国产精品1024永久观看,大尺度欧美暖暖视频在线观看,亚洲宅男精品一区在线观看,欧美日韩一区二区三区视频,2021中文字幕在线观看

  • <option id="fbvk0"></option>
    1. <rt id="fbvk0"><tr id="fbvk0"></tr></rt>
      <center id="fbvk0"><optgroup id="fbvk0"></optgroup></center>
      <center id="fbvk0"></center>

      <li id="fbvk0"><abbr id="fbvk0"><dl id="fbvk0"></dl></abbr></li>

      一種液晶介質(zhì)及應(yīng)用的制作方法

      文檔序號:3723718閱讀:197來源:國知局
      一種液晶介質(zhì)及應(yīng)用的制作方法
      【專利摘要】本發(fā)明公開了一種負(fù)介電各向異性液晶介質(zhì),所述液晶介質(zhì)包含:一種或多種重量百分含量為15~55%的通式Ⅰ1和通式Ⅰ2所示的介電中性化合物,一種或多種含量為1~60%的通式Ⅱ所示介電負(fù)性化合物,一種或多種含量為1~80%的通式Ⅲ的介電負(fù)性化合物。本發(fā)明所述液晶介質(zhì)的光學(xué)各向異性在0.080~0.150范圍內(nèi),并且具有較低的旋轉(zhuǎn)粘度、適當(dāng)?shù)呢?fù)介電各向異性和較大的K值,可用于含有該液晶介質(zhì)的有源矩陣顯示元件,如ECB、FFS或IPS、MVA、PVA或HVA效應(yīng)的有源矩陣顯示器。
      【專利說明】-種液晶介質(zhì)及應(yīng)用

      【技術(shù)領(lǐng)域】
      [0001] 本發(fā)明設(shè)及液晶材料領(lǐng)域,具體的說設(shè)及一種液晶介質(zhì),該液晶介質(zhì)為負(fù)介電各 向異性的液晶介質(zhì),本發(fā)明還設(shè)及該液晶介質(zhì)在有源矩陣顯示元件,如使用ECB、FR5或 IPS、MVA、PVA或HVA效應(yīng)的有源矩陣顯示器中的應(yīng)用。

      【背景技術(shù)】
      [0002] 目前TFT-LCD已經(jīng)廣泛地應(yīng)用于工業(yè)領(lǐng)域和家庭消費(fèi)領(lǐng)域,幾乎完全替代了傳統(tǒng) 的CRT顯示器市場。根據(jù)液晶顯示方式的不同,液晶顯示元件可W分為扭曲向列相訂腳模 式、超扭曲向列相(STN)模式、共面(IP巧模式、垂直配向(VA)模式等多種模式。
      [0003] 當(dāng)前的液晶顯示元件多為扭曲向列相訂腳模式,但其存在對比度低、視野角窄的 缺點(diǎn),而垂直配向(VA)模式的顯示W(wǎng)其寬視野角、高對比度和無須摩擦配向等優(yōu)勢,已經(jīng) 得到廣泛應(yīng)用,并成為大尺寸TV用TFT-LCD的常見顯示模式,另外,VA模式顯示的對比度 對液晶的雙折射率、液晶層的厚度和入射光的波長依賴度較小,因此,VA模式成為了現(xiàn)在極 具前景的液晶顯示技術(shù)。
      [0004] 對于VA模式等的顯示方式所用的液晶材料,要求低電壓驅(qū)動、快速響應(yīng)、寬的溫 度范圍和良好的低溫穩(wěn)定性。換言之,也就要求我們開發(fā)負(fù)介電各向異性絕對值大、低黏 度、大的K33值和高清亮點(diǎn)的化合物。


      【發(fā)明內(nèi)容】

      [0005] 本發(fā)明需要解決的技術(shù)問題是提供一種負(fù)介電各向異性液晶介質(zhì),該液晶介質(zhì)的 光學(xué)各向異性在0. 080?0. 150范圍內(nèi),并且具有低的旋轉(zhuǎn)粘度、較快的響應(yīng)時間和適當(dāng)?shù)?負(fù)介電各向異性。
      [0006] 為解決上述技術(shù)問題,本發(fā)明所采取的技術(shù)方案是:
      [0007] 本發(fā)明提供了一種液晶介質(zhì),其特征在于,所述液晶介質(zhì)包含一種或多種通式I 1 所示的介電中性化合物和一種或多種通式I 2所示的介電中性化合物
      [000引

