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      一種硫銅錫鋅鏤空結(jié)構(gòu)微米球及其制備方法與應(yīng)用

      文檔序號(hào):9799188閱讀:1672來源:國知局
      一種硫銅錫鋅鏤空結(jié)構(gòu)微米球及其制備方法與應(yīng)用
      【技術(shù)領(lǐng)域】
      [0001]本發(fā)明屬于材料技術(shù)領(lǐng)域,具體涉及一種硫銅錫鋅鏤空結(jié)構(gòu)微米球及其制備方法與應(yīng)用。
      【背景技術(shù)】
      [0002]近些年來,可持續(xù)工業(yè)的發(fā)展和人口數(shù)目的不斷上升,導(dǎo)致人類社會(huì)對(duì)能源需求的不斷加大,傳統(tǒng)能源不可再生而且?guī)捉萁?,全球范圍面臨著越來越嚴(yán)峻的能源危機(jī),這些問題都驅(qū)使著我們?nèi)ふ噎h(huán)境友好的可再生的新型能源。太陽能被認(rèn)為是一種取之不盡,用之不竭的能源,能夠滿足未來人類社會(huì)日益增長的能源需求。然而,間歇性的太陽輻射和缺乏經(jīng)濟(jì)有效的能量存儲(chǔ)方法成為利用太陽能的最重要挑戰(zhàn)。自從Fujishima和Honda發(fā)現(xiàn)光輻射可以驅(qū)動(dòng)光陽極的二氧化鈦分解水制氫以來,光催化分解水制氫成為了綠色化學(xué)中最具潛力的存儲(chǔ)太陽能方法,人們對(duì)大量的半導(dǎo)體材料進(jìn)行了系統(tǒng)的研究,如ZnO, BiV04, W03, SrT03, NaNb03和Ga203等。然而,這些材料大多由于它們帶隙過寬以及嚴(yán)重的電子-空穴對(duì)的復(fù)合導(dǎo)致效率不高。
      [0003]面對(duì)這些問題,在硫?qū)倩锊牧现鸩竭M(jìn)入人們的視線,不僅因?yàn)槠渚哂懈叩目梢姽馕庀禂?shù)(超過I O—4 cm—1)和理想的帶隙值(1.4-1.6 eV ),而且該領(lǐng)域的最新成果表明,CTS具有潛在的水和污染物的降解制氫活性,更為重要的是,向CTS中引入新的功能性材料,如CTS-金屬(Au或Pt)可以使CTS顯示出較高的光催化活性。這些突破性進(jìn)展無疑是建立起光電轉(zhuǎn)換和光催化作用之間的橋梁,同時(shí)也掀起了 CTS在光催化領(lǐng)域應(yīng)用的新高潮。

      【發(fā)明內(nèi)容】

      [0004]本發(fā)明的第一目的在于提供一種硫銅錫鋅鏤空結(jié)構(gòu)微米球;第二目的在于提供所述的硫銅錫鋅鏤空結(jié)構(gòu)微米球的制備方法;第三目的在于提供所述的硫銅錫鋅鏤空結(jié)構(gòu)微米球的應(yīng)用。
      [0005]本發(fā)明的第一目的是這樣實(shí)現(xiàn)的,所述的硫銅錫鋅結(jié)構(gòu)微米球直徑為10_15μπι,微米球體表面呈多孔幾何構(gòu)型,孔徑為I?3nm,孔深為I?3nm。
      [0006]本發(fā)明的第二目的是這樣實(shí)現(xiàn)的,包括以下步驟:
      A、將原料氯化銅、氯化亞錫、硫脲和K4SiW12O4Q按照1:1:3:10—3的摩爾比例溶解在乙二醇中形成樣品溶液;
      B、將樣品溶液進(jìn)行熱處理得到目標(biāo)物硫銅錫鋅鏤空結(jié)構(gòu)微米球。
      [0007]本發(fā)明的第三目的是這樣實(shí)現(xiàn)的,所述的硫銅錫鋅鏤空結(jié)構(gòu)微米球在制備光催化劑中的應(yīng)用。
      [0008]本發(fā)明將多陰離子引入到CTS體系中得到鏤空結(jié)構(gòu)(多孔)CTS微米球,即硫銅錫鋅口空結(jié)構(gòu)微米球,所述的硫銅錫鋅口空結(jié)構(gòu)微米球上具有多孔幾何構(gòu)型,整體看上去與“隕石坑”的結(jié)構(gòu)類似,微米球直徑為10-15微米,具有比表面積大、不團(tuán)聚的特性,制備方法操作簡單且在光降解羅丹明B(RhB)的光解和光催化分解水制氫方面表現(xiàn)出非常強(qiáng)的催化效果O
