本發(fā)明涉及集成電路制造技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種用于極紫外光學元件表面污染清洗裝置及方法。

背景技術(shù)：

采用波長13.5nm或6.xnm的極紫外(EUVL)光刻技術(shù)是未來實現(xiàn)10nm以下節(jié)點極大規(guī)模集成電路制造的主要技術(shù)之一，對于未來信息技術(shù)的發(fā)展具有十分重要的支撐作用。由于波長極短，EUV光子能量非常高，且必需在真空環(huán)境中傳輸使用，因此，用于EUVL光刻系統(tǒng)中的光學元件在制備、存貯、運輸和曝光使用過程中，經(jīng)常會面臨各種顆粒物、碳及有機污染層的沉積。這些光學元件的表面污染對于EUVL的反射，CD漂移，穩(wěn)定性以及壽命等方面具有巨大的影響。

目前，EUVL光學元件主要為基于MO/Si材料的多層膜反射元件，由于表面的Si層容易在EUV光輻射過程中被氧化，從而迅速降低元件的反射率，因此，為了防止EUVL光學元件表面的Si層被氧化，需要在Si層上面沉積一層保護層，目前采用最多的薄層為金屬Ru，最佳厚度一般為2.5nm左右。

為了確保EUVL光刻系統(tǒng)的性能，保持高的器件產(chǎn)率，需要對EUVL系統(tǒng)中的光學元件表面污染進行及時清洗。目前，EUVL系統(tǒng)中的光學元件表面污染清洗的方法有三種。第一種是采用化學清洗劑進行清洗的方法，即所謂的濕法清洗；第二種是采用紫外(UV)光輻照并通入合適氣體的清洗方法；第三種是采用等離子體進行清洗的方法。

化學濕法清洗是采用合適的化學清洗劑如SPM和APM，或者其它的組合，經(jīng)過系列的清洗流程，實現(xiàn)對表面污染的清除。采用化學濕法清洗方法，盡管可以清除表面沉積的碳污染等，并且基本不會使Ru保護層氧化或表面明顯變粗糙，但是由于對于EUVL其它的功能層可能造成的不良影響及清洗后的殘余離子進入EUVL真空環(huán)境的極大可能，使得這種方法的使用受到很大的制約。

UV光輻照清洗方法是較早采用的EUVL光學元件表面污染的干法清洗技術(shù)。這種方法通過UV光輻照使空氣中的O₂轉(zhuǎn)變成成O₃臭氧，利用O₃的氧化性來使EUVL光學元件表面沉積的碳污染被清洗去除。由于UV光的產(chǎn)生技術(shù)比較成熟，這種方法具有操作簡便、過程快捷、成本低的優(yōu)點，在實際中被廣泛采用。但是這種方法中含有強氧化性的氧原子，雖然很容易去除碳和其它有機污染物，同時也容易導(dǎo)致EUVL光學元件表面層被氧化。

采用等離子體進行清洗的方法，通過特定氣體產(chǎn)生等離子體來與EUVL光學元件表面的碳污染等發(fā)生反應(yīng)生成氣體物質(zhì)去除。產(chǎn)生等離子體的具體方式也有多種，這種方法所產(chǎn)生的等離子體具體成分難于準確控制，并且等離子體對于樣品表面容易產(chǎn)生刻蝕效應(yīng)，從而可能影響EUVL光學元件的表面質(zhì)量。

由于UV光的產(chǎn)生技術(shù)比較成熟，UV光輻照清洗方法具有操作簡便、過程快捷、成本低的優(yōu)點，在實際中被廣泛采用。

但是，從目前使用的實際現(xiàn)狀來看，UV光輻照清洗方法仍然存在許多不足之處。首先這種方法中含有強氧化性的氧原子，強氧化性的氧原子容易使得EUVL光學元件表面層被氧化，即便是相對比較抗氧化的Ru保護層，也存在被氧化的風險。其次，由于不同的EUVL光學元件樣品表面的被污染的情況不盡相同，而影響光學元件表面碳污染清洗去除速率的實際因素較多，由此導(dǎo)致在實際使用中難于較好地把握合適的清洗處理時間，容易導(dǎo)致清洗不足或者過清洗。第三，現(xiàn)有技術(shù)中所采用的UV光發(fā)生裝置，雖然功率更高，但是其產(chǎn)生的光譜成分也相對復(fù)雜，除了有用的紫外光外，還包括大量可見和近紅外光譜，這些光不僅對于清洗沒有幫助，反而會被EUVL光學元件吸收，使得EUVL光學元件的溫度升高，由此將在EUVL光學元件內(nèi)部產(chǎn)生應(yīng)力，進而可能導(dǎo)致EUVL光學元件的損傷或影響其使用壽命。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

