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      拒水膜形成用組合物、帶拒水膜的基體及其制造方法以及運(yùn)輸機(jī)械用物品的制作方法

      文檔序號:3743706閱讀:239來源:國知局
      專利名稱:拒水膜形成用組合物、帶拒水膜的基體及其制造方法以及運(yùn)輸機(jī)械用物品的制作方法
      技術(shù)領(lǐng)域
      本發(fā)明涉及可形成兼具水滴的附著少且附著的水滴容易除去的性質(zhì)(以下將它們稱為水滴除去性)、耐磨損性、耐候性的拒水膜的拒水膜形成用組合物,具有由該拒水膜形成用組合物形成的拒水膜的帶拒水膜的基體及其制造方法以及由該帶拒水膜的基體形成的運(yùn)輸機(jī)械用物品。
      背景技術(shù)
      一直以來,在各種技術(shù)領(lǐng)域中,非常希望能夠賦予基體的表面以水滴除去性。為了賦予基體表面以水滴除去性,提出有例如由含氟硅烷化合物和二甲基硅氧烷化合物形成的拒水處理劑(參照專利文獻(xiàn)1)、由含氟硅烷化合物和烷基硅烷化合物形成的拒水膜被覆用組合物(參照專利文獻(xiàn)2)。此外,通過上述拒水處理劑等處理了的拒水性物品中,例如對于運(yùn)輸輸送領(lǐng)域中所使用的物品,除了水滴除去性之外,還非常希望賦予耐磨損性和耐候性。為了賦予拒水性物品以耐磨損性,提出有例如將含氟代烷基硅烷和四乙氧基硅烷的涂布溶液通過流涂法涂布并使膜厚一定的拒水被膜的形成方法(參照專利文獻(xiàn)幻,在拒水膜中含氧化鎂、氧化鈣、 氧化鍶、氧化硼的拒水膜被覆物品(參照專利文獻(xiàn)4)。此外,為了賦予拒水性物品以耐候性,提出有例如包含具有水解性甲硅烷基的光穩(wěn)定劑的被覆用組合物(參考專利文獻(xiàn)5)。 另外,為了在基體的表面形成兼具水滴除去性和耐磨損性、耐候性的表面處理層,提出有含具有醚氧鍵的含氟有機(jī)基團(tuán)與硅結(jié)合的硅烷化合物的拒水性組合物(參考專利文獻(xiàn)6)。但是,專利文獻(xiàn)1和專利文獻(xiàn)2所記載的技術(shù)中,二甲基硅氧烷化合物和烷基硅烷化合物的耐磨損性低,存在拒水性物品的耐磨損性不足的問題。此外,專利文獻(xiàn)3所記載的技術(shù)中,存在不易在大面積的條件下使膜厚一定而量產(chǎn)性不佳的問題以及長期使用時(shí)表面形狀變化的情況下的水滴除去性容易下降的問題。另外,專利文獻(xiàn)5所記載的技術(shù)中,存在實(shí)際使用中光穩(wěn)定劑劣化而效果無法長期持續(xù)、水滴除去性容易下降的問題。因此,希望有水滴除去性良好且兼具耐磨損性和耐候性的拒水性物品,特別是可適用于運(yùn)輸機(jī)械的拒水性物品。在先技術(shù)文獻(xiàn)專利文獻(xiàn)專利文獻(xiàn)1 日本專利特許第32觀085號公報(bào)專利文獻(xiàn)2 日本專利特開2002-256258號公報(bào)專利文獻(xiàn)3 日本專利特許第3342170號公報(bào)專利文獻(xiàn)4 :W02001-009266號公報(bào)專利文獻(xiàn)5 日本專利特開2003-138210號公報(bào)專利文獻(xiàn)6 日本專利特開2002-2^838號公報(bào)發(fā)明的概要
      發(fā)明所要解決的課題本發(fā)明的目的在于提供可形成具有良好的水滴除去性且兼具耐磨損性和耐候性的拒水膜的拒水膜形成用組合物。此外,本發(fā)明的目的還在于提供具有由該拒水性形成用組合物形成的水滴除去性、耐磨損性、耐候性良好的拒水層的帶拒水膜的基體及其制造方法以及運(yùn)輸機(jī)械用物品。解決課題的手段本發(fā)明是為了解決上述課題而完成的發(fā)明,具有以下的構(gòu)成。本發(fā)明的拒水膜形成用組合物的特征在于,包含下述化合物(A)和化合物(B),或者包含以下述通式(Ia)表示的化合物和/或其部分水解縮合物與以下述通式Oa)表示的化合物和/或其部分水解縮合物的部分水解共縮合物;化合物㈧選自以下述通式(Ia)表示的化合物、其部分水解縮合物和以下述通式(Ib)表示的化合物的至少1種不含醚性氧的含氟有機(jī)硅化合物;Rfl-Y-Si (R11)r (X1)3I …(Ia)[化1]
      權(quán)利要求
      1.拒水膜形成用組合物,其特征在于,包含下述化合物(A)和化合物(B),或者包含以下述通式(Ia)表示的化合物和/或其部分水解縮合物與以下述通式Oa)表示的化合物和 /或其部分水解縮合物的部分水解共縮合物;化合物(A)選自以下述通式(Ia)表示的化合物、其部分水解縮合物和以下述通式 (Ib)表示的化合物的至少1種不含醚性氧的含氟有機(jī)硅化合物;
