專利名稱:基板浮起搬送方法、基板浮起搬送裝置和基板處理裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域:
本發(fā)明涉及在浮起臺上浮起搬送基板的基板浮起搬送方法和裝置以及在浮起搬送中對基板實施所期望的處理的基板處理裝置。
背景技術(shù):
例如,在平板顯示器(FPD :Flat Panel Display)制造的光蝕刻エ序中,使用通過一邊在浮起臺上浮起搬送被處理基板(例如玻璃基板),一邊使抗蝕劑液從設(shè)置于浮起臺上方的長條形的噴嘴噴出,從基板上的一端至另一端涂敷抗蝕劑液的浮起搬送方式的抗蝕劑涂敷裝置。用于這樣的浮起搬送方式的抗蝕劑涂敷裝置的浮起臺,從 其上表面(浮起面)向垂直上方噴出高壓的氣體(通常為空氣),通過其高壓氣體的壓カ使基板以水平姿勢浮起。而且,配置于浮起臺的左右兩側(cè)的直線運(yùn)動型的搬送部,將浮起在浮起臺上的基板以能夠安裝拆卸的方式保持,并在浮起臺的長邊方向上搬送基板。通常,浮起臺的上表面(浮起面),沿搬送方向劃分為三個區(qū)域,具體是搬入?yún)^(qū)域、涂敷區(qū)域和搬出區(qū)域。涂敷區(qū)域在此是對基板上供給抗蝕劑液的區(qū)域,長條形抗蝕劑噴嘴配置于涂敷區(qū)域的中心部的上方。涂敷區(qū)域中的浮起高度規(guī)定抗蝕劑噴嘴的下端(排出ロ)與基板上表面(被處理面)之間的涂敷間隙。該涂敷間隙是左右抗蝕劑涂敷膜的膜厚和抗蝕劑消耗量的重要的參數(shù),需要以較高的精度維持不變。根據(jù)該情況,在涂敷區(qū)域的浮起面也設(shè)置有多個混合存在于噴出高壓氣體的噴出口以負(fù)壓吸入周圍的氣體(空氣)的吸引ロ。而且,對通過基板的涂敷區(qū)域的部分,從噴出口施加因高壓氣體的垂直向上的力,同時從吸引ロ施加因負(fù)壓吸引力的垂直向下的力,通過控制互相對抗的兩個方向的力的平衡,以較大的浮起剛性穩(wěn)定地保持規(guī)定的浮起高度(通常30 60 μ m),當(dāng)基板發(fā)生彎曲吋,將其矯正為水平。另外,為了在涂敷區(qū)域中穩(wěn)定地保持那樣精密的浮起高度,例如也使用光學(xué)式的浮起高度傳感器進(jìn)行反饋控制。對此,搬入?yún)^(qū)域是搬入基板和開始浮起搬送的區(qū)域,搬出區(qū)域是結(jié)束浮起搬送和搬出基板的區(qū)域。通常,搬入?yún)^(qū)域和搬出區(qū)域,以在ー個表面上不設(shè)置吸引ロ而僅僅設(shè)置噴出ロ,浮起高度通常保持在200 2000 μ m的范圍內(nèi)的方式,使高壓空氣以基于開環(huán)路控制的一定的噴出壓力從各噴出口噴出。此外,這種浮起臺的浮起高度,是基板的最下部與浮起臺上表面(浮起面)之間的距離間隔。所以例如當(dāng)沿矩形的基板的周緣部下降的方向時,其基板周緣部的下端與浮起臺上表面(浮起面)之間的距離間隔為浮起高度。現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)專利文獻(xiàn)I :日本特開2005-244155號公報
發(fā)明內(nèi)容
發(fā)明想要解決的問題
在現(xiàn)有的這種的抗蝕劑涂敷裝置中,以在浮起搬送中基板不摩擦浮起臺(特別是搬入?yún)^(qū)域或者搬出區(qū)域)的浮起面的方式,以在被處理對象中設(shè)想的最難浮起的基板或者彎曲最大的基板為基準(zhǔn),較高設(shè)定高壓氣體的噴出壓力。然而,根據(jù)該問題,當(dāng)容易浮起且彎曲的少的基板被搬入到浮起臺上吋,高壓氣體的噴出壓カ變得過剩,存在過多消耗高壓氣體的問題。還有,當(dāng)高壓氣體的噴出壓力過剩時,存在搬入?yún)^(qū)域和搬出區(qū)域中的浮起高度超過最佳范圍(200 2000μπι)的問題。如果這樣,涂敷區(qū)域側(cè)的負(fù)擔(dān)、即浮起剛性變強(qiáng),保持精密浮起高度(30 60 μ m)的負(fù)擔(dān)増大,即使在涂敷區(qū)域也具有高壓氣體和真空的用電消耗量増加的問題。本發(fā)明解決上述那樣的現(xiàn)有技術(shù)的問題,提供ー種基板浮起搬送方法和基板浮起搬送裝置,其使浮起臺的基板的浮起高度和姿勢最優(yōu)化,并且改善浮起用高壓氣體的消耗效率。還有,本發(fā)明提供改善涂敷處理的可靠性、可重復(fù)性和效率的基板處理裝置。用于解決課題的方法 本發(fā)明的基板浮起搬送方法,通過從浮起臺的浮起面噴出的氣體的壓カ使基板浮在空中,并將浮在空中的上述基板在上述浮起臺上在水平方向上搬送,該基板浮起搬送方法的特征在于將上述浮起臺的浮起面劃分為多個浮起區(qū)域,以根據(jù)上述基板的種類、屬性或彎曲狀態(tài)或上述基板的部位,使上述氣體的噴出壓力按各個上述浮起區(qū)域能夠獨(dú)立地變化,或者開啟·關(guān)閉的方式進(jìn)行控制。另外,本發(fā)明的基板浮起搬送裝置,包括浮起臺,具有被劃分為多個浮起區(qū)域的浮起面,從上述浮起面噴出高壓的氣體,使基板浮在空中;送出高壓氣體的高壓氣體供給源;噴出壓カ控制部,設(shè)置于上述高壓氣體供給源與多個上述浮起區(qū)域之間,根據(jù)上述基板的種類、屬性或者彎曲狀態(tài)或者上述基板的部位,進(jìn)行使高壓氣體的噴出壓力按各個上述浮起區(qū)域能夠獨(dú)立地變化,或者開啟·關(guān)閉控制;和基板搬送部,將浮在空中的上述基板以能夠裝卸的方式保持,并在上述浮起臺上搬送。在本發(fā)明的基板浮起搬送方法或者基板浮起搬送裝置中,將浮起臺的浮起面劃分為多個浮起區(qū)域,通過使各浮起區(qū)域中的噴出壓カ能夠獨(dú)立地變化,或者進(jìn)行開啟 關(guān)閉控制,根據(jù)基板的種類、屬性或者彎曲狀態(tài),實現(xiàn)基板的浮起高度乃至矯正的最優(yōu)化,還有能夠提高高壓氣體等的用電的使用效率。另外,本發(fā)明的基板處理裝置,包括本發(fā)明的基板浮起搬送裝置;噴嘴,在搬送方向的規(guī)定的位置配置于上述浮起臺的上方,向通過其正下方的上述基板噴出處理液;和處理液供給部,向上述噴嘴供給上述處理液。本發(fā)明的基板處理裝置,利用含有本發(fā)明的基板浮起搬送裝置的上述的結(jié)構(gòu),能夠改善浮起式涂敷處理的可靠性、可重復(fù)性和效率。發(fā)明效果采用本發(fā)明的基板浮起搬送方法或者基板浮起搬送裝置,通過上述那樣的結(jié)構(gòu)和作用,能夠使浮起臺的基板的浮起高度和姿勢最優(yōu)化,并且改善浮起用高壓氣體等的用電消耗效率。另外,采用本發(fā)明的基板處理裝置,通過上述那樣的結(jié)構(gòu)和作用,能夠改善涂敷處理的可靠性、可重復(fù)性和效率。