本發(fā)明旨在克服現(xiàn)有技術(shù)的缺陷，提供一種新型極紫外光學元件表面的清洗裝置及清洗方法，能夠?qū)崿F(xiàn)對極紫外光學元件表面污染的徹底清洗，同時能夠防止極紫外光學元件表面發(fā)生氧化，減少極紫外光學元件表面的損傷，提高極紫外光學元件的長期使用壽命。

為實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明采用以下技術(shù)方案：

一方面，本發(fā)明提供一種極紫外光學元件表面清洗裝置，所述清洗裝置包括：清洗腔體；設(shè)置于所述清洗腔體外兩側(cè)的進氣口和出氣口；設(shè)置于所述清洗腔體內(nèi)的樣品支撐調(diào)節(jié)臺、紫外光發(fā)生裝置、CO₂濃度監(jiān)控裝置、O₃濃度監(jiān)控裝置；所述進氣口用于通入工作氣體；所述樣品支撐調(diào)節(jié)臺用于放置待清洗光學元件，并調(diào)整所述待清洗光學元件的位置；所述紫外光發(fā)生裝置用于產(chǎn)生紫外光；所述CO₂濃度監(jiān)控裝置用于監(jiān)控清洗過程中所述清洗腔體內(nèi)的CO₂濃度；所述O₃濃度監(jiān)控裝置用于監(jiān)控清洗過程中所述清洗腔體內(nèi)的O₃濃度；所述清洗裝置還包括工作氣體控制裝置、控制電路以及控制終端。

優(yōu)選的，所述紫外光發(fā)生裝置包括高壓汞燈，所述高壓汞燈為低氣體壓力高壓汞燈。

優(yōu)選的，所述低氣體壓力高壓汞燈管內(nèi)氣體壓力范圍為1-10Pa。

優(yōu)選的，所述低氣體壓力高壓汞燈的燈管壁材料為熔石英材料，所述熔石英材料能夠吸收185nm的紫外光。

優(yōu)選的，所述高壓汞燈與待清洗光學元件之間設(shè)置有雙面鍍膜的熔石英玻璃；所述熔石英玻璃的兩面分別鍍有短波通濾光膜和增透膜。

優(yōu)選的，所述CO₂濃度監(jiān)控裝置包括紅外輻射光源模塊和紅外光信號探測模塊。

優(yōu)選的，所述紅外輻射光源模塊包括可以發(fā)射3-10μm波長紅外光源的鎳絡(luò)絲；所述紅外光信號探測模塊包括光信號濾波收集管、紅外光電探測器、光電信號調(diào)制和放大電路。

優(yōu)選的，所述O₃濃度監(jiān)控裝置包括紫外光收集管和紫外光信號探測模塊。

優(yōu)選的，所述紫外光收集管包括兩個相互平行的金屬管，所述兩個金屬管中分別安裝有聚焦透鏡；所述紫外光信號探測模塊包括兩個紫外探測光電管。

優(yōu)選的，所述工作氣體控制裝置包括氣體流量控制模塊以及設(shè)置于所述出氣口處的廢氣過濾裝置。

再另一方面，本發(fā)明提供一種極紫外光學元件表面清洗的方法，使用上述的清洗裝置，所述方法包括：

(1)確定清洗裝置的清洗方案和清洗參數(shù)；

(2)將待清洗光學元件放置在樣品支撐調(diào)節(jié)臺，調(diào)節(jié)待清洗光學元件的垂直高度；

(3)向清洗腔體內(nèi)部通入工作氣體；

(4)打開CO₂濃度監(jiān)控裝置和O₃濃度監(jiān)控裝置進行預(yù)熱；

(5)打開紫外光發(fā)生裝置，啟動CO₂濃度監(jiān)控裝置和O₃濃度監(jiān)控裝置開始監(jiān)控，按照步驟(1)中的清洗方案和清洗參數(shù)開始清洗。

