專利名稱：一種用化學(xué)修飾固態(tài)納米孔陣列分離溶液中雜質(zhì)的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種用化學(xué)修飾固態(tài)納米孔陣列分離溶液中雜質(zhì)的方法。
背景技術(shù)：
納米孔是指在納米至微米級(jí)厚度基材上的，直徑在1至數(shù)百納米的，貫通基材兩面的孔洞。納米孔從制備方法上分為兩類。由生物分子形成的天然納米孔，稱生物納米 ？L，以及人們使用微納加工技術(shù)得到的納米孔，稱為固態(tài)納米孔。生物納米孔的應(yīng)用起源于 1996年，該年Kasianowicz及其同事首次報(bào)道了單鏈DNA或RNA在電場(chǎng)作用下通過(guò)α -溶血素納米孔，并且得到分子通過(guò)孔時(shí)產(chǎn)生了阻塞電流(Blockade Current)的現(xiàn)象，可以依次獲得每一個(gè)堿基通過(guò)納米孔時(shí)阻塞電流幅度。由于不同的堿基產(chǎn)生的阻塞電流都有相應(yīng)的降低幅度，根據(jù)這個(gè)可以區(qū)分出四種堿基，以獲得了 DNA或者RNA分子的序列成分。另外還可以通過(guò)阻塞電流持續(xù)的時(shí)間推算出阻塞整個(gè)分子的長(zhǎng)度，研究表明通過(guò)改進(jìn)這種方法，原理上可以實(shí)現(xiàn)直接、快速的檢測(cè)單鏈DNA或RNA分子堿基的方法[Branton D,et al.， Nature Biotechnol. 2008，26，1146-1153 ；Deamer D W,Branton D. Acc Chem Res. 2002,35， 817-825]。這種檢測(cè)的方法較前兩代檢測(cè)方法具有更快的檢測(cè)速度，更低的檢測(cè)成本，是一種極具吸引力的新研究方向，也是達(dá)到低成本測(cè)序目標(biāo)的新技術(shù)之一，此方法一經(jīng)報(bào)道立刻引起了界內(nèi)的廣泛注視，大量的研究者也投入到此項(xiàng)技術(shù)發(fā)展的研究中來(lái)。在首次報(bào)道的納米孔檢測(cè)方法之后Hagan Bayley及其研究小組[Bayley H. et al. J. Am. Chem. Soc, 2006,128,1705-1710 ；Wu H C, et al. J. Am. Chem. Soc. 2007,129, 16142-16148]通過(guò)化學(xué)修飾生物納米孔的方法，使得納米孔具備檢測(cè)特異性。由于生物納米孔的為生物活性分子所構(gòu)成，因此工作條件苛刻，穩(wěn)定性不佳，使用壽命短且保存不易。研究人員考慮到用各種材料經(jīng)過(guò)微納米加工工藝，形成固態(tài)納米孔， 以代替生物的納米孔以克服其存在的缺點(diǎn)。2001年Li.et.al等人[Li J，et al. Nature, 2001，412，166-169]率先利用自制的帶離子束反饋控制系統(tǒng)，在Si3N4薄膜上刻蝕出60nm的納米孔，這是世界上關(guān)于固態(tài)納米孔的首次報(bào)道。固態(tài)納米孔相對(duì)于生物納米孔來(lái)說(shuō)具有更易保存，化學(xué)穩(wěn)定性好，大小尺寸控制方便等優(yōu)勢(shì)，因此近幾年固態(tài)納米孔的研究成為熱點(diǎn)。固態(tài)納米孔的制備方法較多，一般使用高能聚焦粒子轟擊基材表面形成。