圖I是表示本發(fā)明的一個實施方式中的抗蝕劑涂敷裝置的整體結(jié)構(gòu)的立體圖。圖2是表示上述抗蝕劑涂敷裝置中的浮起臺的浮起面的俯視圖。圖3是表示在上述抗蝕劑涂敷裝置中在基板上形成有抗蝕劑涂敷膜的樣子的側(cè)面圖。圖4是表示實施方式中的浮起面劃分的圖案的圖。圖5A是表示實施方式中的噴出壓力控制部的結(jié)構(gòu)例的圖。圖5B是表示實施方式中的噴出壓力控制部的結(jié)構(gòu)例的圖。圖6A是表示四條邊的周緣部從中心部下垂那樣彎曲的某基板在浮起臺(搬入?yún)^(qū) 域)上移動時的作用的側(cè)面圖。圖6B是表示四條邊的周緣部從中心部下垂那樣彎曲的某基板在浮起臺上移動時的作用的正面圖。圖7是用于說明噴出壓カ控制部對圖6A和圖6B所示的類型的具有彎曲的基板的作用的圖。 圖8A是表示四條邊的周緣部從中心部抬起那樣的彎曲的某基板在浮起臺(搬入?yún)^(qū)域)上移動時的作用的側(cè)面圖。圖SB是表示四條邊的周緣部從中心部抬起的那樣彎曲的某基板在浮起臺(搬入?yún)^(qū)域)上移動時的作用的側(cè)面圖。圖9是用于說明噴出壓カ控制部對圖8A和圖SB所示的類型的具有彎曲的基板的作用的圖。圖10是用于說明噴出壓カ控制部對左右兩條邊的周緣部從中間部下垂那樣彎曲的某基板的作用的圖。圖11是用于說明噴出壓カ控制部對前后兩條邊的周緣部從中間部下垂那樣彎曲的某基板的作用的圖。圖12是表示在浮起臺的涂敷區(qū)域中將基板的浮起高度控制為所設(shè)定的精密浮起高度的浮起壓カ控制機(jī)構(gòu)的ー個例子的圖。圖13是表示一個變形例中的噴出壓力控制部的結(jié)構(gòu)的圖。圖14是表示其它的實施例中的噴出壓力控制部的結(jié)構(gòu)的圖。圖15是表示其它的實施例中的噴出壓力控制部的結(jié)構(gòu)的圖。圖16是表示其它的實施例中的噴出壓力控制部的結(jié)構(gòu)的圖。圖17是表示圖14的實施例中的噴出壓力控制部的作用的圖。圖18是表示圖15的實施例中的噴出壓力控制部的作用的圖。圖19是表示圖16的實施例中的噴出壓力控制部的作用的圖。符號說明10浮起臺12 噴出口14 吸引 ロ16L、16R 搬送部
18抗蝕劑噴嘴40噴出壓力控制部42高壓氣體供給源44高壓流路網(wǎng)46、48、50 調(diào)節(jié)裝置ALi、ASi、ARi、BLj、BSj、BRj 浮起區(qū)域52ALi,52ASi,52ARi,52BL,·,52BSj,52BRj 切換閥54ALi、54ASi、54Α&、54BLj、54BSj、54BRj 開閉閥 55控制器56彎曲檢測部76、78比例控制閥80、82 開閉閥
具體實施例方式
以下,參照
本發(fā)明的優(yōu)選實施方式。參照圖I 圖3說明本發(fā)明的一個實施方式中的抗蝕劑涂敷裝置的整體的結(jié)構(gòu)和作用。該抗蝕劑涂敷裝置,例如以LCD (液晶顯示器)用的矩形的玻璃基板G為被處理基板。如圖I所示,浮起臺10的上表面或者浮起面,在整個面上形成有多個噴出高壓氣體(例如空氣)的噴出口 12。在浮起臺10的左右兩側(cè)配置有直線運(yùn)動型的第一(左側(cè))和第二(右側(cè))的搬送部16L、16R。這些搬送部16L、16R各自單獨(dú)或者二者協(xié)動,將浮起在浮起臺10上的基板G以能夠裝卸的方式保持,并在浮起臺長邊方向(X方向)上搬送基板G。在浮起臺10上的基板G,以ー對邊與搬送方向(X方向)平行,另外ー對邊與搬送方向正交那樣的水平姿勢,被浮起搬送。如圖2所示,浮起臺10沿其長邊方向(X方向)劃分為多個例如3個區(qū)域Min、Mct、Μ·。一端的區(qū)域Min是搬入?yún)^(qū)域,將要接收抗蝕劑涂敷處理的新的基板G,例如從在搬送方向上流側(cè)與浮起臺10鄰接的第一分類單元(sorter unit)(未圖示),將被處理基板G以水平狀態(tài)與X方向水平地搬入該搬入?yún)^(qū)域Min。搬入?yún)^(qū)域Min也是基板G的浮起搬送開始的區(qū)域,在該區(qū)域的浮起面,在整個面上設(shè)置有多個噴出ロ 12,用于使基板G以適合搬入的浮起搬送的浮起高度He浮起。該搬入?yún)^(qū)域Min中的基板G的浮起高度He,并不特別需要較高的精度,例如保持在200 2000 μ m的范圍內(nèi)即可。另外,優(yōu)選在搬送方向(X方向)上,優(yōu)選搬入?yún)^(qū)域Min的尺寸超過基板G的尺寸。還有,在搬入?yún)^(qū)域Min也可設(shè)置用于在浮起臺10上對基板G進(jìn)行對位的定位部(未圖示)。設(shè)定于浮起臺10的長邊方向中心部的區(qū)域Mct是抗蝕劑液供給區(qū)域或者涂敷區(qū)域,當(dāng)基板G通過該涂敷區(qū)域Mct吋,從上方的抗蝕劑噴嘴18接受抗蝕劑液R的供給。在該涂敷區(qū)域Mct的浮起面,將噴出高壓空氣的噴出口 12和以負(fù)壓吸入周圍的空氣的吸引ロ 14以一定的密度或者配置圖案混合設(shè)置,使得基板G以浮起剛性較大的精密浮起高度Ha (標(biāo)準(zhǔn)值30 60 μ m)穩(wěn)定地浮起。