優(yōu)選的，調(diào)節(jié)待清洗光學元件的垂直高度，使得所述待清洗光學元件表面距離所述熔石英玻璃外表面5-10mm。

優(yōu)選的，所述工作氣體為O₂和N₂，所述N₂氣的含量范圍為100％-95％，所述O₂氣的含量范圍為0％-5％。

優(yōu)選的，所述N₂氣的通氣流量在5-10sccm之間；所述O₂氣的初始通氣流量在5-10sccm之間；所述N₂氣和所述O₂氣的通氣時間為5-10min。

優(yōu)選的，所述預(yù)熱的時間為15min以上。

本發(fā)明的有益效果在于：(1)通過對UV光輻照清洗去除污染速率的精確控制以及對清洗過程終止點的有效判斷，并通過在具體操作應(yīng)用過程中，根據(jù)實際情況對清洗工藝參數(shù)優(yōu)化，可以實現(xiàn)對EUVL光學元件表面污染的徹底清洗，同時防止EUVL光學元件表面發(fā)生氧化。(2)通過在高壓Hg燈和被清洗樣品表面之間插入表面鍍短波通膜的熔石英玻璃，使高壓Hg燈產(chǎn)生的可見和近紅外光被衰減屏蔽掉，可以最大限度地降低被清洗樣品由于溫度升高而導(dǎo)致表面的Ru保護層被逐漸損傷的可能性，從而提高EUVL光學元件潛在的長期使用壽命。(3)通過在UV光清洗裝置的出氣口安裝合適的廢氣過濾裝置，對上述有害的氣體成分進行處理，可以保證排出氣體的安全性，從而盡可能降低清洗過程對實驗室環(huán)境和實驗人員安全健康的影響。

附圖說明

圖1為根據(jù)本發(fā)明一個實施例的清洗裝置的結(jié)構(gòu)示意圖。

1、清洗腔體 2、樣品支撐調(diào)節(jié)臺 3、待清洗光學元件

41、低氣體壓力高壓汞燈 42、熔石英玻璃

51、進氣口 52、出氣口 511、O₂進氣管 512、N₂進氣管

61、紫外光收集管 62、紫外光信號探測模塊

71、紅外輻射光源模塊 72、紅外光信號探測模塊

8、廢氣過濾裝置

具體實施方式

為了使本發(fā)明的目的、技術(shù)方案及優(yōu)點更加清楚明白，以下結(jié)合附圖及具體實施例，對本發(fā)明進行進一步詳細說明。應(yīng)當理解，此處所描述的具體實施例僅用以解釋本發(fā)明，而不構(gòu)成對本發(fā)明的限制。

首先參考圖1示出根據(jù)本發(fā)明一個實施例的極紫外光學元件表面清洗裝置。清洗裝置包括清洗腔體1；設(shè)置于清洗腔體1外兩側(cè)的進氣口51和出氣口52；設(shè)置于清洗腔體1內(nèi)的樣品支撐調(diào)節(jié)臺2、紫外光發(fā)生裝置、CO₂濃度監(jiān)控裝置、O₃濃度監(jiān)控裝置；工作氣體控制裝置、控制電路以及控制終端。

其中，樣品支撐調(diào)節(jié)臺2用于放置待清洗光學元件3，并調(diào)節(jié)待清洗光學元件3的位置。控制電路包括紫外光發(fā)生裝置對應(yīng)的紫外光部分控制電路、CO₂濃度監(jiān)控裝置對應(yīng)的控制電路、O₃濃度監(jiān)控裝置對應(yīng)的控制電路、以及清洗裝置整體的控制電路等。

紫外光發(fā)生裝置主要用于產(chǎn)生紫外光，具體用于產(chǎn)生主要包含254nm波長的穩(wěn)定紫外光。紫外光發(fā)生裝置包括高壓汞燈，具體的，高壓汞燈為低氣體壓力高壓汞燈41。優(yōu)選的實施方式中，低氣體壓力高壓汞燈41管內(nèi)氣體壓力范圍為1-10Pa。優(yōu)選的實施方式中，低氣體壓力高壓汞燈41的燈管壁材料為熔石英材料，熔石英材料能夠吸收185nm的紫外光。

