形成硬盤用平坦化膜的組合物的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明的課題是提供可以防止鈷成分等磁性材料擴(kuò)散至填充部(非磁性層)的形成硬盤用平坦化膜的組合物。作為解決本發(fā)明的課題的方法涉及一種形成硬盤用平坦化膜的組合物，其特征在于，包含光聚合性被覆材料，并且在該被覆材料中含有相對(duì)于每1摩爾苯環(huán)為1～90摩爾%的乙烯基，所述光聚合性被覆材料含有：選自具有來源于二乙烯基芳香族化合物的單元結(jié)構(gòu)的均聚物和具有該單元結(jié)構(gòu)的共聚物中的至少1種聚合物、或該聚合物與光聚合性化合物的混合物。光聚合性化合物為具有丙烯酸酯基、甲基丙烯酸酯基或乙烯基的化合物。聚合物為還包含加聚性化合物作為共聚成分的共聚物。一種硬盤的制造方法，其包括下述工序：第1工序，在磁性體上形成凹凸；第2工序，用形成平坦化膜的組合物被覆該凹凸；第3工序，通過蝕刻來平坦化，使磁性體表面露出。
【專利說明】形成硬盤用平坦化膜的組合物
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及形成硬盤用被膜的組合物和使用了該組合物的硬盤的制造方法。由本發(fā)明的組合物形成的被膜對(duì)于平坦化和抑制磁性物質(zhì)向被膜層擴(kuò)散有效果。
【背景技術(shù)】
[0002]關(guān)于硬盤驅(qū)動(dòng)器，頭的高性能化和驅(qū)動(dòng)器介質(zhì)(磁性體)的高性能化同時(shí)進(jìn)行，大容量化和小型化進(jìn)行。
[0003]在介質(zhì)驅(qū)動(dòng)器的高性能化這點(diǎn)上，通過提高面記錄密度來推進(jìn)大容量化。如果提高記錄密度則在磁頭方面磁場(chǎng)變寬成為問題，向使磁頭小的方向進(jìn)展受限制。由于不會(huì)小至一定值以下，因此發(fā)生被稱為側(cè)光(side light)的現(xiàn)象。如果發(fā)生側(cè)光，則記錄時(shí)發(fā)生向相鄰磁道的寫入，蓋寫已經(jīng)記錄的數(shù)據(jù)而發(fā)生數(shù)據(jù)的消失。此外，磁場(chǎng)變寬在更新時(shí)會(huì)讀入來自相鄰磁道的多余信號(hào)，發(fā)生串?dāng)_。
[0004]為了解決這樣的問題，提出了要通過將磁道間用非磁性材料填充，進(jìn)行物理分離、磁分離來解決的離散磁道介質(zhì)、比特圖案化介質(zhì)這樣的技術(shù)(專利文獻(xiàn)I)。
[0005]由填充于磁道間的非磁性材料形成的填充是，在形成于基板上的具有凹凸的磁性層上被覆包含非磁性材料的形成被膜的組合物，通過干蝕刻回蝕直至磁性層的表面，形成磁性層與非磁性層變?yōu)槠教沟钠矫妗Ｔ摲谴判詫拥牡撞?、?cè)部與磁性層接觸，有時(shí)發(fā)生磁性材料從磁性層向非磁性層擴(kuò)散，為了防止這樣的擴(kuò)散，使用了聚硅氧烷系材料(專利文獻(xiàn)2)。
[0006]另一方面，記載了具有光固化性部位的苯乙烯系聚合物(專利文獻(xiàn)3)。
[0007]現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)
[0008]專利文獻(xiàn)
[0009]專利文獻(xiàn)1:日本特開2005 - 100496號(hào)公報(bào)
[0010]專利文獻(xiàn)2:日本特開2009 - 259370號(hào)公報(bào)
