本發(fā)明屬于能源技術領域，特別涉及一種冷輻射板、冷輻射系統(tǒng)。

背景技術：

近年來，室內空調的溫度與濕度分離的想法逐漸發(fā)展，溫濕度獨立控制的空調系統(tǒng)已被證明是一種高效、節(jié)能的系統(tǒng)。其中，輻射吊頂是這一系統(tǒng)的主要部分?，F(xiàn)有的輻射吊頂一般為冷水輻射板，其設置在室內的天花板上，采用循環(huán)冷凍水為媒介，利用一套冷水機組為其提供冷卻水，通過泵循環(huán)至全樓輻射板中水管進行換熱，從而對室內人員、設備、周圍墻面及地面進行冷輻射，調節(jié)室內溫度，達到制冷的效果。由于其具備節(jié)能、良好的舒適度、無吹風感、改善室內空氣品質、降低峰值能耗、節(jié)省建筑空間等優(yōu)點，因此受到了越來越多的關注。

現(xiàn)有的冷水輻射板上一般布滿了毛細管網。冷水通過輻射板上的毛細管網降低整個冷輻射板溫度，從而使得冷輻射板與室內空氣進行換熱，降低室內的溫度。然而應用上述這種冷水輻射板的空調系統(tǒng)卻具有以下劣勢：(一)必須有高溫冷水機組和其配套制冷機房；(二)小溫差供冷時，部分工程中僅設置一套低溫冷水機組，通過混水實現(xiàn)高溫供水，冷機角度并未實現(xiàn)節(jié)能；(三)常規(guī)高溫冷水機組受電機大小、壓縮機供油等限制，蒸發(fā)溫度不能過高，系統(tǒng)壓差不能過小，由此導致高溫冷水機組在更低冷卻水溫度或者更高冷凍水溫度要求情況下COP(Coefficient of Performance，性能系數(shù))提升受限；(四)需要一套冷凍水系統(tǒng)加一套冷卻水系統(tǒng)，水路復雜。由于上述劣勢的存在，使得應用冷水輻射板的空調系統(tǒng)實現(xiàn)較為復雜，難以廣泛應用到實際生活中。

同時，這種采用冷水輻射板的空調系統(tǒng)常常需要提前一個小時開啟除濕模塊，以避免室內結露。但當面對室內瞬變的濕負荷時，例如突然開門開窗室外的熱濕空氣進入時，由于空調系統(tǒng)無法對當前的濕度進行迅速調節(jié)，因此在輻射板上容易出現(xiàn)結露并滴水的現(xiàn)象，影響人們在室內的正常工作生活。

技術實現(xiàn)要素：

本發(fā)明提供了一種冷輻射板，將其應用于冷輻射系統(tǒng)中，用以克服現(xiàn)有的應用冷水輻射板的系統(tǒng)實現(xiàn)較為復雜，很難大批量應用生產的缺陷。

第一方面，本發(fā)明提供了一種冷輻射板，包括依次設置的輻射層、半導體制冷層以及冷卻水循環(huán)層；

其中，

所述半導體制冷層包括若干個半導體制冷結構，各半導體制冷結構包括冷端和熱端；所述冷端朝向所述輻射層，用于在通電后吸收輻射層的熱量；所述熱端朝向所述冷卻水循環(huán)層，用于在通電后在冷卻水循環(huán)層的作用下進行散熱。

可選地，所述半導體制冷結構均勻分布在所述半導體制冷層上。

可選地，在所述半導體制冷層上，所述半導體制冷結構分布的密度為每平方米50-200個。

可選地，所述冷水循環(huán)層包括冷卻水循環(huán)通道，還包括與冷卻水循環(huán)通道相連通，用于與外界冷卻水供給裝置相連的接口。

第二方面，本發(fā)明提供了一種冷輻射系統(tǒng)，包括：冷輻射板、水循環(huán)單元、電流控制單元；所述冷輻射板為上述所述的冷輻射板；

所述水循環(huán)單元，用于為所述冷輻射板中的冷卻水循環(huán)層提供循環(huán)流動的冷卻水；

所述電流控制單元，用于向所述半導體制冷結構通電，以使所述半導體制冷結構在所述電流控制單元的控制下吸收輻射層的熱量；其中所述輻射層中的熱量，為輻射層吸收的所述冷輻射系統(tǒng)所在室內的熱量。