優(yōu)選的實施方式中，低氣體壓力高壓汞燈41與待清洗光學元件3之間設(shè)置有雙面鍍膜的熔石英玻璃42；熔石英玻璃42的兩面分別鍍有短波通濾光膜和增透膜，具體的，熔石英玻璃42朝向低氣體壓力高壓汞燈41一面鍍有短波通濾光膜(即朝Hg燈的一面)，另外一面則鍍有增透膜。熔石英玻璃42可為紫外熔石英玻璃。

相對應(yīng)的，控制電路包括為低氣體壓力高壓汞燈41提供高壓電源和輻射功率、時間等的紫外光部分控制電路。

具體的，紫外光發(fā)生裝置和控制電路部分的工作原理為：通過高壓裝置給低氣體壓力高壓汞燈41發(fā)射光管加上高電壓，通過選用合適的紫外熔石英材料作為低氣體壓力高壓汞燈41的發(fā)射光管，將185nm的紫外光吸收掉，使低氣體壓力高壓汞燈41的發(fā)射管發(fā)出的光主要包含254nm的紫外光和其它的一些可見和近紅外光，之后上述光再通過鍍有短波通濾光膜的紫外熔石英玻璃42，短波通濾光膜的將波長300nm以上的可見和近紅外光等濾掉，使得通過上述紫外熔石英玻璃42之后的輻射光為主要包含254nm的紫外光，并輻射到待清洗光學元件3表面。

O₃濃度監(jiān)控裝置用于實現(xiàn)對待清洗光學元件3表面O₃濃度的實時監(jiān)測，并將測試數(shù)據(jù)反饋到控制終端中進行數(shù)據(jù)處理，用于調(diào)節(jié)控制O₃濃度。O₃濃度監(jiān)控裝置包括紫外光收集管61和紫外光信號探測模塊62；其中，紫外光收集管61包括兩個相互平行的金屬管，兩個金屬管中分別安裝有聚焦透鏡；紫外光信號探測模塊62包括兩個紫外探測光電管，還包括各自進行光電信號采集處理的控制電路部分。

O₃濃度監(jiān)控裝置的工作原理為：在樣品支撐調(diào)節(jié)臺2的一側(cè)，沿UV輻射光傳播方向，分別放置兩個并列的金屬Al管，金屬Al管的內(nèi)徑為38mm，在兩個Al管的前端各安裝一個密封的紫外熔石英窗片，其中一個Al管的前端與鍍膜紫外熔石英玻璃42相連，用于收集UV光的原始光強，另外一個Al管的前端則向下移動3-5cm，使其位于待清洗光學元件3表面的水平面下方位置，如圖1所示。在2個金屬Al管的中間部分分別安裝一塊聚焦透鏡，直徑為38mm，選擇合適的聚焦參數(shù)使254nm紫外光分別聚焦到紫外光信號探測模塊62中包含的2個紫外光電探測器中心位置，然后光電探測器產(chǎn)生響應(yīng)電信號，并通過信號濾波和放大處理，傳到控制終端，通過比較兩路信號的強度，可以由朗玻-比爾定律計算出被清洗光學元件表面O₃的濃度。

CO₂濃度監(jiān)控裝置用于實現(xiàn)對待清洗光學元件3表面CO₂濃度的實時監(jiān)測，并將測試數(shù)據(jù)反饋到控制終端中用于調(diào)節(jié)O₂氣的進氣流量。CO₂濃度監(jiān)控裝置包括紅外輻射光源模塊71和紅外光信號探測模塊72；其中，紅外輻射光源模塊71包括可以發(fā)射3-10μm波長紅外光源的鎳絡(luò)絲；紅外光信號探測模塊72包括光信號濾波收集管、紅外光電探測器、光電信號調(diào)制和放大電路。

