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      一種納米瓷電磁爐面板及其制備方法

      文檔序號(hào):4704842閱讀:204來(lái)源:國(guó)知局
      專利名稱:一種納米瓷電磁爐面板及其制備方法
      技術(shù)領(lǐng)域
      本發(fā)明涉及一種電磁爐面板的材料技術(shù),具體涉及一種具有高性能的電 磁爐用納米瓷板及其制備方法。
      背景技術(shù)
      現(xiàn)有電磁爐面板主要采用的微晶板,它主要由硅、鋁、鎂等材料晶化而 成,由于受材質(zhì)及工藝技術(shù)限制,產(chǎn)品耐機(jī)械沖擊和耐熱沖擊試驗(yàn)的合格率
      只有30%以下,表面多孔,無(wú)法在后期彌補(bǔ)修飾,并且其生產(chǎn)工藝相對(duì)復(fù)雜, 消耗大量能源,成本較高;而進(jìn)口的微晶玻璃板性能較好,但價(jià)格昂貴。如 申請(qǐng)?zhí)枮?9102411, 申請(qǐng)日為1999年2月9日,發(fā)明名稱為強(qiáng)化玻璃面 板電磁爐的專利申請(qǐng),它由面板、電磁爐機(jī)殼、內(nèi)部電器零件組成,其特征 在于上述的電磁爐的面板是采用厚度為O. 2至2厘米的強(qiáng)化玻璃(鋼化玻 璃)板,經(jīng)過(guò)切割、加工成各種形狀的電磁爐面板,成為強(qiáng)化玻璃面板電磁 爐,強(qiáng)化玻璃面板可以雙面、單面打磨或印花,也可以增加不透明的薄片隔 光、美化電磁爐表面,在強(qiáng)化玻璃面板上部安裝一個(gè)適應(yīng)于圓底鍋、平底鍋 的鍋架。此專利是采用市場(chǎng)上大量供應(yīng)的價(jià)格較低的強(qiáng)化玻璃(鋼化玻璃) 替代價(jià)格昂貴、部分需要進(jìn)口的微晶玻璃作為電磁爐的面板,在成本方面雖 然得到控制,但其耐熱性、耐破碎性等方面仍有待提高。

      發(fā)明內(nèi)容
      本發(fā)明的目的在于克服上述之不足,提供一種具有高耐熱性、耐摩擦、 硬度高等優(yōu)點(diǎn)的納米瓷電磁爐面板材料,同時(shí)提供制備該納米瓷電磁爐面板 材料的方法。
      本發(fā)明是通過(guò)如下技術(shù)方案來(lái)實(shí)現(xiàn)上述目的
      本發(fā)明納米瓷電磁爐面板,其特征在于,它主要由莫來(lái)石粉和耐火材料
      及添加劑制成,各組份按重量計(jì)百分比Si02 : 61 — 73、 Li20: 3. 0 — 5. 6 、 Ca0 : 0. 2 — 0. 6、 Mg0 : 0. 02 — 1. 5 、 A1203 : 20. 5 — 22. 5 、 Ti02 : 1. 6 — 3. 0 、 Zr02 : 1. 48 — 3. 6 、 P2Os: : 0. 3 — 1. 5 、 BaO: 2. 0 — 3. 5 、 ZnO: 1.2 — 2. 59、 As2 03 + Sa2 03 : 0. 5 — 1. 5、 B203 : 0. 5 — 2. 8和 KZO + Na20 : 0.1 —0.6。
      按上述各組份配制成配合料,經(jīng)過(guò)球磨、噴霧造粒、機(jī)械模壓成型,然 后焙燒,經(jīng)1400 — 1650 °C熔制,再經(jīng)450 — 800 °C核化處理0 . 5 — 4小時(shí),升溫到800 —950 °C晶化處理O . 5 — 4小時(shí)、浸漬、冷卻后拋 光、印刷,再抽檢、成品包裝入庫(kù)。
      所述耐火材料為氧化鋁、二氧化硅、氧化鎂。
      所述成品面板的厚度為4mm。
      采用上述配方組份的納米瓷電磁爐面板及其制備方法,由于有P205和 Bao的存在,利用PZ仇和BaO對(duì)晶體生長(zhǎng)速度的控制機(jī)理,生成大量的納 米級(jí)晶粒,由于納米級(jí)的晶粒比可見光的波長(zhǎng)小,光波可以繞過(guò)晶粒,所以 可見透明,如果熱處理過(guò)程中晶化溫度過(guò)高,超過(guò)950 °C ,則晶體生長(zhǎng)過(guò)大, 從而失透。本方法的微晶玻璃以Ti02 + Zr02為復(fù)合晶核劑,在此Li20 — A1203 —Si02系統(tǒng)下,通過(guò)450 — 800 。C核化處理及800 — 900 。C晶化 處理,將生成p-鏗輝石,p-鏗霞石主晶相,此晶相的膨脹系數(shù)為-20x10 7/ °C 一 10x10 "/°C 。另外由于制品中殘存微量的+膨脹玻璃相,均勻分布在 主晶相間隙間,相互作用,從而實(shí)現(xiàn)本產(chǎn)品的膨脹系數(shù)在一lOxlo —今"C 一 loxlo —今。C范圍內(nèi),達(dá)到低膨脹的目的??傊畠?yōu)點(diǎn)在于,本發(fā)明工藝所制 得的電磁爐面板,表面硬度高,硬度達(dá)到8 9H,耐摩擦,高透明,耐熱性好 (達(dá)600C 700C),疏水防潮、防污,耐大氣老化,耐輻射,環(huán)保無(wú)毒,加 熱表面無(wú)氣體揮發(fā),不沾水、粘油,還具有優(yōu)異的電氣絕緣性能,其高頻電
