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      一種降低led芯片結(jié)溫的輻射散熱涂料及其制備方法

      文檔序號(hào):3786731閱讀:410來(lái)源:國(guó)知局
      專利名稱:一種降低led芯片結(jié)溫的輻射散熱涂料及其制備方法
      技術(shù)領(lǐng)域
      本發(fā)明涉及一種光學(xué)涂料,更進(jìn)一步的,涉及一種能降低LED芯片結(jié)溫的輻射散熱涂料。
      背景技術(shù)
      目前市場(chǎng)上所使用的紅外輻射散熱涂料,其大部分只能降低散熱器表面的溫度,如專利CN201110253676.8所公開的高導(dǎo)熱涂料,且其顏色單調(diào),裝飾性差,輻射率低,用途有限。再比如專利CN201110031374.6所公開的散熱涂料,雖然具有5w/m3 *k的導(dǎo)熱系數(shù)、0.8的遠(yuǎn)紅外發(fā)射率,但其在中、低溫范圍降溫幅度有限,因此,對(duì)于處于中低溫范圍內(nèi)的LED芯片的結(jié)溫,降溫幅度并不明顯,無(wú)法解決LED芯片的結(jié)溫問(wèn)題。而且,目前市場(chǎng)上常見的輻射散熱涂料施工復(fù)雜,光澤度低。

      發(fā)明內(nèi)容
      本發(fā)明為解決上述技術(shù)問(wèn)題,提供一種降低LED芯片結(jié)溫的輻射散熱涂料,該輻射散熱涂料能大幅度的降低LED芯片的結(jié)溫,延長(zhǎng)LED芯片的工作壽命。同時(shí),本發(fā)明還提供了一種上述降低LED芯片結(jié)溫的輻射散熱涂料的制備方法。為達(dá)到上述目的,本發(fā)明采用的技術(shù)方案如下:
      一種降低LED芯片結(jié)溫的輻射散熱涂料,其特征在于,包括:重量百分比為:30 70%的高分子樹脂、5 40%的溶劑、10 30%的遠(yuǎn)紅外陶瓷粉、5 20%的碳化硅、0.5 3%的氧化鈰以及I 5%的助劑。所述遠(yuǎn)紅外陶瓷粉是由金屬氧化物和非金屬氧化物混合而成,通過(guò)液相共沉淀法工藝制備,其粒徑為5-80納米,常溫下發(fā)射波長(zhǎng)為2 18 μ m。
      所述遠(yuǎn)紅外陶瓷粉的組分包括:重量百分比分別為:25.10%的A1A、24.81%的SiO2,8.5% 的 TiO2,6.41% 的 Β203、5.18% 的 Fe2O30所述高分子樹脂是環(huán)氧樹脂、丙烯酸樹脂、聚氨酯樹脂或有機(jī)硅樹脂其中的 一種或一種以上組分。所述溶劑是二甲苯、環(huán)己酮、正丁醇、異丙醇、乙酸丁酯、醋酸丙酯其中的兩種或兩種以上的搭配。所述碳化硅是六方或菱面體的a -SiC,粒徑在10納米到80微米。 所述氧化鈰是99.9% 99.99%高純含量的納米級(jí)粉體,粒徑在5納米到80納米。上述降低LED芯片結(jié)溫的輻射散熱涂料的制備方法,其步驟是,首先將稱量好的高分子樹脂、溶劑、遠(yuǎn)紅外陶瓷粉、碳化硅、氧化鈰混合攪拌,攪拌速度2000r/min,邊攪拌邊加入助劑;然后調(diào)節(jié)攪拌速度到3500r/min,攪拌45min后,在研磨機(jī)中研磨2小時(shí),研磨速度為3000r/min,接著在攪拌機(jī)中攪拌時(shí)間為30min,攪拌速度2000r/min ;最后調(diào)節(jié)合適的粘度,用300目過(guò)濾網(wǎng)過(guò)濾,包裝。一種大功率LED燈具,其外殼殼體或散熱器上涂覆有上述能夠降低LED芯片結(jié)溫的輻射散熱涂料。