CO₂濃度監(jiān)控裝置的工作原理為：在紫外光清洗腔體1的右側(cè)壁上部，沿水平方向安裝紅外輻射光源模塊71，給紅外輻射光源模塊71中的鎳鉻絲通電，使其發(fā)射出3-10μm的紅外光，通過一個內(nèi)徑25.4mm的密封紅外窗口片進入UV光清洗腔中，并沿著待清洗光學元件3表面水平方向傳播，其光束中心的高度距離待清洗光學元件表面5-10mm左右，紅外光在清洗腔體1中的傳播如圖1中點畫線所示，之后入射到安裝于清洗腔體1左側(cè)壁的紅外光探測模塊72的探測窗口，該窗口位于清洗腔體1側(cè)壁內(nèi)，包含一個紅外密封窗口片，其內(nèi)直徑為30mm，在窗口片后端開孔中沿開孔方向并列放置兩個紅外玻璃管，玻璃管的內(nèi)徑為12.5mm，在每個管中沿紅外光傳播方向先后放置一個特定波長的紅外濾光片和一塊聚焦鏡，其中一個紅外濾光片的中心透過波長為4.26μm左右，另外一個紅外濾光片的中心透過波長為4.0μm左右，兩個濾光片的帶寬均為80nm左右，兩路不同波長的紅外光分別被聚焦到兩個紅外探測器芯片，產(chǎn)生相應(yīng)的電信號，并經(jīng)過信號的濾波和放大處理，傳輸?shù)娇刂朴嬎?，由?.26μm波長剛好對應(yīng)CO₂的強吸收峰位置，因此探測得到的4.26μm波長信號強度將隨CO₂的濃度發(fā)生相應(yīng)變化，而CO₂對4.0μm光基本沒有吸收，探測得到的4.26μm光信號強度將主要只隨發(fā)射光源功率而波動，因此該信號可以作為一個參考計算的基準，通過實時比較這兩個紅外探測器中的信號強度，可以計算得到CO₂氣體的濃度。

工作氣體控制裝置用于實現(xiàn)對通入清洗腔體內(nèi)部的工作氣體的類型和流量進行控制，同時對排出清洗腔體1的廢氣進行過濾處理。工作氣體控制裝置包括氣體流量控制模塊以及設(shè)置于出氣口處的廢氣過濾裝置8。

清洗腔體外兩側(cè)設(shè)置有進氣口51和出氣口52，分別連接有進氣管路和出氣管路，進氣口51用于通入工作氣體，工作氣體包括O₂和N₂，進氣口51連接有O₂進氣管路511和N₂進氣管路512，分別通入O₂和N₂。具體的，N₂氣的含量范圍為100％-95％，O₂氣的含量范圍為0％-5％；優(yōu)選的實施方式中，N₂氣的通氣流量在5-10sccm之間；O₂氣的初始通氣流量在0.2-0.5sccm之間；述N₂氣和所述O₂氣的通氣時間為5-10min。

工作氣體控制裝置工作過程為：根據(jù)實際需要分別在進氣口51連接不同的氣源瓶，并通過合適的減壓閥和流量計對氣體的流量進行控制，在本發(fā)明中選擇N₂氣和O₂氣的混合氣體作為工作氣體，其中N₂氣的含量范圍為100％-95％，O₂氣的含量范圍為0％-5％；為了提高控制O₂氣流量的效率，在O₂進氣管路511中安裝一個電控的流量計，以便根據(jù)需要由計算機對其數(shù)值進行設(shè)置；出氣口52處設(shè)置有廢氣過濾裝置8，廢氣過濾裝置8具體為包含Mn²⁺催化劑的活性炭材料，可以有效吸附并分解O₃和CO₂等廢氣。

控制終端可為計算機等?？刂平K端用于運行采集處理紫外光和紅外光的探測信號，并據(jù)此調(diào)節(jié)O₂的含量，以及相對應(yīng)的清洗時間。

再另一方面，本發(fā)明提供一種極紫外光學元件表面清洗的方法，方法包括：(1)確定清洗裝置的清洗方案和清洗參數(shù)；(2)將待清洗光學元件放置在樣品支撐調(diào)節(jié)臺，調(diào)節(jié)待清洗光學元件的垂直高度；(3)向清洗腔體內(nèi)部通入工作氣體；(4)打開CO₂濃度監(jiān)控裝置和O₃濃度監(jiān)控裝置進行預(yù)熱；(5)打開紫外光發(fā)生裝置，啟動CO₂濃度監(jiān)控裝置和O₃濃度監(jiān)控裝置開始監(jiān)控，按照步驟(1)中的清洗方案和清洗參數(shù)開始清洗。

