專利名稱：：放射線固化性粘著劑組合物、切割用粘著膜、切斷片制法的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明涉及放射線固化性粘著劑組合物、使用其的切割用粘著膜及切斷片的制造方法。更詳細(xì)而言，本發(fā)明涉及切斷具有活性面的半導(dǎo)體晶片及半導(dǎo)體封裝等被加工物時(shí)適宜使用的切割用粘著膜。
背景技術(shù)：
：目前，半導(dǎo)體晶片及半導(dǎo)體封裝的半導(dǎo)體關(guān)聯(lián)材料等使用旋轉(zhuǎn)刀進(jìn)行切斷而分離為小的半導(dǎo)體元件及IC部件。例如，以硅、鍺、鎵-砷等為材料的半導(dǎo)體晶片以大直徑的狀態(tài)制造后，進(jìn)行背面研磨處理(Backgrind處理)直至達(dá)到規(guī)定的厚度，進(jìn)而，根據(jù)需要實(shí)施背面處理(蝕刻處理、拋光處理等)。接著，將半導(dǎo)體晶片切斷分離(切割)為小片元件，并用于其后的工序中。在該制造工序中，進(jìn)行將半導(dǎo)體晶片預(yù)先粘貼于切割用粘著膜的安裝(Mount)工序、在該粘著膜粘貼于半導(dǎo)體晶片的狀態(tài)下將半導(dǎo)體晶片切割成小片元件的切割工序、洗滌工序、擴(kuò)展(Expand)工序、拾起工序等各種工序。而且，在上述拾起工序中，采用以下方式使切割用粘著膜成為伸展一定程度的狀態(tài)，將需要拾起的半導(dǎo)體元件下部的切割用粘著膜以點(diǎn)狀或線狀提起，在促進(jìn)該半導(dǎo)體元件和切割用粘著膜的剝離的狀態(tài)，從上部通過真空吸附等拾起而得到半導(dǎo)體元件。上述切割用粘著膜通常具有在塑料膜等基材上形成有含粘著劑組合物的粘著劑層的結(jié)構(gòu)。制造半導(dǎo)體元件時(shí)，為了抑制切割工序中半導(dǎo)體元件從粘著膜脫離飛散，要求切割用粘著膜具有在切割時(shí)即使被施加清洗水的水壓半導(dǎo)體元件也不從粘著膜剝離的程度的高粘著力，同時(shí)，還要求其具有在拾起工序中的剝離時(shí)粘著劑層具有不至于損壞半導(dǎo)體晶片的程度的低粘著力的輕剝離性、及在切斷了的半導(dǎo)體元件上不殘留漿糊等低污染性。作為滿足如上所述的特性的粘著劑組合物，還有通過加熱粘著力降低的溫度活性型粘著劑組合物，但欲賦予這樣的粘著劑組合物以高粘著力時(shí)，具有在拾起工序中半導(dǎo)體元件難以從切割用粘著膜剝離的傾向。因此，也使用在放射線透過性的基材上形成有由粘著劑組合物形成的粘著劑層的切割用粘著膜，所述粘著劑組合物含有具有放射線反應(yīng)性的碳-碳雙鍵的放射線固化性粘著劑。該放射線固化性的切割用粘著膜由于在用放射線進(jìn)行固化之前放射線固化性粘著劑具有高粘著力，因此，可以抑制切割工序中半導(dǎo)體元件的脫離分散。另外，由于對(duì)粘著劑層照射放射線時(shí)放射線固化性粘著劑固化而粘著力顯著降低，因此，在拾起工序中可以將半導(dǎo)體元件容易地從切割用粘著膜上剝離。近年來，在半導(dǎo)體制造工序中，為了防止生產(chǎn)節(jié)拍時(shí)間(tacttime)的增加及由半導(dǎo)體晶片的薄膜化(例如100μm以下)引起的破損，常在背面研磨處理后、或背面研磨處理及背面處理結(jié)束后，在短時(shí)間內(nèi)將切割用粘著膜粘貼于半導(dǎo)體晶片。進(jìn)行這樣的在背面研磨處理后、或背面研磨處理及背面處理后、在短時(shí)間內(nèi)將薄膜的半導(dǎo)體晶片與切割用粘著膜相互粘貼時(shí)，產(chǎn)生半導(dǎo)體晶片和粘著劑層的粘著力變高、用放射線進(jìn)行固化后剝離變難而拾起性降低這樣的問題。這被推測(cè)是由于，在進(jìn)行了半導(dǎo)體晶片的背面研磨處理或背面處理的處理面，自然氧化膜沒有充分地形成于半導(dǎo)體晶片的整個(gè)面，半導(dǎo)體晶片的表面成為存在未氧化狀態(tài)的活性原子(例如硅原子等)的活性面，因此，在該活性面粘貼切割用粘著膜時(shí)，未氧化狀態(tài)的活性原子與粘著劑層的放射線固化性粘著劑接觸，未氧化狀態(tài)的活性原子和粘著劑層之間發(fā)生化學(xué)性的鍵合。針對(duì)如上所述的拾起工序中的具有活性面的半導(dǎo)體晶片和切割用粘著膜的粘著性的問題，例如，專利文獻(xiàn)1中提出了一種放射線固化性粘著劑，同時(shí)還提出了一種具有含聚亞烷基二醇等羥基系化合物的粘著劑層的切割用粘著膜。利用該切割用粘著膜，在具有活性面的半導(dǎo)體晶片上粘貼切割用粘著膜時(shí)，由于在粘著劑層的表面存在規(guī)定量的羥基系化合物，因此，可以抑制或防止活性原子和放射線固化性粘著劑之間的化學(xué)性的鍵合，由此，可以確保拾起工序中的輕剝離性。專利文獻(xiàn)1日本特開2008-60434號(hào)公報(bào)
發(fā)明內(nèi)容但是，如上所述的羥基系化合物自身并不具有粘著性，并且為數(shù)均分子量為3000以下的低分子化合物，因此，存在切割工序中半導(dǎo)體晶片和切割用粘著膜的粘著性降低的問題。特別是在切割工序中，為了除去切割時(shí)的摩擦熱及防止切斷屑片的附著，向粘貼有切割用粘著膜的半導(dǎo)體晶片供給清洗水，因此，要求即使清洗水接觸粘著劑層粘著劑層也可以保持高粘著力，但由于使用如上所述的低分子量的羥基系化合物，因此存在清洗水與粘著劑層接觸時(shí)粘著力容易降低這樣的問題。進(jìn)而，在專利文獻(xiàn)1中，為了確保放射線照射后的輕剝離性，需要添加相對(duì)于粘著劑層中的總固體成分量為212質(zhì)量％的羥基系化合物，因此，存在放射線固化性粘著劑的固化性容易降低、拾起時(shí)容易在半導(dǎo)體元件上殘留這樣的低分子量成分的問題。本發(fā)明是解決上述課題的發(fā)明，本發(fā)明的目的在于，提供一種放射線固化性粘著劑組合物及使用所述放射線固化性粘著劑組合物的切割用粘著膜，其中，所述放射線固化性粘著劑組合物在用放射線進(jìn)行固化之前粘著力高，并且在用放射線進(jìn)行固化后具有輕剝離性，所述切割用粘著膜具有在切割工序中具有高粘著力而可以抑制半導(dǎo)體元件等的切斷片的脫離分散、同時(shí)在拾起工序中對(duì)具有活性面的被加工物也可得到優(yōu)異的輕剝離性及低污染性的粘著劑層。