[0011]專利文獻(xiàn)3:日本特開2010 - 024330號(hào)公報(bào)

【發(fā)明內(nèi)容】

[0012]發(fā)明所要解決的課題
[0013]本發(fā)明的目的是提供非磁性體的填充劑，即形成平坦化膜的組合物，所述形成平坦化膜的組合物用于在磁性體上形成微細(xì)的槽(幾十nm)，在該槽中填充非磁性材料進(jìn)行光固化而平坦化，形成交替地具有磁性體部分和非磁性體部分的磁道這樣的用于制造離散磁道介質(zhì)、比特圖案化介質(zhì)的方法中。
[0014]要求形成平坦化膜的組合物可以充分地填充于上述微細(xì)的槽中，且光固化時(shí)(曝光時(shí))和曝光后烘烤時(shí)填充部分不發(fā)生收縮，而且在填充部中防止鈷成分等磁性材料(鈷、鋁、鋯、鉻、鎳、鋅、鐵、釕等)擴(kuò)散至填充部(非磁性層)。由此，本發(fā)明的目的是提供滿足這樣的要求性能的形成硬盤用平坦化膜的組合物，此外，提供使用了該組合物的硬盤的制造方法。
[0015]用于解決課題的方法
[0016]本發(fā)明中，作為第I觀點(diǎn)，是一種形成硬盤用平坦化膜的組合物，其特征在于，包含光聚合性被覆材料，并且在該被覆材料中含有相對(duì)于每I摩爾苯環(huán)為I?90摩爾％的乙烯基，所述光聚合性被覆材料含有:選自具有來源于二乙烯基芳香族化合物的單元結(jié)構(gòu)的均聚物和具有該單元結(jié)構(gòu)的共聚物中的至少I種聚合物、或該聚合物與光聚合性化合物的混合物，
[0017]作為第2觀點(diǎn)，是第I觀點(diǎn)所述的形成平坦化膜的組合物，上述二乙烯基芳香族化合物為二乙烯基苯，
[0018]作為第3觀點(diǎn)，是第I觀點(diǎn)或第2觀點(diǎn)所述的形成平坦化膜的組合物，上述光聚合性化合物為具有丙烯酸酯基、甲基丙烯酸酯基或乙烯基的化合物，
[0019]作為第4觀點(diǎn)，是第I觀點(diǎn)?第3觀點(diǎn)的任一項(xiàng)所述的形成平坦化膜的組合物，上述共聚物為還具有來源于加聚性化合物的單元結(jié)構(gòu)的共聚物，
[0020]作為第5觀點(diǎn)，是第I觀點(diǎn)?第4觀點(diǎn)的任一項(xiàng)所述的形成平坦化膜的組合物，其還包含光聚合弓I發(fā)劑和溶劑，
[0021]作為第6觀點(diǎn)，是一種硬盤的制造方法，其包括下述工序:第I工序，在磁性體上形成凹凸；第2工序，用第I觀點(diǎn)?第5觀點(diǎn)的任一項(xiàng)所述的形成平坦化膜的組合物被覆該凹凸而形成被膜；第3工序，通過蝕刻將該被膜平坦化，使磁性體表面露出，
[0022]作為第7觀點(diǎn)，是第6觀點(diǎn)所述的硬盤的制造方法，通過納米壓印法形成上述第I工序中的凹凸，
[0023]作為第8觀點(diǎn)，是第6觀點(diǎn)或第7觀點(diǎn)所述的制造方法，通過對(duì)被覆了上述第I工序中形成的凹凸的形成平坦化膜的組合物進(jìn)行光照射，使該形成平坦化膜的組合物固化的方法，來形成上述第2工序中的被膜，
[0024]作為第9觀點(diǎn)，是第6觀點(diǎn)或第7觀點(diǎn)所述的制造方法，通過對(duì)被覆了上述第I工序中形成的凹凸的形成平坦化膜的組合物進(jìn)行光照射，然后進(jìn)一步利用熱進(jìn)行回流的方法，來形成上述第2工序中的被膜，
[0025]作為第10觀點(diǎn)，是第6觀點(diǎn)?第9觀點(diǎn)的任一項(xiàng)所述的硬盤的制造方法，上述第3工序中的平坦化通過干蝕刻來進(jìn)行，
