拋光漿液和使用其拋光襯底的方法
【專利摘要】本發(fā)明提供一種拋光漿液和使用其拋光襯底的方法。根據(jù)一例示性實(shí)施例的漿液包含：經(jīng)配置以執(zhí)行拋光并且包含具有正ζ電位的粒子的磨料；經(jīng)配置以分散所述磨料的分散劑；經(jīng)配置以氧化鎢的表面的氧化劑；經(jīng)配置以促進(jìn)所述鎢的氧化的催化劑；以及經(jīng)配置以控制拋光選擇性并且包含含羧基的有機(jī)酸的選擇性控制劑。根據(jù)所述例示性實(shí)施例的漿液，所述鎢與所述絕緣層之間的拋光選擇性可以通過抑制所述絕緣層的拋光速率來改良。
【專利說明】
拋光漿液和使用其拋光襯底的方法
技術(shù)領(lǐng)域
[0001] 本發(fā)明設(shè)及一種拋光漿液，并且更具體來說，設(shè)及一種可W用于在半導(dǎo)體制造工 藝中通過化學(xué)機(jī)械拋光工藝平面化鶴的拋光漿液和使用其拋光襯底的方法。
【背景技術(shù)】
[0002] 與半導(dǎo)體裝置的大小已經(jīng)逐漸減小并且金屬互連層的數(shù)目已經(jīng)逐漸增加的事實(shí) 一致地，每一層中的表面不規(guī)則性轉(zhuǎn)移到下一層，并且因此，最下表面的彎曲變得重要。彎 曲可能具有顯著效應(yīng)，其程度為使得可能難W在下一步驟中執(zhí)行光刻工藝。因此，為了改良 半導(dǎo)體裝置的產(chǎn)率，基本上使用去除不規(guī)則表面的彎曲的平面化工藝，其在各種工藝步驟 中進(jìn)行。存在各種平面化方法，如在形成薄膜之后回焊的方法、在形成薄膜之后回蝕的方法 和化學(xué)機(jī)械拋光（chemical mechanical polishing,CMP)的方法。
[0003] 化學(xué)機(jī)械拋光工藝表示一種通過提供含有磨料和各種化合物的漿液光滑地拋光 半導(dǎo)體晶片的表面同時(shí)半導(dǎo)體晶片的表面與拋光墊接觸并且經(jīng)受旋轉(zhuǎn)運(yùn)動(dòng)的工藝。也就是 說，化學(xué)機(jī)械拋光工藝表示，襯底或所述襯底的頂部層的表面通過借助漿液和拋光墊化學(xué) 和機(jī)械地拋光而平面化。一般來說，已知，通過氧化劑形成金屬氧化物(MOx)的工藝和用磨 料去除形成的金屬氧化物的工藝在金屬拋光工藝中反復(fù)地進(jìn)行。
[0004] 廣泛用作半導(dǎo)體裝置的互連的鶴層的拋光工藝還通過如下機(jī)制執(zhí)行，其中通過氧 化劑和潛在控制劑形成氧化鶴(W〇3)的工藝和用磨料去除氧化鶴的工藝被重復(fù)。此外，絕緣 層或圖案（如溝槽)可W在鶴層下形成。在此情況下，在拋光工藝中需要鶴層與絕緣層之間 的高拋光選擇性。也就是說，需要一種不拋光絕緣層同時(shí)充分拋光鶴層的漿液。
[0005] 因此，為了改良鶴相對(duì)絕緣層的拋光選擇性，各種組分已經(jīng)添加到漿液，或漿液中 所含有的氧化劑和催化劑的量受到控制。然而，盡管作出了運(yùn)些努力，但迄今為止尚未開發(fā) 出一種展現(xiàn)高拋光選擇性的用于拋光鶴的漿液。
[0006] 在韓國專利申請(qǐng)?zhí)卦S公開公布第10-0948814號(hào)中，提出一種用于拋光鶴的漿液， 其中拋光在兩個(gè)步驟中執(zhí)行，但在此情況下，工藝可能是復(fù)雜的并且生產(chǎn)率可能降低。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0007] 技術(shù)問題
[000引本發(fā)明提供一種拋光漿液和使用其拋光襯底的方法。
[0009] 本發(fā)明還提供一種漿液，其可W通過調(diào)節(jié)鶴和除所述鶴W外的材料的拋光速率來 改良拋光選擇性;和一種使用其拋光襯底的方法。
[0010] 技術(shù)解決方案
[0011] 根據(jù)一例示性實(shí)施例，一種用于拋光鶴的漿液包含:經(jīng)配置W執(zhí)行拋光并且包含 具有正C電位的粒子的磨料;經(jīng)配置W分散所述磨料的分散劑;經(jīng)配置W氧化所述鶴的表面 的氧化劑;經(jīng)配置W促進(jìn)所述鶴的氧化的催化劑；W及經(jīng)配置W控制拋光選擇性并且包含 含簇基的有機(jī)酸的選擇性控制劑。
[0012] 所述磨料可W包含氧化錯(cuò)粒子并且可W按所述漿液的總重量計(jì)W約0.1重量％到 約10重量％的量包含在內(nèi)，并且所述磨料還可W按所述漿液的總重量計(jì)W約0.4重量％到 約3重量％的量包含在內(nèi)。
[0013] 所述分散劑可W按所述漿液的總重量計(jì)W約0.01重量％到約5重量％的量包含在 內(nèi)，并且所述分散劑還可W按所述漿液的總重量計(jì)W約0.15重量％到約1重量％的量包含 在內(nèi)。所述氧化劑可W按所述漿液的總重量計(jì)W約0.5重量％到約10重量％的量包含在內(nèi)， 并且所述氧化劑還可W按所述漿液的總重量計(jì)W約1.0重量％到約5.0重量％的量包含在 內(nèi)。所述催化劑可W按所述漿液的總重量計(jì)W約0.001重量％到約5重量％的量包含在內(nèi)， 并且所述催化劑可W按所述漿液的總重量計(jì)W約0.01重量％到約1重量％的量包含在內(nèi)。
[0014] 所述選擇性控制劑可W按所述漿液的總重量計(jì)W約0.1重量％到約10重量％的量 包含在內(nèi)，并且所述選擇性控制劑還可W按所述漿液的總重量計(jì)W約1重量％到約10重 量％的量包含在內(nèi)。此外，所述選擇性控制劑可W在酸性區(qū)域中生成帶負(fù)電的官能團(tuán)。所述 選擇性控制劑可W具有小于約7的地a值，其是表示簇基中氨離子解離的程度的指數(shù)，可W 具有多個(gè)地a值，并且可W具有3個(gè)或多于3個(gè)地a值。此外，所述選擇性控制劑可W包含W下 中的至少一個(gè):乙酸、馬來酸、班巧酸、巧樣酸、草酸、蘋果酸和丙二酸。