可選地，所述水循環(huán)單元，包括冷卻水回路、冷卻塔以及冷卻塔閥門；

所述冷卻塔，用于存儲冷卻水；

所述冷卻水回路的第一端與冷卻水循環(huán)層相連，第二端通過冷卻塔閥門與冷卻塔相連，用于在冷卻塔閥門開啟時將所述冷卻塔與所述冷卻水循環(huán)層連通，以使冷卻水在冷卻塔以及冷卻水循環(huán)層中流動。

可選地，所述水循環(huán)單元還包括冷機以及冷機閥門；

所述冷機，用于制備高溫冷水；

所述冷卻水回路的第三端通過冷機閥門與冷機，用于在冷卻塔閥門關閉、冷機閥門開啟時，將所述冷機與所述冷卻水循環(huán)層連通，以使所述冷機向所述冷卻水循環(huán)層供給制備的高溫冷水。

可選地，所述電流控制單元包括控制模塊以及分布式蓄電模塊；

所述控制模塊，用于控制向所述半導體制冷結構通電的電流大?。?/p>

所述分布式蓄電模塊，用于儲蓄電能并為所述控制模塊供電。

第三方面，本發(fā)明提供了一種冷輻射系統(tǒng)的控制方法，其中，待控制的冷輻射系統(tǒng)為上述所述的冷輻射系統(tǒng)，所述方法包括：

所述電流控制單元獲取所述冷輻射系統(tǒng)所在的室內當前的室內溫度和室內濕度；

所述電流控制單元在判斷獲知所述室內當前的室內溫度高于預設的溫度閾值時，開始向所述冷輻射板中的半導體制冷結構通電，并根據所述室內溫度以及室內濕度得到所述室內空氣的結露點溫度；

所述電流控制單元通過控制向所述半導體制冷結構通電的電流大小，調整所述半導體制冷結構吸收輻射層熱量的強度；其中，所述吸收輻射層熱量的強度，為使得所述冷輻射板的輻射層表面溫度高于所述結露點溫度的強度。

所述吸收輻射層熱量的強度為使得所述輻射層表面溫度高于所述結露點溫度0-2攝氏度。

本發(fā)明提供的冷輻射板，利用設置在半導體制冷層中的若干個半導體制冷結構進行制冷，從而無需再設置用于使冷水流動的毛細管網，使得整個冷輻射板的結構簡單易實現(xiàn)，易于批量生產。此外，將該冷輻射板應用于冷輻射系統(tǒng)中時，冷輻射系統(tǒng)無需再設置較多大功率的配套設備，節(jié)能環(huán)保低功耗，使得冷輻射系統(tǒng)能夠廣泛應用到實際生活中。

附圖說明

為了更清楚地說明本發(fā)明實施例或現(xiàn)有技術中的技術方案，下面將對實施例描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些示例，對于本領域普通技術人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下，還可以根據這些附圖獲得其他的附圖。

圖1是本發(fā)明提供的冷輻射板結構示意圖；

圖2是本發(fā)明提供的一種冷輻射系統(tǒng)結構示意圖；

圖3是本發(fā)明提供的一種冷輻射系統(tǒng)具體結構示意圖；

圖4是本發(fā)明提供的一種冷輻射系統(tǒng)控制方法流程圖。

具體實施方式

下面將結合本發(fā)明實施例中的附圖，對本發(fā)明實施例中的技術方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例僅僅是本發(fā)明一部分實施例，而不是全部的實施例?；诒景l(fā)明中的實施例，本領域普通技術人在沒有作出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都屬于本發(fā)明保護的范圍。

第一方面，本發(fā)明提供了一種冷輻射板，包括依次設置的輻射層、半導體制冷層以及冷卻水循環(huán)層，

其中，

所述半導體制冷層包括若干個半導體制冷結構，各半導體制冷結構包括冷端和熱端；所述冷端朝向所述輻射層，用于在通電后吸收輻射層的熱量；所述熱端朝向所述冷卻水循環(huán)層，用于在通電后在冷卻水循環(huán)層的作用下進行散熱。

本發(fā)明提供的冷輻射板，利用設置在半導體制冷層中的若干個半導體制冷結構進行制冷，從而無需再設置用于使冷水流動的毛細管網，使得整個冷輻射板的結構簡單易實現(xiàn)，易于批量生產。此外，將該冷輻射板應用于冷輻射系統(tǒng)中時，冷輻射系統(tǒng)無需再設置較多大功率的配套設備，節(jié)能環(huán)保低功耗，使得冷輻射系統(tǒng)能夠廣泛應用到實際生活中。