[0026]作為第11觀點(diǎn)，是第10觀點(diǎn)所述的硬盤的制造方法，上述干蝕刻使用非鹵素系干蝕刻氣體，
[0027]作為第12觀點(diǎn)，是第6觀點(diǎn)?第11觀點(diǎn)的任一項(xiàng)所述的硬盤的制造方法，其還包括第4工序:通過硬質(zhì)物質(zhì)被覆上述第3工序中被平坦化了的被膜的表面，
[0028]作為第13觀點(diǎn)，是第12觀點(diǎn)所述的硬盤的制造方法，上述第4工序中使用的硬質(zhì)物質(zhì)為類金剛石碳。
[0029]發(fā)明的效果
[0030]在形成于磁性層的微細(xì)的槽中填充非磁性材料，然后將非磁性材料進(jìn)行回蝕，從而形成交替地具有磁性體部分和非磁性體部分的磁道的方法中，本發(fā)明的形成平坦化膜的組合物在作為非磁性材料涂布于該磁性層上時(shí)，顯示優(yōu)異的填充性，此外光固化時(shí)(曝光時(shí))和曝光后烘烤時(shí)不易產(chǎn)生收縮，因此可以形成平坦性高的膜。[0031]此外，本發(fā)明的形成平坦化膜的組合物包含疏水性被覆材料，因此可以防止由大氣中的水分的侵入引起的磁性體的部分腐蝕，而且可以防止腐蝕成分向非磁性層擴(kuò)散。
[0032]此外，根據(jù)本發(fā)明的硬盤的制造方法，可以適于制造表面平坦性優(yōu)異，磁性材料不易向非磁性層擴(kuò)散的硬盤。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0033]圖1為顯示由合成例I獲得的聚合物的13C-NMR光譜的圖。
[0034]圖2為顯示由合成例2獲得的聚合物的13C-NMR光譜的圖。
【具體實(shí)施方式】
[0035]作為用于在微細(xì)的槽中填充形成平坦化膜的組合物的組合物，將使用無機(jī)系化合物的現(xiàn)有組合物與如本發(fā)明那樣使用有機(jī)系化合物的組合物進(jìn)行比較，從而本發(fā)明的特征
變得清楚。
[0036]在使用包含無機(jī)系化合物的形成平坦化膜的組合物的情況下，采用了將其涂布至凹凸基板上，通過200°C以上的溫度下的加熱進(jìn)行回流，利用CMP、濕式蝕刻等削去無機(jī)被覆物，加熱固化，進(jìn)行干蝕刻使其平坦化，然后進(jìn)行類金剛石碳的被覆這樣的方法。
[0037]另一方面，在使用本發(fā)明的包含有機(jī)系化合物的形成平坦化膜的組合物的情況下，一般采用將其涂布至凹凸基板上，進(jìn)行曝光，然后根據(jù)需要進(jìn)行曝光后加熱，接著進(jìn)行干蝕刻使其平坦化，然后進(jìn)行類金剛石碳的被覆這樣的方法。
[0038]此外，在使用無機(jī)系材料(例如聚硅氧烷)的情況下，利用CMP、濕式蝕刻除去無機(jī)被覆部分后，通過干蝕刻進(jìn)行回蝕來進(jìn)行平坦化，但對(duì)于此時(shí)的無機(jī)系材料的回蝕，通常使用氟系氣體來進(jìn)行高效率的蝕刻。然而，已知氟系氣體在蝕刻時(shí)生成氫氟酸(HF)，HF成為使磁性材料腐蝕的原因。此外，關(guān)于氟系氣體，有時(shí)在蝕刻后的膜表面產(chǎn)生粗糙。
[0039]另一方面，在本發(fā)明中，在形成有凹凸的磁性層的表面，通過涂布法被覆包含由有機(jī)系化合物形成的非磁性體的形成平坦化膜的組合物，然后通過非鹵素系氣體(例如氧系氣體)進(jìn)行回蝕，通過該非磁性層的回蝕，磁性層與非磁性層可以在表面形成交替地排列的平坦面。此時(shí)，由于通過氧系氣體進(jìn)行蝕刻，因此非磁性層被蝕刻，但磁性層不受影響。即，沒有產(chǎn)生使用了氟系氣體的回蝕中的腐蝕等問題。