例如，Li小組利用自制的離子束反饋控制系統(tǒng)在Si3N4 薄膜上刻蝕納米孔，Dekker 小組[Ling X S, et al. Nature Mater，2003，2，537-540]利用 300KV的TEM高能電子束SW2薄膜刻蝕納米孔，還有其他小組利用FEI公司的電子離子束雙束控制系統(tǒng)刻蝕[Gadgil V J, et al. Surf Coat Technol, 2009, 203, 2436-2441 ；Lo C J, Aref T, Bezryadin A. Nanotechnol，2006，17 :3洸4_3洸7]。此外，也有使用電化學(xué)腐蝕 [Siwy Z, Fulinski A. Am. J. Phys.，2004，72，567-574]以及激光加熱[Ling X S，et al. Nano Lett, 2006，6，2571-2576]等方法制備固態(tài)納米孔的報(bào)道。在生物醫(yī)學(xué)、生命科學(xué)、化學(xué)工業(yè)等領(lǐng)域中，隨著對(duì)產(chǎn)物純度要求的不斷提高，從大量分子中分離微量雜質(zhì)，特別是有毒有害雜質(zhì)成為提高產(chǎn)率和產(chǎn)品質(zhì)量以及保障使用安全的急需技術(shù)。在產(chǎn)物分離純化領(lǐng)域中，目前常用的技術(shù)有電泳分離、層析色譜、超速離心、 沉淀分離等方法。這些技術(shù)有著各自的應(yīng)用范圍，但其主要缺點(diǎn)有1)分離過(guò)程本身會(huì)引入新的雜質(zhì)；幻分離度有限，無(wú)法達(dá)到對(duì)單分子雜質(zhì)進(jìn)行絕對(duì)的分離；這些缺點(diǎn)對(duì)某些具體應(yīng)用可能造成不利后果。例如，在DNA克隆和文庫(kù)制備時(shí)，如果無(wú)法將雜質(zhì)DNA分子全部去除，在擴(kuò)增過(guò)程中，雜質(zhì)會(huì)與目標(biāo)序列同時(shí)進(jìn)行大量擴(kuò)增，則制備出的克隆或文庫(kù)的純度和可靠性都會(huì)下降，對(duì)這些樣品的后續(xù)使用如DNA測(cè)序等會(huì)造成準(zhǔn)確度下降、數(shù)據(jù)后處理困難等。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提供一種用化學(xué)修飾固態(tài)納米孔陣列分離溶液中雜質(zhì)的方法，可以實(shí)現(xiàn)對(duì)雜質(zhì)分子的高效、可控分離。所述用化學(xué)修飾固態(tài)納米孔陣列分離溶液中雜質(zhì)的方法為，所述固態(tài)納米孔陣列的面積不小于250 μ m2，單個(gè)納米孔直徑為1 200nm，孔密度不小于1個(gè)/ μ m2，孔內(nèi)壁修飾有648bp的核酸分子、抗原分子、60-200kDa的抗體分子、50-200kDa的蛋白質(zhì)分子、含6-50 個(gè)氨基酸的肽分子、硅烷分子)中的一種或兩種以上的任意比例的混合物，使1_50μ 1含濃度為I-IOnmol · ml—1雜質(zhì)分子或1 μ g/ml以下的雜質(zhì)顆粒的溶液通過(guò)所述固態(tài)納米孔陣列時(shí)，雜質(zhì)分子或顆粒被化學(xué)修飾的納米孔陣列所截留，所述硅烷分子的結(jié)構(gòu)式為Y(CH2) nSKZ3_m，其中，n = 0 3;m = 0 3，X*Z各自獨(dú)立的為氯基、甲氧基、乙氧基或甲氧基乙氧基；Y為乙烯基、氨基、環(huán)氧基、巰基或脲基。納米孔密度優(yōu)選不大于2000個(gè)/ μ m2，更優(yōu)選為5 1000個(gè)/μ m2。作為優(yōu)選方案，單個(gè)納米孔直徑為10-50nm，納米孔陣列修飾有Y -氨丙基甲基二乙氧基硅烷，在偏置電壓驅(qū)動(dòng)下，溶液通過(guò)所述固態(tài)納米孔陣列時(shí)，粒徑大于納米孔有效孔徑的雜質(zhì)被截留。