布置在承載器上。而且，在圖6A-6C中，假定該處理室可以容納若干承載器(例如，兩個或三個)以用于同時處理。在圖6A-6C中示出的源可以是任何處理源，諸如，例如，PVD，蝕刻，離子注入，等等。
[0068]圖6A示出了其中單一源601被設置在室600上的實施方式。該單一源被用來處理定位在室600內的所有的基片，不論是單一大基片還是若干較小基片。源601可以具有同時覆蓋所有基片的長度和/或寬度。對于一些源來說，制造具有如此大的尺寸的單一源可能太過復雜或太過昂貴。例如，如果源601為濺射源，那么該靶被制造得非常大，這是昂貴的、復雜的，并且導致利用不足。因此，根據圖6B和6C的實施方式，若干較小的源被使用。在圖6B的實施方式中，源603A-603C中的每個都足夠寬以便僅覆蓋單一基片，但其可以在縱向上(即，在基片行進的方向上)覆蓋多于一個基片。通過使這些源交錯使得每個源覆蓋每個承載器中的基片中的僅一個，所有基片都可以被處理。這種布置特別適合于經過式處理。相反地，在圖6C的實施方式中，源606A-606C中的每個都足夠寬以便覆蓋一個承載器中的所有基片，即，在垂直于基片行進方向的方向上，但卻太窄而不能覆蓋定位在該室內的所有基片。事實上，在一些實施方式中，源606A-606C中的每個甚至比一個基片還窄。這種布置同等地適合于經過式或靜止式處理。
[0069]以上描述的各實施方式提供了具有真空外殼的真空處理室，所述真空外殼的尺寸被確定成用于同時容納和處理若干基片承載器。該外殼還被構造成用于同時支撐若干處理源。這些處理源可以是例如濺射源，所述濺射源可以是具有足以橫過由基片承載器所保持的所有基片的長度的窄源，但可能比定位在該承載器上的基片的寬度窄。若干個這種源可以在承載器的行進方向上一個接一個地被定位在該室的整個長度或一部分長度上。該室具有定位在兩個相對的側上的若干個軸，以便在室內傳送承載器。每個軸通過由電動機促動的柔性的帶被旋轉。每個軸具有以交替的極性次序定位在其上的若干個磁性的輪，即，當一個輪可以使其外圓周被磁化為南極而內直徑被磁化為北極時，相鄰的輪將使其外圓周被磁化為北極而內直徑被磁化為南極。該室還具有入口側壁和出口側壁，入口側壁具有入口開口，出口側壁與入口側壁相對并具有出口開口 ；其中被磁化的輪裝置被定位在入口側壁內并突伸到入口開口中，并且使被磁化的輪裝置定位在出口側壁內并突伸到出口開口中，以便驅動基片承載器穿過入口開口和出口開口。
[0070]所公開的系統(tǒng)為線性系統(tǒng)，其中各室被線性地布置，一個室連接到下一個室，使得基片承載器從一側進入系統(tǒng)、以線性方式橫越所有的室、并在相反側上離開系統(tǒng)。承載器從一個室經由將各室分開的閘閥直接移動到下一個室中。一旦承載器離開系統(tǒng)的真空環(huán)境，其就進入升降機并且被豎直地移動到返回傳送機，該返回傳送機將該承載器水平地傳送回系統(tǒng)的入口側，在那里其進入另一個升降機并且被豎直移動以便被裝載新的基片并再次進入系統(tǒng)的真空環(huán)境。當承載器在大氣環(huán)境中被傳送時，其被保持在水平取向中。然而，在一個實施方式中，當承載器進入真空環(huán)境時，其被旋轉到豎直取向，使得各基片在被保持在豎直取向中的同時被處理。
[0071]系統(tǒng)可以具有定位在系統(tǒng)的入口側處的裝載和卸載站。裝載和卸載系統(tǒng)具有旋轉結構，四行卡盤被定位在該旋轉結構上，旋轉軸線的每側上有兩行。在旋轉軸線的每側上，一行卡盤被構造用于卸載處理過的基片并且一行卡盤被構造用于裝載新的基片。該旋轉結構被構造用于豎直運動，其中當其采取其降下位置時該結構拾取基片、并且當其采取其升高位置時該結構旋轉180度。而且，當該結構處于其降下位置時，在旋轉軸線的每側上一行卡盤拾取基片而另一行卡盤放下(即，釋放)其基片。在一個實施方式中，兩個傳送機被設置成橫跨系統(tǒng)的入口，其中一個傳送機遞送新的基片而另一個傳送機移除處理過的基片。該旋轉結構被構造成使得在其降下位置中一行卡盤被與遞送新基片的傳送機對齊，而另一行卡盤被與移除處理過的基片的傳送機對齊。同時，在旋轉軸線的另一側上，一行卡盤被與空承載器對齊，而另一行卡盤被與保持著處理過的基片的承載器對齊。
[0072]在一些實施方式中，一些措施被形成以便施加電位到基片。特別地，每個承載器包括導電條帶，當該承載器進入處理室時，所述導電條帶被插入滑動觸點中，所述滑動觸點包括細長的接觸刷和共形的絕緣彈簧，所述絕緣彈簧被構造成將該導電條帶壓靠向該細長的接觸刷。絕緣條帶(諸如Kapton條帶)可被用來將導電條帶附裝至承載器。
[0073]當對基片的處理需要使用掩模時，各掩?？梢员粏为毜胤胖迷诿總€基片的頂部上，或一個掩?？梢员恍纬梢酝瑫r覆蓋一個承載器的所有基片。掩?？梢岳缋么朋w被保持在位。然而，為了進行精確處理，該掩模必須被制造得非常薄，并且因此在處理期間可能由于熱應力而變形。另外，薄的掩?？赡苎杆偈占练e物并且該沉積物可能妨礙掩模的精確放置和掩蔽。因此，使用根據下面公開的實施方式的雙掩模裝置將是有利的。