在具體實施時，本發(fā)明提供的冷輻射板可以具有多種實現(xiàn)方式。下面結合附圖對其中幾種實現(xiàn)方式進行具體說明。

如圖1所示，本發(fā)明實施例的冷輻射板包括依次設置的輻射層1、半導體制冷層2以及冷卻水循環(huán)層3。

其中，半導體制冷層2包括若干個半導體制冷結構4。每一個半導體制冷結構4均可以包括冷端4a和熱端4b。其中，冷端4a朝向輻射層1，用于在通電后吸收輻射層1的熱量；熱端4b朝向冷卻水循環(huán)層3，用于在通電后在冷卻水循環(huán)層3的作用下進行散熱。

需要說明的是，上述通過半導體進行制冷的主要依據為帕爾貼效應。帕爾貼效應的具體內容為：當兩種不同導體組成閉合回路并通直流電時，其連接處就會出現(xiàn)一端冷、一端熱的現(xiàn)象。因此在實際應用中，這里的半導體制冷結構4可以一對半導體制冷臂對(又稱PN結對)，每一對中包含兩種不同的導體，且這兩種導體之間組成了閉合回路。當然，還可能這里的半導體制冷結構4還可以通過其他方式實現(xiàn)，只要能夠產生冷端和熱端的半導體制冷結構4的方案均落入本發(fā)明的保護范圍之內。

在具體實施時，為了使得冷輻射板表面溫度均勻，這里的半導體制冷結構均勻分布在半導體制冷層上。優(yōu)選地，所述半導體制冷結構分布的密度為每平方米50-200個，也即每平方米的半導體制冷層中可以包含的50-200個半導體制冷結構。

具體來說，現(xiàn)有技術中，一般在生產半導體制冷板時，均是將半導體制冷片直接粘在金屬板上(其中，這里的制冷片為成品制冷片，每片的規(guī)格為40mm*40mm，每片上包含127對的PN結，其冷量能夠達到5000W/m²以上)。由于每個半導體制冷片的冷量大，因此貼附在金屬板上的貼片數(shù)量較少，然而這樣會導致輻射板表面溫度不均勻，在輻射板上的冷點易出現(xiàn)結露滴水的現(xiàn)象。且5000W/m²以上的冷量對于室內降溫來說是遠遠高于室內降溫需求的，導致整塊輻射板的冷量與室內顯熱冷負荷不匹配，造成資源的浪費。

為了克服這一缺陷，本發(fā)明提供的冷輻射板采用一種低分布密度的PN結對的排布方式。通過降低PN結的分布密度并將其均勻設置在輻射板，將現(xiàn)有技術中的每40mm*40mm上127對的PN結的分布密度降低至每平方米50-200對PN結的分布密度，從而使得整塊輻射板的冷量與室內顯熱冷負荷匹配。且輻射板表面溫度均勻，不易出現(xiàn)結露現(xiàn)象。同時，降低了PN結的對數(shù)使得冷輻射板的批量生產變得簡單易實現(xiàn)。此外，采用上述PN結排布的方式只需通過設計PN結的厚度、截面積固定電阻，即可配備外接電源對PN結進行控制，能夠得到較高的制冷效率。

在具體實施時，上述實施例中，冷輻射板中的冷水循環(huán)層可以有多種實施方式。例如，如圖1所示可以包括冷卻水循環(huán)通道5，還包括與冷卻水循環(huán)通道5相連通、用于與外界冷卻水供給裝置相連的接口6。

本發(fā)明提供的冷輻射板中采用水冷換熱，比起常見的風冷散熱、熱管散熱來講，結構緊湊，且設計簡單易實現(xiàn)，進一步降低了冷輻射板的生產難度。

其中，這里的冷卻水循環(huán)通道5的通道直徑可以按設計需求選取，例如可以為2cm。采用直徑為2cm的流道能夠在滿足散熱要求的同時還能避免出現(xiàn)堵塞，從而有效降低熱端溫度，提高制冷效率。當然，這里的通道直徑也可以根據情況做相應的更改，本發(fā)明對此不作具體限定。

第二方面，本發(fā)明還提供了一種冷輻射系統(tǒng)，如圖2所示，包括：冷輻射板21、水循環(huán)單元22、電流控制單元23。這里的冷輻射板即為上述所述的冷輻射板；