作為優(yōu)選方案，單個(gè)納米孔直徑為1 180nm，通過(guò)對(duì)納米孔陣列兩面加載偏置電壓，溶液中的雜質(zhì)分子在電場(chǎng)作用下泳動(dòng)至納米孔附近并與孔內(nèi)壁修飾的分子結(jié)合并被截留，從而無(wú)法通過(guò)納米孔陣列進(jìn)入到另外一側(cè)的溶液中，實(shí)現(xiàn)雜質(zhì)的特異性分離。本發(fā)明制備納米孔陣列所需的基材主要為硅基材料。硅基材料通常是指單晶或多晶硅、二氧化硅或氮化硅材料。通過(guò)熱氧化的方式在硅基底上生長(zhǎng)一層幾十納米的二氧化硅薄膜，或使用化學(xué)氣相沉積(Chemical Vapor D印osition，CVD)、濺射等方法在硅片一面沉積一層納米級(jí)氮化硅薄膜，反面涂光刻膠然后曝光顯影，并進(jìn)行干法刻蝕或濕法腐蝕將硅材料去除，形成窗口，窗口上張有低應(yīng)力自支撐二氧化硅或氮化硅薄膜。市面上亦有商品化基材產(chǎn)品提供?；纳霞{米孔陣列的制備主要通過(guò)以下現(xiàn)有方法實(shí)現(xiàn)聚焦離子束(FIB)、電子束曝光、投射電子顯微鏡(TEM)、印記刻蝕法(Track echting)等。通過(guò)這些方法，在基材上刻蝕出兩面貫通的，密度大于一個(gè)孔/ μ m2，孔徑l-200nm的納米孔陣列。可以通過(guò)已知的材料表面修飾分子的方法在納米孔內(nèi)壁修飾分子。對(duì)納米孔陣列的表面修飾，為了使分子成功修飾在納米孔內(nèi)，必須使用低表面張力溶劑，如甲醇等，將待修飾的分子溶于低表面張力的溶劑中。為了獲得低表面張力，溶劑中還可以使用0.03-0. 5%的離子型或非離子型表面活性劑。同時(shí)要修飾的特異性分子作為溶質(zhì)應(yīng)在溶液中保持極低濃度(Ingmr1 μ gmr1)。常用于修飾分子的材料有戊二醛、聚乙二醇 (2-lOkDa)，或具有結(jié)合特異性的分子，如單鏈DNA分子(848bp)，抗原，抗體(60_200kDa)， 有機(jī)硅烷(如Y-氨丙基甲基三乙氧基硅烷)等等。其中特異性分子可以特異性地結(jié)合溶液中的雜質(zhì)分子，如與工作目標(biāo)無(wú)關(guān)或?qū)ぷ餍纬筛蓴_和污染的DNA、蛋白質(zhì)或抗原等生物小分子，使之無(wú)法通過(guò)納米孔進(jìn)入薄膜另一端的溶液中。這樣就實(shí)現(xiàn)了通過(guò)納米孔陣列的溶液中雜質(zhì)顆粒和分子的去除。固態(tài)納米孔技術(shù)物質(zhì)分離技術(shù)可以克服目前微量物質(zhì)分離方法的不足。通過(guò)制備固態(tài)納米孔陣列，并表面修飾以非特異或者特異性的分子，可以控制所需要的分子通過(guò)納米孔，而雜質(zhì)顆粒和分子被選擇性地截留在納米孔陣列中不得通過(guò)。
具體實(shí)施例方式實(shí)施例1 實(shí)施步驟1)選用4英寸多晶硅晶圓，通過(guò)硅工藝制備厚度在30nm的低應(yīng)力自支撐氮化硅薄膜。通過(guò)聚焦離子束(FIB)刻蝕(15秒)，或透射電子顯微鏡(TEM)刻蝕(180-200秒)，得到密度920個(gè)/ y m2，平均孔徑為30nm的固態(tài)納米孔陣列并用激光切割成為邊長(zhǎng)5mm的正方形納米孔芯片；2)將含有固態(tài)納米孔的氮化硅納米孔芯片浸入含有98%濃硫酸及過(guò)氧化氫溶液 (體積比7 幻的混合物中加熱至95°C，水合30分鐘，使表面帶有大量的硅羥基和硅氧鍵；3)用有機(jī)硅烷分子，如1.5% Y-氨丙基甲基二乙氧基硅烷的甲醇溶液 50 μ 1 (含0. 1 % Triton-XlOO非離子型表面活性劑)室溫處理氮化硅薄膜2小時(shí)，去離子水洗凈并干燥；4)在納米孔陣列的正面加入50 μ 1含不同大小二氧化硅微球的混合溶液，分散液為IM氯化鉀溶液，其中含有Snm和27nm的二氧化硅微球各1 μ g/ml。納米孔陣列的背面加入IM氯化鉀溶液50 μ 1。