本發(fā)明提供一種放射線固化性粘著劑組合物，所述放射線固化性粘著劑組合物含有(甲基)丙烯酸系聚合物，其中，所述(甲基)丙烯酸系聚合物在分子內(nèi)至少具有碳數(shù)28的直鏈或支鏈烷基、羥基、碳數(shù)1418的直鏈烷基及放射線反應(yīng)性碳_碳雙鍵。上述(甲基)丙烯酸系聚合物優(yōu)選通過使基礎(chǔ)聚合物(basepolymer)與相對(duì)于所述基礎(chǔ)聚合物100質(zhì)量份為525質(zhì)量份的含有放射線反應(yīng)性碳-碳雙鍵的放射線反應(yīng)性化合物反應(yīng)而得到，所述基礎(chǔ)聚合物是使相對(duì)于全部共聚單體成分為3080質(zhì)量％的含有碳數(shù)28的直鏈或支鏈烷基的(甲基)丙烯酸系單體、520質(zhì)量％的含羥基(甲基)丙烯酸系單體及1060質(zhì)量％的含有碳數(shù)1418的直鏈烷基的(甲基)丙烯酸系單體共聚而得到的。特別優(yōu)選含有碳數(shù)1418的直鏈烷基的(甲基)丙烯酸系單體的含量相對(duì)于全部共聚單體成分為1015質(zhì)量％的(甲基)丙烯酸系聚合物。本發(fā)明還提供一種切割用粘著膜，所述切割用粘著膜具有基材和在所述基材的至少一個(gè)面上的粘著劑層，其中，所述粘著劑層含有包含交聯(lián)劑、光聚合引發(fā)劑和上述(甲基)丙烯酸系聚合物的放射線固化性粘著劑組合物。另外，本發(fā)明還提供一種切斷片的制造方法，其中，在被加工物的一個(gè)面上粘貼上述切割用粘著膜，切斷粘貼有所述切割用粘著膜的被加工物而分離為切斷片，對(duì)粘貼在所述切斷片上的粘著劑層照射放射線，使所述粘著劑層的粘著力降低，從所述粘著力降低了的切割用粘著膜拾起所述切斷片。特別是被加工物為具有活性面的半導(dǎo)體晶片時(shí)，上述切斷片的制造方法有效。根據(jù)本發(fā)明，由于粘著劑層含有上述放射線固化性粘著劑組合物，因此，可以提供在切割工序中可得到高粘著力、同時(shí)在拾起工序中對(duì)具有活性面的半導(dǎo)體晶片等被加工物也具有優(yōu)異的輕剝離性和低污染性的切割用粘著膜。由此，可以減少切割工序中切斷片的脫離分散，同時(shí)在拾起工序中可以容易地將切斷片從切割用粘著膜剝離，進(jìn)而，還可以減少剝離后的污染。圖1是表示本發(fā)明的實(shí)施方式的切割用粘著膜的一例的剖面概略圖。符號(hào)說明1切割用粘著膜2基材3粘著劑層4隔膜具體實(shí)施例方式本實(shí)施方式的放射線固化性粘著劑組合物含有在分子內(nèi)至少具有碳數(shù)28的直鏈或支鏈烷基、羥基、碳數(shù)1418的直鏈烷基及放射線反應(yīng)性碳_碳雙鍵的(甲基)丙烯酸系聚合物。優(yōu)選在(甲基)丙烯酸系聚合物的側(cè)鏈及/或末端具有這些特性基團(tuán)。這樣的側(cè)鏈及/或末端具有上述特性基團(tuán)的(甲基)丙烯酸系聚合物可以通過合成基礎(chǔ)聚合物后，使基礎(chǔ)聚合物與作為放射線反應(yīng)性成分的含有放射線反應(yīng)性碳-碳雙鍵的放射線反應(yīng)性化合物反應(yīng)來合成，所述基礎(chǔ)聚合物是使至少包含含有碳數(shù)28的直鏈或支鏈烷基的(甲基)丙烯酸系單體、含羥基(甲基)丙烯酸系單體及含有碳數(shù)1418的直鏈烷基的(甲基)丙烯酸系單體的共聚單體成分共聚而得到的共聚物。需要說明的是，在本說明書中，(甲基)丙烯酸是指丙烯酸或甲基丙烯酸。作為合成基礎(chǔ)聚合物時(shí)使用的共聚單體成分之一的含有碳數(shù)28的直鏈或支鏈烷基的(甲基)丙烯酸系單體，具體可以列舉例如(甲基)丙烯酸甲酯、(甲基)丙烯酸乙酯、(甲基)丙烯酸丙酯、(甲基)丙烯酸異丙酯、(甲基)丙烯酸丁酯、(甲基)丙烯酸異丁酯、(甲基)丙烯酸仲丁酯、(甲基)丙烯酸叔丁酯、(甲基)丙烯酸戊酯、(甲基)丙烯酸己酯、(甲基)丙烯酸庚酯、(甲基)丙烯酸辛酯、(甲基)丙烯酸異辛酯、(甲基)丙烯酸-2-乙基己酯等。它們可以單獨(dú)使用，也可以并用2種以上。其中，優(yōu)選選自由含有碳數(shù)8的直鏈或支鏈烷基的(甲基)丙烯酸辛酯、(甲基)丙烯酸異辛酯、(甲基)丙烯酸-2-乙基己酯構(gòu)成的組中的1種，更優(yōu)選(甲基)丙烯酸-2-乙基己酯?；A(chǔ)聚合物中的含有碳數(shù)28的直鏈或支鏈烷基的(甲基)丙烯酸系單體的含量，優(yōu)選相對(duì)于構(gòu)成基礎(chǔ)聚合物的共聚單體成分總量為3080質(zhì)量％，更優(yōu)選為4080質(zhì)量％。含有碳數(shù)28的直鏈或支鏈烷基的(甲基)丙烯酸系單體的含量小于30質(zhì)量％時(shí)，(甲基)丙烯酸系聚合物的粘著力趨向于降低。另一方面，含有碳數(shù)28的直鏈或支鏈烷基的(甲基)丙烯酸系單體的含量大于80質(zhì)量％時(shí)，作為其它共聚單體成分的含羥基(甲基)丙烯酸系單體的含量減少。因此，與放射線固化性化合物反應(yīng)而將放射線反應(yīng)性碳-碳雙鍵導(dǎo)入(甲基)丙烯酸系聚合物時(shí)所需要的羥基數(shù)減少，固化性降低。另外，由于碳數(shù)1418的直鏈烷基的導(dǎo)入量也減少，因此輕剝離性變差。另外，基礎(chǔ)聚合物含有含羥基(甲基)丙烯酸系單體作為共聚單體成分之一。通過使用含羥基(甲基)丙烯酸系單體作為共聚單體成分之一，可以使導(dǎo)入的羥基和放射線反應(yīng)性化合物反應(yīng)而得到在分子內(nèi)具有放射性反應(yīng)性碳-碳雙鍵的(甲基)丙烯酸系聚合物。作為這樣的含羥基(甲基)丙烯酸系單體，具體可以列舉例如(甲基)丙烯酸-2-羥基乙酯、(甲基)丙烯酸-2-羥基丙酯、(甲基)丙烯酸-4-羥基丁酯、(甲基)丙烯酸-6-羥基己酯等。它們可以單獨(dú)使用，也可以并用2種以上。