[0040]因此，在本發(fā)明中，非磁性層的填充部中，可以防止鈷成分等磁性材料向非磁性層部分?jǐn)U散(所謂鈷腐蝕)，由此可以防止磁性層與非磁性層兩者磁性體化而磁道混合存在化。
[0041]接下來，對(duì)營(yíng)造這樣的特征性作用效果的本發(fā)明的組合物的構(gòu)成進(jìn)行說明。
[0042]本發(fā)明是一種形成硬盤用平坦化膜的組合物，其特征在于，包含光聚合性被覆材料，并且在該被覆材料中含有相對(duì)于每I摩爾苯環(huán)為I?90摩爾％的乙烯基，所述光聚合性被覆材料含有:選自具有來源于二乙烯基芳香族化合物的單元結(jié)構(gòu)的均聚物和具有該單元結(jié)構(gòu)的共聚物中的至少I種聚合物、或該聚合物與光聚合性化合物的混合物。所謂含有相對(duì)于每I摩爾苯環(huán)為I?90摩爾％的乙烯基，是指相對(duì)于苯環(huán)100摩爾，含有I?90摩爾的乙烯基。
[0043]而且，該形成平坦化膜的組合物還包含光聚合引發(fā)劑和溶劑(有機(jī)溶劑)，可以根據(jù)需要包含表面活性劑、光敏劑和紫外線吸收劑。
[0044]形成平坦化膜的組合物的固體成分可以以0.01?20質(zhì)量％、或0.1?10質(zhì)量％、或0.1?5質(zhì)量％使用。這里所謂固體成分，為在形成平坦化膜的組合物中除去了溶劑而殘留的成分的比例，它們通過光固化(根據(jù)需要曝光后加熱)來固化。
[0045]上述形成平坦化膜的組合物中的光聚合性被覆材料可以含有具有來源于二乙烯基芳香族化合物的單元結(jié)構(gòu)的均聚物和具有該單元結(jié)構(gòu)的共聚物中的至少任一種聚合物，此外，可以含有該聚合物與光聚合性化合物的混合物。
[0046]在該被覆材料中含有相對(duì)于每I摩爾苯環(huán)為I?90摩爾％、或I?60摩爾％、或I?40摩爾％、或I?20摩爾％、或I?10摩爾％、或40?90摩爾％的乙烯基。
[0047]在上述聚合物中，可以含有相對(duì)于每I摩爾苯環(huán)為I?90摩爾％、或I?60摩爾％、或I?40摩爾％、或I?20摩爾％、或I?10摩爾％的乙烯基。
[0048]而且在包含上述聚合物和光聚合性化合物的混合物中，可以含有相對(duì)于每I摩爾苯環(huán)為I?90摩爾％、或I?60摩爾％、或I?40摩爾％、或I?20摩爾％、或I?10摩爾％、或40?90摩爾％的乙烯基。
[0049]二乙烯基芳香族化合物中2個(gè)乙烯基可以參與聚合，但本發(fā)明中使用的聚合物，可以包含2個(gè)乙烯基參與了聚合的單元結(jié)構(gòu)和I個(gè)乙烯基參與聚合而另一個(gè)乙烯基未反應(yīng)而殘存的單元結(jié)構(gòu)這兩單元結(jié)構(gòu)。合并這些未反應(yīng)而殘存的乙烯基與光聚合性化合物的乙烯基，在光聚合性被覆材料中相對(duì)于苯環(huán)具有I?90摩爾％的乙烯基。
[0050]具有來源于二乙烯基芳香族化合物的單元結(jié)構(gòu)的均聚物或具有該單元結(jié)構(gòu)的共聚物的重均分子量?jī)?yōu)選為5000?200000、或5100?200000、或5500?100000的范圍。
[0051]上述均聚物或共聚物可以包含低聚物狀的低分子聚合物，如果屬于上述分子量范圍，則可以使用。
[0052]固體成分中的被覆材料的比例可以以50?99質(zhì)量％、或60?95質(zhì)量％、或70?