其中，水循環(huán)單元22用于為冷輻射板21中的冷卻水循環(huán)層提供循環(huán)流動的冷卻水；電流控制單元23用于向半導體制冷結構通電，以使半導體制冷結構在電流控制單元的控制下吸收輻射層的熱量；其中輻射層中的熱量，為輻射層吸收的冷輻射系統(tǒng)所在室內的顯熱熱量。

需要說明的是，這里的顯熱熱量是指室內隨著潮濕空氣的溫度變化而吸收或放出的熱量。除顯熱熱量之外，室內的熱量中還包括潛熱熱量。而潛熱熱量是指室內隨著潮濕空氣中的水蒸氣濃度的變化有關的熱量。具體來說，能使人們有明顯的冷熱變化感覺，通?？捎脺囟扔嫓y量出來的熱量叫顯熱(如將水從20℃的升高到80℃所吸收到的熱量)。而物體吸收或放出熱量過程中，其相態(tài)發(fā)生變化(如氣體變成液體等)，但溫度不發(fā)生變化，這種吸收或放出的熱量叫潛熱。潛熱不能用溫度計測量出來，人體也無法感覺到。由于冷輻射系統(tǒng)對室內進行輻射最終的目的是使得位于該室內的人們感覺到溫度下降，因此可以理解的是輻射層中的熱量為必然為顯熱熱量。

在具體實施時，這里的水循環(huán)單元22以及電流控制單元23可以有多種實施方式，下面結合附圖對其中幾種實施方式進行詳細說明。

如圖3所示，上述實施例中的水循環(huán)單元可以包括冷卻水回路221、冷卻塔222以及冷卻塔閥門223。其中，冷卻塔222用于存儲冷卻水；冷卻水回路221的第一端與冷輻射板21冷卻水循環(huán)層相連，第二端通過冷卻塔閥門與冷卻塔222相連，用于在冷卻塔閥門223開啟時將冷卻塔222與冷卻水循環(huán)層連通，以使冷卻水在冷卻塔以及冷卻水循環(huán)層中流動，從而通過流動的冷卻水將冷輻射板21半導體制冷結構的熱量帶走，實現(xiàn)半導體制冷結構的散熱。

進一步地，在具體實施時，本發(fā)明實施例提供的冷輻射系統(tǒng)中水循環(huán)單元還包括冷機224以及冷機閥門225。

其中，冷機224(也即冷水機組)用于通過制備高溫冷水；冷卻水回路的221第三端通過冷機閥門與冷機，用于在冷卻塔閥門關閉、冷機閥門開啟時，將冷機與冷卻水循環(huán)層連通，以使冷機向冷卻水循環(huán)層供給制備的高溫冷水。

由于冷輻射板中的半導體材料的最優(yōu)制冷效率會隨著冷熱端溫差降低指數(shù)升高(非線性)，也即溫差越小制冷效率越高。故而為了提高制冷效率，可以使用冷機224單獨對冷卻水進行進一步降溫。降溫過程中，冷機保持較高制冷效率，使得半導體制冷結構中的靠近冷水循環(huán)層的熱端的溫度被逐漸較高低，從而使得冷端與熱端的溫差進一步減小，提高半導體制冷結構的制冷效率。

需要說明的是，這里的高溫冷水特指20～30℃之間的冷水。

在具體實施時，上述實施例中的電流控制單元23可以包括控制模塊231以及分布式蓄電模塊；

其中，控制模塊231可以用于控制向半導體制冷結構通電的電流大?。环植际叫铍娔K包括蓄電池232以及蓄電池充電部件233，用于儲蓄電能并為控制模塊供電。

可以理解的是，在現(xiàn)實生活中，夜晚器件大部分的用電設備均為關閉狀態(tài)，因此白天與夜晚的供電峰負荷會存在著巨大的峰谷差。我國的發(fā)電能源以煤為主，然而現(xiàn)有燃煤電廠缺少迅速變負荷的能力，導致白天尖峰負荷時需多發(fā)電，而夜間多發(fā)的電則白白消耗掉?；诖?，本發(fā)明提供的冷輻射系統(tǒng)通過分布式蓄電模塊能夠在夜間進行充電，白天利用前一夜儲蓄的電進行工作，從而以充蓄電的方式合理利用電能，有效減少電力資源的浪費。