[0015] 根據(jù)另一例示性實(shí)施例，一種用于拋光鶴的漿液包含:經(jīng)配置W執(zhí)行拋光的作為 磨料的氧化錯(cuò)粒子；W及經(jīng)配置W控制所述鶴與除所述鶴W外的材料之間的拋光選擇性的 選擇性控制劑，其中所述選擇性控制劑包含在酸性區(qū)域中解離W生成COCT官能團(tuán)的酸。
[0016] 本文中，除所述鶴W外的所述材料可W包含絕緣材料，并且所述COCT官能團(tuán)可W 吸附到所述絕緣材料和所述磨料中的至少一個(gè)W抑制所述絕緣層的拋光。
[0017] 所述漿液可W還包含經(jīng)配置W氧化所述鶴的表面的氧化劑；W及經(jīng)配置W促進(jìn)所 述鶴的氧化的催化劑，其中，在酸性區(qū)域中，所述鶴在氧化態(tài)下可W帶負(fù)電，所述絕緣材料 可W帶正電，并且所述COCT官能團(tuán)可W吸附到所述絕緣層。
[001引此外，所述漿液可W還包含抑調(diào)節(jié)劑，其中抑值可W調(diào)節(jié)到約巧喲4的范圍。
[0019] 根據(jù)又一例示性實(shí)施例，作為一種可W用于制備各種裝置（如半導(dǎo)體裝置）的方 法，一種拋光襯底的方法包含:制備在上面形成鶴層的襯底;制備包含氧化錯(cuò)粒子作為磨料 和含簇基的選擇性控制劑的漿液；W及在將所述漿液供應(yīng)到所述襯底的同時(shí)拋光所述鶴 層，其中，在所述拋光中，通過所述簇基的解離生成的官能團(tuán)抑制除所述鶴層W外的材料的 拋光。
[0020] 在此情況下，所述漿液可W通過包含經(jīng)配置W氧化所述鶴層的表面的氧化劑制 備，或所述氧化劑可W在所述漿液供應(yīng)到所述襯底之前添加到所述漿液并且與其混合。
[0021] 在上面形成所述鶴層的所述襯底的制備包含:在所述襯底上用除所述鶴W外的材 料形成絕緣層;在所述絕緣層中形成溝槽；W及在所述絕緣層的包含所述溝槽的整個(gè)表面 上形成鶴層。
[0022] 所述拋光可W在酸性pH區(qū)域中執(zhí)行，并且所述拋光可W包含:在所述鶴層的頂部 表面上形成氧化鶴層并且用所述磨料拋光所述氧化鶴層；W及通過所述簇基的解離生成 COCT基團(tuán)。
[0023] 此外，所述拋光可W包含:使所述絕緣層暴露而帶正電；W及通過將所述COCT基團(tuán) 吸附到所述絕緣層來抑制所述絕緣層的拋光。
[0024]所述拋光可W包含:使所述磨料帶正電并且使所述絕緣層暴露而帶負(fù)電；W及通 過將所述COCT基團(tuán)吸附到所述磨料來抑制所述絕緣層的拋光。
[00巧]有利效果
[0026] 根據(jù)一例示性實(shí)施例，除鶴W外的材料(例如，絕緣層）的拋光速率可W通過使用 如下漿液來抑制，其中官能團(tuán)受選擇性控制劑控制。因?yàn)樗鼋^緣層的拋光速率受到抑制， 所W所述鶴與所述絕緣層之間的拋光選擇性可W得到改良。
[0027] 此外，侵蝕可W通過使用具有高選擇性的漿液而減少，并且凹陷可W通過使用氧 化錯(cuò)磨料粒子而抑制。也就是說，在鶴層通過使用根據(jù)所述例示性實(shí)施例的漿液拋光的情 況下，凹陷W及侵蝕可W減少并且副產(chǎn)物的生成可W減少。
[0028] 根據(jù)一例示性實(shí)施例，因?yàn)閽伖膺x擇性高，所W所述鶴和所述絕緣層的過量拋光 可W得到抑制，并且所述鶴可W通過簡(jiǎn)單拋光工藝來高效拋光。因此，拋光生產(chǎn)率可W得到 改良。
[0029] 此外，缺陷（如凹陷和侵蝕)可W減少，并且副產(chǎn)物的生成可W得到抑制。因此，隨 后制造的半導(dǎo)體裝置的總制造生產(chǎn)率W及操作特性和可靠性可W得到改良。
【附圖說明】
[0030] 圖1說明一例示性實(shí)施例的漿液中所用的有機(jī)酸的化學(xué)式。
[0031 ] 圖2是鶴的波爾貝克斯圖（Pourbaix diagram)。
[0032] 圖3是說明鶴和氧化娃層的C電位的圖。
[0033] 圖4是說明例示性實(shí)施例的漿液在某一酸性區(qū)域中的作用的概念圖。
[0034] 圖5是說明例示性實(shí)施例的漿液在另一酸性區(qū)域中的作用的概念圖。
[0035] 圖6是說明鶴和氧化物層的拋光速率取決于選擇性控制劑的濃度的圖。
[0036] 圖7(a)至圖7(d)是說明根據(jù)一例示性實(shí)施例制造半導(dǎo)體裝置的方法的截面視圖。
【具體實(shí)施方式】
[0037] 在下文中，將參考附圖詳細(xì)地描述特定實(shí)施例。然而，本發(fā)明可W用不同形式實(shí) 施，并且不應(yīng)被解釋為限于本文中所闡述的實(shí)施例。而是，提供運(yùn)些實(shí)施例是為了使得本發(fā) 明將是透徹并且完整的，并且運(yùn)些實(shí)施例將把本發(fā)明的范圍完整地傳達(dá)給所屬領(lǐng)域的技術(shù) 人員。在圖中，為了說明的清楚起見放大了層和區(qū)域的尺寸。類似參考標(biāo)號(hào)通篇指代類似元 件。
[0038] 根據(jù)一例示性實(shí)施例的漿液是鶴拋光漿液，其中漿液包含執(zhí)行拋光的磨料和控制 鶴與除鶴W外的材料之間的拋光選擇性的選擇性控制劑。此外，漿液可W包含分散磨料的 分散劑、形成氧化物的氧化劑和促進(jìn)氧化物形成的催化劑，并且選擇性控制劑可W包含含 簇基的有機(jī)酸。