在步驟(1)確定清洗裝置的清洗方案和清洗參數(shù)之前，首先確定清洗裝置的基本工作參數(shù)，具體包括：(a)測量確定清洗裝置在不放置待清洗光學元件3并固定UV光功率時，不同O₂流量在清洗腔體內(nèi)部所能達到的O₃濃度穩(wěn)定值及所需的時間；(b)在(a)的基礎(chǔ)上，分別測量確定不同O₃穩(wěn)定濃度時相應(yīng)的污染清洗速率；(c)對不同O₂流量時，從UV光啟動開始到達到O₃濃度穩(wěn)定時的平均O₃濃度，并依照(b)的數(shù)據(jù)計算其平均的污染清洗速率，并考慮所需的時間，由此計算出不同O₂流量時，從UV光輻射開始到達O₃濃度穩(wěn)定時能去除的污染層厚度。

針對被清洗EUVL光學元件表面污染層的具體情況，確定清洗裝置的清洗方案和清洗參數(shù)的過程具體包括：(s1)將整個清洗過程分成幾個不同階段：UV光輻射開始階段、穩(wěn)定清洗階段I、穩(wěn)定清洗階段II、穩(wěn)定清洗階段III，其中，在后面的穩(wěn)定清洗階段中O₃的濃度要比之前的逐漸降低；(s2)根據(jù)利用橢偏儀等獲得的待清洗光學元件3表面污染層的厚度情況，初步確定所需采用的階段及所需時間；(s3)結(jié)合CO₂濃度探測數(shù)據(jù)的變化情況，在CO₂濃度增長時，執(zhí)行穩(wěn)定清洗階段I的參數(shù)，當其數(shù)值出現(xiàn)下降時，計算出已去除的污染層厚度，并開始執(zhí)行穩(wěn)定清洗階段II和/或III的參數(shù)，并估算清洗所需的時間；(s4)重復(fù)上述(s3)，直到根據(jù)預(yù)先估算的清洗速率和污染層厚度判斷樣品表面污染層已被完全清洗，同時CO₂濃度已下降到峰值的20％以下時，關(guān)閉UV光停止進行清洗，并加大N₂氣流量對清洗腔體內(nèi)部進行吹洗。

具體實施例中極紫外光學元件表面清洗的方法為：(1)確定清洗裝置的清洗方案和清洗參數(shù)；(2)將待清洗光學元件3放置在樣品支撐調(diào)節(jié)臺2上，調(diào)節(jié)樣品支撐調(diào)節(jié)臺2的垂直高度，使待清洗光學元件3表面距離鍍膜紫外熔石英玻璃42外表面5-10mm；(3)分別通入N₂氣和O₂氣，使N₂氣流量選擇在5-10sccm之間，O₂氣流量開始時選擇在0.25-0.5sccm之間，保持上述流量通氣5-10分鐘；(4)打開CO₂濃度監(jiān)控裝置中紅外輻射光源模塊72中的鎳鉻絲通電開關(guān)，并預(yù)熱15分鐘使紅外光源穩(wěn)定；分別打開O₃濃度監(jiān)控裝置電源和CO₂濃度監(jiān)控裝置電源，進行預(yù)熱15分鐘以上；5)打開UV光發(fā)生裝置中發(fā)光管電源開關(guān)，啟動O₃濃度監(jiān)測和CO₂濃度監(jiān)測，開始EUVL光學元件表面污染的清洗，并按照之前確定的清洗方案和清洗參數(shù)進行輻照清洗，直到待清洗光學元件3表面污染層被完全清洗掉。

采用該清洗裝置和清洗方法，通過精確有效控制UV光輻照清洗去除污染的速率，以及對清洗過程終止點的有效判斷，有效實現(xiàn)EUVL光學元件表面污染的徹底清洗，同時防止EUVL光學元件表面發(fā)生氧化，降低清洗過程對EUVL光學元件性能的影響，提高EUVL光學元件潛在的長期使用壽命；能夠保證排出氣體的安全性，降低清洗過程對實驗室環(huán)境和實驗人員安全健康的影響。

以上所述本發(fā)明的具體實施方式，并不構(gòu)成對本發(fā)明保護范圍的限定。任何根據(jù)本發(fā)明的技術(shù)構(gòu)思所作出的各種其他相應(yīng)的改變與變形，均應(yīng)包含在本發(fā)明權(quán)利要求的保護范圍內(nèi)。