本發(fā)明所公開的涂料中所包含的遠(yuǎn)紅外陶瓷粉,通過(guò)液相沉淀法工藝制備,以20余種無(wú)機(jī)化合物及微量金屬或一定的天然礦石,按一定比例配合,經(jīng)球磨、干燥、過(guò)篩、合成,制備而成。該遠(yuǎn)紅外陶瓷粉在全波長(zhǎng)范圍內(nèi)輻射率值為0.94,在波長(zhǎng)為8 范圍內(nèi)輻射率值可大于0.95。加入少量稀土氧化物和微量過(guò)渡金屬氧化物,能提高遠(yuǎn)紅外陶瓷粉體材料晶格振動(dòng)活性,從而顯著提高輻射散熱涂料涂層的法向全輻射發(fā)射率。且該輻射散熱涂料(含納米氧化鈦)具有催化氧化功能,在太陽(yáng)光(尤其是紫外線)照射下,生成0H-,能有效除去室內(nèi)的苯、甲醛、硫化物、氨和臭味物質(zhì),并具有殺菌功能。本發(fā)明所公開的輻射散熱涂料使用高輻射率的遠(yuǎn)紅外陶瓷粉以及具有較高熱傳導(dǎo)率的碳化硅,采用具有綜合性能的復(fù)合填料,使涂層表面呈現(xiàn)宏觀光潔微觀粗糙的形貌的納米材料組元,充分發(fā)揮發(fā)射、反射、輻射和折射之間協(xié)同效應(yīng),固化后形成具有納米微孔結(jié)構(gòu)的具有散熱降溫功能的涂膜。使用方便,薄層(20 40um)涂裝,同時(shí)具有優(yōu)良的保護(hù)和裝飾功能,可以用于任何需要散熱的物件,如鋁外殼、鋁散熱器、電子元件、工業(yè)設(shè)備、空調(diào)節(jié)能等各行各業(yè)。
      具體實(shí)施例方式以下通過(guò)具體實(shí)施例對(duì)本發(fā)明所提供的涂料做一詳細(xì)的說(shuō)明,以下各實(shí)施例中的百分比均為重量百分比。實(shí)施例一
      首先稱量環(huán)氧樹脂20%、氨 基樹脂10%、乙酸丁酯12%、正丁醇5%、二甲苯5%、遠(yuǎn)紅外陶瓷粉30%、碳化硅12%、氧化鈰3%,將上述各組分混合攪拌,攪拌速度為2000r/min。邊攪拌邊加入 HX-3200 流平劑 0.5%、HX-4021 分散劑 0.3%、HX_301 防沉劑 1.5%, EFKA - 2021 消泡劑0.7%。然后調(diào)節(jié)攪拌速度到3500r/min,攪拌45min后,在研磨機(jī)中研磨2小時(shí),研磨速度為3000r/min。接著在攪拌機(jī)中攪拌時(shí)間為30min,攪拌速度為2000r/min。最后調(diào)節(jié)合適的粘度,用300目過(guò)濾網(wǎng)過(guò)濾,包裝。測(cè)試結(jié)果:在LED芯片結(jié)溫為70 90°C時(shí),在LED燈具的散熱器上噴涂本發(fā)明的輻射散熱涂料所測(cè)得的芯片結(jié)溫比未噴涂本發(fā)明的輻射散熱涂料的芯片結(jié)溫降低了 3°C。實(shí)施例二
      首先稱量環(huán)氧樹脂30%、氨基樹脂10%、乙酸丁酯12%、正丁醇4%、二甲苯4%、遠(yuǎn)紅外陶瓷粉25%、碳化硅9%、氧化鈰3%,將上述各組分混合攪拌,攪拌速度為2000r/min。邊攪拌邊加入 HX-3200 流平劑 0.5%、HX-4021 分散劑 0.6%,HX-301 防沉劑 1.2%, EFKA - 2021 消泡劑0.7%。然后調(diào)節(jié)攪拌速度到3500r/min,攪拌45min后,在研磨機(jī)中研磨2小時(shí),研磨速度為3000r/min。接著在攪拌機(jī)中攪拌時(shí)間為30min,攪拌速度為2000r/min。最后調(diào)節(jié)合適的粘度,用300目過(guò)濾網(wǎng)過(guò)濾,包裝。測(cè)試結(jié)果:在LED芯片結(jié)溫為70 90°C時(shí),在LED燈具的散熱器上噴涂本發(fā)明的輻射散熱涂料所測(cè)得的芯片結(jié)溫比未噴涂本發(fā)明的輻射散熱涂料的芯片結(jié)溫降低了 3°C。實(shí)施例三