[0039] 在此情況下，磨料、分散劑、氧化劑、催化劑和選擇性控制劑可W含于溶液中。舉例 來說，磨料、分散劑、氧化劑、催化劑和選擇性控制劑分散并且分布于水中，具體來說純水 (蒸饋(distillecUDI)水）中。此外，腐蝕抑制劑可W還包含在內(nèi)W防止鶴腐蝕，并且P的周節(jié) 劑可W還包含在內(nèi)W調(diào)節(jié)漿液的pH。漿液呈其中磨料分散于液體中的形式，并且每種組分 的量經(jīng)適當(dāng)調(diào)節(jié)。氧化劑可W不包含于漿液中并且可W分開制備，并且在即將進(jìn)行拋光工 藝之前添加到漿液。
[0040] 磨料可W包含具有正( + )(電位的磨料粒子。舉例來說，磨料粒子可W包含氧化錯(cuò)， 即，二氧化錯(cuò)(Zr〇2)粒子。二氧化錯(cuò)粒子呈結(jié)晶相，并且具有具備晶格面的多面體形狀。主 要用作典型磨料的膠態(tài)二氧化娃分布為具有約40nm到約70nm的大小，并且平均大小是約 38.5nm。然而，用于例示性實(shí)施例中的二氧化錯(cuò)粒子呈單斜結(jié)構(gòu)的結(jié)晶相，并且具有具備晶 格面的多面體形狀。此外，二氧化錯(cuò)粒子具有約35化m或小于35化m的次級(jí)粒子(secondary particle)大小。在此情況下，二氧化錯(cuò)粒子可W均勻并且穩(wěn)定地分散于漿液中。舉例來說， 二氧化錯(cuò)次級(jí)粒子的大小在約20化m到約31化m范圍內(nèi)，并且在此情況下，二氧化錯(cuò)粒子具 有極佳分散穩(wěn)定性。此外，磨料可W按漿液的總重量計(jì)W約0.1重量％到約10重量％的量包 含在內(nèi)。在磨料的量小于約0.1重量％的情況下，因?yàn)閽伖馑俾蔬^低，所W拋光困難或鶴的 拋光無法充分執(zhí)行。在磨料的量大于約10重量％的情況下，磨料粒子的分散穩(wěn)定性可能會(huì) 降低并且次級(jí)粒子的大小可能過度增加W生成刮痕。具體來說，W漿液的總重量計(jì)，二氧化 錯(cuò)粒子可W按約0.3重量％到約5重量％的量包含在內(nèi)，并且還可W按約0.4重量％到約3重 量％的量包含在內(nèi)。就此來說的原因是，在約0.3重量％到約5重量％的量范圍中，鶴的拋光 速率良好并且分散穩(wěn)定性有保證，并且在約0.4重量％到約3重量％的量范圍中，鶴的拋光 速率更好。在此情況下，因?yàn)槎趸e(cuò)磨料粒子用作磨料，所W機(jī)械拋光主要在化學(xué)機(jī)械拋 光工藝中執(zhí)行。因此，凹陷的生成可W得到抑制或預(yù)防，并且典型兩步拋光工藝可W簡(jiǎn)化為 單步工藝。
[0041] 分散劑用W將磨料均勻地分散于漿液中，并且可W使用陽離子、陰離子和非離子 聚合物材料。此外，分散劑可W調(diào)節(jié)磨料的C電位。也就是說，陽離子分散劑可W將磨料的C 電位增加到正電位，并且陰離子分散劑可W將磨料的C電位降低到負(fù)電位。此外，非離子分 散劑可W維持磨料的C電位原樣。因此，磨料的C電位可W維持原樣或可W精細(xì)地朝正電位 或負(fù)電位調(diào)節(jié)，取決于包含于漿液中的分散劑。陽離子聚合物分散劑可W包含由W下所構(gòu) 成的族群中選出的至少一個(gè):聚賴氨酸(polylysine)、聚乙締亞胺(polyeth}denimine)、節(jié) 索氯錠（benzethonium chloride)、博尼杜克（bronidox)、西曲漠錠（cetrimonium bromide)、西曲氯錠（cetrimonium chloride)、二甲基二（十八烷基）氯化錠 (dimethyIdiOCtadecy!ammonium chloride)、四甲基氨氧化錠（tetramethylammonium hydroxide)、二硬脂基二甲基氯化錠（distearyl dimethyl ammonium chloride)、聚二甲 胺-共-表氯醇（9〇17(1;[111日1:1171日111；[]1日-(3〇-邱;[證101'0117化;[]1)、1，2-二油酷基-3-^甲基錠丙 燒（1，2-(1;[01605^-3-付;[11161:1171日1111]1〇]1；[皿91'09日]16)和聚締丙胺（9〇17 3115^1日111；[]16)。此外， 陰離子聚合物分散劑可W包含由W下所構(gòu)成的族群中選出的至少一個(gè)：聚丙締酸 (polyacrylic acid)、聚簇酸（polycarboxyl ic acid)、十二烷基苯橫酸鋼（sodium dodecy化enzenesulfonate)、十二烷基硫酸鋼（sodium dodecyl sulfate)和聚苯乙締橫酸 鋼（sodium polystyrene sulfonate)。非離子聚合物分散劑可W包含由W下所構(gòu)成的族群 中選出的至少一個(gè)：聚乙締化咯燒酬（polyvinyl pyrro Iidone)、聚氧化乙締 (polyethylene oxide)、聚乙締醇（polyvinyl alcohol)、徑乙基纖維素化7化〇巧ethyl cellulose)、2-氨基-2-甲基-1-丙醇（2-amin〇-2-methyl-1-p;ropanol)、0-環(huán)糊精（0- eye 1 odex化in )、果糖、葡萄糖和半乳糖。分散劑可W按漿液的總重量計(jì)W約0.01重量％到 約5重量％的量包含在內(nèi)。在分散劑的量小于約0.01重量％的情況下，分散不好并且沉淀可 能會(huì)發(fā)生。在分散劑的量大于約5重量％的情況下，漿液的分散穩(wěn)定性可能會(huì)歸因于聚合物 材料的凝聚和高離子濃度而降低。此外，W漿液的總重量計(jì)，分散劑可W按約0.15重量％到 約1重量％的量包含在內(nèi)，并且還可W按約0.3重量％到約0.7重量％的量包含在內(nèi)。就此來 說的原因是，分散穩(wěn)定性良好并且精細(xì)地調(diào)節(jié)磨料的C電位是更有利的。