第三方面，本發(fā)明還提供了一種冷輻射系統(tǒng)的控制方法。其中，待控制的冷輻射系統(tǒng)為上述所述的冷輻射系統(tǒng)，該方法包括：

S1、電流控制單元獲取所述冷輻射系統(tǒng)所在的室內當前的室內溫度t和室內濕度rh；

S2、電流控制單元在判斷獲知室內當前的室內溫度t高于預設的溫度閾值t_set時，電流控制單元開始向冷輻射板中的半導體制冷結構通電，也即開啟冷輻射制冷模式，并同時根據室內溫度t以及室內濕度rh得到室內空氣的結露點溫度t₁；

同時，電流控制單元還獲取當前冷輻射板的輻射層表面溫度t₂；

S3、電流控制單元通過控制向半導體制冷結構通電的電流大小，調整半導體制冷結構吸收輻射層熱量的強度；其中，吸收輻射層熱量的強度，為使得冷輻射板的輻射層表面溫度t₂高于結露點溫度t₁的強度。

本發(fā)明通過上述方法無論室內的熱量、含濕量如何變化，始終能夠保持輻射層表面溫度t₂高于結露點溫度t₁。從而避免冷輻射板結露滴水現(xiàn)象的發(fā)生。且當室內產熱產濕突然增加，由于半導體制冷結構所產生的冷量可以隨著電流變化迅速增加或減少，因此本發(fā)明提供的控制方法能根據室內溫濕度的變化進行相應的靈敏變化，能夠有效解決瞬變負荷帶來的結露問題。

可以理解的是，在步驟S2中，若電流控制單元根據判斷獲知室內當前的室內溫度t低于或等于預設的溫度閾值t_set，則電流控制單元向半導體制冷結構通電的電流I為0，也即關閉冷輻射制冷模式。

在具體實施時，這里的吸收輻射層熱量的強度可以為使得輻射層表面溫度高于結露點溫度0-2℃的吸收輻射層熱量的強度，優(yōu)選地，為高于結露點溫度1℃的吸收輻射層熱量的強度。這樣做的好處是，能夠在保證避免出現(xiàn)結露現(xiàn)象的同時除掉盡可能多的室內顯熱負荷，進而提高制冷效率。

為便于理解，下面結合附圖對冷輻射系統(tǒng)控制方法進行完整詳細的描述。

為了確定通入半導體制冷結構的電流與半導體制冷結構制冷能力的關系，在開啟冷輻射板制冷功能之前，可以預先測出的冷輻射板的表面溫度與通入半導體制冷結構的電流大小的關系，設置模擬量輸入上下限，即測試出模擬量電流該變化大小與輻射板表面溫度變化大小的一一對應關系，依此設定溫度達到多少的時候需要如何調節(jié)，用以確定電流變化量。之后再根據這一對應關系，通過控制通入半導體制冷結構的電流的大小調節(jié)半導體制冷結構制冷能力。

參見圖4，首先，冷輻射系統(tǒng)中的電流控制單元會獲取該系統(tǒng)所在的室內的當前室內溫度t和室內濕度rh。在獲取室內溫度t之后電流控制單元會將其與預設的溫度閾值t_set相比較。若t<t_set，則認為此時室內溫度較低，無需向室內供冷，此時向半導體制冷結構通入的電流I的大小為0；若t>t_set，則認為目前的室內溫度較高，需要向室內供冷。此時開啟冷輻射板，也即開始向半導體制冷結構通電。

在開始向半導體制冷通電之后，為了向半導體制冷結構通入大小合適電流，使得冷輻射板能夠在不發(fā)生結露現(xiàn)象的同時除去盡可能多的室內顯熱負荷，此時電流控制單元根據之前獲得的室內溫度t和室內濕度rh，由預設的公式計算出當前室內的空氣結露點溫度t₁。同時電流控制單元還會獲取冷輻射板的輻射層表面溫度t₂。

可以理解的是，為了避免冷輻射板上出現(xiàn)結露現(xiàn)象，冷輻射板的輻射層表面溫度t₂必須要高于空氣結露點溫度t₁。但如果輻射層表面溫度t₂過高，則勢必會影響其制冷效果。因此只有t₂略高于t₁的情況下是較為合適的，也即t₂>t₁+Δt，其中Δt為一個較小的溫度差值，其范圍可以為0-2℃，為方便起見，一般將Δt設置為1℃。