基礎(chǔ)聚合物中的含羥基(甲基)丙烯酸系單體的含量?jī)?yōu)選相對(duì)于構(gòu)成基礎(chǔ)聚合物的共聚單體成分總量為520質(zhì)量％，更優(yōu)選為510質(zhì)量％。含羥基(甲基)丙烯酸系單體的含量少時(shí)，由于基礎(chǔ)聚合物中的羥基數(shù)目變少，因此，不能使放射線反應(yīng)性碳-碳雙鍵的導(dǎo)入量增加，從而固化性降低。另外，為了使固化性提高而增加放射線反應(yīng)性碳-碳雙鍵的導(dǎo)入量時(shí)，為了實(shí)現(xiàn)高分子量化而使用交聯(lián)劑的情況下，與該交聯(lián)劑反應(yīng)的羥基變少，殘留未反應(yīng)成分，從而容易發(fā)生漿糊污染。另一方面，含羥基(甲基)丙烯酸系單體的含量大于20質(zhì)量％時(shí)，半導(dǎo)體晶片等的活性面中的活性原子和羥基鍵合，即使用放射線進(jìn)行固化也不能充分地降低粘著力，其結(jié)果，輕剝離性降低的同時(shí)，剝離后切斷片上容易發(fā)生漿糊污染。進(jìn)而，基礎(chǔ)聚合物含有具有碳數(shù)1418的直鏈烷基的(甲基)丙烯酸系單體作為共聚單體成分之一。為了得到高粘著力，優(yōu)選多使用含有碳數(shù)28的短鏈烷基的(甲基)丙烯酸系單體作為共聚單體成分，但為了如上所述確保固化性，切割用粘著膜的粘著劑層中使用的(甲基)丙烯酸系聚合物必須具有羥基，因此，該羥基會(huì)導(dǎo)致即使用放射線進(jìn)行固化后與活性面的粘著力也變高。根據(jù)本發(fā)明人等的研究，發(fā)現(xiàn)，使用含有碳數(shù)1418的直鏈烷基的(甲基)丙烯酸系單體作為共聚單體成分之一時(shí)，可以得到可以形成在用放射線進(jìn)行固化之前可以確保充分的粘著力、同時(shí)在用放射線進(jìn)行固化后即使使用具有活性面的被加工物也具有優(yōu)異的輕剝離性及低污染性的粘著劑層的(甲基)丙烯酸系聚合物。通過將該具有碳數(shù)1418的直鏈烷基導(dǎo)入(甲基)丙烯酸系聚合物的分子內(nèi)而得到上述特性的理由未必清楚，但推測(cè)如下。首先，為了合成基礎(chǔ)聚合物而使上述各(甲基)丙烯酸系單體共聚時(shí)，如果為具有碳數(shù)1418的直鏈烷基的(甲基)丙烯酸系單體，則不會(huì)很大程度地阻礙該(甲基)丙烯酸系單體與含有碳數(shù)28的直鏈或支鏈烷基的(甲基)丙烯酸系單體及含羥基(甲基)丙烯酸系單體等其它共聚單體成分的聚合反應(yīng)、及含有碳數(shù)28的直鏈或支鏈烷基的(甲基)丙烯酸系單體及含羥基(甲基)丙烯酸系單體之間的聚合反應(yīng)，因此，可以抑制對(duì)粘著力的降低等粘著特性產(chǎn)生不良影響的低分子量的單體成分及寡聚物成分的生成量，得到高分子量的基礎(chǔ)聚合物。另外認(rèn)為，如果將碳數(shù)1418的直鏈烷基導(dǎo)入(甲基)丙烯酸系聚合物的分子內(nèi)，則(甲基)丙烯酸系聚合物的疏水性提高，即使粘著劑與清洗水接觸也可以抑制粘著力降低。進(jìn)而，使用交聯(lián)劑時(shí)，如果為碳數(shù)1418的直鏈烷基，也不會(huì)嚴(yán)重地阻礙(甲基)丙烯酸系聚合物的羥基和交聯(lián)劑的反應(yīng)。因此，在切割工序中，可以得到具有高粘著力的放射線固化性粘著劑組合物。另一方面，具有活性面的半導(dǎo)體晶片等被加工物與(甲基)丙烯酸系聚合物的剝離性變差被認(rèn)為是由(甲基)丙烯酸系聚合物具有的羥基及酯部位等極性部位與露出于活性面的表面的活性原子的鍵合導(dǎo)致的。因此認(rèn)為，如果(甲基)丙烯酸系聚合物在分子內(nèi)的側(cè)鏈或末端具有碳數(shù)1418的直鏈烷基，則長(zhǎng)鏈烷基在分子內(nèi)以自由的狀態(tài)存在，羥基等極性部位被該烷基掩蔽，因此，可以抑制極性部位和活性原子的接觸。因此，用放射線進(jìn)行固化之前，對(duì)半導(dǎo)體晶片等被加工物具有高粘著力，在切割工序中，即使清洗水與粘著劑接觸，粘著力的降低也少，在拾起工序中，通過用放射線進(jìn)行固化，(甲基)丙烯酸系聚合物的固化充分進(jìn)行，可以容易地剝離半導(dǎo)體元件等切斷片和粘著膜，同時(shí)，可以減少粘著劑組合物在切斷片上的殘留。僅使用含有碳數(shù)小于14的烷基的(甲基)丙烯酸系單體作為共聚單體成分時(shí)，可能是由于不能充分地掩蔽羥基等極性部位，即使用放射線進(jìn)行固化后粘著力的降低也不充分，拾起性降低。另一方面，碳數(shù)大于18的(甲基)丙烯酸系單體的單體自身的選擇變少，高分子量的(甲基)丙烯酸系聚合物的合成變難。作為這樣的含有碳數(shù)1418的直鏈烷基的(甲基)丙烯酸系單體，優(yōu)選單官能性(甲基)丙烯酸系單體，具體可以列舉例如(甲基)丙烯酸十四烷基酯((甲基)丙烯酸肉豆蔻酯)、(甲基)丙烯酸十五烷基酯、(甲基)丙烯酸十六烷基酯、(甲基)丙烯酸十七烷基酯、(甲基)丙烯酸十八烷基酯等。它們可以單獨(dú)使用，也可以并用2種以上。其中，更優(yōu)選(甲基)丙烯酸十八烷基酯?；A(chǔ)聚合物中的含有碳數(shù)1418的直鏈烷基的(甲基)丙烯酸系單體的含量?jī)?yōu)選相對(duì)于構(gòu)成基礎(chǔ)聚合物的共聚單體成分總量為1060質(zhì)量％，更優(yōu)選為1050質(zhì)量％。含有碳數(shù)1418的直鏈烷基的(甲基)丙烯酸系單體的含量小于10質(zhì)量％時(shí)，可能是由于羥基等極性部位的掩蔽不充分，對(duì)具有活性面的半導(dǎo)體晶片等被加工物粘貼切割用粘著膜時(shí)，用放射線進(jìn)行固化后粘著力沒有充分降低，切斷片的剝離變難，拾起性降低。另一方面，含有碳數(shù)1418的直鏈烷基的(甲基)丙烯酸系單體的含量大于60質(zhì)量％時(shí)，基礎(chǔ)聚合物合成時(shí)的聚合反應(yīng)不能順利進(jìn)行，難以得到高分子量的(甲基)丙烯酸系聚合物，因此，容易發(fā)生漿糊污染。