[0042] 氧化劑氧化拋光目標(biāo)(例如，鶴）的表面。也就是說，氧化劑氧化拋光目標(biāo)(即，金屬 材料）W形成金屬氧化物層，其具有比金屬更低的強(qiáng)度。舉例來說，氧化劑將鶴氧化為具有 比鶴更低的強(qiáng)度的氧化鶴層W促進(jìn)鶴的拋光。氧化劑可W包含由W下所構(gòu)成的族群中選出 的至少一個(gè)：過氧化氨化2〇2)、過氧化脈（carbamide peroxide)、過硫酸錠（ammonium persulfate)、硫代硫酸錠(ammonium thiosulfate)、次氯酸鋼（sodium hypochlorite)、過 艦酸鋼（sodium periodate)、過硫酸鋼（sodium persulfate)、艦酸鐘（potassium iodate)、過氯酸鐘（potassium perchlorate)和過硫酸鐘（potassium persulfate)。在例 示性實(shí)施例中，主要使用過氧化氨。氧化劑的量W漿液的總重量計(jì)可W在約0.5重量％到約 10重量％范圍內(nèi)。在氧化劑的量小于約0.5重量％的情況下，因?yàn)檠趸Q并未充分形成，所 W拋光速率低，并且因此，拋光困難。在氧化劑的量大于約10重量％的情況下，因?yàn)榕c催化 劑發(fā)生劇烈反應(yīng)，所W漿液的溫度可能增加，造成漿液穩(wěn)定性的限制，并且分散穩(wěn)定性和拋 光效率可能歸因于磨料的分解反應(yīng)而實(shí)際上降低。在氧化劑的量在約1重量％到約5重量％ 范圍內(nèi)的情況下，高拋光速率和漿液穩(wěn)定性可W有保證。氧化劑可W包含于漿液的制備中， 或氧化劑可W分開制備、在即將進(jìn)行襯底拋光工藝之前添加到漿液并且與其混合，并且混 合漿液可W隨后供應(yīng)到襯底拋光工藝。
[0043] 催化劑促進(jìn)拋光目標(biāo)(例如，鶴）的氧化。也就是說，因?yàn)槭褂么呋瘎?，所W鶴的表 面的氧化得到促進(jìn)，并且因此，拋光速率可能增加。催化劑導(dǎo)致與氧化劑的稱為"芬頓反應(yīng) (Fenton reaction)"的反應(yīng)，通過芬頓反應(yīng)生成OH自由基（一種強(qiáng)氧化劑），并且促進(jìn)鶴的 表面的氧化。因此，促進(jìn)氧化鶴層的形成W增加鶴的拋光速率。含鐵的化合物可W用作催化 劑。舉例來說，催化劑可W包含由W下所構(gòu)成的族群中選出的至少一個(gè):硫酸鐵(III)錠、草 酸鐵鐘化3Fe(C2化)3)、抓TA-Fe-Na、鐵氯化鐘、乙酷基丙酬酸鐵（III)、巧樣酸鐵（III)錠、草 酸鐵(III)錠、氯化鐵(III)和氮化鐵(III)。在例示性實(shí)施例中，主要使用硫酸鐵（III)錠。 催化劑可W按漿液的總重量計(jì)W約0.001重量％到約5重量％的量包含在內(nèi)。在催化劑的量 小于約0.001重量％的情況下，因?yàn)閽伖馑俾蔬^低，所W拋光困難。在催化劑的量大于約5重 量％的情況下，漿液的顏色可能變化并且漿液的溫度可能歸因于與氧化劑的反應(yīng)而增加。 催化劑的量可W在約0.1重量％到約1重量％范圍內(nèi)。在此情況下，可W獲得穩(wěn)定漿液，同時(shí) 增加拋光速率。
[0044] 選擇性控制劑通過抑制除拋光目標(biāo)W外的材料的拋光來增加拋光目標(biāo)與非目標(biāo) 之間拋光速率的差異。也就是說，選擇性控制劑控制每種材料的拋光速率W改良其之間的 拋光選擇性。舉例來說，在拋光鶴的情況下，選擇性控制劑通過抑制除鶴W外的材料(如絕 緣層）的拋光來增加鶴與絕緣層之間拋光速率的差異，并且因此，拋光選擇性可W得到改 良。具有至少一個(gè)簇基的有機(jī)酸可W用作選擇性控制劑。漿液中的簇基在酸性pH區(qū)域中生 成帶負(fù)電的官能團(tuán)。也就是說，簇基(COOH)在酸性pH區(qū)域中解離成COO-和OH+。解離的COO-基 團(tuán)可W吸附到除拋光目標(biāo)W外的材料(例如，絕緣材料)和磨料中的至少一個(gè)W抑制絕緣材 料的拋光。舉例來說，解離的COCT基團(tuán)可W吸附到帶正電的氧化娃層和二氧化錯(cuò)磨料中的 至少一個(gè)。
[0045] 在此情況下，表示官能團(tuán)（例如，簇基）中氨離子解離的程度的指數(shù)是地a,并且地a 可W從W下反應(yīng)式和關(guān)系式導(dǎo)出。
[0046]
[0047] 和曲0+ (參看W上反應(yīng)式）的情況下，反應(yīng)商化a)可 W由W -
[004引
[0049] ^基(COOH))在解離之前的濃度，并且[A^]是解離的官 能團(tuán)（巧 rw獲得如下關(guān)系式。
[(K)加]
[0化1 ]
[0052] 時(shí)，獲得如下與抑的關(guān)系式。
[0化3]
[0054] KaO
[0化5]
[0056] 因此，當(dāng)pKa與pH相同時(shí)，官能團(tuán)在解離之前的濃度與解離的官能團(tuán)的濃度相同 (pKa =抑^陽A] = [A^])。當(dāng)?shù)豠大于pH時(shí)，官能團(tuán)在解離之前的濃度高于解離的官能團(tuán)的 濃度(pKa>pH一陽A] > [A-])。此外，當(dāng)?shù)豠小于抑時(shí)，解離的官能團(tuán)的濃度高于官能團(tuán)在解 離之前的濃度(pKa<pH^[HA]<[A^])。因此，為了在解離之前解離大量官能團(tuán)，可W使用 具有比漿液的抑更小的地a值的選擇性控制劑。也就是說，選擇性控制劑的地a值越小，解離 越容易發(fā)生。此外，PKa值可W有多個(gè)數(shù)目，取決于材料。因此，選擇性控制劑可W具有小于 約7的地a值或小于約5的地a值。此外，選擇性控制劑可W具有多個(gè)地a值并且可W具有3個(gè) 或多于3個(gè)地a值。在選擇性控制劑具有多個(gè)地a值的情況下，因?yàn)榘?個(gè)或多于2個(gè)簇基并 且每個(gè)pKa表示不同值，所W可W獲得足夠量的解離的COCT基團(tuán)。此外，在選擇性控制劑具 有3個(gè)或多于3個(gè)地a值的情況下，因?yàn)榇罅看鼗怆x，所W可W獲得更多COCT基團(tuán)。因此，可 W容易地抑制絕緣材料的拋光。