      首先稱量環(huán)氧樹脂40%、氨基樹脂14%、乙酸丁酯9%、正丁醇3%、遠(yuǎn)紅外陶瓷粉20%、碳化硅10%、氧化鈰1%,將上述各組分混合攪拌,攪拌速度為2000r/min。邊攪拌邊加入HX-3200流平劑0.5%、HX-4021分散劑0.5%, HX-301防沉劑1.5%,EFKA - 2021消泡劑0.5%。然后調(diào)節(jié)攪拌速度到3500r/min,攪拌45min后,在研磨機(jī)中研磨2小時(shí),研磨速度為3000r/min。接著在攪拌機(jī)中攪拌時(shí)間為30min,攪拌速度為2000r/min。最后調(diào)節(jié)合適的粘度,用300目過(guò)濾網(wǎng)過(guò)濾,包裝。測(cè)試結(jié)果:在LED芯片結(jié)溫為70 90°C時(shí),在LED燈具的散熱器上噴涂本發(fā)明的輻射散熱涂料所測(cè)得的芯片結(jié)溫比未噴涂本發(fā)明的輻射散熱涂料的芯片結(jié)溫降低了 4°C。實(shí)施例四
      首先稱量環(huán)氧樹脂45%、氨基樹脂15%、乙酸丁酯12%、正丁醇4%、遠(yuǎn)紅外陶瓷粉15%、碳化硅4%、氧化鈰2%,將上述各組分混合攪拌,攪拌速度為2000r/min。邊攪拌邊加入HX-3200流平劑0.5%、HX-4021分散劑0.6%,HX-301防沉劑1.2%,EFKA - 2021消泡劑0.7%。然后調(diào)節(jié)攪拌速度到3500r/min,攪拌45min后,在研磨機(jī)中研磨2小時(shí),研磨速度為3000r/min。接著在攪拌機(jī)中攪拌時(shí)間為30min,攪拌速度為2000r/min。最后調(diào)節(jié)合適的粘度,用300目過(guò)濾網(wǎng)過(guò)濾,包裝。測(cè)試結(jié)果:在LED芯片結(jié)溫為70 90°C時(shí),在LED燈具的散熱器上噴涂本發(fā)明的輻射散熱涂料所測(cè)得的芯 片結(jié)溫比未噴涂本發(fā)明的輻射散熱涂料的芯片結(jié)溫降低了 3°C。實(shí)施例五
      首先稱量環(huán)氧樹脂55%、氨基樹脂15%、乙酸丁酯9%、正丁醇3%、遠(yuǎn)紅外陶瓷粉12%、碳化硅2%、氧化鈰1%,將上述各組分混合攪拌,攪拌速度為2000r/min。邊攪拌邊加入HX-3200流平劑0.7%、HX-4021分散劑1.0%,HX-301防沉劑0.5%,EFKA - 2021消泡劑0.8%。然后調(diào)節(jié)攪拌速度到3500r/min,攪拌45min后,在研磨機(jī)中研磨2小時(shí),研磨速度為3000r/min。接著在攪拌機(jī)中攪拌時(shí)間為30min,攪拌速度為2000r/min。最后調(diào)節(jié)合適的粘度,用300目過(guò)濾網(wǎng)過(guò)濾,包裝。測(cè)試結(jié)果:在LED芯片結(jié)溫為70 90°C時(shí),在LED燈具的散熱器上噴涂本發(fā)明的輻射散熱涂料所測(cè)得的芯片結(jié)溫比未噴涂本發(fā)明的輻射散熱涂料的芯片結(jié)溫降低了 2°C。上述實(shí)施例僅用于說(shuō)明本發(fā)明技術(shù)方案,并不用于限制本發(fā)明的保護(hù)范圍。
      權(quán)利要求
      1.一種降低LED芯片結(jié)溫的輻射散熱涂料,其特征在于,包括:重量百分比分別為:30 70%的高分子樹脂、5 40%的溶劑、10 30%的遠(yuǎn)紅外陶瓷粉、5 20%的碳化硅、0.5 3%的氧化鈰以及I 5%的助劑。