由此，至今還未發(fā)現(xiàn)著眼于構(gòu)成基礎(chǔ)聚合物的共聚單體成分的烷基數(shù)及其結(jié)構(gòu)，使用含有使包含大量的具有碳數(shù)1418的直鏈烷基的(甲基)丙烯酸系單體作為共聚單體成分的基礎(chǔ)聚合物、與放射線反應(yīng)性化合物反應(yīng)而得到的(甲基)丙烯酸系聚合物的粘著劑組合物，具體研究用放射線進(jìn)行固化之前的粘著劑層和清洗水的接觸引起的粘著力降低的抑制、和相對(duì)具有活性面的半導(dǎo)體晶片等被加工物的用放射線進(jìn)行固化后的輕剝離性及低污染性的實(shí)例。在本實(shí)施方式中，以凝集力及耐熱性等為目的，基礎(chǔ)聚合物可以根據(jù)需要含有其它共聚單體成分。作為這樣的其它共聚單體成分，具體可以舉出例如(甲基)丙烯酸縮水甘油酯等含環(huán)氧基單體；(甲基)丙烯酸、衣康酸、馬來酸、富馬酸、巴豆酸、異巴豆酸等含羧基單體；馬來酸酐、衣康酸酐等含酸酐基單體；(甲基)丙烯酰胺、N，N-二甲基(甲基)丙烯酰胺、N-丁基(甲基)丙烯酰胺、N-羥甲基(甲基)丙烯酰胺、N-羥甲基丙烷(甲基)丙烯酰胺、N-甲氧基甲基(甲基)丙烯酰胺、N-丁氧基甲基(甲基)丙烯酰胺等酰胺系單體；(甲基)丙烯酸氨基乙酯、(甲基)丙烯酸-N，N-二甲基氨基乙酯、(甲基)丙烯酸叔丁基氨基乙酯等含氨基單體；(甲基)丙烯腈等含氰基單體；乙烯、丙烯、異戊二烯、丁二烯、異丁烯等烯烴系單體；苯乙烯、α-甲基苯乙烯、乙烯基甲苯等苯乙烯系單體；醋酸乙烯酯、丙酸乙烯酯等乙烯基酯系單體；甲基乙烯基醚、乙基乙烯基醚等乙烯基醚系單體；氯乙烯、偏氯乙烯等含鹵原子單體；(甲基)丙烯酸甲氧基乙酯、(甲基)丙烯酸乙氧基乙酯等含烷氧基單體；N-乙烯基-2-吡咯烷酮、N-甲基乙烯基吡咯烷酮、N-乙烯基吡啶、N-乙烯基哌啶酮、N-乙烯基嘧啶、N-乙烯基哌嗪、N-乙烯基吡嗪、N-乙烯基吡咯、N-乙烯基咪唑、N-乙烯基噁唑、N-乙烯基嗎啉、N-乙烯基己內(nèi)酰胺、Ν-(甲基)丙烯?；鶈徇染哂泻迎h(huán)的單體；(甲基)丙烯酸壬酯、(甲基)丙烯酸異壬酯、(甲基)丙烯酸癸酯、(甲基)丙烯酸異癸酯、(甲基)丙烯酸十一烷基酯、(甲基)丙烯酸十二烷基酯、(甲基)丙烯酸十三烷基酯等(甲基)丙烯酸酯等。另外，作為共聚單體成分，以交聯(lián)等為目的，根據(jù)需要還可以使用多官能性單體。作為這樣的多官能性單體，具體可以舉出例如1，6_己二醇(甲基)丙烯酸酯、(聚)乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、(聚)丙二醇二(甲基)丙烯酸酯、新戊二醇二(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇二(甲基)丙烯酸酯、三羥甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇六(甲基)丙烯酸酯、甘油二(甲基)丙烯酸酯、環(huán)氧(甲基)丙烯酸酯、聚酯(甲基)丙烯酸酯、氨基甲酸酯(甲基)丙烯酸酯、二乙烯基苯、二(甲基)丙烯酸丁酯、二(甲基)丙烯酸己酯等。進(jìn)而，作為共聚單體成分，根據(jù)需要，還可以使用乙烯-醋酸乙烯酯共聚物及醋酸乙烯酯聚合物等。這些其它共聚單體成分可以單獨(dú)使用，也可以并用2種以上。但是，這些其它共聚單體成分的含量過多時(shí)，粘著力容易降低，并且輕剝離性及低污染性容易變差。作為用于合成基礎(chǔ)聚合物的聚合方法，可以列舉目前公知的溶液聚合法、乳化聚合法、本體聚合法、懸浮聚合法等，其中，優(yōu)選本實(shí)施方式的共聚單體成分的聚合均勻進(jìn)行的溶液聚合法。作為進(jìn)行溶液聚合時(shí)的有機(jī)溶劑，具體可以舉出例如酮系、酯系、醇系、芳香族系的有機(jī)溶劑。這些有機(jī)溶劑可以單獨(dú)使用，也可以并用2種以上。其中，優(yōu)選甲苯、醋酸乙酯、異丙醇、苯甲基溶纖劑、乙基溶纖劑、丙酮、甲基乙基酮等通常對(duì)基礎(chǔ)聚合物為良溶劑且具有60120°C的沸點(diǎn)的有機(jī)溶劑。另外，作為聚合引發(fā)劑，可以列舉α，α，-偶氮二異丁腈等偶氮二(Azobis)系；過氧化苯甲酰等有機(jī)過氧化物系等自由基發(fā)生劑等。聚合時(shí)，根據(jù)需要，還可以使用催化劑、阻聚劑等。本實(shí)施方式的(甲基)丙烯酸系聚合物可以通過使如上操作得到的基礎(chǔ)聚合物與含有放射線反應(yīng)性碳_碳雙鍵的放射線反應(yīng)性化合物反應(yīng)、在分子內(nèi)導(dǎo)入放射線反應(yīng)性碳-碳雙鍵來合成。作為放射線反應(yīng)性化合物，可以使用具有放射線反應(yīng)性碳_碳雙鍵和可與基礎(chǔ)聚合物的羥基反應(yīng)的官能團(tuán)的化合物。具體可以列舉例如(甲基)丙烯酸、桂皮酸、衣康酸、富馬酸、鄰苯二甲酸等含羧基單體；(甲基)丙烯酸異氰酸根合乙酯等含異氰酸酯基單體等。這些放射線反應(yīng)性化合物可以單獨(dú)使用，也可以并用2種以上。其中，優(yōu)選與羥基的反應(yīng)性優(yōu)異的含異氰酸酯基單體。另外，基礎(chǔ)聚合物含有含環(huán)氧基單體、(甲基)丙烯酸單體、含酸酐基單體等作為共聚單體成分時(shí)，還可以使用具有可與由這些共聚單體成分導(dǎo)入分子內(nèi)的環(huán)氧基、羧基、酸酐基等官能團(tuán)反應(yīng)的官能團(tuán)的(甲基)丙烯酸-2-羥基乙酯、(甲基)丙烯酸羥基乙酯等含羥基單體；(甲基)丙烯酸縮水甘油酯、(甲基)丙烯酸縮水甘油酯等含環(huán)氧基單體；(甲基)丙烯酸氨基乙酯等含氨基單體等。放射線反應(yīng)性化合物的含量?jī)?yōu)選相對(duì)于基礎(chǔ)聚合物100質(zhì)量份為525質(zhì)量份，更優(yōu)選為623質(zhì)量份。放射線反應(yīng)性化合物的含量小于5質(zhì)量份時(shí)，放射線反應(yīng)性碳-碳雙鍵的導(dǎo)入量減少，固化性降低。放射線反應(yīng)性固化物的含量大于25質(zhì)量％時(shí)，固化性飽和，同時(shí)用放射線進(jìn)行固化后的粘著劑的流動(dòng)性降低，拉伸后的切斷片間的間隙不充分。