[0057] 各種有機(jī)酸可W用作選擇性控制劑，并且例如選擇性控制劑可W包含W下中的至 少一個(gè):乙酸、馬來酸、班巧酸、巧樣酸、草酸、蘋果酸和丙二酸。每種有機(jī)酸可W單獨(dú)或W混 合物形式使用。每種有機(jī)酸的化學(xué)式說明于圖1中。如圖1中所說明，每種有機(jī)酸包含至少一 個(gè)簇基。此外，每種有機(jī)酸具有獨(dú)特地a值。舉例來說，乙酸具有約4.76的地a值，并且馬來酸 具有分別為約1.9和約6.07的兩個(gè)地a值。有機(jī)酸可W僅具有一簇基作為官能團(tuán)，或除了簇 基之外，可W更具有其它官能團(tuán)。舉例來說，有機(jī)酸可W具有簇基和徑基(OH)。選擇性控制 劑的量W漿液的總重量計(jì)可W在約0.1重量％到約10重量％范圍內(nèi)。在選擇性控制劑的量 小于約1重量％的情況下，因?yàn)檫x擇性控制劑的效應(yīng)不充足，所W可能無法獲得高選擇性特 征。在選擇性控制劑的量大于約10重量％的情況下，不僅絕緣層的拋光速率可能降低，而且 鶴的拋光速率可能會(huì)顯著降低。因此，可能難W獲得高選擇性。在選擇性控制劑的量在約1 重量％到約10重量％范圍內(nèi)的情況下，因?yàn)槠渲喧Q拋光速率除W絕緣材料拋光速率的拋光 選擇性是約80或大于80,所W可W獲得高選擇性。此外，在選擇性控制劑的量在約3重量％ 到約5重量％范圍內(nèi)的情況下，因?yàn)辁Q與絕緣層之間的拋光選擇性是約100或大于100,所W 可W獲得更高選擇性。
[0058] 腐蝕抑制劑可W抑制可能在拋光目標(biāo)(例如，鶴）的表面發(fā)生的局部腐蝕。也就是 說，在拋光期間，由鶴的表面的部分腐蝕造成的凹坑可能會(huì)出現(xiàn)，并且腐蝕抑制劑可W抑制 或預(yù)防凹坑。聚合物類材料可W主要用作腐蝕抑制劑。舉例來說，腐蝕抑制劑可W包含W下 中的至少一個(gè):聚賴氨酸、聚乙締亞胺、聚乙締化咯燒酬、聚氧化乙締、聚締丙胺、聚乙締醇、 聚丙締酸和聚簇酸。此外，腐蝕抑制劑可W按漿液的總重量計(jì)W約0.001重量％到約0.5重 量％的量包含在內(nèi)。在腐蝕抑制劑的量小于約0.001重量％的情況下，因?yàn)辁Q的表面未受到 充分保護(hù)，所W部分腐蝕可能會(huì)發(fā)生。在腐蝕抑制劑的量大于約0.5重量％的情況下，分散 穩(wěn)定性和拋光效率會(huì)歸因于聚合物而實(shí)際上降低。
[0059] pH調(diào)節(jié)劑可W調(diào)節(jié)漿液的pH"pH調(diào)節(jié)劑可W主要包含硝酸和氨水。在例示性實(shí)施 例中，抑調(diào)節(jié)劑用W將漿液的抑調(diào)節(jié)為酸性，即，小于約7。此外，漿液的抑可W調(diào)節(jié)為約4或 小于4,或可W調(diào)節(jié)為在約2到約4范圍內(nèi)。調(diào)節(jié)抑的原因可W參考圖2來理解，所述圖說明鶴 的波爾貝克斯圖。參考說明電位相對(duì)于抑的圖2,當(dāng)電位是正(+ )并且抑大于約4時(shí)，鶴的表 面離子化W形成W化并且在拋光在此區(qū)域中執(zhí)行的情況下，在鶴的表面上發(fā)生腐蝕。然 而，當(dāng)電位是正(+ )并且抑是約4或小于4(圖2中的陰影區(qū)域)時(shí)，比鶴的表面更軟的鶴氧化 物(W〇2和W〇3)形成，并且在拋光在此區(qū)域中執(zhí)行的情況下，拋光速率增加。因此，例示性實(shí)施 例的漿液可W通過調(diào)節(jié)電位和通過使用抑調(diào)節(jié)劑（如硝酸)將pH調(diào)節(jié)為約4或小于4而容易 地拋光或蝕刻鶴。
[0060] 例示性實(shí)施例的用于拋光鶴的上述漿液可W通過W下機(jī)制拋光鶴并且獲得高選 擇性。首先，鶴的表面通過與催化劑的鐵離子(Fe3+)反應(yīng)而離子化，并且鐵離子還原為亞鐵 離子(Fe2+)。亞鐵離子與過氧化氨化2〇2)反應(yīng)而氧化為鐵離子(Fe3+)并且形成氧氣(〇2)。氧 氣與鶴的表面反應(yīng)W形成軟氧化鶴(W化），并且軟氧化鶴(W化）與氧氣反應(yīng)W形成氧化鶴 (W化）。因此形成的氧化鶴(W〇3)通過磨料粒子（即，二氧化錯(cuò)粒子)去除，并且拋光通過循環(huán) 機(jī)制執(zhí)行。
[0061] 隨著拋光進(jìn)行，除了鶴之外，可W使作為絕緣層的除拋光目標(biāo)W外的材料(例如， 氧化娃(Si〇2)層)暴露。在此情況下，因?yàn)閽伖膺€可W通過漿液在氧化娃上執(zhí)行，所W當(dāng)氧 化娃的拋光得到抑制時(shí)，可W獲得具有所要特征的拋光表面。例示性實(shí)施例的用于拋光鶴 的漿液可W通過選擇性控制劑(確切地說選擇性控制劑中所含的官能團(tuán)）來控制氧化娃的 拋光。此將參考圖3到圖5來詳細(xì)描述。將例示性描述形成鶴層和安置于其下的氧化娃 (Si〇2)層的情況。圖3是說明鶴和氧化娃層的C電位的圖，圖4是說明例示性實(shí)施例的漿液在 某一酸性區(qū)域中的作用的概念圖，并且圖5是說明例示性實(shí)施例的漿液在另一酸性區(qū)域中 的作用的概念圖。