90質(zhì)量％的范圍使用。
[0053]作為二乙烯基芳香族化合物，可舉出二乙烯基苯(鄰二乙烯基苯、間二乙烯基苯、對(duì)二乙烯基苯)、二異丙烯基苯(1，2- 二異丙烯基苯、1，3- 二異丙烯基苯、1，4- 二異丙烯基苯等)、二乙烯基萘(1，3- 二乙烯基萘、1，8- 二乙烯基萘、1，4- 二乙烯基萘、1，5- 二乙烯基萘、2，3- 二乙烯基萘、2，7- 二乙烯基萘、2，6- 二乙烯基萘等)、二乙烯基聯(lián)苯(4，4’- 二乙烯基聯(lián)苯、4，3’ - 二乙烯基聯(lián)苯、4，2’ - 二乙烯基聯(lián)苯、3，2’ - 二乙烯基聯(lián)苯、3，3’ - 二乙烯基聯(lián)苯、2，2’ - 二乙烯基聯(lián)苯、2，4- 二乙烯基聯(lián)苯等)、和它們的衍生物等，但不限于此，此外，它們可以單獨(dú)使用或2種以上組合使用。
[0054]此外，在本發(fā)明中，作為二乙烯基芳香族化合物，特別優(yōu)選為二乙烯基苯。
[0055]在選自具有來源于二乙烯基芳香族化合物的單元結(jié)構(gòu)的均聚物和具有該單元結(jié)構(gòu)的共聚物中的至少I種聚合物與光聚合性化合物的混合物的情況下，該聚合物與光聚合性化合物的比例可以以100重量份:10重量份?300重量份、或100重量份:50重量份?200重量份的范圍使用。
[0056]此外，固體成分中的光聚合引發(fā)劑可以以0.5?30質(zhì)量％、或5?30質(zhì)量％、或10?30質(zhì)量％的范圍使用。
[0057]此外，固體成分中的表面活性劑的添加劑可以以0.0001?I質(zhì)量％、或0.001?0.5質(zhì)量％的范圍使用。
[0058]此外，固體成分中的光敏劑的添加劑可以以0.01?5質(zhì)量％、或0.1?I質(zhì)量％的
范圍使用。
[0059]此外，固體成分中的紫外線吸收劑的添加劑可以以0.01?5質(zhì)量％、或0.1?I質(zhì)
量％的范圍使用。
[0060]具有來源于二乙烯基芳香族化合物的單元結(jié)構(gòu)的聚合物能夠?yàn)檫€具有來源于乙烯基系化合物等加聚性化合物的單元結(jié)構(gòu)的共聚物。即，除了二乙烯基芳香族化合物以外，還可以使乙烯基系化合物等加聚性化合物進(jìn)行共聚。該加聚性化合物可以以相對(duì)于二乙烯基芳香族化合物100重量份為300重量份以內(nèi)、200重量份以內(nèi)的范圍使用。
[0061]作為該加聚性化合物，可舉出例如丙烯酸酯化合物、甲基丙烯酸酯化合物、丙烯酰胺化合物、甲基丙烯酰胺化合物、乙烯基化合物、苯乙烯化合物、馬來酰亞胺化合物、丙烯腈
坐寸ο
[0062]作為丙烯酸酯化合物，可舉出丙烯酸甲酯、丙烯酸乙酯、丙烯酸正己酯、丙烯酸異丙酯、丙烯酸環(huán)己酯、丙烯酸芐酯、丙烯酸苯酯、丙烯酸蒽甲酯、丙烯酸2-羥基乙酯、丙烯酸3-氯-2-羥基丙酯、丙烯酸2-羥基丙酯、丙烯酸2，2，2-三氟乙酯、丙烯酸2，2，2-三氯乙酯、丙烯酸2-溴乙酯、丙烯酸4-羥基丁酯、丙烯酸2-甲氧基乙酯、丙烯酸四氫糠基酯、5-丙烯酰氧基-6-羥基降冰片烯-2-羧酸-6-內(nèi)酯、3-丙烯酰氧基丙基三乙氧基硅烷和丙烯酸縮水甘油酯，進(jìn)一步可舉出丙烯酸苯乙烯基酯、丙烯酸鏈烯基酯。這里鏈烯基可以以碳原子數(shù)2?10的范圍進(jìn)行例示?？膳e出例如丙烯酸乙烯基酯、丙烯酸烯丙基酯、丙烯酸3- 丁烯基酯、丙烯酸4-戊基酯、丙烯酸5-己基酯等。