搬送方向(X方向)上的涂敷區(qū)域Mct的尺寸,在抗蝕劑噴嘴18的正下方附近具有能夠保持上述那樣的浮起剛性的較大的精密浮起高度Ha程度的區(qū)域的余量即可,所以通常也可以比基板G的尺寸小,例如可以為1/3 1/10左右。位于涂敷區(qū)域Mct的下 游側(cè)的浮起臺10的另一端的區(qū)域Motit是搬出區(qū)域。在該抗蝕劑涂敷裝置接受涂敷處理后的基板G,被從該搬出區(qū)域Mtot例如經(jīng)由在搬送方向下游側(cè)與浮起臺10鄰接的第二分類單元(未圖示)向下一個エ序的基板處理裝置例如減壓干燥裝置(未圖示),將被處理基板G以水平狀態(tài)與X方向水平地移送。在該搬出區(qū)域Mott的浮起面的整個面,設(shè)置有多個噴出ロ 12,使得基板G浮起在適合搬出的浮起搬送的浮起高度H0 (例如 200 2000 μ m)??刮g劑噴嘴18,在其長邊方向(Y方向)上具有能夠?qū)⒏∑鹋_10上的基板G從ー端至另一端覆蓋的狹縫狀的排出ロ 18a,安裝于門形或者倒コ字形的框(未圖示),例如通過具有滾珠絲杠機(jī)構(gòu)的噴嘴升降部(未圖示)的驅(qū)動能夠升降移動,與來自抗蝕劑液供給部(未圖示)的抗蝕劑液供給管20連接。第一(左側(cè))和第二(右側(cè))的搬送部16L、16R,各自具有在浮起臺10的左右兩側(cè)平行配置的第一和第二導(dǎo)軌22L、22R;以在搬送方向(X方向)能夠移動的方式安裝在這些導(dǎo)軌22L、22R上的第一和第二滑動件24L、24R ;在兩導(dǎo)軌22L、22R上使兩滑動件24L、24L同時或者分別直線移動的第一和第二搬送驅(qū)動部(未圖示);和為了以能夠裝卸的方式保持基板G而搭載于兩滑動件24L、24R的第一和第二保持部26L、26R。各搬送驅(qū)動部由直線式驅(qū)動機(jī)構(gòu)例如線性電動機(jī)形成。第一(左側(cè))保持部26L具有多個吸附底座(pad) 28L,其分別利用真空吸附カ結(jié)合在基板G的左側(cè)兩個角部的里面(下表面);多個底座支承部30L,其以在搬送方向(X方向)上隔著一定的間隔的多個位置限制鉛直方向的位移的方式支承各吸附底座28L ;和多個底座傳動器32L,其使這些多個底座支承部30L各自獨(dú)立升降移動或者升降位移。第二(右側(cè))保持部26R,具有多個吸附底座28R,其分別利用真空吸附カ結(jié)合在基板G的左側(cè)兩個角部的里面(下表面);多個底座支承部30R,其以在搬送方向(X方向)上隔著一定的間隔的多個位置限制鉛直方向的位移的方式支承各吸附底座28R ;和多個底座傳動器32R,其使這些多個底座支承部30R各自獨(dú)立升降移動或者升降位移。左右兩側(cè)的各吸附底座28L、28R圖示省略,但例如在由不銹鋼(SUS)形成的長方體形狀的底座主體的上表面設(shè)置有多個吸引ロ。那些吸引ロ經(jīng)由底座主體內(nèi)的真空通路和外部的真空管各自通到底座吸附控制部的真空源(未圖示)。在該抗蝕劑涂敷裝置中,當(dāng)進(jìn)行抗蝕劑涂敷處理吋,如圖3所示,當(dāng)基板G通過浮起搬送從搬入?yún)^(qū)域Min進(jìn)入涂敷區(qū)域Mct時,基板G的浮起高度逐漸地下降,從粗糙且較大的浮起高度He向精密且較小的浮起高度Ha變化。于是,在涂敷區(qū)域Mct內(nèi),特別是在抗蝕劑噴嘴18的正下方附近,基板G的浮起高度(精密浮起高度)H a保持在標(biāo)準(zhǔn)值(30 60 μ m)。當(dāng)基板G超過涂敷區(qū)域Mct時,基板G的浮起高度逐漸向粗糙浮起高度He的標(biāo)準(zhǔn)值(200 2000 μ m)増大。這樣,通過基板G以在涂敷區(qū)域Mct內(nèi)不上下晃動地保持精密浮起高度H a的方式移動,從抗蝕劑噴嘴18帯狀供給的抗蝕劑液R被均一地涂敷到基板G上,從基板G的前端前往后端以一定的膜厚形成抗蝕劑液R的涂敷膜應(yīng)。在該實施方式中,通過以下所述那樣的浮起臺10上的區(qū)域性的和時間性的噴出壓カ的變化控制乃至開啟 關(guān)閉控制功能,使得在浮起臺10上被浮起搬送的基板G的浮起高度和姿勢最優(yōu)化,并且改善浮起用高壓氣體的消耗效率,進(jìn)而改善真空消耗效率。如圖4中虛線所示,該實施方式的浮起臺10,將搬入?yún)^(qū)域Min和搬出區(qū)域Motit的浮起面分別劃分為多個浮起區(qū)域。進(jìn)ー步詳細(xì)來講,搬入?yún)^(qū)域Min的浮起面,在搬送方向(X方向)上被劃分為多個(m個)的長條狀區(qū)域E1, E2, · ·,Em,各個長條狀區(qū)域Ei (i = 1,2,· ·,m)在與搬送方向正交的水平方向(Y方向)上被劃分為左右兩端部的浮起區(qū)域ALi,ARi和中間部的浮起區(qū)域ASit5當(dāng)整體觀看時,左端浮起區(qū)域(ALpAL2, · ·,ΑΙ^)、中間浮起區(qū)域(AS1, AS2, · · ,ASm)和右端浮起區(qū)域(AR1, AR2, · ·,ARm)在搬送方向(X方向)上各自排成一列,形成第一、第二和第三浮起區(qū)域群38 (I)、38 (2)、38 (3)。另ー方面,搬出區(qū)域Mqut的浮起面在搬送方向(X方向)上被劃分為多個(η個)的長條狀區(qū)域F1, F2, · ·,F(xiàn)n,各個長條狀區(qū)域匕(j = 1,2,· ·,η)在與搬送方向正交的水平方向(Y方向)上被劃分為左右兩端部的浮起區(qū)域BLj, BIij和中間部的浮起區(qū)域BSjtl當(dāng)整體觀看時,左端浮起區(qū)域(BL1, BL2, · ·,BLm)、中間浮起區(qū)域(BS1, BS2, · ·,BSm)和右端 浮起區(qū)域(BR1, BR2, · ·,BRffl)在搬送方向(X方向)上各自排成一列,形成第四、第五和第六的浮起區(qū)域群38 (4)、38 (5)、38 (6)。