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      廢氣凈化方法及用于該方法的裝置的制造方法_4

      文檔序號(hào):9712730閱讀:來(lái)源:國(guó)知局
      施例〉
      [0102]實(shí)施例1
      [0103 ]基于活性碳,5重量%的鉑(Pt)催化劑與含有少量水的甲醇混合,將混合物涂布在活性碳上,然后,在80°C的干燥爐中加熱,以除去甲醇和水分,從而制備在其上負(fù)載有過(guò)渡金屬催化劑的碳載體(5重量%的?丨/0。
      [0104]將在其上負(fù)載有過(guò)渡金屬催化劑的碳載體填充于催化反應(yīng)器中,然后,在溫度150°〇下,壓力3巴下活化I小時(shí)30分鐘,以完全除去活性碳的有機(jī)物質(zhì)和水分(H2O)。
      [0105]在催化反應(yīng)器中,由通過(guò)化學(xué)氣相沉積(CVD)的多晶硅沉積工藝產(chǎn)生的廢氣被導(dǎo)入?;跉庀鄬游錾V(GC)峰面積,廢氣包含約99摩爾%的氫氣(H2),約0.5摩爾%的氯化氫(HCl),約0.03摩爾%三氯硅烷,以及約0.07摩爾%的四氯化硅。催化反應(yīng)器的運(yùn)行條件保持在溫度150°C,壓力20巴。
      [0106]比較實(shí)施例1
      [0107]除了在實(shí)施例1中在催化反應(yīng)塔中僅填充其上未負(fù)載有過(guò)渡金屬催化劑的活性碳之外,通過(guò)與實(shí)施例1相同的方法來(lái)凈化廢氣。其中,活化塔的吸附條件為:溫度20°C,壓力20巴。
      [0108]〈實(shí)驗(yàn)實(shí)施例〉
      [0109]通過(guò)反應(yīng)模擬評(píng)估催化反應(yīng)器的性能
      [0110]實(shí)驗(yàn)實(shí)施例1
      [0111]使用如圖1所示的凈化裝置凈化廢氣。為了確認(rèn)其性能,該工藝是使用工藝模擬軟件ASPEN Plus來(lái)模擬。
      [0112]催化反應(yīng)器3的反應(yīng)溫度和壓力分別設(shè)定在170°C和5barG,且導(dǎo)入催化反應(yīng)器3的流的組成被設(shè)定為由I摩爾%的氯化氫,2摩爾%的二氯硅烷,1摩爾%的三氯硅烷,7摩爾%的四氯化硅,和80摩爾%的氫氣組成。至于催化反應(yīng)器3,采用的是R-吉布斯(R-Gibbs)和R-斯多易(R-Stoic)模型。
      [0113]作為在上述條件下的模擬結(jié)果,通過(guò)催化反應(yīng)器3的混合氣體5由I摩爾%的二氯硅烷,12摩爾%的三氯硅烷,7摩爾%的四氯化硅,和80摩爾%的氫氣組成,并且可以確認(rèn),氯化氫和二氯硅烷在給定的反應(yīng)條件下反應(yīng)而被除去,并被轉(zhuǎn)化成更高的氯硅烷例如三氯娃燒等。
      [0114]實(shí)驗(yàn)實(shí)施例2
      [0115]使用如圖2所示的凈化裝置凈化廢氣。為了確認(rèn)其性能,該工藝使用工藝模擬軟件ASPEN Plus來(lái)模擬。
      [0116]催化反應(yīng)器30的反應(yīng)溫度和壓力分別設(shè)定在170°C和5barG,且導(dǎo)入催化反應(yīng)器30的流的組成被設(shè)定為由I摩爾V0的氯化氫,2摩爾%的二氯硅烷,10摩爾%的三氯硅烷,7摩爾%的四氯化硅,和80摩爾%的氫氣組成。至于催化反應(yīng)器30,采用的是R-吉布斯(R-Gibbs)和R-斯多葛(R-Stoic)模型。
      [0117]第一蒸饋塔60內(nèi)的凈化溫度設(shè)定在-5至-60°C,壓力設(shè)定為23barG。設(shè)定導(dǎo)入第一蒸餾塔60的混合氣體50流的組成與作為催化反應(yīng)器30的模擬結(jié)果所獲得的組成相同,其由I摩爾%的二氯硅烷,12摩爾%的三氯硅烷,7摩爾%的四氯化硅,和80摩爾%的氫氣組成。
      [0118]作為模擬結(jié)果,從第一蒸餾塔60的頂部排出的流由0.01摩爾%的二氯硅烷,0.03摩爾%的三氯硅烷,0.001摩爾%的四氯化硅,和99.96摩爾%的氫氣組成,并且可以確認(rèn),排出了高純度的氫氣流。
      [0119]氯化氫的吸附效率評(píng)估
      [0120]實(shí)驗(yàn)實(shí)施例3
      [0121]在實(shí)施例1和比較實(shí)施例1中,比較通過(guò)碳載體之前與之后的氣體組成。
      [0122]圖4是實(shí)施例1和比較實(shí)施例1中隨時(shí)間測(cè)量廢氣的組成的圖。在圖4中,氯硅烷和氯化氫化合物除氫氣的總和為100摩爾%,并且其以相對(duì)組成比(mol%)示出。
      [0123]圖4(a)示出了比較實(shí)施例1中當(dāng)廢氣通過(guò)碳載體時(shí),其組成隨時(shí)間的變化,圖4(b)示出了實(shí)施例1中當(dāng)廢氣通過(guò)負(fù)載有過(guò)渡金屬催化劑的碳載體時(shí),其組成隨時(shí)間的變化。