      2.如權(quán)利要求1所述的拒水膜形成用組合物,其特征在于,所述組合物中的以[化合物 (B)]/[化合物(A) +化合物(B)] X 100表示的相對于化合物(A)和化合物(B)的總質(zhì)量的化合物(B)的質(zhì)量百分比為10 90質(zhì)量% ;其中,組合物包含部分水解共縮合物時(shí),所述質(zhì)量百分比是對于部分水解共縮合反應(yīng)產(chǎn)物部分用水解共縮合反應(yīng)前的化合物(A)和化合物(B)的量計(jì)算的質(zhì)量百分比。
      3.如權(quán)利要求1或2所述的拒水膜形成用組合物,其特征在于,所述通式(Ia)和通式 (Ib)中的Rfl為可具有環(huán)結(jié)構(gòu)的碳數(shù)3 8的碳-碳原子間不含醚性氧原子的全氟烷基。
      4.帶拒水膜的基體,它是具有基體、位于所述基體的至少一部分表面的拒水膜的帶拒水膜的基體,其特征在于,所述拒水膜由1層以上構(gòu)成,且在最外層具有使用權(quán)利要求1 3中的任一項(xiàng)所述的拒水膜形成用組合物形成的拒水層。
      5.如權(quán)利要求4所述的帶拒水膜的基體,其特征在于,所述拒水膜在所述基體與所述拒水層之間還具有以二氧化硅為主體的中間層。
      6.如權(quán)利要求5所述的帶拒水膜的基體,其特征在于,所述中間層為使用包含選自以下述通式( 表示的化合物、其部分水解縮合物和全氫聚硅氮烷的至少1種化合物(C)的中間層形成用組合物形成的層;Si(X3)4 ... (3)式(3)中,X3分別獨(dú)立地表示鹵素原子、烷氧基或異氰酸酯基。
      7.如權(quán)利要求6所述的帶拒水膜的基體,其特征在于,所述中間層形成用組合物還包含所述化合物(A),或者包含以所述通式C3)表示的化合物和/或其部分水解縮合物與以所述通式(Ia)表示的化合物和/或其部分水解縮合物的部分水解共縮合物來代替所述化合物(C),所述組合物中的以[化合物(A) ]/ [化合物(A) +化合物(C) ] X 100表示的相對于化合物(A)和化合物(C)的總質(zhì)量的化合物(A)的質(zhì)量百分比為5 70質(zhì)量% ;其中,組合物包含部分水解共縮合物時(shí),所述質(zhì)量百分比是對于部分水解共縮合反應(yīng)產(chǎn)物部分用水解共縮合反應(yīng)前的化合物(A)和化合物(C)的量計(jì)算的質(zhì)量百分比。
      8.如權(quán)利要求4 7中的任一項(xiàng)所述的帶拒水膜的基體,其特征在于,所述拒水膜表面的通過X射線光電子能譜裝置測定的[-CF2O-]/[-CF2-]峰值比為0.1 10.0。
      9.如權(quán)利要求4 8中的任一項(xiàng)所述的帶拒水膜的基體,其特征在于,所述拒水膜表面的通過X射線光電子能譜法(ESCA)測定的Fls/Si2p的峰值比為1.5 7.0,通過掃描型探針顯微鏡(SPM)測定的表面粗糙度Ra為0. 1 5. Onm。
      10.權(quán)利要求4 9中的任一項(xiàng)所述的帶拒水膜的基體的制造方法,其特征在于,包括下述工序在所述基體表面或者預(yù)先形成于所述基體表面的所述拒水膜中構(gòu)成最外層的下層的層的表面涂布權(quán)利要求1 3中的任一項(xiàng)所述的拒水膜形成用組合物,使其固化而形成拒水層。
      11.權(quán)利要求5 9中的任一項(xiàng)所述的帶拒水膜的基體的制造方法,其特征在于,包括 在基體表面涂布所述中間層形成用組合物,使其固化而形成以二氧化硅為主體的中間層的工序;在所述中間層的表面涂布權(quán)利要求1 3中的任一項(xiàng)所述的拒水膜形成用組合物,使其固化而形成拒水層的工序。
      12.運(yùn)輸機(jī)械用物品,其特征在于,由權(quán)利要求4 8中的任一項(xiàng)所述的帶拒水膜的基體形成。
      全文摘要
      本發(fā)明提供可形成具有良好的水滴除去性且兼具耐磨損性和耐候性的拒水膜的拒水膜形成用組合物,具有由該拒水性形成用組合物形成的水滴除去性、耐磨損性、耐候性良好的拒水層的帶拒水膜的基體及其制造方法以及運(yùn)輸機(jī)械用物品。本發(fā)明提供包含具有含醚氧鍵的含氟有機(jī)基團(tuán)的特定的有機(jī)硅烷化合物、具有不含醚氧鍵的含氟有機(jī)基團(tuán)的特定的有機(jī)硅烷化合物作為主要成分的拒水膜形成用組合物,及具有基體和位于所述基體的表面的將由該拒水膜形成用組合物形成的拒水層配置在最外層的拒水膜的帶拒水膜的基體以及由該基體形成的運(yùn)輸機(jī)械用物品。
      文檔編號C09D183/08GK102471669SQ20108003494
      公開日2012年5月23日 申請日期2010年8月3日 優(yōu)先權(quán)日2009年8月3日
      發(fā)明者伊藤敦史, 岸川知子, 竹田洋介, 米田貴重 申請人:旭硝子株式會社
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