      性能也很突出,它可作為進(jìn)口微晶玻璃板的替代品,成本低,具有良好的推
      廣價(jià)值。
      具體實(shí)施例方式
      本發(fā)明納米瓷電磁爐面板,它主要由莫來(lái)石粉和耐火材料及添加劑制成,
      所述耐火材料為氧化鋁、二氧化硅、氧化鎂,其化學(xué)組份重量比為,Si02:63、 L i20 : 3 . 8 、 CaO :0.3、 MgO : 0 . 04 、 A1203: 22 . 15、 Ti02: 2 68 、 Zr02 : 1 . 48、 P2Os :1.0、 BaO : 2 29、 ZnO :1.3、 As2 03 + Sa2 03: 1 . 16 、 B203: 0.5和KZO + Na2O:0.3;
      莫來(lái)石粉經(jīng)過(guò)球磨機(jī)球磨、噴霧造粒、機(jī)械模壓成型,然后焙燒,經(jīng)1650 °C熔制,再經(jīng)800 °C核化處理2小時(shí),升溫到90(TC晶化處理0.5小時(shí)、 浸漬、冷卻后表面經(jīng)機(jī)械拋光、印刷,再抽檢、合格成品包裝入庫(kù)即可。 所述成品面板的厚度為4mm,承重18kg,耐熱沖擊800'c。 上述成品經(jīng)試驗(yàn),在自由落體跌落試驗(yàn)3次不裂,將面板加熱至60。C后
      立即置入4。C水中3次不裂,表面光潔度達(dá)95%,其他耐摩擦,耐大氣老化, 耐輻射,環(huán)保無(wú)毒等方面性能指標(biāo),均能達(dá)到要求。
      權(quán)利要求
      1、一種納米瓷電磁爐面板,其特征在于,它主要由莫來(lái)石粉和耐火材料及添加劑制成,各組份按重量計(jì)百分比SiO261-73、Li2O3.0-5.6、CaO0.2-0.6、MgO0.02-1.5、Al2O320.5-22.5、TiO21.6-3.0、ZrO21.48-3.6、P2O50.3-1.5、BaO2.0-3.5、ZnO1.2-2.59、As2O3+Sa2O30.5-1.5、B2O30.5-2.8和KZO+Na2O0.1-0.6;所述耐火材料為氧化鋁、二氧化硅、氧化鎂。
      2、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的納米瓷電磁爐面板,其特征在于,所述面板的 厚度為4mm。
      3、 一種制備權(quán)利要求l-2任一項(xiàng)所述的納米瓷電磁爐面板的方法,其特 征在于它包括如下步驟,按上述各組份配制成配合料,經(jīng)過(guò)球磨、噴霧造 粒、機(jī)械模壓成型,然后焙燒,經(jīng)1400 — 1650 °C熔制,再經(jīng)450 — 800 。C 核化處理0 . 5 — 4小時(shí),升溫到800 — 950 °C晶化處理0 . 5 — 4小 時(shí)、浸漬、冷卻后拋光、印刷,再抽檢、成品包裝入庫(kù)。
      全文摘要
      本發(fā)明公開了一種納米瓷電磁爐面板及其制備方法,其特征在于,它主要由莫來(lái)石粉和耐火材料及添加劑制成,各組份按重量計(jì)百分比SiO<sub>2</sub>61-73、Li<sub>2</sub>O3.0-5.6、CaO0.2-0.6、MgO0.02-1.5、Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>20.5-22.5、TiO<sub>2</sub>1.6-3.0、ZrO<sub>2</sub>1.48-3.6、P<sub>2</sub>O<sub>5</sub>0.3-1.5、BaO2.0-3.5、ZnO1.2-2.59、As<sub>2</sub>O<sub>3</sub>+Sa<sub>2</sub>O<sub>3</sub>0.5-1.5、B<sub>2</sub>O<sub>3</sub>0.5-2.8和KZO+Na<sub>2</sub>O0.1-0.6;所述耐火材料為氧化鋁、二氧化硅、氧化鎂。所述面板的厚度為4mm。它包括如下步驟制成,原料經(jīng)過(guò)球磨、噴霧造粒、機(jī)械模壓成型,然后焙燒、浸漬、拋光、印刷,再抽檢、成品包裝入庫(kù)。本發(fā)明方法生產(chǎn)的納米瓷電磁爐面板具有高耐熱性、耐摩擦、硬度高等優(yōu)點(diǎn)。
      文檔編號(hào)F24C7/02GK101191624SQ20061012363
      公開日2008年6月4日 申請(qǐng)日期2006年11月20日 優(yōu)先權(quán)日2006年11月20日
      發(fā)明者于志民, 良 張 申請(qǐng)人:張 良;于志民
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