上述那樣的第一 第六的浮起區(qū)域群38(1) 38(6)的各浮起區(qū)域AQ、AR^ ASi,BLj, BRj, BSj內(nèi)分布的噴出口 12的密度和/或者配置圖案也可以相同,或者也可以不同,可以各自獨(dú)立選定。在該實施方式中,如圖2所示,在搬入?yún)^(qū)域Min和搬出區(qū)域Mott的左端浮起區(qū)域ALpBLj和右端浮起區(qū)域ARpBI^設(shè)定同一的噴出口密度和配置圖案,在搬入?yún)^(qū)域Min和搬出區(qū)域Motit的中間浮起區(qū)域ASpBA設(shè)定同一的噴出口密度和配置圖案。而且,為了提高面積小的兩端的浮起區(qū)域ALpBLpARpBI^的平均単位面積的響應(yīng)性,使它們的噴出ロ密度比面積大的中間浮起區(qū)域ASi、BSj的噴出口密度高出ー級。圖5A和圖5B表示用于控制浮起臺10的搬入?yún)^(qū)域Min和搬出區(qū)域Mtm中的高壓氣體的噴出壓力的噴出壓力控制部40的結(jié)構(gòu)。該實施方式中的噴出壓力控制部40構(gòu)成為,例如設(shè)置于由壓縮機(jī)形成的高壓氣體供給源42與各浮起區(qū)域ALpASpARpBLpBA.BI^之間,相應(yīng)于基板G的種類、屬性或者彎曲狀態(tài)或者基板G的部位,使高壓氣體的噴出壓力在各個浮起區(qū)域ALpASpARpBLpBA、BRj能夠獨(dú)立地變化,或者進(jìn)行開啟·關(guān)閉控制。該噴出壓カ控制部40,具有高壓氣體流路網(wǎng)44,其用于將來自高壓氣體供給源42的高壓氣體向各浮起區(qū)域ALpASpARpBLpBSpBRj分配供給;多個(3個)調(diào)節(jié)裝置46、48、50,其在該高壓氣體流路網(wǎng)44中對來自高壓氣體供給源42的初級高壓氣體進(jìn)行減壓,并將被調(diào)整為多個等級(例如強(qiáng)·中·弱的三個等級)的壓カ的次級高壓氣體分別輸出;切換閥 52ALi、52ASi、52Α&、52BLj、52BSj、52BRj,其用于相對于各浮起區(qū)域 ALi、ASi、ARi、BLj、BA、BRp將來自這些調(diào)節(jié)裝置46、48、50的三種次級高壓氣體的任ー個進(jìn)行單獨(dú)選擇;開閉閥 54ALi、54ASi、54Α&、54BLj、54BSj、54BRj,其用于對各浮起區(qū)域 ALi、ASi、ARi、BLj,BSj,BRj 內(nèi)的高壓氣體的噴出進(jìn)行単獨(dú)開啟 關(guān)閉;和控制器55,其對上述調(diào)節(jié)裝置、切換閥和開閉閥的各個進(jìn)行單獨(dú)控制。在該噴出壓カ控制部40中,通過上述的結(jié)構(gòu),能夠在每個浮起區(qū)域開啟·關(guān)閉高壓氣體的噴出,并且能夠使噴出壓カ變化為“強(qiáng)”、“中”、“弱”的三個程度(三個等級)。例如在浮起區(qū)域ALi中,使開閉閥54ALi開啟,當(dāng)將切換閥52ALi切換到調(diào)節(jié)裝置46時選擇“強(qiáng),,的噴出壓力,當(dāng)將切換閥52AU切換到調(diào)節(jié)裝置48時選擇“中”的噴出壓力,當(dāng)將切換閥52AU切換到調(diào)節(jié)裝置50時選擇“弱”的噴出壓力。當(dāng)關(guān)閉開閉閥54AU時,高壓空氣不從浮起區(qū)域ALi噴出。此外,在高’壓氣體流路網(wǎng)42的中途,例如在各開閉閥54ALP54ASP54ARP54BLJ、54BSj,54BRj與各浮起區(qū)域AL^ ASi, ARi, BLj, BSj, BRj之間設(shè)置有岐管(manifold)或者緩沖室(未圖示),用于以均一的壓カ將高壓空氣分配到分布在各浮起區(qū)域ALpASpARpBLpBSj, BRj內(nèi)的多個噴出口 12??刂破?5例如由微型計算機(jī)組成,在進(jìn)行上述噴出壓力控制部40內(nèi)的各部的控制之外,也進(jìn)行該抗蝕劑涂敷裝置內(nèi)的其它的機(jī)構(gòu)、例如抗蝕劑液供給部、基板搬送部等的控制,進(jìn)而在抗蝕劑涂敷處理中控制裝置整體的時序??刂破?5,與對組裝有該抗蝕劑涂敷處理裝置的上游系統(tǒng)(例如涂敷現(xiàn)像處理裝置)進(jìn)行統(tǒng)一控制的主機(jī)(未圖示)交換各種數(shù)據(jù)和信號。特別是,關(guān)于被搬入該抗蝕劑涂敷處理裝置的處理對象的基板G,例如以批次單位從主機(jī)接收基板的種類或者屬性(例如長度X寬度尺寸、厚度、材質(zhì)、基底膜的層順序·種類等)的信息??刂破?5,能夠基于這樣的屬性信息,通過規(guī)定的運(yùn)算法則,針對處理對象的基板G推定其浮起特性和彎曲情況。例如根據(jù)基板的尺寸、厚度、材質(zhì)等的數(shù)據(jù),求出平均単位面積的重量,能夠決定用于使該基板浮至所期望的浮起高度所需要的噴出壓力。另外,基板的彎曲主要是至此在基板上疊層形成的多個層(特別是金屬配線層)間的雙金屬(bimetal)效果引起產(chǎn)生的。所以,相應(yīng)于接收此次抗蝕劑涂敷處理的基底膜的層順序或者種類,彎曲的種類(方式)和程度會改變。當(dāng)從相反的觀點(diǎn)來講,基于關(guān)于基底膜的信息,能夠推定彎曲的種類(方式)和程度。但是,關(guān)于基板的彎曲,如圖3所示,例如能夠在浮起臺10的入ロ附近適當(dāng)?shù)卦O(shè)置光學(xué)式的彎曲檢測部56。該彎曲檢測部56在與搬送方向正交的水平方向(Y方向)上以一定間隔在一列上并排配置多個光學(xué)式距離傳感器58,通過從上述第一分類單元以水平狀態(tài)與X方向水平地移搬入到浮起臺10上的基板G在通過正下方時,通過那些多個光學(xué)式距離傳感器58以光學(xué)的掃描監(jiān)控基板G的ニ維的平坦度,能夠正確測定基板G的彎曲的種類(方式)和程度。