專利名稱：端烯多氟二芳基乙炔液晶化合物及其制備方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明屬于材料技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種端烯多氟二芳基乙炔液晶化合物及其制備方法。
背景技術(shù)：
雙頻液晶(DFLCs)可以同時降低液晶的響應(yīng)時間Tm和弛豫時間Irff，在提高液晶的響應(yīng)速度具有獨特的優(yōu)勢，在大屏幕電視方面具有很好的應(yīng)用前景。雙頻液晶材料是以負介電各向異性化合物為主體配方，添加正介電各向異性化合物而組成的。側(cè)向多氟取代三聯(lián)苯化合物，表現(xiàn)出較大的負介電各向異性、較高的雙折射等優(yōu)點，但是其熔點較高，且相變區(qū)間較窄，難以滿足在雙頻液晶中的應(yīng)用。側(cè)向多氟取代二芳基乙炔類液晶化合物，表現(xiàn)出大的負介電各向異性，高的雙折射和寬的相變區(qū)間，可應(yīng)用于雙頻液晶顯示模式，并可獲得較快的響應(yīng)速度。目前報道應(yīng)用最多的此類化合物主要以烷基或烷氧基為端基的液晶化合物(Liq.Cryst.2012，39，957-963.)，如以下化合物:
權(quán)利要求
1.端烯多氟二芳基乙炔液晶化合物，其特征在于，該化合物的結(jié)構(gòu)式如式I所示:
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的端烯多氟二芳基乙炔液晶化合物，其特征在于:所述的m的取值為O，η的取值為O或2，χ的取值為O或I。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的端烯多氟二芳基乙炔液晶化合物，其特征在于:所述的m的取值為2，η的取值為O或2，χ的取值為O或I。
4.根據(jù)權(quán)利要求1 3中任意一項所述的端烯多氟二芳基乙炔化合物，其特征在于:所述的R的碳原子為2 5。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所示的端烯多氟二芳基乙炔化合物，其特征在于:所述的R為C2 C5的直鏈烷基。
6.端烯多氟二芳基乙炔液晶化合物，為， 4-乙基苯基-4’ -稀丙氧基-2，3，2’，3’ -四氣二苯乙塊； 4-丙基苯基-4’ -稀丙氧基-2，3，2’，3’ -四氣二苯乙塊； 4- 丁基苯基-4’ -稀丙氧基-2，3，2’，3’ -四氣二苯乙塊； 4-戊基苯基-4’ -稀丙氧基-2，3，2’，3’ -四氣二苯乙塊； 4-乙基苯基-4’ -稀丁氧基-2，3，2’，3’ -四氣二苯乙塊； 4-丙基苯基-4’ -稀丁氧基-2，3，2’，3’ -四氣二苯乙塊； 4- 丁基苯基-4’ -稀丁氧基-2，3，2’，3’ -四氣二苯乙塊； 4-戊基苯基-4’ -稀丁氧基-2，3，2’，3’ -四氣二苯乙塊； 4-乙基苯基-4’ -[3，3_ 二氣稀丙氧基]-2，3，2’，3’ -四氣二苯乙塊； 4-乙基苯基-4’ -[1,1- 二氣稀丙氧基]-2，3，2’，3’ -四氣二苯乙塊。
全文摘要
本發(fā)明涉及端烯多氟二芳基乙炔液晶化合物及其合成方法，該化合物的結(jié)構(gòu)式如下式I所示，式中(F)m、(F)n均表示氟原子取代，m、n表示氟原子的取代個數(shù)，其取值為0～2，x表示所連接亞甲基的個數(shù)，其取值為0～3，R表示C1～C15烷基、C1～C15烯基、C1～C15烷氧基、C1～C15烯氧基。本發(fā)明采用親核取代、偶聯(lián)反應(yīng)等經(jīng)典反應(yīng)，合成該類化合物，操作簡單，產(chǎn)品收率和純度高，該化合物具有負介電各向異性大，熔點低，液晶相區(qū)間寬、雙折射大等優(yōu)點，可用于雙頻液晶顯示模式。
文檔編號C09K19/18GK103214353SQ20131012149
公開日2013年7月24日 申請日期2013年4月10日 優(yōu)先權(quán)日2013年4月10日
發(fā)明者安忠維, 莫玲超, 陳新兵, 陳沛 申請人:陜西師范大學(xué)