用電化學(xué)工作站面在納米孔陣列的兩面加一 IOOmV的偏置電壓， 其中正面接負(fù)極。此時(shí)微球在電場(chǎng)力作用下通過(guò)納米孔陣列。經(jīng)過(guò)30分鐘電泳后，在納米孔陣列的反面收集到二氧化硅微球。經(jīng)動(dòng)態(tài)光散射檢測(cè)，直徑為8納米的二氧化硅微球的濃度接近1 μ g/ml，而27nm微球濃度極低無(wú)法準(zhǔn)確檢測(cè)其濃度。經(jīng)TEM制樣觀察，收集液中27nm微球與8nm微球之比約為1 220，即分離比約為220，即IOOmV偏置電壓下僅允許Snm微球通過(guò)。而其他實(shí)驗(yàn)條件不變，將偏置電壓調(diào)高至400mV時(shí)，兩種微球都能夠順利通過(guò)納米孔陣列到達(dá)芯片的另一側(cè)溶液中，由此實(shí)現(xiàn)了不同尺寸納米顆粒的可控分離。效果1)以Y-氨丙基甲基二乙氧基硅烷為例空間尺寸固定的納米孔，其在納米孔表面的2個(gè)錨點(diǎn)排列成直線既保證了修飾的牢固性，與常見(jiàn)硅烷化試劑APTES相比該修飾分子又具有溶液中的可擺動(dòng)性；2)在偏置電壓的驅(qū)動(dòng)下，部分納米微?？梢酝ㄟ^(guò)納米孔，另一部分則由于修飾層的阻擋作用而無(wú)法通過(guò)。上例兩種微粒的分離比可達(dá)220 ；3)直徑可控的納米孔陣列“分子篩”可用于高效分離空間尺寸不同但化學(xué)組分相近的納米微粒。實(shí)施例2 實(shí)施步驟1)在直徑為2. 5英寸，厚度為300 μ m的潔凈硅片上使用化學(xué)氣相沉積法(CVD)生長(zhǎng)厚1 μ m的氮化硅薄膜；2)在氮化硅薄膜上通過(guò)旋涂法，轉(zhuǎn)速為2000rpm制備均勻KodakTMKPR光刻膠層， 厚度約Iym;3)制備微球懸濁液，即直徑為20納米的納米金的水——甲醇極稀懸液(lng/ml)。 用旋涂法以2000rpm的速度將1 μ 1該懸液均勻涂布于光刻膠上，加熱到80°C，使溶劑迅速蒸發(fā)。這種方法可以得到納米顆粒在光刻膠上的松散分布，成為隨機(jī)掩膜，密度約560個(gè)/ μ m2 ；4)經(jīng)過(guò)電子束曝光后，洗去未曝光的光刻膠；5)使用氫氟酸腐蝕暴露的氮化硅薄膜20分鐘，再次洗去光刻膠，最后得到密度約 560個(gè)/μπι2，平均孔徑33nm，錐角為83°的錐形納米孔陣列；最后使用激光切割成為邊長(zhǎng) 5mm的正方形納米孔陣列芯片；6)氧等離子體(功率100W)處理納米孔陣列2分鐘，氨氣等離子體(功率100W) 處理納米孔陣列3分鐘，使陣列表面攜帶活性氨基；7)對(duì)納米孔陣列修飾戊二醛作為手臂分子。在弱堿性(PH8-8. 5)條件下，戊二醛的一端醛基連接納米孔壁上的氨基，形成希夫氏堿，再經(jīng)過(guò)硼氰化鈉還原，形成穩(wěn)定的酰胺鍵；8)使用1 μ g/mlRNA酶抗體(anti-RNaseA)水溶液(含0· 9 %氯化鈉和0. 1 % TritonX-IOO表面活性劑)，室溫下處理納米孔陣列1小時(shí)，超純水沖洗3遍洗脫未牢固結(jié)合的抗體分子。手臂分子(戊二醛)的存在可以使得抗體的結(jié)合位點(diǎn)暴露在溶液中，保證抗體的結(jié)合活性；9)在納米孔陣列一面加入20 μ 1含有濃度為5nmol/l牛血清白蛋白(BSA)和 5nmol/lRNA酶A (RNase A)水溶液，并加入足量0. 9%氯化鈉溶液，施加IOOmV偏置電壓電泳60分鐘，在納米孔的另一側(cè)收集到的溶液，使用酶聯(lián)免疫反應(yīng)(ELISA)或高效液相色譜 (HPLC)均能夠檢出BSA，但均無(wú)法檢出RNA酶A的存在，說(shuō)明修飾過(guò)的納米孔陣列通過(guò)抗原——抗體反應(yīng)與納米孔陣列中的RNA酶A發(fā)生特異性結(jié)合。