      【權(quán)利要求】
      1. 一種液晶介質(zhì),其特征在于,所述液晶介質(zhì)包含一種或多種通式I 1所示的介電中 性化合物和一種或多種通式I 2所示的介電中性化合物
      和一種或多種通式II所示的介電負(fù)性化合物
      其中, H表示為環(huán)戊基或環(huán)丁基; R1-R5各自獨(dú)立地表示下列①?③所示基團(tuán)中的任意一種: ① 、碳原子數(shù)為1?7的直鏈烷基, ② 、①所示基團(tuán)中一個或多個-CH2-被-0-、-CH = 01-013或-CH = CH-取代所形成的 基團(tuán), ③ 、①或②所示基團(tuán)中一個或多個-H被-F、-Cl、-CH = 012或-CH = CH-CH 3取代所形 成的基團(tuán); 22各自獨(dú)立地表示單鍵、-CH 2_、-CH2CH2-、-CH2O-或-OCH 2-中任意一種; 各式中_(〇)可相同或不同,各自獨(dú)立地表示單鍵或 -
      &自獨(dú)立地表示單鍵或下列基團(tuán)中的任一基團(tuán):
      n、m各自獨(dú)立地表示0或1。
      2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的液晶介質(zhì),其特征在于,所述液晶介質(zhì)還包含一種或多種通 式III所示的介電負(fù)性化合物 其中,
      R6、&各自獨(dú)立地表示下列①?③所示基團(tuán)中的任意一種: ① 、碳原子數(shù)為1?7的直鏈烷基, ② 、①所示基團(tuán)中一個或多個-CH2-被-0-、-CH = 01-013或-CH = CH-取代所形成的 基團(tuán), ③、①或②所示基團(tuán)中一個或多個-H被-F、-Cl、-CH = 012或-CH = CH-CH 3取代所形 成的基團(tuán); 22各自獨(dú)立地表示單鍵、-CH 2_、-CH2CH2-、-CH2O-或-OCH 2-中任意一種; -(〇)表示單鍵或;
      卜自獨(dú)立地表示單鍵或下列基團(tuán)中的任一基團(tuán): > ' -
      ?
      表示單鍵或下列基團(tuán)中的任一基團(tuán):
      n、m和〇各自獨(dú)立地表示0或1。
      3. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的液晶介質(zhì),其特征在于,所述的液晶介質(zhì)包含重量百分含量 15?55%的通式I 1和通式I 2所示的介電中性化合物、重量百分含量1?60%的通式II 所示的介電負(fù)性化合物和重量百分含量1?80%的通式III所示的介電負(fù)性化合物。
      4. 根據(jù)權(quán)利要求3所述液晶介質(zhì),其特征在于,所述液晶介質(zhì)包含重量百分含量 20%-48%的通式I 1和通式I 2所示的介電中性化合物、重量百分含量1?55%的通式 II所示的介電負(fù)性化合物和重量百分含量2?70%的通式III所示的介電負(fù)性化合物。
      5. 根據(jù)權(quán)利要求1-4中任一所述液晶介質(zhì),其特征在于,所述液晶介質(zhì)還包含一種或 多種通式IV所示的介電中性化合物; 其中,
      馬和1?9各自獨(dú)立地表示下列①?③所示基團(tuán)中的任意一種: ① 碳原子數(shù)為1?7的直鏈烷基或碳原子數(shù)為1?7的直鏈烷氧基, ② 、①所示基團(tuán)中一個或多個-CH2-被-0-、-CH = 01-013或-CH = CH-取代所形成的 基團(tuán), ③ 、①或②所示基團(tuán)中一個或多個-H被-F、-Cl、-CH = 012或-CH = CH-CH 3取代所形 成的基團(tuán); Z3獨(dú)立地表不單鍵、-CH 2-、-CH2CH2-、-COO-或-CH2O-中任意一種; -
      ?各自獨(dú)立地表示單鍵或下列基團(tuán)中的任一基團(tuán):
      6. 根據(jù)權(quán)利要求5所述的液晶介質(zhì),其特征在于,所述一種或多種通式IV所示的介電 中性化合物的總重量百分含量大于〇%且小于或等于10%。
      7. 根據(jù)權(quán)利要求1至6中任一所述液晶介質(zhì),其特征在于,所述液晶介質(zhì)還包含一種或 多種通式V所示的可聚合化合物,所述一種或多種通式V所示的可聚合化合物的總重量百 分含量大于〇%且小于或等于1% ;
      所述式V中
      各自獨(dú)立地表示苯基、甲基代的亞苯基、二甲基代的亞苯 基、氟代的亞苯基和/或二氟代的亞苯基中的至少一種; η和m各自獨(dú)立地表示1或2。
      8. 根據(jù)權(quán)利要求1至7中任一所述液晶介質(zhì),其特征在于所述的液晶介質(zhì)的光學(xué)各向 異性在0. 080?0. 150范圍內(nèi)。
      9. 據(jù)權(quán)利要求2至7中任一所述液晶介質(zhì),其特征在于,所述一種或多種通式II所示的 介電負(fù)性化合物為式II a至式II j所示的介電負(fù)性化合物中的一種或多種
      所述一種或多種通式III所示的介電負(fù)性化合物為式IIIa至IIIm所示的介電負(fù)性化合物 中的一種或多種

      所述II a至式II j、III a至III m中, 尺5-1?7各自獨(dú)立地表示下列①?③所示基團(tuán)中的任意一種: ① 、碳原子數(shù)為1?7的直鏈烷基, ② 、①所示基團(tuán)中一個或多個-CH2-被-0-、-CH = 01-013或-CH = CH-取代所形成的 基團(tuán), ③ 、①或②所示基團(tuán)中一個或多個-H被-F、-Cl、-CH = 012或-CH = CH-CH 3取代所形 成的基團(tuán); -(O)表示單鍵或;
      各自獨(dú)立地表示單鍵或下列基團(tuán)中的任一基團(tuán):
      10. 根據(jù)權(quán)利要求1至9中任一所述液晶介質(zhì),其特征在于,所述液晶介質(zhì)另外包含以 下一種或幾種添加劑:多色染料、UV穩(wěn)定劑、抗氧化劑、手征向摻雜劑、聚合起始劑、微粒及 納米粒子,所述添加劑組分濃度在0% -1%之間。
      11. 權(quán)利要求1至10中任一所述液晶介質(zhì)在有源矩陣顯示元件,ECB、FFS或IPS、MVA、 PVA或HVA效應(yīng)的有源矩陣顯示器中的應(yīng)用。
      【文檔編號】C09K19/12GK104513666SQ201510013788
      【公開日】2015年4月15日 申請日期:2015年1月12日 優(yōu)先權(quán)日:2014年10月10日
      【發(fā)明者】高紅茹, 溫剛, 豐景義, 翟媛媛, 孫軒非, 賈鵬忠 申請人:石家莊誠志永華顯示材料有限公司
      網(wǎng)友詢問留言 已有0條留言
      • 還沒有人留言評論。精彩留言會獲得點(diǎn)贊!
      1