因此，拾起時(shí)，有時(shí)難以辨認(rèn)各切斷片的圖像。另外，有時(shí)(甲基)丙烯酸系聚合物的穩(wěn)定性降低，制造變難。另外，放射線反應(yīng)性化合物的含量?jī)?yōu)選比基礎(chǔ)聚合物的合成中使用的含羥基(甲基)丙烯酸系單體少。放射線反應(yīng)性化合物的含量如果比含羥基(甲基)丙烯酸系單體的含量少，則為了高分子量化而使用交聯(lián)劑時(shí)，可以確保與該交聯(lián)劑反應(yīng)的羥基，從而可以進(jìn)一步抑制固化前粘著劑層和清洗水接觸時(shí)的粘著力的降低。作為用于合成(甲基)丙烯酸系聚合物的基礎(chǔ)聚合物和放射線反應(yīng)性化合物的反應(yīng)，可以列舉在維持碳_碳雙鍵的放射線反應(yīng)性的狀態(tài)下使它們進(jìn)行縮合反應(yīng)或加成反應(yīng)的方法。在這些反應(yīng)中，為了維持碳-碳雙鍵的放射線反應(yīng)性，優(yōu)選使用阻聚劑。作為這樣的阻聚劑，優(yōu)選氫醌單甲醚等醌系阻聚劑。阻聚劑的量沒有特別限定，相對(duì)于基礎(chǔ)聚合物和放射線反應(yīng)性化合物的總量通常為0.010.1質(zhì)量份。如上操作得到的(甲基)丙烯酸系聚合物的重均分子量?jī)?yōu)選為30萬200萬，更優(yōu)選為40萬150萬。重均分子量小于30萬時(shí)，切斷片容易發(fā)生漿糊污染。另外，(甲基)丙烯酸系聚合物的凝集力降低，切割時(shí)容易發(fā)生被加工物的位置偏移。另一方面，重均分子量大于200萬時(shí)，在合成時(shí)及在基材上涂布粘著劑組合物時(shí)，有時(shí)粘著劑組合物凝膠化。需要說明的是，上述重均分子量為利用GPC(凝膠滲透色譜法)測(cè)定得到的聚苯乙烯換算重均分子量(溶劑四氫呋喃)。另外，(甲基)丙烯酸系聚合物優(yōu)選具有-60°C以上的玻璃化溫度。為了上述(甲基)丙烯酸系聚合物的高分子量化，本實(shí)施方式的放射線固化性粘著劑組合物優(yōu)選進(jìn)一步含有交聯(lián)劑。作為這樣的交聯(lián)劑，沒有特別限定，可以使用公知的交聯(lián)劑。具體可以列舉例如聚異氰酸酯系交聯(lián)劑、環(huán)氧系交聯(lián)劑、氮丙啶系交聯(lián)劑、三聚氰胺樹脂系交聯(lián)劑、尿素樹脂系交聯(lián)劑、酸酐化合物系交聯(lián)劑、多胺系交聯(lián)劑、含羧基聚合物系交聯(lián)劑等。這些交聯(lián)劑可以單獨(dú)使用，也可以并用2種以上。交聯(lián)劑的配合量?jī)?yōu)選相對(duì)于(甲基)丙烯酸系聚合物100質(zhì)量份為0.015質(zhì)量份。交聯(lián)劑的配合量過多時(shí)，根據(jù)(甲基)丙烯酸系聚合物的種類的不同，有時(shí)在被加工物上粘貼切割用粘著膜時(shí)的粘著力降低，或未交聯(lián)成分附著于切斷片而發(fā)生漿糊污染。本實(shí)施方式的放射線固化性粘著劑組合物使用紫外線作為放射線時(shí)，優(yōu)選進(jìn)一步含有光聚合引發(fā)劑。作為這樣的光聚合引發(fā)劑，具體可以舉出例如安息香甲醚、安息香乙醚、安息香丙醚、安息香異丙醚、安息香異丁醚等安息香烷基醚系引發(fā)劑；二苯甲酮、苯甲酰苯甲酸、3，3’_二甲基-4-甲氧基二苯甲酮、聚乙烯基二苯甲酮等二苯甲酮系引發(fā)劑；α-羥基環(huán)己基苯基甲酮、4-(2_羥基乙氧基)苯基(2-羥基-2-丙基)甲酮、α-羥基-α，α’-二甲基苯乙酮、甲氧基苯乙酮、2，2，-二甲氧基-2-苯基苯乙酮、2，2_二乙氧基苯乙酮、2-甲基-l-[4-(甲基硫代)-苯基]-2-嗎啉代丙烷-1等芳香族酮系引發(fā)劑；苯偶酰二甲基縮酮等芳香族縮酮系引發(fā)劑；噻噸酮、2-氯噻噸酮、2-甲基噻噸酮、2-乙基噻噸酮、2-異丙基噻噸酮、2-十二烷基噻噸酮、2，4_二氯噻噸酮、2，4_二甲基噻噸酮、2，4_二乙基噻噸酮、2，4_二異丙基噻噸酮等噻噸酮系引發(fā)劑；苯偶酰等苯偶酰系引發(fā)劑；苯偶姻等苯偶姻系引發(fā)劑；2-甲基-2-羥基苯丙酮等α-縮酮系化合物；2-萘磺酰氯等芳香族磺酰氯系化合物；1-苯酮-1，1-丙二酮-2-(鄰-乙氧基羰基)肟等光活性肟系化合物；樟腦醌系化合物；商化酮系化合物；?；趸⑾祷衔?；?；⑺狨ハ祷衔锏?。它們可以單獨(dú)使用，也可以并用2種以上。光聚合引發(fā)劑的配合量?jī)?yōu)選相對(duì)于(甲基)丙烯酸系聚合物100質(zhì)量份為0.015質(zhì)量份。本實(shí)施方式的放射線固化性粘著劑組合物具有上述(甲基)丙烯酸系聚合物時(shí)，以其它特性的提高為目的，根據(jù)需要，還可以進(jìn)一步含有粘著賦予劑、防老化劑、填充劑、著色齊IJ、阻燃劑、抗靜電劑、軟化劑、紫外線吸收劑、抗氧化劑、增塑劑、表面活性劑等公知的添加劑等。但是，優(yōu)選具有放射線反應(yīng)性碳-碳雙鍵的放射線反應(yīng)性化合物及聚乙二醇等低分子化合物(例如數(shù)均分子量為3000以下)盡可能少，更優(yōu)選小于2質(zhì)量％，最優(yōu)選實(shí)質(zhì)上不含有。本實(shí)施方式的放射線固化性粘著劑組合物含有這樣的低分子化合物時(shí)，不僅會(huì)成為污染被加工物的原因，而且切割工序中的粘著力容易降低，拾起工序中的固化性容易降低。本實(shí)施方式的切割用粘著膜可以通過將上述放射線固化性粘著劑組合物利用公知的方法涂布在基材的至少一個(gè)面上來制造。另外，使用后述的隔膜(Separator)時(shí)，在隔膜的一個(gè)面上涂布放射線固化性粘著劑組合物后，可以在粘著劑層上粘貼基材。需要說明的是，使用交聯(lián)劑時(shí)，在形成含有放射線固化性粘著劑組合物的粘著劑層后，可以進(jìn)一步進(jìn)行加熱。作為基材，只要是具有至少部分透過放射線(X射線、紫外線、電子射線等)的特性的基材就可以沒有特別限定地使用。作為這樣的基材，可以列舉塑料制、金屬制、紙制等基材，其中，優(yōu)選塑料制基材。