      2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的降低LED芯片結(jié)溫的輻射散熱涂料,其特征在于,所述遠(yuǎn)紅外陶瓷粉是由金屬氧化物和非金屬氧化物混合而成,通過(guò)液相共沉淀法工藝制備,其粒徑為5-80納米,常溫下發(fā)射波長(zhǎng)為2 18 μ m。
      3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的降低LED芯片結(jié)溫的輻射散熱涂料,其特征在于,所述高分子樹脂是環(huán)氧樹脂、丙烯酸樹脂、聚氨酯樹脂或有機(jī)硅樹脂其中的一種或一種以上組分。
      4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的降低LED芯片結(jié)溫的輻射散熱涂料,其特征在于,所述溶劑是二甲苯、環(huán)己酮、正丁醇、異丙醇、乙酸丁酯、醋酸丙酯其中的兩種或兩種以上的搭配。
      5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的降低LED芯片結(jié)溫的輻射散熱涂料,其特征在于,所述碳化硅是六方或菱面體的a -SiC,粒徑在10納米到80微米。
      6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的降低LED芯片結(jié)溫的輻射散熱涂料,其特征在于,所述氧化鈰是99.9% 99.99%高純含量的納米級(jí)粉體,粒徑在5納米到80納米。
      7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的降低LED芯片結(jié)溫的輻射散熱涂料,其特征在于,所述助劑選自流平劑、分散劑、防沉劑、消泡劑、流變助劑中的兩種或兩種以上的搭配。
      8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的降低LED芯片結(jié)溫的輻射散熱涂料的制備方法,其步驟是,在常溫RT為23±2°C、濕度RH為55%環(huán)境下,首先將稱量好的高分子樹脂、溶劑、遠(yuǎn)紅外陶瓷粉、碳化硅、氧化鈰混合攪拌,攪拌速度2000r/min,邊攪拌邊加入助劑;然后調(diào)節(jié)攪拌速度到3500r/min,攪拌45min后,在研磨機(jī)中研磨2小時(shí),研磨速度為3000r/min,接著在攪拌機(jī)中攪拌時(shí)間為30min ,攪拌速度2000r/min ;最后調(diào)節(jié)合適的粘度,用300目過(guò)濾網(wǎng)過(guò)濾,包裝。
      全文摘要
      本發(fā)明公開一種降低LED芯片結(jié)溫的輻射散熱涂料及其制備方法,該涂料包括重量百分比分別為30~70%的高分子樹脂、5~40%的溶劑、10~30%的遠(yuǎn)紅外陶瓷粉、5~20%的碳化硅、0.5~3%的氧化鈰以及1~5%的助劑。本發(fā)明所公開的輻射散熱涂料,能大幅度的降低LED芯片的結(jié)溫,延長(zhǎng)燈具中LED芯片的工作壽命。
      文檔編號(hào)C09D133/00GK103214910SQ20131011532
      公開日2013年7月24日 申請(qǐng)日期2013年4月3日 優(yōu)先權(quán)日2013年4月3日
      發(fā)明者陳春根, 許禮, 李晟, 何孝亮 申請(qǐng)人:上海三思電子工程有限公司, 上海三思科技發(fā)展有限公司, 嘉善三思光電技術(shù)有限公司
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