[0063]作為甲基丙烯酸酯化合物，可舉出甲基丙烯酸甲酯、甲基丙烯酸乙酯、甲基丙烯酸正己酯、甲基丙烯酸異丙酯、甲基丙烯酸環(huán)己酯、甲基丙烯酸芐酯、甲基丙烯酸苯酯、甲基丙烯酸蒽甲酯、甲基丙烯酸2-羥基乙酯、甲基丙烯酸2-羥基丙酯、甲基丙烯酸2，2，2-三氟乙酯、甲基丙烯酸2，2，2-三氯乙酯、甲基丙烯酸2-溴乙酯、甲基丙烯酸4-羥基丁酯、甲基丙烯酸2-甲氧基乙酯、甲基丙烯酸四氫糠基酯、5-甲基丙烯酰氧基-6-羥基降冰片烯-2-羧酸-6-內(nèi)酯、3-甲基丙烯酰氧基丙基三乙氧基硅烷、甲基丙烯酸縮水甘油酯、甲基丙烯酸2-苯基乙酯、甲基丙烯酸羥基苯基酯和甲基丙烯酸溴苯酯等，進(jìn)一步可舉出(甲基)丙烯酸苯乙烯基酯、(甲基)丙烯酸鏈烯基酯。這里鏈烯基可以以碳原子數(shù)2?10的范圍進(jìn)行例示?？膳e出例如(甲基)丙烯酸乙烯基酯、(甲基)丙烯酸烯丙基酯、(甲基)丙烯酸3- 丁烯基酯、(甲基)丙烯酸4-戊基酯、(甲基)丙烯酸5-己基酯等。
[0064]作為丙烯酰胺化合物，可舉出丙烯酰胺、N-甲基丙烯酰胺、N-乙基丙烯酰胺、N-芐基丙烯酰胺、N-苯基丙烯酰胺、N, N- 二甲基丙烯酰胺和N-蒽基丙烯酰胺等。
[0065]可舉出甲基丙烯酰胺化合物、甲基丙烯酰胺、N-甲基甲基丙烯酰胺、N-乙基甲基丙烯酰胺、N-芐基甲基丙烯酰胺、N-苯基甲基丙烯酰胺、N，N- 二甲基甲基丙烯酰胺和N-蒽基丙烯酰胺等。
[0066]作為乙烯基化合物，可舉出乙烯醇、2-羥基乙基乙烯基醚、甲基乙烯基醚、乙基乙烯基醚、芐基乙烯基醚、乙烯基乙酸、乙烯基三甲氧基硅烷、2-氯乙基乙烯基醚、2-甲氧基乙基乙烯基醚、乙烯基萘和乙烯基蒽等。
[0067]作為苯乙烯化合物,可舉出苯乙烯、輕基苯乙烯、氯苯乙烯、溴苯乙烯、甲氧基苯乙烯、氰基苯乙烯和乙酰苯乙烯等。
[0068]作為馬來酰亞胺化合物，可舉出馬來酰亞胺、N-甲基馬來酰亞胺、N-苯基馬來酰亞胺、N-環(huán)己基馬來酰亞胺、N-芐基馬來酰亞胺和N-羥基乙基馬來酰亞胺等。
[0069]光聚合性化合物可舉出具有丙烯酸酯基、甲基丙烯酸酯基或乙烯基的化合物。
[0070]在包含選自具有來源于二乙烯基芳香族化合物的單元結(jié)構(gòu)的均聚物和具有該單元結(jié)構(gòu)的共聚物中的至少I種聚合物與光聚合性化合物的混合物中，光聚合性化合物可舉出二乙烯基苯、(甲基)丙烯酸苯乙烯基酯、(甲基)丙烯酸鏈烯基酯。這里鏈烯基可以以碳原子數(shù)2?10的范圍進(jìn)行例示?？膳e出例如(甲基)丙烯酸乙烯基酯、(甲基)丙烯酸烯丙基酯、(甲基)丙烯酸3- 丁烯基酯、(甲基)丙烯酸4-戊基酯、(甲基)丙烯酸5-己基酉旨等。
[0071]此外光聚合性化合物可舉出聚(甲基)丙烯酸酯，所用的(甲基)丙烯酸酯可以例示例如上述具有(甲基)丙烯酸酯基的化合物。此外它們還可以具有羥基等取代基。
[0072]包含二乙烯基苯的聚合物例如可以例示如下。
[0073]
【權(quán)利要求】
