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      一種安全的SSD物理銷毀裝置的制作方法

      文檔序號:11597617閱讀:580來源:國知局

      本實用新型涉及一種銷毀裝置,具體是一種安全的SSD物理銷毀裝置。



      背景技術(shù):

      通常數(shù)據(jù)的銷毀分為軟件擦除和物理銷毀兩種,軟件擦除雖然有效性很高但是需要較長的時間,擦除后盤片仍可繼續(xù)使用,用戶對其銷毀效果有所質(zhì)疑,而物理銷毀采用高壓擊穿的方式可對盤片中的存儲介質(zhì)產(chǎn)生不可逆的破壞,毫秒級的銷毀時間可徹底報廢盤,其快速徹底銷毀用戶敏感隱私數(shù)據(jù)的特點具有重要意義。



      技術(shù)實現(xiàn)要素:

      本實用新型的目的在于提供一種安全的SSD物理銷毀裝置,以解決上述背景技術(shù)中提出的問題。

      為實現(xiàn)上述目的,本實用新型提供如下技術(shù)方案:

      一種安全的SSD物理銷毀裝置,包括LDO模塊、升壓芯片以及過欠壓、過流保護芯片,電壓P5V_SSD分別連接LDO模塊以及過欠壓、過流保護芯片,電壓P5V_SSD還通過開關(guān)SW2連接升壓芯片,LDO模塊還連接單片機,過欠壓、過流保護芯片還連接DC-DC模塊,DC-DC模塊還連接開關(guān)SW1。

      作為本實用新型再進一步的方案:所述開關(guān)SW1另一端連接Nand Flash。

      與現(xiàn)有技術(shù)相比,本實用新型的有益效果是:本實用新型多通道控制,串行銷毀,銷毀精確到每個存儲介質(zhì),避免其他介質(zhì)擊穿后旁路掉銷毀電流,從而導致剩下存儲介質(zhì)銷毀不徹底;多輪電壓加載銷毀,防止存儲介質(zhì)處于燒毀和未燒毀的臨界狀態(tài)造成的切換通道的誤判,保證銷毀的效果;銷毀記憶功能,詳細地記錄銷毀過程,如果銷毀時突然斷電,當再次上電瞬間,銷毀會繼續(xù)進行,保證銷毀的成功率。

      附圖說明

      圖1為安全的SSD物理銷毀裝置的電路原理框圖。

      具體實施方式

      下面將結(jié)合本實用新型實施例中的附圖,對本實用新型實施例中的技術(shù)方案進行清楚、完整地描述。

      請參閱圖1,本實用新型實施例中,一種安全的SSD物理銷毀裝置,包括LDO模塊、升壓芯片以及過欠壓、過流保護芯片,電壓P5V_SSD分別連接LDO模塊以及過欠壓、過流保護芯片,電壓P5V_SSD還通過開關(guān)SW2連接升壓芯片,LDO模塊還連接單片機,過欠壓、過流保護芯片還連接DC-DC模塊,DC-DC模塊還連接開關(guān)SW1;所述開關(guān)SW1另一端連接Nand Flash。

      正常工作模式下開關(guān)SW1接通、SW2斷開,和Nand Flash的VCC管腳相連的各個開關(guān)均接通,固態(tài)硬盤正常進行讀寫業(yè)務;當進入物理銷毀模式時,開關(guān)SW1斷開,SW2接通,和Nand Flash的VCC管腳相連的各個開關(guān)按照時間間隔375μs,輪流進行接通(同一時間只有一個與Nand Flash相連的開關(guān)接通),即對每片Nand Flash進行多輪高壓擊穿。

      升壓電路將5V輸入電源升壓至15V,提供物理銷毀所需的高壓。

      銷毀過程控制主要由單片機完成,包括控制工作/銷毀模式的切換、多輪高壓擊穿的輪數(shù)和多片Nand Flash之間的高壓脈沖時間間隔等。

      本實用新型多通道控制,串行銷毀,銷毀精確到每個存儲介質(zhì),避免其他介質(zhì)擊穿后旁路掉銷毀電流,從而導致剩下存儲介質(zhì)銷毀不徹底;多輪電壓加載銷毀,防止存儲介質(zhì)處于燒毀和未燒毀的臨界狀態(tài)造成的切換通道的誤判,保證銷毀的效果;銷毀記憶功能,詳細地記錄銷毀過程,如果銷毀時突然斷電,當再次上電瞬間,銷毀會繼續(xù)進行,保證銷毀的成功率。

      本實用新型設計了軟硬件雙保險開關(guān),有效防止誤觸發(fā);觸發(fā)持續(xù)超過設定時間才允許啟動銷毀;自定義觸發(fā)信號的高低電平特征碼,符合特定碼型才允許啟動銷毀;如果用按鍵開關(guān)觸發(fā)時,硬件和軟件都有防抖濾波功能模塊。

      本實用新型采用高壓擊穿方式和領先的硬件設計,使得物理銷毀的周期可以在瞬間完成,以512GB、8片Nand Flash的固態(tài)硬盤為例,物理銷毀時間僅需10毫秒。

      安全性作為物理銷毀的重要考量指標,銷毀的過程做到了清潔、環(huán)保,無火花、無冒煙。為了達到此目的,經(jīng)過反復的實驗和論證,在保證能可靠銷毀存儲介質(zhì)情況下,嚴格限制了銷毀功率,并作了限流保護。其次,獨特的防反灌設計,物理隔離了銷毀盤片和掛載系統(tǒng),有效避免了因盤片銷毀而損毀外部供電系統(tǒng),安全性提升了一個數(shù)量級。

      此物理銷毀技術(shù),有嚴格的功耗管理設計,在器件選型方面也盡量選擇低功耗的又滿足設計需求的硬件,待機和銷毀都做到了低功耗。因低功耗設計,靜態(tài)功耗降低了35%,總銷毀功耗降低了90%,領先于同類產(chǎn)品。

      對于本領域技術(shù)人員而言,顯然本實用新型不限于上述示范性實施例的細節(jié),而且在不背離本實用新型的精神或基本特征的情況下,能夠以其他的具體形式實現(xiàn)本實用新型。因此,無論從哪一點來看,均應將實施例看作是示范性的,而且是非限制性的,本實用新型的范圍由所附權(quán)利要求而不是上述說明限定,因此旨在將落在權(quán)利要求的等同要件的含義和范圍內(nèi)的所有變化囊括在本實用新型內(nèi)。不應將權(quán)利要求中的任何附圖標記視為限制所涉及的權(quán)利要求。

      此外,應當理解,雖然本說明書按照實施方式加以描述,但并非每個實施方式僅包含一個獨立的技術(shù)方案,說明書的這種敘述方式僅僅是為清楚起見,本領域技術(shù)人員應當將說明書作為一個整體,各實施例中的技術(shù)方案也可以經(jīng)適當組合,形成本領域技術(shù)人員可以理解的其他實施方式。

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