因此，痕量RNA酶無(wú)法通過(guò)納米孔陣列進(jìn)入另一側(cè)的溶液中，而溶液中其他成分可以自由通過(guò)納米孔陣列。效果1)本實(shí)施實(shí)例通過(guò)特異性抗原——抗體結(jié)合原理，構(gòu)建特異性分子篩，分離和去除溶液中的單分子蛋白質(zhì)雜質(zhì)，如RNA酶A ；2)通過(guò)納米孔陣列后的溶液中不含有RNA酶A，可以用作RNA合成、剪切等操作及 RNA表達(dá)譜分析等研究。3)隨著截留的分子增多，納米孔的有效孔徑會(huì)不斷變小，在檢測(cè)上體現(xiàn)為電阻變大最后趨于無(wú)法導(dǎo)通，但經(jīng)添加SDS變性劑的的溫?zé)崃姿嵯匆?pH 4. 0)洗脫后，納米孔的分離活性可部分恢復(fù)。實(shí)施例3
實(shí)施步驟1)納米孔陣列制造工藝同實(shí)施例2的1)-7)步；其中納米金平均直徑120nm，其余工藝不變，可得到平均孔徑為ISOnm的納米孔陣列，其密度為8-15個(gè)/ μ m2。2)用濃度為lyg/ml的抗HIV-IpM單克隆抗體水溶液(含0. 9%氯化鈉和0. 1% TritonX-100)處理納米孔陣列1小時(shí)，大量去離子水洗脫未牢固結(jié)合的抗體分子和表面活性劑。3)在納米孔陣列正面加入50 μ 1濃度為IO3 μ I1HIV病毒懸液，反面加入50 μ 1 0. 9%氯化鈉溶液，施加IOOmV偏置電壓電泳60分鐘，在納米孔的另一側(cè)收集到的溶液，使用PCR和瓊脂糖凝膠電泳方法均無(wú)法檢測(cè)到HIV病毒。雖然納米孔的孔徑大于HIV病毒的平均直徑，但HIV病毒無(wú)法通過(guò)修飾過(guò)的納米孔陣列進(jìn)入另一側(cè)溶液。說(shuō)明修飾過(guò)的納米孔陣列通過(guò)抗原一一抗體反應(yīng)與納米孔陣列中的HIV病毒發(fā)生特異性結(jié)合。因此，HIV病毒無(wú)法通過(guò)納米孔隙，保證了另一側(cè)的收集液為無(wú)病毒的清潔溶液。效果1)通過(guò)修飾納米孔，可以實(shí)現(xiàn)樣品中微量病毒的分離，從而得到不含病毒的樣品溶液；2)相比超濾法，此方法的優(yōu)點(diǎn)在于對(duì)病毒有結(jié)合特異性；3)高特異性和高分離度，可有效捕捉單個(gè)病毒顆粒；4)因此該應(yīng)用實(shí)例可用于實(shí)驗(yàn)室和臨床醫(yī)學(xué)對(duì)含微量病毒的樣品，如含HIV血清、體液、腦脊液中微量HIV病毒的分離，無(wú)病毒的潔凈樣品。實(shí)施例4 實(shí)施步驟1)納米孔陣列的制備同實(shí)施例1中的1)-2)步；2)首先使用Iml Y -氨丙基甲基三乙氧基硅烷甲醇溶液(APTES，1.5% ν/ν)處理納米孔2小時(shí)，超純水洗凈后，再用Iml戊二醛(1. 5% ν/ν)水溶液(含0. 十二烷基磺酸鈉)處理納米孔1小時(shí)，然后用大量超純水洗凈干燥，使孔壁上攜帶活性醛基；3)使用Iml濃度為lnmol/1的末端氨基化DNA序列5，-H2N-ATATCGCT-3，處理納米孔1小時(shí)，超純水洗凈。該DNA序列可以通過(guò)希夫氏堿經(jīng)硼氫化鈉還原形成酰胺鍵而連接在納米孔內(nèi)壁上；4)在納米孔陣列一側(cè)加50 μ 1濃度各為lnmol/ml的含有與以上探針例互補(bǔ)的核酸序列5’ -AGCGATAT-3’以及兩堿基錯(cuò)配5’ -AGCCAGAT-3’的水溶液(含0. 9 %氯化鈉)并用電化學(xué)工作站施加偏置電壓IOOmV,電泳1小時(shí)候?qū)α硪幻媸占哼M(jìn)行PCR和雜交定性檢測(cè)。經(jīng)雜交，鑒定收集液中含有5’ -AGCCAGAT-3’序列，但與修飾探針完全正配的 5’ -AGCGATAT-3’幾乎無(wú)法檢出，說(shuō)明另一側(cè)樣品池中不含需要去除的DNA分子序列。效果1)通過(guò)核酸探針修飾納米孔，可以捕獲特定的雜質(zhì)分子，如單鏈DNA或RNA。核算酸探針長(zhǎng)度為648bp ；2)雜質(zhì)捕獲的靈敏度高，可實(shí)現(xiàn)最低單分子核酸雜質(zhì)的截留與分離；因此，本實(shí)施例可用于實(shí)驗(yàn)室中對(duì)核酸溶液中已知序列的微量單鏈DNA或RNA雜質(zhì)的高質(zhì)量高效純化分離。