      【附圖說明】
      [0009]圖1為 CTS-POM XRD譜圖;
      圖2為CTS-POM XPS譜圖;
      圖3為多酸含量不同時(shí)的CTS-POM的電鏡圖(a-d,多酸含量分別為1~5%);
      圖4為不加POM情況下所得到的CTS電鏡圖;
      圖5為CTS-POM的TEM圖;
      圖6為CTS-POM紫外-可見吸收?qǐng)D;
      圖7為CTS-POM光催化降解羅丹明B圖;
      圖8為CTS-POM光催化制氫圖;
      圖9為可能的CTS-POM光催化機(jī)理圖。
      【具體實(shí)施方式】
      [0010]下面結(jié)合實(shí)施例和附圖對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步的說明,但不以任何方式對(duì)本發(fā)明加以限制,基于本發(fā)明教導(dǎo)所作的任何變換或替換,均屬于本發(fā)明的保護(hù)范圍。
      [0011]本發(fā)明所述的硫銅錫鋅鏤空結(jié)構(gòu)微米球,其直徑為10-15μπι,微米球體表面呈多孔幾何構(gòu)型,孔徑為I?3nm,孔深為I?3nm。
      [0012]所述的硫銅錫鋅鏤空結(jié)構(gòu)微米球的粉末X射線衍射圖譜在28.72° ,32.79°,47.73。,56.33。,69.38。和76.72。的2Θ ± 0.1°反射角處顯示特征衍射峰。
      [0013]本發(fā)明所述的硫銅錫鋅鏤空結(jié)構(gòu)微米球的制備方法,包括以下步驟:
      A、將原料氯化銅、氯化亞錫和硫脲1:1:3的摩爾比例溶解在乙二醇中形成樣品溶液;
      B、向樣品溶液中加入K4SiWi204Q模板劑進(jìn)行熱處理得到目標(biāo)物硫銅錫鋅鏤空結(jié)構(gòu)微米球。
      [0014]B步驟中熱處理溫度為180?200°C,處理時(shí)間為22?26h。
      [0015]B步驟為將樣品溶液轉(zhuǎn)移至聚四氟容器并固定于不銹鋼反應(yīng)釜里,將不銹鋼反應(yīng)釜置于烘箱中進(jìn)行加熱。
      [0016]B步驟還包括將所述的硫銅錫鋅鏤空結(jié)構(gòu)微米球進(jìn)行冷卻、除雜。
      [0017]所述的除雜是將硫銅錫鋅鏤空結(jié)構(gòu)微米球沉淀從乙二醇溶液中通過離心分離,并分別用去離子水和乙醇交替進(jìn)行洗滌,洗滌次數(shù)為兩次以上。
      [0018]所述的離心分離是以5000~7000rpm下離心分離8?12min。
      [0019]B步驟還包括將所述的硫銅錫鋅鏤空結(jié)構(gòu)微米球進(jìn)行干燥處理。
      [0020]所述的干燥處理為真空干燥,干燥溫度為65?75°C,干燥時(shí)間為5?7h。
      [0021]本發(fā)明的應(yīng)用為所述的硫銅錫鋅鏤空結(jié)構(gòu)微米球在制備光催化劑中的應(yīng)用。
      [0022]本發(fā)明將多陰離子(多金屬氧酸鹽Ρ0Μ)引入到CTS體系中得到鏤空結(jié)構(gòu)(多孔)CTS微米球,即硫銅錫鋅口空結(jié)構(gòu)微米球,多金屬氧酸鹽是一類獨(dú)特的無機(jī)金屬氧簇,除了它們結(jié)構(gòu)的穩(wěn)定、堅(jiān)固外,廣泛的的分子尺寸分布、獨(dú)有的氧化還原性、表面電子結(jié)構(gòu)和酸性等特點(diǎn)使得多酸類化合物具有許多其他化合物所不具有的性質(zhì),例如特殊的模板和催化作用。此外,大多數(shù)陰離子表面具有很多的負(fù)電荷和空軌道,可以接受額外的電子結(jié)構(gòu)。多金屬氧酸鹽作為模板劑對(duì)CTS多孔結(jié)構(gòu)微米球的形成起到非常重要的作用。鏤空結(jié)構(gòu)CTS微米球的形成機(jī)理如下:在沒有加入多金屬氧酸鹽的情況下,水熱體系內(nèi)表面能較高這些納米片進(jìn)行快速聚集過程,且只形成小尺寸分層CTS顆粒。在加入多金屬氧酸鹽后體系中晶核增加,這樣一來減少了反應(yīng)體系的表面能、延長了顆粒的結(jié)晶時(shí)間、防止納米顆??焖倬奂虼?,合成的POM-CTS的直徑比純CTS顆粒相對(duì)較大,另外,長時(shí)間的超聲波凈化會(huì)導(dǎo)致更大的孔徑形成。