作為這樣的塑料制基材，具體可以列舉例如由聚烯烴系樹脂(低密度聚乙烯、直鏈狀聚乙烯、中密度聚乙烯、高密度聚乙烯、超低密度聚乙烯、無規(guī)共聚聚丙烯、嵌段共聚聚丙烯、均聚丙烯、聚丁烯、聚甲基戊烯等)、乙烯-醋酸乙烯酯共聚物、離聚物系樹脂、乙烯_(甲基)丙烯酸其聚物、乙烯_(甲基)丙烯酸酯共聚物(無規(guī)共聚物、交替共聚物等)、乙烯-丁烯共聚物、乙烯_己烯共聚物、聚氨酯系樹脂、聚酯系樹脂(聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚對(duì)苯二甲酸丁二醇酯、聚萘二甲酸丁二醇酯等)、聚酰亞胺系樹脂、聚酰胺系樹脂、聚醚酮系樹脂、聚醚系樹脂、聚醚砜系樹脂、聚苯乙烯系樹月旨(聚苯乙烯等)、聚氯乙烯系樹脂、聚偏氯乙烯系樹脂、聚乙烯醇系樹脂、聚醋酸乙烯酯系樹脂、氯乙烯_醋酸乙烯酯共聚物、聚碳酸酯系樹脂、氟系樹脂、硅酮系樹脂、纖維素系樹脂及這些樹脂的交聯(lián)體等構(gòu)成材料構(gòu)成的基材。這些構(gòu)成材料可以單獨(dú)使用，也可以并用2種以上。上述構(gòu)成材料根據(jù)需要，還可以具有官能團(tuán)。另外，還可以在構(gòu)成材料中接枝功能性單體及改性單體。進(jìn)而，為了提高與鄰接的層的密合性，塑料制基材的表面還可以實(shí)施公知的表面處理方法。作為這樣的表面處理，具體可以列舉例如電暈放電處理、臭氧暴露處理、高壓電擊暴露處理、離子化放射線處理等。另外，還可以對(duì)基材實(shí)施利用底涂劑的涂布處理、等離子體處理、無光澤(Matt)處理、交聯(lián)處理等?；目梢跃哂袉螌拥男螒B(tài)，也可以具有層疊的形態(tài)。另外，在基材中，根據(jù)需要，還可以含有例如填充劑、阻燃劑、防老化劑、抗靜電劑、軟化劑、紫外線吸收劑、抗氧化劑、增塑齊U、表面活性劑等公知的添加劑?；牡暮穸葲]有特別限定，優(yōu)選10300μm,更優(yōu)選30200μHlo粘著劑層的厚度沒有特別限定，優(yōu)選350μm，更優(yōu)選520μm。粘著劑層的厚度為3μπ以上時(shí)，在切割時(shí)，可以將半導(dǎo)體晶片可靠地保持在切割用粘著膜上。另外，在切割工序中，有時(shí)半導(dǎo)體晶片等被加工物振動(dòng)。因此，振動(dòng)幅度大時(shí)，半導(dǎo)體元件等切斷片容易產(chǎn)生缺口(tipping)。但是，粘著劑層的厚度為50μπι以下時(shí)，可以抑制切割時(shí)產(chǎn)生的振動(dòng)的振動(dòng)幅度變得過大，從而可以減少上述的缺口。使用具有活性面的半導(dǎo)體晶片(硅鏡面晶片)作為被加工物時(shí)，對(duì)該半導(dǎo)體晶片的粘著劑層的利用放射線進(jìn)行固化前的粘著力(剝離角度180°、拉伸速度300mm/sec、溫度23士3°C)優(yōu)選0.5(N/10mm寬)以上，更優(yōu)選1.0(N/10mm寬)以上。用放射線進(jìn)行固化前的粘著力為0.5(N/10mm寬)以上時(shí)，可以充分抑制或防止切割工序中的半導(dǎo)體元件的脫離飛散。另外，對(duì)具有活性面的半導(dǎo)體晶片(硅鏡面晶片)的粘著劑層的利用放射線進(jìn)行固化后的粘著力(剝離角度180°、拉伸速度300mm/sec、溫度23士3°C)優(yōu)選0.15(Ν/lOmm寬)以下，更優(yōu)選0.020.15(N/IOmm寬)。為用放射線進(jìn)行固化后具有這樣低的粘著力的粘著劑層時(shí)，拾起性變良好，而且可以減少漿糊殘留(粘著劑成分的殘留)。圖1是表示本實(shí)施方式的切割用粘著膜的構(gòu)成的一例的剖面概略圖。如圖1所示，本實(shí)施方式的切割用粘著膜1具有在基材2的一個(gè)面上形成有粘著劑層3的構(gòu)成。另外，如圖1所示，在粘著劑層3上，根據(jù)需要，還可以設(shè)置隔膜4。作為隔膜4，沒有特別限定，可以使用公知的隔膜。作為這樣的隔膜4的構(gòu)成材料，具體可以列舉例如紙類；聚乙烯、聚丙烯、聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯等合成樹脂等。另外，在隔膜4的表面，為了提高粘著劑層3的剝離性，根據(jù)需要，可以實(shí)施硅酮處理、長(zhǎng)鏈烷基處理、氟處理等處理。隔膜4的厚度沒有特別限定，通常為10200μm。粘著劑層3可以為1層，也可以為2層以上。需要說明的是，在圖1中，只在基材2的一個(gè)面上設(shè)置粘著劑層3，但也可以在基材2的兩個(gè)面上設(shè)置粘著劑層3。另外，雖然并未圖示，但根據(jù)使用形態(tài)，可以代替隔膜4，在基材2的另一個(gè)面上形成其它粘著劑層、脫模處理層等。作為用于形成其它粘著劑層的粘著劑組合物，具體可以使用例如含有丙烯酸系粘著劑、橡膠系粘著劑、氨基甲酸酯系粘著劑、硅酮系粘著劑、聚酯系粘著劑、聚酰胺系粘著劑、環(huán)氧系粘著劑、乙烯基烷基醚系粘著劑、氟系粘著劑等公知的粘著劑的粘著劑組合物。需要說明的是，形成于上述基材的另一個(gè)面上的粘著劑組合物，根據(jù)需要還可以含有各種添加劑、放射線固化性成分及發(fā)泡劑等。另外，作為用于形成脫模處理層的脫模處理劑(剝離劑)，具體可以使用例如硅酮系脫模處理劑、長(zhǎng)鏈烷基系脫模處理齊U、氟系脫模處理劑等公知的脫模處理劑。切割用粘著膜還可以具有卷繞成輥狀的形態(tài)或?qū)盈B有寬幅的片材的形狀。另外，還可以具有將它們切斷加工成規(guī)定尺寸的片狀或帶狀的形態(tài)。本實(shí)施方式的切割用粘著膜可以在切割被加工物而制造切斷片時(shí)使用。特別是可以在切割具有活性面的被加工物而制造切斷片時(shí)優(yōu)選使用。作為這樣的被加工物，具體可以列舉例如半導(dǎo)體晶片、半導(dǎo)體封裝、玻璃、陶瓷等。這些被加工物由硅系化合物、鍺系化合物、鎵-砷化合物等化合物構(gòu)成，通過背面研磨處理(Backgrind)等，在露出的面上存在多個(gè)未氧化狀態(tài)的活性硅原子(Si)、未氧化狀態(tài)的活性鍺原子(Ge)、未氧化狀態(tài)的活性鎵原子(Ga)等未氧化狀態(tài)的活性原子。