權(quán)利要求
1.一種用化學(xué)修飾固態(tài)納米孔陣列分離溶液中雜質(zhì)的方法，其特征在于，所述固態(tài)納米孔陣列的面積不小于250 μ m2，單個(gè)納米孔直徑為1 200nm，孔密度不小于1個(gè)/ μ m2， 孔內(nèi)壁修飾有648bp的核酸分子、抗原分子、60-200kDa的抗體分子、50_200kDa的蛋白質(zhì)分子、含6-50個(gè)氨基酸的肽分子、硅烷分子)中的一種或兩種以上的任意比例的混合物，使 1-50 μ 1含濃度為I-IOnmol · πιΓ1雜質(zhì)分子或1 μ g/ml以下的雜質(zhì)顆粒的溶液通過(guò)所述固態(tài)納米孔陣列時(shí)，雜質(zhì)分子或顆粒被化學(xué)修飾的納米孔陣列所截留，所述硅烷分子的結(jié)構(gòu)式為Y(CH2)nSiXJ3_m，其中，n = 0 3;m = 0 3，X*Z各自獨(dú)立的為氯基、甲氧基、乙氧基或甲氧基乙氧基；Y為乙烯基、氨基、環(huán)氧基、巰基或脲基。
2.如權(quán)利要求1所述的用化學(xué)修飾固態(tài)納米孔陣列分離溶液中雜質(zhì)的方法，其特征在于，單個(gè)納米孔直徑為10-50nm，納米孔陣列修飾有Y -氨丙基甲基二乙氧基硅烷，在偏置電壓驅(qū)動(dòng)下，溶液通過(guò)所述固態(tài)納米孔陣列時(shí)，粒徑大于納米孔有效孔徑的雜質(zhì)被截留。
3.如權(quán)利要求1所述的用化學(xué)修飾固態(tài)納米孔陣列分離溶液中特異雜質(zhì)的方法，其特征在于，單個(gè)納米孔直徑為1 180nm，通過(guò)對(duì)納米孔陣列兩面加載偏置電壓，溶液中的雜質(zhì)分子在電場(chǎng)作用下泳動(dòng)至納米孔附近并與孔內(nèi)壁修飾的分子結(jié)合并被截留，從而無(wú)法通過(guò)納米孔陣列進(jìn)入到另外一側(cè)的溶液中，實(shí)現(xiàn)雜質(zhì)的特異性分離。
全文摘要
本發(fā)明涉及用化學(xué)修飾固態(tài)納米孔陣列分離溶液中雜質(zhì)的方法，所述固態(tài)納米孔陣列的面積不小于250μm2，單個(gè)納米孔直徑為1～200nm，孔密度不小于1個(gè)/μm2，孔內(nèi)壁修飾有6-28bp的核酸分子、抗原分子、60-200kDa的抗體分子、50-200kDa的蛋白質(zhì)分子、含6-50個(gè)氨基酸的肽分子、硅烷分子)中的一種或兩種以上的任意比例的混合物，使1-50μl含濃度為1-10nmol·ml-1雜質(zhì)分子或1μg/ml以下的雜質(zhì)顆粒的溶液通過(guò)所述固態(tài)納米孔陣列時(shí)，雜質(zhì)分子或顆粒被化學(xué)修飾的納米孔陣列所截留，所述硅烷分子的結(jié)構(gòu)式為Y(CH2)nSiXmZ3-m，其中，n＝0～3；m＝0～3。
文檔編號(hào)B01D61/42GK102423636SQ20111031351
公開(kāi)日2012年4月25日 申請(qǐng)日期2011年10月15日 優(yōu)先權(quán)日2011年10月15日
發(fā)明者劉麗萍, 劉全俊, 吳宏文, 孫峰, 謝驍, 陸祖宏 申請(qǐng)人:東南大學(xué)