      [0023]實(shí)施例1
      將2111]\1的511(:12.2!120、2111]\1的01(:12.2 H20、6mM的硫脲和 10—3mmol的K4SiWi2O4Q加入到50mlDMF的燒杯中溶解,將其轉(zhuǎn)移到10ml聚四氟乙烯襯里的不銹鋼高壓釜中,并保持在200°C的熱空氣烘箱中加熱24h,沉淀物從溶液中以6000rpm離心分離lOmin,用去離子水和體積百分比濃度10%的乙醇交替洗滌3次,后于真空度0.1 MPa、溫度70°C下干燥6h得到目標(biāo)物。
      [0024]實(shí)施例2
      將2111]\1的511(:12.2!120、2111]\1的01(:12.2 H20、2mM的硫脲和 10—5mmol的K4SiWi2O4Q加入到50mlDMF的燒杯中溶解,將其轉(zhuǎn)移到10ml聚四氟乙烯襯里的不銹鋼高壓釜中,并保持在200°C的熱空氣烘箱中加熱24h,沉淀物從溶液中以6000rpm離心分離lOmin,用去離子水和體積百分比濃度10%的乙醇交替洗滌3次,后于真空度0.1 MPa、溫度70°C下干燥6h得到目標(biāo)物。
      [0025]實(shí)施例3
      將2111]\1的511(:12.2!120、2111]\1的01(:12.2 H20、2mM的硫脲和 10—4mmol的K4SiWi2O40加入到50mlDMF的燒杯中溶解,將其轉(zhuǎn)移到10ml聚四氟乙烯襯里的不銹鋼高壓釜中,并保持在200°C的熱空氣烘箱中加熱24h,沉淀物從溶液中以6000rpm離心分離lOmin,用去離子水和體積百分比濃度10%的乙醇交替洗滌3次,后于真空度0.1MPa、溫度70°C下干燥6h得到目標(biāo)物。
      [0026]實(shí)施例4
      將2111]\1的511(:12.2!120、2111]\1的01(:12.2 H20、2mM的硫脲和 10—3mmol的K4SiWi2O4Q加入到50mlDMF的燒杯中溶解,將其轉(zhuǎn)移到10ml聚四氟乙烯襯里的不銹鋼高壓釜中,并保持在200°C的熱空氣烘箱中加熱24h,沉淀物從溶液中以6000rpm離心分離lOmin,用去離子水和體積百分比濃度10%的乙醇交替洗滌3次,后于真空度0.1 MPa、溫度70°C下干燥6h得到目標(biāo)物。
      [0027]實(shí)施例5
      將2禮的511(:12.2!120、21111的01(:12.2 H20、2mM的硫脲和2mg的K4SiWi2O4Q加入到50ml DMF的燒杯中溶解,將其轉(zhuǎn)移到10ml聚四氟乙烯襯里的不銹鋼高壓釜中,并保持在200°C的熱空氣烘箱中加熱24h,沉淀物從溶液中以6000rpm離心分離1min,用去離子水和體積百分比濃度10%的乙醇交替洗滌3次,后于真空度0.1 MPa、溫度70°C下干燥6h得到目標(biāo)物。
      [0028]實(shí)施例6
      將2禮的511(:12.2!120、21111的01(:12.2 H20、2mM的硫脲和2mg的K4SiWi2O4Q加入到50ml DMF的燒杯中溶解,將其轉(zhuǎn)移到10ml聚四氟乙烯襯里的不銹鋼高壓釜中,并保持在200°C的熱空氣烘箱中加熱24h,沉淀物從溶液中以6000rpm離心分離1min,用去離子水和體積百分比濃度10%的乙醇交替洗滌3次,后于真空度0.
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