[0062] 首先，如圖3中所說明，當(dāng)檢查每種材料的C電位相對(duì)于P刖寸，當(dāng)pH是約4或小于4 時(shí)，其中容易形成氧化鶴層，氧化鶴層經(jīng)受強(qiáng)負(fù)(-)電荷，并且氧化娃層經(jīng)受弱正(+ )電荷或 弱負(fù)(-)電荷。舉例來說，當(dāng)抑在約巧喲4范圍內(nèi)時(shí)，氧化鶴層具有約-30mV或小于-30mV的C 電位值，并且氧化娃層具有約-5mV到約巧mV的C電位值。此外，磨料（即，二氧化錯(cuò))在整個(gè)范 圍中經(jīng)受弱正電荷。也就是說，二氧化錯(cuò)具有約ImV到約4mV的C電位值。當(dāng)其它官能團(tuán)與運(yùn) 些材料組合時(shí)，每種材料的C電位值可W變化。此外，在漿液中的選擇性控制劑中，簇基解離 W形成CO礦和H+。因此，當(dāng)拋光工藝在其中其是強(qiáng)酸性(pH=約2到2.6)并且氧化娃層經(jīng)受弱 正電荷的區(qū)域（圖3的區(qū)域A)中執(zhí)行時(shí)，如圖4中所說明，COCT基團(tuán)吸附到氧化娃層和二氧化 錯(cuò)粒子，并且因此，預(yù)防氧化娃層與二氧化錯(cuò)磨料粒子之間的接觸W抑制氧化娃層和鶴的 拋光。具體來說，高效抑制氧化娃層的拋光。此外，當(dāng)拋光工藝在其中其是酸性(抑=約2.6 到4)并且氧化娃層經(jīng)受弱負(fù)電荷的區(qū)域(圖3的區(qū)域B)中執(zhí)行時(shí)，如圖5中所說明，COCT基團(tuán) 吸附到帶正電的二氧化錯(cuò)粒子，并且因此，吸附COCT基團(tuán)的氧化娃層與二氧化錯(cuò)磨料粒子 之間歸因于相同電荷而發(fā)生靜電排斥W預(yù)防其之間的接觸。因此，抑制氧化娃層的拋光。
[0063] 在下文中，將描述制備例示性實(shí)施例的漿液和通過將漿液施用到半導(dǎo)體襯底評(píng)估 拋光特征的結(jié)果。
[0064] 實(shí)驗(yàn)實(shí)例
[0065] 因?yàn)闈{液的制備工藝并不顯著不同于典型漿液制備工藝，所W將簡(jiǎn)單描述漿液的 制備工藝。首先，準(zhǔn)備用于制備漿液的容器，添加所要量的超純水(DI水)和聚丙締酸作為分 散劑到容器中并且充分混合，并且測(cè)量、添加預(yù)定量的具有結(jié)晶相和預(yù)定平均初級(jí)粒子 (primary particle)大小的二氧化錯(cuò)粒子作為磨料并且均勻地混合。添加預(yù)定量的硫酸鐵 (III)錠作為催化劑到容器中并且均勻地混合。此外，添加預(yù)定量的蘋果酸作為選擇性控制 劑到容器中并且均勻地混合。隨后，通過添加抑調(diào)節(jié)劑(如硝酸)到容器中調(diào)節(jié)抑值。在即將 進(jìn)行拋光之前添加過氧化氨作為氧化劑到容器中并且均勻地混合W制備用于鶴的漿液。每 種材料的添加和混合次序不受特定限制。在本發(fā)明實(shí)驗(yàn)實(shí)例中，二氧化錯(cuò)粒子和分散劑經(jīng) 添加W按漿液的總重量計(jì)分別W約1重量％和約0.375重量％的量包含在內(nèi)，催化劑經(jīng)添加 W按漿液的總重量計(jì)W約0.05重量％的量包含在內(nèi)，并且氧化劑經(jīng)添加W按約1.5重量％ 的量包含在內(nèi)。此外，選擇性控制劑W約0重量％到約10重量％范圍內(nèi)的各種量添加。也就 是說，根據(jù)添加的選擇性控制劑的量制備多種漿液。通過使用硝酸使每種漿液的pH為約 2.3。除W上組分W外，可能包含不可避免的雜質(zhì)和純水作為其余部分。
[0066] 此外，制備多個(gè)12英寸晶片，其中通過使用實(shí)驗(yàn)實(shí)例的漿液執(zhí)行拋光。也就是說， 氧化物層和氮化鐵分別在娃晶片上沉積到約1，()00 A的厚度，并且鶴層隨后沉積到約 6,烘)(）A的厚度W制備鶴晶片。此外，制備氧化物層晶片，其中氧化娃層作為絕緣層沉積到 約八)0() A的厚度。G&P技術(shù)（G&P Tech)的Poli-762設(shè)備用作拋光設(shè)備，并且羅口哈斯 (Rohm&Haas)的IC 1000/Suba IVCMP墊用作拋光墊。此外，分別在W下拋光條件下對(duì)鶴層和 氧化物層進(jìn)行拋光約60秒。排出壓力是約4psi，頭端和主軸臺(tái)的速度分別是約93rpm和約 8化pm，并且漿液的流動(dòng)速率是約lOOml/min。
[0067] 表1展示通過使用例示性實(shí)施例的漿液拋光的結(jié)果，并且圖6是說明鶴和氧化物層 的拋光速率取決于選擇性控制劑的濃度的圖。在表1中，將鶴和氧化物層的拋光速率和選擇 性取決于選擇性控制劑的量表示為數(shù)值，并且圖6分別說明鶴和氧化娃層的拋光速率。本文 中，通過分別拋光鶴晶片和氧化娃層晶片來計(jì)算鶴和氧化娃層的拋光速率，并且拋光選擇 性是鶴的拋光速率與氧化物層的拋光率的比率。也就是說，拋光選擇性是鶴拋光速率除W 氧化娃層拋光速率的值。
[0068] 表 1
[0069]
[0070] 如表1和圖6中所說明，當(dāng)選擇性控制劑的量增加時(shí)，鶴和氧化娃層兩個(gè)的拋光速 率都降低。然而，因?yàn)檠趸迣拥膾伖馑俾式档透?，所W可W獲得高拋光選擇性。已經(jīng)描 述了與其相關(guān)的原理。在選擇性控制劑的量在約0.1重量％到約10重量％范圍內(nèi)的情況下， 拋光選擇性高，是約50或大于50。此外，在選擇性控制劑的量在約1重量％到約10重量％范 圍內(nèi)的情況下，拋光選擇性極高，是約80或大于80。當(dāng)所含的選擇性控制劑的量是大于10重 量％時(shí)，鶴的拋光速率的降低開始增加。在選擇性控制劑的量在約1重量％到約5重量％范 圍內(nèi)的情況下，拋光選擇性極高，是約80或大于80，并且鶴的拋光速率也極高，是約2，500或 大于2,500。