因此，電流控制單元需要根據上述原則控制通入半導體制冷結構的電流I的大小。電流控制單元會周期性判斷t₂與t₁的大小關系。若判斷獲知當前時刻的t₂>t₁+1，則認為當前的狀態(tài)不會出現(xiàn)結露現(xiàn)象，且還能夠盡可能多的除去室內顯熱，能夠達到一個較高的制冷效率，因此此時無需調整電流，只需保持當前電流大小I與上一檢測時刻的電流I_{_last}相同即可，并將電流I通入至冷輻射板中；若判斷獲知當前時刻的t₂≤t₁+1，則認為當前的狀態(tài)冷輻射板溫度偏低，容易出現(xiàn)結露現(xiàn)象，因此此時需要減小，使其大小由上一檢測時刻的I_{_last}降低ΔI，再將減小后的電流輸入至冷輻射板中。

其中，這里的室內溫度t和室內濕度rh可以通過設置在房間內的溫濕度傳感器獲得。這里的冷輻射板的輻射層表面溫度t₂可以通過設置在冷輻射板上的溫度傳感器獲得。當然上述溫度或濕度參數(shù)還可以通過其他方式獲得，本發(fā)明對此不作具體限定。

此外，上述方法實施例中，電流控制單元可以通過單片機或計算機來實現(xiàn)，也即通入半導體制冷結構的電流可以通過單片機或計算機來控制，本發(fā)明對此不作詳細介紹。

在此處所提供的說明書中，說明了大量具體細節(jié)。然而，能夠理解，本發(fā)明的實施例可以在沒有這些具體細節(jié)的情況下實踐。在一些實例中，并未詳細示出公知的方法、結構和技術，以便不模糊對本說明書的理解。

類似地，應當理解，為了精簡本公開并幫助理解各個發(fā)明方面中的一個或多個，在上面對本發(fā)明的示例性實施例的描述中，本發(fā)明的各個特征有時被一起分組到單個實施例、圖、或者對其的描述中。然而，并不應將該公開的方法解釋成反映如下意圖：即所要求保護的本發(fā)明要求比在每個權利要求中所明確記載的特征更多的特征。更確切地說，如下面的權利要求書所反映的那樣，發(fā)明方面在于少于前面公開的單個實施例的所有特征。因此，遵循具體實施方式的權利要求書由此明確地并入該具體實施方式，其中每個權利要求本身都作為本發(fā)明的單獨實施例。

本領域那些技術人員可以理解，可以對實施例中的設備中的模塊進行自適應性地改變并且把它們設置在與該實施例不同的一個或多個設備中?？梢园褜嵤├械哪K或單元或組件組合成一個模塊或單元或組件，以及此外可以把它們分成多個子模塊或子單元或子組件。除了這樣的特征和/或過程或者單元中的至少一些是相互排斥之外，可以采用任何組合對本說明書(包括伴隨的權利要求、摘要和附圖)中公開的所有特征以及如此公開的任何方法或者設備的所有過程或單元進行組合。除非另外明確陳述，本說明書(包括伴隨的權利要求、摘要和附圖)中公開的每個特征可以由提供相同、等同或相似目的的替代特征來代替。

此外，本領域的技術人員能夠理解，盡管在此的一些實施例包括其它實施例中所包括的某些特征而不是其它特征，但是不同實施例的特征的組合意味著處于本發(fā)明的范圍之內并且形成不同的實施例。例如，在下面的權利要求書中，所要求保護的實施例的任意之一都可以以任意的組合方式來使用。

應該注意的是上述實施例對本發(fā)明進行說明而不是對本發(fā)明進行限制，并且本領域技術人員在不脫離所附權利要求的范圍的情況下可設計出替換實施例。在權利要求中，不應將位于括號之間的任何參考符號構造成對權利要求的限制。單詞“包含”不排除存在未列在權利要求中的元件或步驟。位于元件之前的單詞“一”或“一個”不排除存在多個這樣的元件。本發(fā)明可以借助于包括有若干不同元件的硬件以及借助于適當編程的計算機來實現(xiàn)。在列舉了若干裝置的單元權利要求中，這些裝置中的若干個可以是通過同一個硬件項來具體體現(xiàn)。單詞第一、第二、以及第三等的使用不表示任何順序。可將這些單詞解釋為名稱。

最后應說明的是：以上實施例僅用以說明本發(fā)明的技術方案，而非對其限制；盡管參照前述實施例對本發(fā)明進行了詳細的說明，本領域的普通技術人員應當理解：其依然可以對前述各實施例所記載的技術方案進行修改，或者對其中部分技術特征進行等同替換；而這些修改或者替換，并不使相應技術方案的本質脫離本發(fā)明各實施例技術方案的精神和范圍。