彎曲檢測部56中的信號處理也可以由專用的計算回路進(jìn)行,或者控制器55也可以兼用。接著,參照圖6 圖11說明該實施方式中的噴出壓力控制部40的作用。此外,在以下的說明中,針對基板G浮起臺10的搬入?yún)^(qū)域Min的上方移動時的作用進(jìn)行敘述,但在搬出區(qū)域Motit的上方移動時也基本相同。作為第一例,如圖6A和圖6B所示,當(dāng)以均一的噴出壓力浮起時,設(shè)定具有以四條邊的周緣部比中心部低的方式下垂的彎曲的基板G,作為處理對象被搬入到浮起臺10上。在該情況下,當(dāng)基板G通過浮起搬送在搬入?yún)^(qū)域Min的上方移動時,以對基板G的四條邊的周緣部噴出高壓氣體的壓カ比對基板G的中心部噴出高壓氣體的壓カ相對變高的方式,在噴出壓力控制部40進(jìn)行使搬入?yún)^(qū)域Min內(nèi)的各浮起區(qū)域中的高壓氣體的噴出壓力配合基板G的移動能夠依次變化,或者進(jìn)行開啟·關(guān)閉的控制。所以,當(dāng)在浮起臺10上移動的基板G位于圖7的(a)所示的位置時,位于基板G的四條邊的周緣部的下方的浮起區(qū)域(AL2 AL9)、(AS2、AS3、AS8、AS9)、(AR2 AR9)內(nèi)的高壓氣體的噴出壓力例如被控制為“強(qiáng)”,位于基板G的中心部的下方的浮起區(qū)域(AS4 AS7)內(nèi)的高壓氣體的噴出壓力被控制為低一級的值,例如被控制為“中”。而且,在其它的浮起區(qū)域(AL1,ALltl AL12)、(AS1,ASltl AS12)、(AR1,ARltl AR12)內(nèi),高壓氣體的噴出被控制為關(guān)閉。在其之后,當(dāng)基板G位于圖7的(b)所示的位置時,在該時刻位于基板G的四條邊的周緣部的下方的浮起區(qū)域(AL3 ALltl)、(AS3、AS4、AS9、ASltl)、(AR3 ARltl)內(nèi)的高壓氣體的噴出壓力被控制為“強(qiáng)”,位于基板G的中心部的下方的浮起區(qū)域(AS5 AS8)內(nèi)的高壓氣體的噴出壓カ被控制為“中”。而且,在其它的浮起區(qū)域(ALpALpALn.AI^)、(ASpAS2.ASn、AS12)、(AR1, AR2^AR11, AR12)中,高壓氣體的噴出被控制為關(guān)閉。進(jìn)而,在其之后,當(dāng)基板G位于圖7的(C)所示的位置時,在該時刻位于基板G的四條邊的周緣部的下方的浮起區(qū)域(AL4 AL11)、(AS4、AS5、AS1Q、ASn)、(AR4 AR11)內(nèi)的高壓氣體的噴出壓力被控制為“強(qiáng)”,位于基板G的中心部的下方的浮起區(qū)域(AS6 AS9)內(nèi)的高壓氣體的噴出壓カ被控制為“中”。而且,在那些以外的浮起區(qū)域(AL1, AL2、AL3、AL12)、 (ASi、AS2、AS3、AS12)、(AR1, AR2> AR3> AR12)內(nèi),高壓氣體的噴出被控制為關(guān)閉。此外,在基板G較薄且較輕的情況下,也可以將位于基板G的中心部的下方的各浮起區(qū)域中的高壓氣體的噴出壓カ控制為“弱”,將位于基板G的四條邊的周緣部的下方的各浮起區(qū)域中的高壓氣體的噴出壓カ控制為“中”或者“強(qiáng)”。如上述方式,通過使高壓氣體對基板G的四條邊的周緣部的噴出壓力相對高于高壓氣體對基板G的中心部的噴出壓力,如圖6A和圖6B所示,也能夠獲得使基板G的四條邊的彎曲矯正至一定程度的效果。作為第二例,如圖8A和圖8B所示,設(shè)定當(dāng)以均一的噴出壓力浮起時,具有四條邊的周緣部從中心部向上提起那樣的彎曲的基板G,作為處理對象被搬入到浮起臺10上。在該情況下,當(dāng)基板G通過浮起搬送在搬入?yún)^(qū)域Min的上方移動時,按照高壓氣體對基板G的四條邊的周緣部的噴出壓力相對低于高壓氣體對基板G的中心部的噴出壓力的方式,在噴出壓カ控制部40進(jìn)行使搬入?yún)^(qū)域Min內(nèi)的各浮起區(qū)域中的高壓氣體的噴出壓力配合基板G的移動能夠依次變化,或者進(jìn)行開啟·關(guān)閉的控制。例如如圖9的(a)、(b)、(c)所示,進(jìn)行如下控制將位于基板G的中心部的下方的浮起區(qū)域(在圖9的(a)中為AS4 AS7)內(nèi)的高壓氣體的噴出壓カ控制為“強(qiáng)”,將位于基板G的四條邊的周緣部的下方的浮起區(qū)域(AL2 AL9、AS2、AS3、AS8, AS9、AR2 AR9)內(nèi)的高壓氣體的噴出壓力控制為“中”(或者“弱”),在除此之外的浮起區(qū)域(AL1, AL10 AL12、ASpAS10 AS12, AR1^ AR10 AR12)內(nèi),將高壓氣體的噴出關(guān)閉?;蛘?,在基板G較薄且較輕的情況下,也可以將位于基板G的中心部的下方的各浮起區(qū)域內(nèi)的高壓氣體的噴出壓カ控制為“中”,將位于基板G的四條邊的周緣部的下方的各浮起區(qū)域內(nèi)的高壓氣體的噴出壓力控制為“弱”。如上述的方式,通過使高壓氣體對基板G的四條邊的周緣部的噴出壓力相對低于高壓氣體對基板G的中心部的噴出壓力,如圖8A和圖8B所示,也能夠獲得使基板G的四條邊的彎曲矯正至一定程度的效果。作為第三例,雖然圖示省略,但設(shè)定當(dāng)以均一的噴出壓力浮起時,具有搬送方向的左右ニ條邊的周緣部比中心部向下下垂的彎曲的基板G,作為處理對象被搬入到浮起臺10上。在該情況下,當(dāng)基板G通過浮起搬送在搬入?yún)^(qū)域Min的上方移動時,按照高壓氣體對基板G的左右ニ條邊的周緣部的噴出壓力相對高于高壓氣體對基板G的中間部的噴出壓力的方式,在噴出壓力控制部40,進(jìn)行使搬入?yún)^(qū)域Min內(nèi)的各浮起區(qū)域中的高壓氣體的噴出壓力配合基板G的移動能夠依次變化,或者進(jìn)行開啟·關(guān)閉的控制。