因此，為了切割這樣的具有活性原子的被加工物而將切割用粘著膜粘貼在被加工物上時(shí)，粘著劑層中作為主要成分包含的(甲基)丙烯酸系聚合物中導(dǎo)入的羥基等極性部位與活性原子鍵合，即使用放射線進(jìn)行固化后，也顯示高粘著力，難以剝離切斷片和切割用粘著膜。但是，利用本實(shí)施方式的切割用粘著膜，即使在具有活性面的被加工物上粘貼切割用粘著膜，在將切斷片從切割用粘著膜上剝離時(shí)，與粘貼時(shí)間無關(guān)，也可以通過放射線的照射使對(duì)活性面的粘著力充分降低，可以容易地使切斷片剝離。因此，利用本實(shí)施方式的切割用粘著膜，例如，在半導(dǎo)體晶片的背面研磨處理后、或半導(dǎo)體晶片的背面研磨處理及背面處理后，即使在短時(shí)間內(nèi)在露出的活性面上粘貼切割用粘著膜，也可以有效地用于其后實(shí)施的切割工序及拾起工序等中。在本實(shí)施方式中，作為切割被加工物而制造切斷片的方法，可以優(yōu)選使用至少具有以下工序的制造方法在被加工物的一個(gè)面上粘貼切割用粘著膜的工序；將粘貼有切割用粘著膜的被加工物切斷并分離為切斷片的切割工序；對(duì)粘貼于切斷片上的粘著劑層照射放射線，使粘著劑層的粘著力降低，從粘著力降低了切割用粘著膜上拾起切斷片的拾起工序。在于被加工物的一個(gè)面上粘貼切割用粘著膜的工序中，通常，將半導(dǎo)體晶片等被加工物和切割用粘著膜以被加工物的一個(gè)面和粘著劑層接觸的形態(tài)重疊，通過使用壓接輥的擠壓裝置等公知的擠壓裝置對(duì)它們進(jìn)行擠壓，在被加工物上粘貼切割用粘著膜。另外，也可以在可加壓的容器(例如高壓釜等)中，將被加工物和切割用粘著膜以與上述同樣的形態(tài)重疊，通過對(duì)容器內(nèi)進(jìn)行加壓，在被加工物上粘貼切割用粘著膜。進(jìn)而，還可以在負(fù)壓室(真空室)內(nèi)，與上述通過加壓進(jìn)行粘貼的情況同樣操作，在被加工物上粘貼切割用粘著膜。接著，在切割工序中，使用刀片等切割裝置切割粘貼在切割用粘著膜上的半導(dǎo)體晶片等被加工物，制造被加工物的切斷片。在這樣的切割工序中，通常，為了除去摩擦熱及防止切斷屑片的附著，向粘貼有切割用粘著膜的半導(dǎo)體晶片等被加工物供給清洗水，同時(shí)用高速旋轉(zhuǎn)的刀片將被加工物切斷為規(guī)定的尺寸。因此，粘著劑層的粘著力容易降低，但對(duì)于本實(shí)施方式的切割用粘著膜，即使粘著劑層與清洗水接觸，也可以保持優(yōu)異的粘著力，因此，可以減少切斷片從切割用粘著膜的脫離飛散。作為切割裝置，沒有特別限定，可以使用目前公知的切割裝置。需要說明的是，根據(jù)需要，在切割工序后，還可以進(jìn)行洗滌工序、擴(kuò)展工序等。在拾起工序中，通過對(duì)切割用粘著膜的粘著劑層照射放射線使粘著劑層的粘著力降低后，從切割用粘著膜上拾起切斷片。作為放射線，可以舉出例如x射線、電子射線、紫外線等。其中，優(yōu)選紫外線。照射放射線時(shí)的照射強(qiáng)度及照射時(shí)間等各種條件沒有特別限定，可以適當(dāng)設(shè)定。作為拾起方法，沒有特別限定，可以采用目前公知的各種拾起方法。可以舉出例如將各個(gè)切斷片用針從切割用粘著膜側(cè)頂起，然后用拾起裝置將頂起的切斷片拾起的方法等。本實(shí)施方式的切割用粘著膜可以通過放射線的固化使粘著力充分降低，因此，即使使用具有活性面的被加工物，在如上所述的拾起工序中，也可以將切斷片容易地從切割用粘著膜上剝離，同時(shí)，還可以減少剝離后切斷片上的粘著劑成分的附著。以下，通過實(shí)施例對(duì)本發(fā)明進(jìn)行更詳細(xì)的說明，但本發(fā)明并不限定于這些實(shí)施例。需要說明的是，在以下的說明中，“份”是指“質(zhì)量份”。實(shí)施例<(甲基)丙烯酸系聚合物的合成>作為共聚單體成分，準(zhǔn)備含有碳數(shù)2的直鏈烷基的丙烯酸乙酯(EA)、含有碳數(shù)8的支鏈烷基的丙烯酸-2-乙基己酯(EHA)、含有羥基的丙烯酸-2-羥基乙酯(HEA)、含有碳數(shù)14的直鏈烷基的丙烯酸肉豆蔻酯(MA)、含有碳數(shù)18的直鏈烷基的丙烯酸十八烷基酯(STA)、及含有碳數(shù)12的直鏈烷基的丙烯酸十二烷基酯(LA)。將這些共聚單體成分以表1所示的配合比進(jìn)行混合，進(jìn)行溶液自由基聚合，合成各基礎(chǔ)聚合物。需要說明的是，在聚合時(shí)，利用GPC進(jìn)行共聚單體成分的反應(yīng)追蹤，在共聚單體成分消失的時(shí)刻終止聚合。接著，以表1所示的各配合比使該各基礎(chǔ)聚合物100份與含有放射線反應(yīng)性碳-碳雙鍵的甲基丙烯酸-2-異氰酸根和乙酯(IEM)反應(yīng)，合成各(甲基)丙烯酸系聚合物。需要說明的是，在進(jìn)行上述反應(yīng)時(shí)，使用0.05份氫醌單甲醚(MEHQ)作為阻聚劑。利用GPC(溶劑四氫呋喃)測(cè)定合成的各(甲基)丙烯酸系聚合物的重均分子量的結(jié)果，為50萬80萬?！辞懈钣谜持さ闹谱鳌祵⑷缟喜僮鞯玫降母?甲基)丙烯酸系聚合物100份、作為交聯(lián)劑的聚異氰酸酯化合物(日本聚氨酯公司制，商品名二口才、一卜L)0.1份、和作為光聚合引發(fā)劑的1-羥基環(huán)己基苯基甲酮(汽巴精化公司制，商品名=Irgacure184)0.5份混合，制備各放射線固化性粘著劑組合物。接著，將如上操作得到的各放射線固化性粘著劑組合物以厚度為10μm的方式涂布在聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯制隔膜(厚度38μπι)上，形成粘著劑層，然后以100°C加熱3分鐘。其后，在粘著劑層上粘貼單面實(shí)施了電暈放電處理的聚烯烴制膜(厚度100μπι)。將粘貼好的樣品在40°C的恒溫槽中保存72小時(shí)，制作各切割用粘著膜。使用如上操作制得的各切割用粘著膜，進(jìn)行以下的評(píng)價(jià)。將各(甲基)丙烯酸系聚合物的組成和評(píng)價(jià)結(jié)果一同示于表1中。