1.一種形成硬盤用平坦化膜的組合物，其特征在于，包含光聚合性被覆材料，并且在該被覆材料中含有相對(duì)于每I摩爾苯環(huán)為I?90摩爾％的乙烯基，所述光聚合性被覆材料含有:選自具有來源于二乙烯基芳香族化合物的單元結(jié)構(gòu)的均聚物和具有該單元結(jié)構(gòu)的共聚物中的至少I種聚合物、或該聚合物與光聚合性化合物的混合物。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的形成平坦化膜的組合物，所述二乙烯基芳香族化合物為二乙烯基苯。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的形成平坦化膜的組合物，所述光聚合性化合物為具有丙稀酸酷基、甲基丙稀酸酷基或乙稀基的化合物。
4.根據(jù)權(quán)利要求1?3的任一項(xiàng)所述的形成平坦化膜的組合物，所述共聚物為還具有來源于加聚性化合物的單元結(jié)構(gòu)的共聚物。
5.根據(jù)權(quán)利要求1?4的任一項(xiàng)所述的形成平坦化膜的組合物，其還包含光聚合引發(fā)劑和溶劑。
6.一種硬盤的制造方法，其包括下述工序:第I工序，在磁性體上形成凹凸；第2工序，用權(quán)利要求1?5的任一項(xiàng)所述的形成平坦化膜的組合物被覆該凹凸而形成被膜；第3工序,通過蝕刻將該被膜平坦化,使磁性體表面露出。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的硬盤的制造方法，通過納米壓印法形成所述第I工序中的凹凸。
8.根據(jù)權(quán)利要求6或7所述的制造方法，通過對(duì)被覆了所述第I工序中形成的凹凸的形成平坦化膜的組合物進(jìn)行光照射，使該形成平坦化膜的組合物固化的方法，來形成所述第2工序中的被膜。
9.根據(jù)權(quán)利要求6或7所述的制造方法，通過對(duì)被覆了所述第I工序中形成的凹凸的形成平坦化膜的組合物進(jìn)行光照射，然后進(jìn)一步利用熱進(jìn)行回流的方法，來形成所述第2工序中的被膜。
10.根據(jù)權(quán)利要求6?9的任一項(xiàng)所述的硬盤的制造方法，所述第3工序中的平坦化通過干蝕刻來進(jìn)行。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的硬盤的制造方法，所述干蝕刻使用非鹵素系干蝕刻氣體。
12.根據(jù)權(quán)利要求6?11的任一項(xiàng)所述的硬盤的制造方法，其還包括第4工序:通過硬質(zhì)物質(zhì)被覆所述第3工序中被平坦化了的被膜的表面。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的硬盤的制造方法，所述第4工序中使用的硬質(zhì)物質(zhì)為類金剛石碳。
【文檔編號(hào)】C09D5/00GK103765512SQ201280042926
【公開日】2014年4月30日 申請(qǐng)日期:2012年9月18日 優(yōu)先權(quán)日:2011年9月22日
【發(fā)明者】加藤拓, 原口將幸, 小澤雅昭 申請(qǐng)人:日產(chǎn)化學(xué)工業(yè)株式會(huì)社