例如如圖10的(a)、(b)、(c)所示,進(jìn)行如下控制將位于基板G的左右ニ條邊的周緣部的下方的各浮起區(qū)域(在圖10的(a)中為AL2 AL9、AR2 AR9)內(nèi)的高壓氣體的噴出壓カ控制為“強(qiáng)”,將位于基板G的中間部的下方的各浮起區(qū)域(AS2 AS9)內(nèi)的高壓空氣的噴出壓カ控制為“中”(或者“弱”),在除此以外的浮起區(qū)域(ALpALltl ALmASpASici AS12、AR1、ARltl AR12)內(nèi),使高壓氣體的噴出關(guān)閉。作為第四例,雖然圖示省略,但設(shè)定當(dāng)以均一的噴出壓力浮起時,具有搬送方向的前后ニ條邊的周緣部比中心部向下下垂彎曲的基板G,作為處理對象被搬入浮起臺10上。 在該情況下,當(dāng)基板G通過浮起搬送在搬入?yún)^(qū)域Min的上方移動時,以高壓氣體對基板G的前后兩條邊的周緣部的噴出壓力相對高于高壓氣體對基板G的中間部的噴出壓力的方式,在噴出壓力控制部40進(jìn)行使搬入?yún)^(qū)域Min內(nèi)的各浮起區(qū)域中的高壓氣體的噴出壓力配合基板G的移動能夠依次變化,或者進(jìn)行開啟·關(guān)閉的控制。例如如圖11的(a) (b) (c)所示,進(jìn)行如下控制將位于基板G的前后兩條邊的周緣部的下方的浮起區(qū)域(在圖 11 的(a)中為 AL2、AL3、AL8、AL9、AS2、AS3、AS8、AS9、AR2、AR3、AR8, AR9)中的高壓氣體的噴出壓力控制為“強(qiáng)”,將位于基板G的中間部的下方的浮起區(qū)域(AL4 AL7、AS4 AS7、AR4 AR7)中的高壓氣體的噴出壓力控制為“中,,(或者“弱”),在除此以外的浮起區(qū)域(AL1, AL10 AL12、AS1, AS10 AS12、AR1^AR10 AR12)使高壓氣體的噴出關(guān)閉。這樣,對應(yīng)于基板G的被選擇的規(guī)定的部位(例如周緣部/中心部)是否在正上方或者其附近,通過使各個浮起區(qū)域中的高壓空氣的噴出壓力能夠變化,或者進(jìn)行開啟 關(guān)閉控制,能夠使浮起臺10上的基板G的浮起高度和其彎曲狀態(tài)的矯正力為最優(yōu)化,并且能夠提高用于浮起搬送的高壓氣體的消耗效率。所以,能夠改善涂敷處理的可靠性、可重復(fù)性和效率。圖12表示用于在涂敷區(qū)域Mct中將基板G的浮起高度(精密浮起高度)Ha保持為設(shè)定值的浮起壓カ控制機(jī)構(gòu)的ー個例子。在該浮起壓カ控制機(jī)構(gòu)中,高壓氣體供給源42經(jīng)由配管或者高壓氣體供給管60與浮起臺10的涂敷區(qū)域Mct專用的高壓氣體導(dǎo)入口 62連接,在該高壓氣體供給管60的中途設(shè)置有例如有電動氣動調(diào)節(jié)裝置組成的比例控制閥64。另ー方面,エ廠用電的真空源66經(jīng)由配管或者真空管68與涂敷區(qū)域Mct專用的真空導(dǎo)入口 70連接,在該真空管68的中途設(shè)置有導(dǎo)電閥(conductance valve) 72。還有,在浮起臺10安裝有光學(xué)式的距離傳感器74。該光學(xué)式距離傳感器74向正上方的基板G照射光束LB,接受來自基板G的下表面的反射光,根據(jù)該受光位置求出規(guī)定的測定基準(zhǔn)高度位置與基板G的下表面之間的距離,進(jìn)而求出基板G的浮起高度的測定值(Ha)。控制器55以其測定值(Ha)與精密浮起高度Ha的設(shè)定值一致的方式,控制比例控制閥64和導(dǎo)電閥72的開度。
在該實施方式中,如上述的方式,基板G的浮起高度和姿勢在搬入?yún)^(qū)域Min和搬出區(qū)域Mtot被最優(yōu)化,所以在涂敷區(qū)域Mct中用于使基板G的浮起高度(精密浮起高度)Ha與設(shè)定值匹配的浮起壓カ控制機(jī)構(gòu)的負(fù)擔(dān)被減輕。于是,在浮起壓カ控制機(jī)構(gòu)中消耗的高壓氣體的消耗效率和真空消耗效率也得以改善。(其它的實施方式或者變形例)以上,對本發(fā)明的適合的一個實施方式進(jìn)行了說明,但本發(fā)明并不限定于上述實施方式,在其技術(shù)思想的范圍內(nèi)能夠進(jìn)行各種變形。例如也能夠?qū)⑸鲜鰧嵤┓绞街械膰姵鰤毫刂撇?0變形為圖13所示的那樣的結(jié) 構(gòu)。該變形例,相對浮起臺10的左右兩端部的浮起區(qū)域AL1 ALm、AR1 AlUBL1 BLn、BR1 BRn),設(shè)置有公用的比例控制閥76。比例控制閥76例如由電動氣動調(diào)節(jié)裝置組成,在控制器55的控制下連續(xù)地輸出可變的次級高壓氣體。即使通過該變形例,也能夠?qū)崿F(xiàn)上述的第一 第四的噴出壓力控制法(圖7、圖9、圖10、圖11)。作為其它的實施例,也能夠使噴出壓カ控制部40為圖14所示的那樣的結(jié)構(gòu)。該結(jié)構(gòu)例,相對浮起臺10的左右兩端部的浮起區(qū)域AL1 AL1^AR1 AIUBL1 BL1^BR1 BRm)設(shè)置有公用的比例控制閥76,并且相對中間部的浮起區(qū)域AS1 ASJBS1 BSn)也設(shè)置有公用的比例控制閥78,該比例控制閥78例如也由電動氣動調(diào)節(jié)裝置組成,在控制器55的控制下連續(xù)地輸出可變的次級高壓氣體。采用該結(jié)構(gòu)例,如圖17所示,基板G通過浮起搬送在搬入?yún)^(qū)域Min(和搬出區(qū)域Mqut)的上方移動時,以聞壓氣體對基板G的左右兩個邊的周緣部的噴出壓力相對聞于或者相對低于高壓氣體對基板G的中間部的噴出壓力的方式,能夠在噴出壓カ控制部40進(jìn)行使搬入?yún)^(qū)域Min(和搬出區(qū)域Mtot)內(nèi)的各浮起區(qū)域中的高壓氣體的噴出壓力配合基板G的移動能夠依次變化,或者進(jìn)行開啟 關(guān)閉的控制。