[評(píng)價(jià)](用放射線進(jìn)行固化前的粘著力)將切割成25mm寬的短條狀的切割用粘著膜在23°C的氛圍下粘貼在剛進(jìn)行鏡面研磨處理后的5英寸硅鏡面晶片上，將其在室溫氛圍下靜置30分鐘，制作測(cè)定樣品。測(cè)定該測(cè)定樣品的粘著力，以下述基準(zhǔn)評(píng)價(jià)固化前的粘著力。粘著力的測(cè)定條件設(shè)定為剝離角度180°、剝離速度:300mm/分鐘、溫度:23士3°C。〇粘著力的測(cè)定值為1.ON/IOmm以上Δ粘著力的測(cè)定值為0.5N/10mm以上且小于1.ON/IOmmX粘著力的測(cè)定值小于0.5N/10mm(用放射線進(jìn)行固化后的粘著力)制作與用放射線進(jìn)行固化前的粘著力的測(cè)定中使用的測(cè)定樣品相同的測(cè)定樣品。從該測(cè)定樣品的切割用粘著膜的基材側(cè)照射紫外線(照射強(qiáng)度300mJ/cm2)，與上述用放射線進(jìn)行固化前的粘著力同樣操作，測(cè)定照射后的粘著力，以下述基準(zhǔn)評(píng)價(jià)固化后的粘著力。〇粘著力的測(cè)定值為0.15N/10mm以下Δ粘著力的測(cè)定值超過0.15N/10mm(拾起性)對(duì)厚度100μm的5英寸硅鏡面晶片進(jìn)行鏡面研磨處理后，立即在23°C的氛圍下在研磨面上粘貼切割用粘著膜。接著，向粘貼有該粘著膜的晶片供給清洗水，同時(shí)將晶片全切(FullCut)為3_X3mm的大小。接著，從切割用粘著膜的基材側(cè)照射紫外線(照射強(qiáng)度300mJ/cm2)，進(jìn)行擴(kuò)展后，將半導(dǎo)體元件從粘著膜上剝離，拾起。拾起任意的半導(dǎo)體元件50個(gè)時(shí)，作為拾起性，將成功拾起全部半導(dǎo)體元件的情況評(píng)價(jià)為〇，將其以外的情況評(píng)價(jià)為X。表1<table>tableseeoriginaldocumentpage14</column></row><table>由表1可知，實(shí)施例的切割用粘著膜在固化前具有高粘著力，并且，在固化后粘著力顯著降低。另外，使用實(shí)施例的切割用粘著膜時(shí)，在拾起工序中，具有優(yōu)異的輕剝離性。特別是相對(duì)構(gòu)成基礎(chǔ)聚合物的共聚單體成分總量含有碳數(shù)14的直鏈烷基的(甲基)丙烯酸系單體的含量為1030質(zhì)量％時(shí)、及含有碳數(shù)18的直鏈烷基的(甲基)丙烯酸系單體的含量為1050質(zhì)量％時(shí)，在用放射線進(jìn)行固化前可得到高粘著力，同時(shí)在用放射線進(jìn)行固化后可得到低粘著力。相對(duì)于此，在粘著劑層含有僅使用不含長(zhǎng)鏈烷基的(甲基)丙烯酸系單體作為共聚單體而合成的(甲基)丙烯酸系聚合物、或者使用含有碳數(shù)12左右的烷基的(甲基)丙烯酸系單體作為共聚單體成分而合成的(甲基)丙烯酸系聚合物的切割用粘著膜，在使用具有活性面的半導(dǎo)體晶片時(shí)，即使在用放射線進(jìn)行固化后也顯示高粘著力。因此，使用這些切割用粘著膜時(shí)，拾起性變差。權(quán)利要求一種放射線固化性粘著劑組合物，其含有(甲基)丙烯酸系聚合物，其中，所述(甲基)丙烯酸系聚合物在分子內(nèi)至少具有碳數(shù)2～8的直鏈或支鏈烷基、羥基、碳數(shù)14～18的直鏈烷基及放射線反應(yīng)性碳-碳雙鍵。2.如權(quán)利要求1所述的放射線固化性粘著劑組合物，其中，所述(甲基)丙烯酸系聚合物是通過使基礎(chǔ)聚合物與相對(duì)于所述基礎(chǔ)聚合物100質(zhì)量份為525質(zhì)量份的含有放射線反應(yīng)性碳_碳雙鍵的放射線反應(yīng)性化合物反應(yīng)而得到的，所述基礎(chǔ)聚合物是使共聚單體成分共聚而得到的，所述共聚單體成分至少含有相對(duì)于全部共聚單體成分為3080質(zhì)量％的含有碳數(shù)28的直鏈或支鏈烷基的(甲基)丙烯酸系單體、520質(zhì)量％的含羥基(甲基)丙烯酸系單體及1060質(zhì)量％的含有碳數(shù)1418的直鏈烷基的(甲基)丙烯酸系單體。3.如權(quán)利要求2所述的放射線固化性粘著劑組合物，其中，相對(duì)于所述全部共聚單體成分，所述含有碳原子1418的直鏈烷基的(甲基)丙烯酸系單體的含量為1050質(zhì)量％。4.一種切割用粘著膜，其具有基材、以及在所述基材的至少一個(gè)面上的粘著劑層，其中，所述粘著劑層含有包含交聯(lián)劑、光聚合引發(fā)劑和權(quán)利要求13中任一項(xiàng)所述的(甲基)丙烯酸系聚合物的放射線固化性粘著劑組合物。5.一種切斷片的制造方法，其中，在被加工物的一個(gè)面上粘貼權(quán)利要求4所述的切割用粘著膜，切斷粘貼有所述切割用粘著膜的被加工物而分離為切斷片，對(duì)粘貼在所述切斷片上的粘著劑層照射放射線，使所述粘著劑層的粘著力降低，從所述粘著力降低了的切割用粘著膜拾起所述切斷片。6.如權(quán)利要求5所述的切斷片的制造方法，其中，所述被加工物為具有活性面的半導(dǎo)體晶片。全文摘要本發(fā)明提供一種切割用粘著膜，其具有在切割工序中具有高粘著力而可以抑制半導(dǎo)體元件等的切斷片的脫離分散、同時(shí)在拾起工序中對(duì)具有活性面的被加工物也可得到優(yōu)異的輕剝離性及低污染性的粘著劑層。切割用粘著膜的粘著劑層中使用含有(甲基)丙烯酸系聚合物的放射線固化性粘著劑組合物，該(甲基)丙烯酸系聚合物在分子內(nèi)至少具有碳數(shù)2～8的直鏈或支鏈烷基、羥基、碳數(shù)14～18的直鏈烷基及放射線反應(yīng)性碳-碳雙鍵。文檔編號(hào)C09J7/02GK101831261SQ20101014865公開日2010年9月15日申請(qǐng)日期2010年3月2日優(yōu)先權(quán)日2009年3月3日發(fā)明者奧村泰章,守本宗弘,長(zhǎng)瀧義幸申請(qǐng)人:日立麥克賽爾株式會(huì)社