[0074]圖7A-7E示出了根據各個實施方式的具有用于雙掩模的裝置的多晶片承載器的視圖。圖7A示出了具有雙掩模裝置的多晶片承載器，其中該掩模裝置處于降下位置使得內掩模處于與晶片的密切物理接觸；圖7B示出了具有雙掩模裝置的多晶片承載器，其中該掩模裝置處于升高位置從而使得能夠更換晶片；圖7C示出了具有雙掩模裝置的多晶片承載器，其中晶片升降器被包括以用于裝載/卸載晶片；圖70示出了具有雙掩模裝置的多晶片承載器的局部截面，其中該掩模裝置和晶片升降器處于升高位置；并且圖7E示出了具有雙掩模裝置的多晶片承載器的局部截面，其中該掩模裝置和晶片升降器處于降下位置。
[0075]參照圖7A，多晶片承載器，也被稱作承載器支座700，具有三個單獨的單晶片承載器或基座705，它們通過例如由陶瓷制成的基座框架或復數個條110被支撐。每個單晶片承載器705被構造用于將單一晶片與雙掩模裝置保持在一起。在圖7A中，雙掩模裝置處于被降下的位置中，但沒有晶片被置于任一個承載器中，以便暴露承載器的結構。在圖7B中，雙掩模裝置被顯示處于被升起的位置中，同樣沒有晶片處于任一個承載器中。在圖7A-7E的實施方式中，升降器715被用來升起和降下雙掩模裝置；然而，為了較低的成本和較少的復雜性，升降器715可以被取消并且雙掩模裝置可以被手動地升起。傳送軌725被設置在框架710的每一側上，以便使得能夠貫穿該系統(tǒng)傳送承載器700。
[0076]單晶片承載器705中的每一個具有基部730 (在圖7B中可見)，該基部具有帶凹部735的凸起式框架732以便支撐通過外周而被懸置的晶片。帶有框架732的基部730形成位于懸置的晶片下方的凹穴740,該凹穴有利于俘獲破碎的晶片碎塊。在一些實施方式中，框架732可從基部730分離。外掩模745被構造成被安裝在框架732上，以便覆蓋框架732并覆蓋內掩模的外周，但暴露內掩模的與晶片相對應的中央部分。這通過圖8的實施方式中的截面圖被例證。
[0077]在圖8中，基部或基座805具有帶凹部832的凸起式框架830，其在晶片的外周處支撐著晶片820。帶有框架830的基部805形成凹穴840，并且晶片被懸置在凹穴上方。一系列磁體834被定位在凸起式框架830內部，以便環(huán)繞晶片820的外周。在一些實施方式中，尤其是用于高溫操作的實施方式中，磁體834可以由釤鈷(SmCo)制成。內掩模850被定位在凸起式框架830和晶片820的頂部上，并且由各磁體834保持在位，使得其物理接觸晶片。外掩模845被放置在內掩模850上面并且物理接觸內掩模850，使得其覆蓋內掩模850的外周，除了內掩模的被設計用于對晶片進行處理的那個區(qū)域以外。外掩模945的實例被示于圖9中，在本實例中外掩模由折疊的鋁片制成，其中內掩模除了小的外周邊緣952以外被外掩模覆蓋，因為本實例是用于邊緣分流隔離處理的。用于邊緣分流隔離的內掩模750的實例在圖10中被示出，其基本上是具有孔口的平坦金屬片，該孔口的尺寸和形狀如同晶片的尺寸和形狀，除了其比晶片的尺寸略小(例如小1-2_)以外。在圖8的實施方式中，掩?？蚣?36被設置成使能夠支撐內掩模和外掩模并從承載器升起內掩模和外掩模。在這種構造中，外掩模被夾在掩?？蚣?36和內掩模850之間。
[0078]圖8A示出了另一實施方式，其可被用于例如在晶片的背面上形成觸點圖案。在本實施方式中，基座形成頂部平臺以在晶片的整個表面上支撐晶片。各磁體834被埋置在基座頂表面的下方遍布基座的整個區(qū)域。內掩模850覆蓋晶片820的整個表面并且根據觸點設計而具有多個孔。
[0079]轉回至圖7A-7E，升降器715可以被用來將外掩模連同內掩模一起舉起。而且，晶片升降器752可以被用來將晶片從框架730升起，使得該晶片可以使用機械臂而被用于處理的新晶片所代替。然而，升降器715和752可以被取消并且升起各掩模以及更換晶片的操作可以替代地被手動完成。
[0080]在上面參照圖8所描述的實施方式中，承載器在晶片的外周邊緣上支撐著晶片，使得晶片被懸置。形成于晶片下方的凹穴俘獲破碎的晶片碎塊并且防止沉積材料的繞回。另一方面，在圖8A的實施方式中，晶片遍及其整個表面而被支撐。掩模組件被降低在位以用于濺射或其它形式的處理，并且被手動地或機械地升起以用于裝載和卸載晶片。承載器上的一系列磁體幫助將內掩模固定在位且與晶片緊密接觸。在反復使用之后，外掩模和內掩模可以被更換，而承載器組件的其余部分可以被重新使用?？蚣?10，也被稱作掩模組件邊條，可以由低熱膨脹材料制成，諸如氧化鋁或鈦。
[0081]根據以上的實施方式，內掩模建立起與基片的密切的無間隙接觸。外掩模保護著內掩模、承載器和框架免于被沉積材料。在所不的實施方式中，外掩模和內掩模的開口呈偽