      [0124]如圖4(a)所示,氯化氫最后仍有約26摩爾%??梢哉J(rèn)為在吸附開(kāi)始(5分鐘內(nèi)),大多數(shù)氯硅烷被吸附到碳載體,但隨著時(shí)間的推移,碳載體的物理吸附性降低,使得氯化氫不被吸附而通過(guò),從而氯化氫的組成比是相對(duì)高的。
      [0125]相反的,如圖4(b)所示,實(shí)施例1中采用負(fù)載有過(guò)渡金屬催化劑的碳載體,氯化氫的組成比為約21摩爾%,相較于比較實(shí)施例1有約5%的下降,且三氯硅烷(SiHCl3)是幾乎檢測(cè)不到,所以基本上是完全被除去。
      [0126]圖5是實(shí)施例1和比較實(shí)施例1中通過(guò)GC測(cè)定隨著時(shí)間廢氣中氯化氫的相對(duì)含量的圖。
      [0127]如圖5所示,在實(shí)施例1中,通過(guò)負(fù)載有過(guò)渡金屬催化劑的碳載體,氯化氫的量相對(duì)于不使用過(guò)渡金屬催化劑的比較實(shí)施例1降低約25%或更多。
      [0128]【附圖標(biāo)記】
      [0129]10,100,200:凈化裝置
      [0130]3,30,103:催化反應(yīng)器
      [0131]4,40,104:碳載體
      [0132]6,129:蒸餾塔
      [0133]60:第一蒸餾塔
      [0134]90:第二蒸餾塔
      [0135]116:分離罐
      【主權(quán)項(xiàng)】
      1.一種廢氣凈化方法,其包含: 制備碳載體,其上負(fù)載過(guò)渡金屬催化劑;以及 將含有氯化氫(HC1)、氫氣(H2)及氯硅烷化合物的廢氣通過(guò)所述碳載體,以去除氯化氫。2.如權(quán)利要求1所述的廢氣凈化方法,其中所述過(guò)渡金屬是選自鉑、鈀、釕、鎳、銥、銠及其化合物中的至少一種。3.如權(quán)利要求1所述的廢氣凈化方法,其中所述碳載體選自活性碳、碳納米管、碳納米帶、碳納米線(xiàn)、多孔碳、碳粉及碳黑。4.如權(quán)利要求1所述的廢氣凈化方法,其中,基于所述碳載體的總重量,以0.0l至20重量%的含量負(fù)載所述過(guò)渡金屬催化劑。5.如權(quán)利要求1所述的廢氣凈化方法,其中所述廢氣是通過(guò)化學(xué)氣相沉積進(jìn)行多晶硅的沉積工藝后排出的氣體。6.如權(quán)利要求1所述的廢氣凈化方法,其中,基于全部廢氣,所述廢氣包含50摩爾%或更多的氫氣。7.如權(quán)利要求1所述的廢氣凈化方法,其中所述氯硅烷化合物包括二氯硅烷(SiH2Cl2)、三氯硅烷(SiHCl3)和四氯化硅(SiCl4)。8.如權(quán)利要求1所述的廢氣凈化方法,其中,與通過(guò)所述碳載體之前的廢氣相比較,基于摩爾數(shù),在已通過(guò)所述碳載體的廢氣中的氯化氫的含量降低80%或更多。9.如權(quán)利要求1所述的廢氣凈化方法,其中將所述廢氣通過(guò)負(fù)載有過(guò)渡金屬催化劑的碳載體的步驟在20至500°C和I至30巴的壓力的條件下進(jìn)行。10.如權(quán)利要求1所述的廢氣凈化方法,其中,當(dāng)所述廢氣通過(guò)負(fù)載有過(guò)渡金屬催化劑的碳載體時(shí),氯化氫被轉(zhuǎn)化為三氯硅烷和四氯化硅。11.如權(quán)利要求1所述的廢氣凈化方法,還包含從已通過(guò)所述碳載體的廢氣中分離氫氣和氯硅烷化合物。12.如權(quán)利要求11所述的廢氣凈化方法,其中所述從已通過(guò)碳載體的廢氣中分離氫氣和氯硅烷化合物的步驟是通過(guò)分離膜方法、蒸餾方法、氣液分離方法或其組合來(lái)進(jìn)行。13.一種用于廢氣凈化的裝置,其包含: 催化反應(yīng)器,其包含負(fù)載有過(guò)渡金屬催化劑的碳載體,并通過(guò)含有氯化氫(HCl)、氫氣(H2)及氯硅烷化合物的廢氣,以去除氯化氫;以及 分離器,用以將氫氣及氯硅烷化合物從已通過(guò)所述催化反應(yīng)器的廢氣中分離出來(lái)。14.如權(quán)利要求13所述的用于廢氣凈化的裝置,其中所述分離器包括選自蒸餾裝置、分離膜裝置及氣液分離裝置中的至少一種。
      【專(zhuān)利摘要】本發(fā)明涉及一種廢氣凈化方法及用于該方法的裝置。更具體地,本發(fā)明涉及一種用于廢氣凈化的方法及用于該方法的裝置,所述方法從通過(guò)化學(xué)氣相沉積進(jìn)行多晶硅沉積工藝后排放的廢氣中去除氯化氫,并且可以分離高純度的氫氣。
      【IPC分類(lèi)】B01D53/74, B01D53/86, B01D53/68
      【公開(kāi)號(hào)】CN105473210
      【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201480045699
      【發(fā)明人】金吉浩, 李元翼, 安貴龍, 金寶經(jīng)
      【申請(qǐng)人】韓化石油化學(xué)株式會(huì)社
      【公開(kāi)日】2016年4月6日
      【申請(qǐng)日】2014年8月12日
      【公告號(hào)】DE112014003934T5, US20160166986, WO2015030394A1
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