一種晶圓支撐件的清洗裝置及清洗方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明屬于半導(dǎo)體晶圓清洗工藝領(lǐng)域，涉及一種晶圓支撐件的清洗裝置及清洗方法。
【背景技術(shù)】
[0002]在隨著集成電路特征尺寸進(jìn)入到深亞微米階段，集成電路晶圓制造工藝中所要求的晶圓表面的潔凈度越來越苛刻，為了保證晶圓材料表面的潔凈度，集成電路的制造工藝中存在數(shù)百道清洗工序，清洗工序占了整個(gè)制造過程的20%。
[0003]傳統(tǒng)對晶圓表面清洗采用產(chǎn)出比較高的槽式清洗設(shè)備，清洗設(shè)備的主要清洗步驟一般先進(jìn)行化學(xué)液清洗浸泡，然后進(jìn)行清水洗凈工序。晶圓在化學(xué)液清洗浸泡后，晶圓表面依舊會(huì)殘留一些副產(chǎn)物和化學(xué)液，所以后續(xù)的清水洗凈工藝尤為重要，若清洗不干凈會(huì)在晶圓表面產(chǎn)生如化學(xué)液殘留或晶圓表面存在顆粒物之類的缺陷。
[0004]在現(xiàn)有的槽式清洗設(shè)備中，支撐件是清洗槽中用于支撐晶圓的部件，但在長期使用過程中，支撐件與晶圓之間的接觸處往往會(huì)形成清潔死角，如圖1所示，圖1為現(xiàn)有晶圓支撐件的結(jié)構(gòu)示意圖，晶圓3被支撐件2支撐同時(shí)放置于盛有清洗液的清洗槽I中，由于支撐件2與晶圓3之間往往會(huì)形成清潔死角，通常會(huì)在支撐件2上殘留一些污垢，而殘留在支撐件2上的污垢往往會(huì)重新污染晶圓3，造成晶圓缺陷，導(dǎo)致晶圓良率的降低。因此，本領(lǐng)域技術(shù)人員亟待解決現(xiàn)有晶圓支撐件存在清潔死角的問題，提高晶圓的潔凈度。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題是提供一種晶圓支撐件的清洗裝置及清洗方法，解決現(xiàn)有晶圓支撐件存在清潔死角的問題，提高晶圓的潔凈度。
[0006]為了解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明提供了一種晶圓支撐件的清洗裝置，包括用于清洗半導(dǎo)體晶圓的清洗槽，
[0007]第一組晶圓支撐件，設(shè)于所述清洗槽內(nèi)，并可在所述清洗槽中做垂直方向的伸縮運(yùn)動(dòng)，所述第一組晶圓支撐件處于伸出狀態(tài)時(shí)，其用于支撐晶圓，所述第一組晶圓支撐件收縮狀態(tài)時(shí)，其與所述清洗槽內(nèi)的清洗液充分接觸，以去除其表面污垢；
[0008]第二組晶圓支撐件，設(shè)于所述清洗槽內(nèi)，并可在所述清洗槽中做垂直方向的伸縮運(yùn)動(dòng)，所述第二組晶圓支撐件處于伸出狀態(tài)時(shí)，其用于支撐晶圓，所述第二組晶圓支撐件收縮狀態(tài)時(shí)，其與所述清洗槽內(nèi)的清洗液充分接觸，以去除其表面污垢；
[0009]其中，交替使用第一組晶圓支撐件以及第二組晶圓支撐件，當(dāng)?shù)谝唤M晶圓支撐件處于伸出狀態(tài)時(shí)，則第二組晶圓支撐件處于收縮狀態(tài)，或當(dāng)?shù)谝唤M晶圓支撐件處于收縮狀態(tài)時(shí)，則第二組晶圓支撐件處于伸出狀態(tài)。
[0010]優(yōu)選的，所述第一組晶圓支撐件以及第二組晶圓支撐件均包括多個(gè)用于支撐晶圓的支撐件。
[0011]優(yōu)選的，所述第一組晶圓支撐件以及第二組晶圓支撐件的數(shù)量相等。
[0012]優(yōu)選的，所述第一組晶圓支撐件以及第二組晶圓支撐件均勻的分布在晶圓的邊緣。
[0013]優(yōu)選的，所述第一組晶圓支撐件以及第二組晶圓支撐件相互間隔的分布晶圓的邊緣。
[0014]優(yōu)選的，所述清洗槽內(nèi)設(shè)有清洗噴頭，所述清洗噴頭用于向所述第一組晶圓支撐件或第二組晶圓支撐件噴射清洗液。
[0015]優(yōu)選的，所述清洗噴頭上設(shè)有閥門用于調(diào)節(jié)清洗液的流量。
[0016]本發(fā)明還提供一種晶圓支撐件的清洗方法，包括以下步驟:
[0017]S01、在第一組晶圓清洗作業(yè)過程中，第一組晶圓支撐件伸出并支撐晶圓，第二組晶圓支撐件收縮并與清洗液充分接觸，以去除第二組晶圓支撐件上的污垢；
[0018]S02、在第二組晶圓清洗作業(yè)過程中，第二組晶圓支撐件伸出并支撐晶圓，第一組晶圓支撐件收縮并與清洗液充分接觸，以去除第一組晶圓支撐件上的污垢；
[0019]S03、在后續(xù)晶圓清洗作業(yè)過程中，交替使用第一組晶圓支撐件以及第二組晶圓支撐件，直至完成后續(xù)晶圓清洗作業(yè)。
[0020]優(yōu)選的，所述第一組晶圓支撐件以及第二組晶圓支撐件與清洗液充分接觸后，并通過超純水將其表面的清洗液去除。
[0021]與現(xiàn)有的方案相比，本發(fā)明提供的晶圓支撐件的清洗裝置及清洗方法，通過交替使用第一組晶圓支撐件以及第二組晶圓支撐件，當(dāng)其中的一組晶圓支撐件處于支撐晶圓狀態(tài)時(shí)，另一組晶圓支撐件則與清洗液充分接觸，使晶圓支撐件始終保持良好的清潔度，避免晶圓支撐件上的污垢污染晶圓，降低了晶圓缺陷，提高了晶圓的良率。
【附圖說明】
[0022]為了更清楚地說明本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案，下面將對實(shí)施例中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實(shí)施例，對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。
[0023]圖1為現(xiàn)有晶圓支撐件的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0024]圖2本發(fā)明第一組晶圓支撐件的使用狀態(tài)的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0025]圖3本發(fā)明第二組晶圓支撐件的使用狀態(tài)的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0026]圖中附圖標(biāo)記為:
[0027]1、清洗槽；2、支撐件；3、晶圓；4、第一組晶圓支撐件；5、第二組晶圓支撐件。
【具體實(shí)施方式】
[0028]為使本發(fā)明的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點(diǎn)更加清楚，下面將結(jié)合附圖對本發(fā)明的實(shí)施方式作進(jìn)一步地詳細(xì)描述。本領(lǐng)域技術(shù)人員可由本說明書所揭露的內(nèi)容輕易地了解本發(fā)明的其他優(yōu)點(diǎn)與功效。本發(fā)明還可以通過另外不同的【具體實(shí)施方式】加以實(shí)施或應(yīng)用，本說明書中的各項(xiàng)細(xì)節(jié)也可以基于不同觀點(diǎn)與應(yīng)用，在沒有背離本發(fā)明的精神下進(jìn)行各種修飾或改變。
[0029]上述及其它技術(shù)特征和有益效果，將結(jié)合實(shí)施例及附圖2-3對本發(fā)明的晶圓支撐件的清洗裝置進(jìn)行詳細(xì)說明。
[0030]如圖2-3所示，本發(fā)明提供了一種晶圓支撐件的清洗裝置，包括用于清洗半導(dǎo)體晶圓的清洗槽1、第一組晶圓支撐件4以及第二組晶圓支撐件5。具體的，第一組晶圓支撐件4設(shè)于所述清洗槽I內(nèi)，并可在清洗槽I中做垂直方向的伸縮運(yùn)動(dòng)，第一組晶圓支撐4件處于伸出狀態(tài)時(shí)，其用于支撐晶圓3，第一組晶圓支撐件4收縮狀態(tài)時(shí)，其與清洗槽內(nèi)的清洗液充分接觸，以去除其表面污垢。同樣的，第二組晶圓支撐件5也設(shè)于清洗槽I內(nèi)，并可在清洗槽I中做垂直方向的伸縮運(yùn)動(dòng)，第二組晶圓支撐件5處于伸出狀態(tài)時(shí)，其用于支撐晶圓3，第二組晶圓支撐件5收縮狀態(tài)時(shí)，其與清洗槽I內(nèi)的清洗液充分接觸，以去除