由此,對在搬送方向的左右兩端部與中間部之間的彎曲的基板G,能夠?qū)崿F(xiàn)浮起聞度和矯正カ的最優(yōu)化,并且提聞聞壓氣體的消耗效率。作為其它的實施例,如圖18所示的方式,也能夠?qū)⒏∑鹋_10的搬入?yún)^(qū)域Min(搬出區(qū)域Mott)的浮起面,僅在搬送方向(X方向)上劃分為多個浮起區(qū)域AP1NAP1^在該情況下,例如能夠如圖15所示的方式組成噴出壓カ控制部40。該結(jié)構(gòu),在上述的實施方式的結(jié)構(gòu)(圖5A)中相當(dāng)于中間部的浮起區(qū)域AS1 ASJBS1 BSn)的結(jié)構(gòu)部分。采用該結(jié)構(gòu)例,如圖18所示,當(dāng)基板G通過浮起搬送在搬入?yún)^(qū)域Min(和搬出區(qū)域Mout)的上方移動時,以高壓氣體對基板G的前后兩個邊的周緣部的噴出壓力相對高于或者相對低于高壓氣體對基板G的中間部的噴出壓力的方式,能夠在噴出壓カ控制部40進(jìn)行使搬入?yún)^(qū)域Min(和搬出區(qū)域Mtot)內(nèi)的各浮起區(qū)域中的高壓氣體的噴出壓力配合基板G的移動能夠依次變化,或者進(jìn)行開啟 關(guān)閉的控制。由此,對在搬送方向的前后兩端部與中間部之間的彎曲的基板G實現(xiàn)浮起聞度和矯正カ的最優(yōu)化,并且能夠提聞聞壓氣體的消耗效率。作為其它的實施例,也能夠使浮起臺10的搬入?yún)^(qū)域Min (搬出區(qū)域Mtm)的浮起面,如圖19所示的方式僅在與搬送方向正交的水平方向(Y方向)上劃分為多個浮起區(qū)域AL、AS、AR。在該情況下,例如能夠以如圖16所示的方式形成噴出壓力控制部40。該結(jié)構(gòu),在圖14的實施例中,將左右兩端的浮起區(qū)域AL1 AL1^AR1 AIUBL1 BL1^BR1 BRm)的開閉閥 54AL! 54ALm,54AR1 54ARm(54BL1 546^,546 54BRJ 匯集在比例控制閥 76的上游側(cè),置換為ー個開閉閥80,并且使中間部的浮起區(qū)域AS1-ASm(BS1-BSn)的開閉閥54AS! 54ASmGABS1 54BSn)匯集在比例控制閥78的上游側(cè),置換為ー個開閉閥82。采用該結(jié)構(gòu)例,如圖19所示,當(dāng)基板G通過浮起搬送在搬入?yún)^(qū)域Min(和搬出區(qū)域Mqut)的上方移動時,以聞壓氣體對基板G的左右兩個邊的周緣部的噴出壓力相對聞于或者相對低于高壓氣體對基板G的中間部的噴出壓力的方式,在噴出壓力控制部40能夠進(jìn)行使搬入?yún)^(qū)域Min (和搬出區(qū)域Mott)內(nèi)的各浮起區(qū)域中的高壓氣體的噴出壓カ變化的控制。由此,相對在搬送方向的左右兩端部與中間部之間彎曲的基板G,能夠?qū)崿F(xiàn)浮起高度和矯正カ的最優(yōu)化。在上述的實施方式中,涂敷區(qū)域Mct的浮起面在整個面混合設(shè)置噴出口 12和吸引ロ 14。但是,雖然圖示省略,但使涂敷區(qū)域Mct的左右兩端部為僅配置有噴出口 12的ー個或者多個浮起區(qū)域,也能夠與搬入?yún)^(qū)域Min和搬出區(qū)域Mtot中的左右兩端部的浮起區(qū)域同樣或者同列地進(jìn)行控制。上述的實施方式涉及用于IXD制造的抗蝕劑涂敷裝置,但本發(fā)明能夠適用于在被處理基板上涂敷處理液的任意的基板處理裝置。所以,作為本發(fā)明中的處理液,除了抗蝕劑液以外,例如也可以為層間絕緣材料、電介質(zhì)材料、配線材料等的涂敷液,也可以為顯影液和沖洗液等。還有,本發(fā)明也能夠適應(yīng)使用浮起臺的檢查裝置。在該情況下,上述實施方式中的涂敷區(qū)域置換為檢查區(qū)域,抗蝕劑噴嘴例如置換為光學(xué)式檢查器或者照相機(jī)等。本發(fā)明中的被處理基板并不限于LCD基板,也可是其它的平板顯示器用基板、半導(dǎo)體晶片、CD基板、玻璃基板、光掩模、印刷基板等。權(quán)利要求
1.一種基板浮起搬送方法,其通過從浮起臺的浮起面噴出的氣體的壓力使基板浮起在空中,并將浮起在空中的所述基板在所述浮起臺上在水平方向上搬送,該基板浮起搬送方法的特征在于 將所述浮起臺的浮起面劃分為多個浮起區(qū)域, 以根據(jù)所述基板的種類、屬性或彎曲狀態(tài)或所述基板的部位,使所述氣體的噴出壓力按各個所述浮起區(qū)域能夠獨(dú)立地變化,或者開啟 關(guān)閉的方式進(jìn)行控制。
2.如權(quán)利要求I所述的基板浮起搬送方法,其特征在于 所述浮起臺的浮起面,在搬送方向上被劃分為多個所述浮起區(qū)域。
3.如權(quán)利要求I所述的基板浮起搬送方法,其特征在于 所述浮起臺的浮起面,在與搬送方向交叉的水平方向上被劃分為多個所述浮起區(qū)域。
4.如權(quán)利要求I所述的基板浮起搬送方法,其特征在于 所述浮起臺的浮起面,在搬送方向和與搬送方向交叉的水平方向上被劃分為多個所述浮起區(qū)域。
5.如權(quán)利要求I 4中的任一項所述的基板浮起搬送方法,其特征在于 針對在搬送方向上并排配置的至少一組所述浮起區(qū)域,根據(jù)所述基板的被選擇的規(guī)定的部位是否在正上方或者在其附近,以使各個所述浮起區(qū)域中的高壓氣體的噴出壓力能夠變化,或者開啟 關(guān)閉的方式進(jìn)行控制。
6.如權(quán)利要求I 4中的任一項所述的基板浮起搬送方法,其特征在于 在所述浮起臺的至少一部分的區(qū)域中,以使得相對于所述基板的被選擇的規(guī)定部位的高壓氣體的噴出壓力比相對于所述基板的其它部位的高壓氣體的噴出壓力高的方式,進(jìn)行使所述區(qū)域內(nèi)的各個所述浮起區(qū)域中的高壓氣體的噴出壓力根據(jù)所述基板的移動依次變化,或者開啟 關(guān)閉的控制。