[0071] 根據(jù)例示性實(shí)施例的漿液可W在半導(dǎo)體裝置的制造工藝中用于鶴的拋光工藝中。 鶴可W用于埋柵和互連/塞。就埋柵鶴來說，晶胞（cell)之間的間隔小，是約30nm或小于 3化m，并且就用于互連/塞的鶴來說，晶胞之間的間隔相對(duì)大，范圍在約30皿到約15化m內(nèi)。 因此，拋光工藝可W通過根據(jù)待拋光的圖案的類型選擇具有適當(dāng)拋光選擇性的漿液來執(zhí) 行。也就是說，其中鶴層與氧化物層之間的拋光選擇性高的具有高選擇性的漿液可W用于 半導(dǎo)體裝置的制造工藝。W下將參考圖7(a)至圖7(d)描述一種使用根據(jù)例示性實(shí)施例的漿 液制造半導(dǎo)體裝置的方法。
[0072] 圖7(a)至圖7(d)是說明根據(jù)一例示性實(shí)施例制造半導(dǎo)體裝置的方法的截面視圖。 參考圖7(a)，在襯底110上形成絕緣層120。參考圖7(b)，蝕刻絕緣層120的預(yù)定區(qū)域W形成 使襯底110的預(yù)定區(qū)域111暴露的圖案。半導(dǎo)體裝置的制造中使用的各種襯底可W用作襯底 110,其中可W使用娃襯底。絕緣層120可W通過使用氧化娃類材料形成。舉例來說，絕緣層 120可W通過使用W下中的至少一個(gè)形成：棚憐娃玻璃（Boron PhosphoSilicate Glass， BPSG)、憐娃玻璃(PhosphoSilicate Glass，PSG)、高密度等離子體化igh Density Plasma， HDP)、四乙基原娃酸鹽（Tetra Ethyl Ortho Silicate，TE0S)、未滲雜娃玻璃（Undoped Silica Glass，USG)、等離子體增強(qiáng)TE0S(Plasma Enhance Tetra Ethyl 0;rtho Silicate, PETEOS)或高縱橫比工藝化igh Aspect Ratio Process ,HARP)。此外，絕緣層120可W通過 物理氣相沉積（Physical Vapor Deposition,PVD)方法、化學(xué)氣相沉積（化emical Vapor DepoSi t ion，CVD)方法、金屬有機(jī)CVD(Meta 1 OrganiC CVD，MOCVD)方法、原子層沉積 (Atomic Layer Deposition，ALD)方法或CVD方法和ALD方法混合的AkCVD方法形成。圖案 可W是使襯底110的預(yù)定區(qū)域暴露W形成互連和/或塞的孔桐，或可W是線形溝槽。
[0073] 如圖7(c)中所說明，屏障層130(如氮化鐵)在絕緣層120和包含圖案的襯底110上 形成，并且鶴層140隨后形成W便掩埋圖案。
[0074] 參考圖7(d)，鶴層140和絕緣層120通過使用其中鶴層與氧化物層之間的拋光選擇 性高的具有高選擇性的漿液拋光。漿液具有高選擇性，其中鶴層與氧化物層之間的拋光選 擇性高，是約50或大于50。在此情況下，初始漿液的C電位（即，初始磨料的C電位)是約3mV。 也就是說，關(guān)于此情況下的拋光方法，制備包含二氧化錯(cuò)粒子作為磨料和含簇基的選擇性 控制劑的漿液，并且在將漿液供應(yīng)到襯底的同時(shí)拋光鶴層。在運(yùn)種拋光工藝中，通過簇基的 解離生成的官能團(tuán)可W抑制除鶴層W外的材料（即，氧化娃層120)的拋光。拋光工藝在酸性 pH區(qū)域中執(zhí)行，并且包含在鶴層140的頂部表面上形成氧化鶴層并且用二氧化錯(cuò)磨料拋光 氧化鶴層的工藝，和通過漿液中的簇基的解離生成CO礦基團(tuán)的工藝。生成的COO-基團(tuán)可W如 上文所述抑制絕緣層120的拋光并且可W提供高選擇性。當(dāng)鶴層140通過使用具有高選擇性 的漿液拋光時(shí)，絕緣層120并不被拋光并且鶴層140被拋光。因此，侵蝕幾乎不發(fā)生。在此情 況下，因?yàn)槎趸e(cuò)粒子用作磨料，所W可W執(zhí)行其中機(jī)械拋光占主導(dǎo)的CMP工藝。因此，還 可W抑制凹陷。此外，與典型鶴CMP工藝在多個(gè)階段中執(zhí)行的事實(shí)相比，因?yàn)樵诶拘詫?shí)施 例中單一 CMP工藝可W執(zhí)行，所W工藝可W簡(jiǎn)化W改良生產(chǎn)率。因此，具有高選擇性的漿液 適用于拋光掩埋的鶴層。
[0075] 盡管已經(jīng)參考特定實(shí)施例描述拋光漿液和使用其拋光襯底的方法，但其并不限于 此。因此，所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員將容易理解，在不脫離通過所附權(quán)利要求書界定的本發(fā)明的 精神和范圍的情況下，可W對(duì)本發(fā)明做出各種修改和改變。
【主權(quán)項(xiàng)】
1. 一種用于拋光鎢的漿液，包括： 經(jīng)配置以執(zhí)行拋光并且包含具有正ξ電位的粒子的磨料； 經(jīng)配置以分散所述磨料的分散劑； 經(jīng)配置以氧化所述鎢的表面的氧化劑； 經(jīng)配置以促進(jìn)所述鎢的氧化的催化劑；以及 經(jīng)配置以控制拋光選擇性并且包含含羧基的有機(jī)酸的選擇性控制劑。2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于拋光鎢的漿液，其中所述磨料包括二氧化鋯粒子并且以 所述用于拋光媽的衆(zhòng)液的總重量計(jì)以〇. 1重量％到1 〇重量％的量包含在內(nèi)。3. 根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的用于拋光鎢的漿液，其中所述磨料包括二氧化鋯粒子并且 以所述用于拋光鎢的漿液的總重量計(jì)以0.4重量％到3重量％的量包含在內(nèi)。4. