔編號(hào)B05C5/02GK101428264SQ20081017456
公開(kāi)日2009年5月13日 申請(qǐng)日期2008年11月10日 優(yōu)先權(quán)日2007年11月8日
發(fā)明者森俊裕, 釜谷學(xué) 申請(qǐng)人:東麗工程株式會(huì)社