7.如權(quán)利要求6所述的基板浮起搬送方法,其特征在于 當(dāng)所述基板在其中心部與周緣部之間彎曲時,在所述浮起臺的至少一部分的區(qū)域中,以使得相對于所述基板的周緣部的高壓氣體的噴出壓力比相對于所述基板的中心部的高壓氣體的噴出壓力相對變高或者相對變低的方式,進(jìn)行使所述區(qū)域內(nèi)的各個所述浮起區(qū)域中的高壓氣體的噴出壓力配合所述基板的移動依次變化,或者開啟 關(guān)閉的控制。
8.如權(quán)利要求6所述的基板浮起搬送方法,其特征在于 當(dāng)所述基板在搬送方向的前后兩端部與中間部之間彎曲時,在所述浮起臺的至少一部分的區(qū)域中,以使得相對于所述基板的前后兩端部的高壓氣體的噴出壓力比相對于所述基板的中間部的高壓氣體的噴出壓力相對變高或者相對變低的方式,進(jìn)行使所述區(qū)域內(nèi)的各個所述浮起區(qū)域中的高壓氣體的噴出壓力根據(jù)所述基板的移動依次變化,或者開啟 關(guān)閉的控制。
9.如權(quán)利要求6所述的基板浮起搬送方法,其特征在于 當(dāng)所述基板在搬送方向的左右兩端部與中間部之間彎曲時,在所述浮起臺的至少一部分的區(qū)域中,以使得相對于所述基板的左右兩端部的高壓氣體的噴出壓力比相對于所述基板的中間部的高壓氣體的噴出壓力相對變高或者相對變低的方式,進(jìn)行使所述區(qū)域內(nèi)的各個所述浮起區(qū)域中的高壓氣體的噴出壓力根據(jù)所述基板的移動依次變化,或者開啟 關(guān)閉的控制。
10.如權(quán)利要求I 4中的任一項所述的基板浮起搬送方法,其特征在于 在所述浮起臺的至少一部分的區(qū)域中,根據(jù)所述基板的任意的部位是否在正上方或者其附近,進(jìn)行使所述區(qū)域內(nèi)的各個所述浮起區(qū)域中的高壓氣體的噴出壓力根據(jù)所述基板的移動能夠依次變化,或者開啟 關(guān)閉的控制。
11.一種基板浮起搬送裝置,其特征在于,包括 浮起臺,具有被劃分為多個浮起區(qū)域的浮起面,從所述浮起面噴出高壓的氣體,使基板浮在空中; 送出高壓氣體的高壓氣體供給源; 噴出壓力控制部,設(shè)置于所述高壓氣體供給源與多個所述浮起區(qū)域之間,根據(jù)所述基板的種類、屬性或者彎曲狀態(tài)或者所述基板的部位,進(jìn)行使高壓氣體的噴出壓力按各個所述浮起區(qū)域能夠獨(dú)立地變化,或者開啟 關(guān)閉的控制;和 基板搬送部,將浮在空中的所述基板以能夠裝卸的方式保持,并在所述浮起臺上搬送。
12.如權(quán)利要求11所述的基板浮起搬送裝置,其特征在于 所述浮起臺的浮起面,在搬送方向上被劃分為多個所述浮起區(qū)域。
13.如權(quán)利要求11所述的基板浮起搬送裝置,其特征在于 所述浮起臺的浮起面,在與搬送方向交叉的水平方向上被劃分為多個所述浮起區(qū)域。
14.如權(quán)利要求11所述的基板浮起搬送裝置,其特征在于 所述浮起臺的浮起面,在搬送方向和與搬送方向交叉的水平方向上被劃分為多個所述浮起區(qū)域。
15.如權(quán)利要求11 14中的任一項所述的基板浮起搬送裝置,其特征在于 所述噴出壓力控制部具有比例控制閥,該比例控制閥設(shè)置于在所述氣體流路網(wǎng)中向噴出壓力相同的一組所述浮起區(qū)域分配高壓氣體的第一流路,為了使供給至所述一組浮起區(qū)域的高壓氣體的噴出壓力能夠變化,對所述比例控制閥的開度進(jìn)行調(diào)節(jié)。
16.如權(quán)利要求11 14中的任一項所述的基板浮起搬送裝置,其特征在于 所述噴出壓力控制部具有多個調(diào)節(jié)裝置,該多個調(diào)節(jié)裝置并列設(shè)置于在所述氣體流路網(wǎng)中使噴出壓力相同的一組所述浮起區(qū)域內(nèi)對高壓氣體進(jìn)行分配的第一流路,為了使供給至所述一組浮起區(qū)域的高壓氣體的噴出壓力能夠變化,有選擇地使所述多個調(diào)節(jié)裝置中的任一個運(yùn)行。
17.如權(quán)利要求11 14中的任一項所述的基板浮起搬送裝置,其特征在于 所述噴出壓力控制部具有開閉閥,該開閉閥設(shè)置于在所述氣體流路網(wǎng)中將高壓氣體分配至各個所述浮起區(qū)域的第二流路,根據(jù)所述基板的被選擇的規(guī)定部位或者任意的部位是否在該浮起區(qū)域的正上方或者在其附近,對所述開閉閥進(jìn)行開啟 關(guān)閉的控制。
18.如權(quán)利要求11 14中的任一項所述的基板浮起搬送裝置,其特征在于 在各個所述浮起區(qū)域,以一定的密度設(shè)置有噴出高壓氣體的多個噴出口。
19.一種基板處理裝置,用于向基板上涂敷處理液,該基板處理裝置的特征在于,包括 權(quán)利要求11 14中的任一項所述的基板浮起搬送裝置; 噴嘴,在搬送方向的規(guī)定的位置配置于所述浮起臺的上方,向通過其正下方的所述基板噴出處理液;和處理液供給部,向所述噴嘴供給所述處理液。全文摘要
本發(fā)明提供一種基板浮起搬送方法,使浮起臺中的基板的浮起高度和姿勢最優(yōu)化,并改善浮起用高壓氣體的消耗效率。該抗蝕劑涂敷裝置中的浮起臺(10),在搬送方向上將在涂敷區(qū)域(MCT)的前后延伸的搬入?yún)^(qū)域(MIN)和搬出區(qū)域(MOUT)的浮起面各自劃分為多個浮起區(qū)域。在這些浮起面配置有多個噴出口(12)。各個浮起區(qū)域中的高壓氣體的噴出壓力通過噴出壓力控制部能夠進(jìn)行獨(dú)立地變化或者開啟·關(guān)閉控制。
文檔編號B65G43/00GK102674004SQ20121006186
公開日2012年9月19日 申請日期2012年3月9日 優(yōu)先權(quán)日2011年3月9日
發(fā)明者宮崎文宏, 稻益壽史 申請人:東京毅力科創(chuàng)株式會社