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于拋光鎢的漿液，其中所述分散劑以所述用于拋光鎢的漿 液的總重量計(jì)以0.01重量％到5重量％的量包含在內(nèi)。5. 根據(jù)權(quán)利要求1或4所述的用于拋光鎢的漿液，其中所述分散劑以所述用于拋光鎢的 衆(zhòng)液的總重量計(jì)以0.15重量％到1重量％的量包含在內(nèi)。6. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于拋光鎢的漿液，其中所述氧化劑以所述用于拋光鎢的漿 液的總重量計(jì)以0.5重量％到10重量％的量包含在內(nèi)。7. 根據(jù)權(quán)利要求1或6所述的用于拋光鎢的漿液，其中所述氧化劑以所述用于拋光鎢的 衆(zhòng)液的總重量計(jì)以1.0重量％到5.0重量％的量包含在內(nèi)。8. 根據(jù)權(quán)利要求1或6所述的用于拋光鎢的漿液，其中所述催化劑以所述用于拋光鎢的 衆(zhòng)液的總重量計(jì)以0.001重量％到5重量％的量包含在內(nèi)。9. 根據(jù)權(quán)利要求8所述的用于拋光鎢的漿液，其中所述催化劑以所述用于拋光鎢的漿 液的總重量計(jì)以0.01重量％到1重量％的量包含在內(nèi)。10. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于拋光鎢的漿液，其中所述選擇性控制劑以所述用于拋光 媽的衆(zhòng)液的總重量計(jì)以0.1重量％到10重量％的量包含在內(nèi)。11. 根據(jù)權(quán)利要求1或10所述的用于拋光鎢的漿液，其中所述選擇性控制劑以所述用于 拋光鎢的漿液的總重量計(jì)以1重量％到1〇重量％的量包含在內(nèi)。12. 根據(jù)權(quán)利要求1或10所述的用于拋光鎢的漿液，其中所述選擇性控制劑在酸性區(qū)域 中生成帶負(fù)電的官能團(tuán)。13. 根據(jù)權(quán)利要求12所述的用于拋光鎢的漿液，其中所述選擇性控制劑具有小于7的 PKa值，所述pKa值是表示羧基中氫離子解離的程度的指數(shù)。14. 根據(jù)權(quán)利要求13所述的用于拋光鎢的漿液，其中所述選擇性控制劑具有多個(gè)pKa 值。15. 根據(jù)權(quán)利要求14所述的用于拋光鎢的漿液，其中所述選擇性控制劑具有3個(gè)或多于 3個(gè)pKa值。16. 根據(jù)權(quán)利要求1或10所述的用于拋光鎢的漿液，其中所述選擇性控制劑包括以下中 的至少一個(gè):乙酸、馬來酸、琥珀酸、檸檬酸、草酸、蘋果酸和丙二酸。17. -種用于拋光鎢的漿液，包括： 經(jīng)配置以執(zhí)行拋光的作為磨料的二氧化鋯粒子；以及 經(jīng)配置以控制鎢與除所述鎢以外的材料之間的拋光選擇性的選擇性控制劑， 其中所述選擇性控制劑包括在酸性區(qū)域中解離以生成coo_官能團(tuán)的酸。18. 根據(jù)權(quán)利要求17所述的用于拋光鎢的漿液，其中除所述鎢以外的所述材料包括絕 緣材料，以及 所述CO(T官能團(tuán)吸附到所述絕緣材料和所述磨料中的至少一個(gè)以抑制所述絕緣材料的 拋光。19. 根據(jù)權(quán)利要求18所述的用于拋光鎢的漿液，還包括： 經(jīng)配置以氧化所述鎢的表面的氧化劑；以及 經(jīng)配置以促進(jìn)所述鎢的氧化的催化劑， 其中，在所述酸性區(qū)域中，所述鎢在氧化態(tài)下帶負(fù)電，所述絕緣材料帶正電，并且使所 述CO(T官能團(tuán)吸附到所述絕緣材料。20. 根據(jù)權(quán)利要求17所述的用于拋光鎢的漿液，還包括pH調(diào)節(jié)劑， 其中將pH值調(diào)節(jié)到2到4的范圍。21. -種拋光襯底的方法，包括： 制備在上面形成鎢層的襯底； 制備包含二氧化鋯粒子作為磨料和含羧基的選擇性控制劑的漿液；以及 在將所述漿液供應(yīng)到所述襯底的同時(shí)拋光所述鎢層， 其中，在所述拋光中，通過所述羧基的解離生成的官能團(tuán)抑制除所述鎢層以外的材料 的拋光。22. 根據(jù)權(quán)利要求21所述的拋光襯底的方法，其中所述漿液通過包括經(jīng)配置以氧化所 述鎢層的表面的氧化劑制備，或所述氧化劑在所述漿液供應(yīng)到所述襯底之前添加到所述漿 液并且與其混合。23. 根據(jù)權(quán)利要求21或22所述的拋光襯底的方法，其中在上面形成所述鎢層的所述襯 底的制備包括： 在所述襯底上用除鎢以外的材料形成絕緣層； 在所述絕緣層中形成溝槽；以及 在所述絕緣層的包含所述溝槽的整個(gè)表面上形成所述鎢層。24. 根據(jù)權(quán)利要求23所述的拋光襯底的方法，其中所述拋光在酸性pH區(qū)域中執(zhí)行，以及 所述拋光包括： 在所述鎢層的頂部表面上形成氧化鎢層并且用所述磨料拋光所述氧化鎢層；以及 通過所述羧基的解離生成CO(T基團(tuán)。25. 根據(jù)權(quán)利要求24所述的拋光襯底的方法，其中所述拋光包括： 使所述絕緣層暴露而帶正電；以及 通過將所述CO(T基團(tuán)吸附到所述絕緣層來抑制所述絕緣層的拋光。26. 根據(jù)權(quán)利要求24所述的拋光襯底的方法，其中所述拋光包括： 使所述磨料帶正電并且使絕緣層暴露而帶負(fù)電；以及 通過將所述CO(T基團(tuán)吸附到所述磨料來抑制所述絕緣層的拋光。
【文檔編號(hào)】C09G1/02GK105925198SQ201610105318
【公開日】2016年9月7日
【申請(qǐng)日】2016年2月25日
【發(fā)明人】樸珍亨
【申請(qǐng)人】?jī)?yōu)備材料有限公司