專利名稱：合成非晶態(tài)二氧化硅粉末及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及適合作為制造合成石英玻璃制品的原料的高純度的合成非晶態(tài)ニ氧化硅粉末及其制造方法，所述合成石英玻璃制品是在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)等中，在高溫和減壓的環(huán)境下使用的配管、坩堝等的合成石英玻璃制品。
背景技術(shù)：
以往，用于制造半導(dǎo)體用途的單晶的坩堝、夾具類，通過以將天然石英、硅砂粉碎、純化而得到的石英粉作為原料來進(jìn)行制造。但是，天然石英、硅砂含有各種金屬雜質(zhì)，即使進(jìn)行上述純化處理，也不能完全除去金屬雜質(zhì)，因此在純度上不能充分令人滿意。另外，隨著半導(dǎo)體的高集成化的發(fā)展，對于作為材料的單晶的品質(zhì)要求在提高，在制造該單晶中使用的坩堝、夾具類也被要求是高純度品。因此，以高純度的合成非晶態(tài)ニ氧化硅粉末代替天 然石英、硅砂來作為原料的合成石英玻璃制品受到人們的矚目。作為制造該高純度的合成非晶態(tài)ニ氧化硅粉末的方法，公開了使高純度的四氯化硅在水中水解而生成硅膠、將該硅膠進(jìn)行干燥、整粒、煅燒來得到合成非晶態(tài)ニ氧化硅粉末的方法(例如參考專利文獻(xiàn)I )。另外，公開了將硅酸酯等的烷氧基硅烷在酸和堿的存在下水解而使其凝膠化，并將所得凝膠進(jìn)行干燥、粉碎，然后進(jìn)行煅燒，由此得到合成非晶態(tài)ニ氧化硅粉末的方法(例如參考專利文獻(xiàn)2，3)。利用上述專利文獻(xiàn)I 3中記載的方法制造的合成非晶態(tài)ニ氧化硅粉末，與天然石英、硅砂相比為高純度，由將上述合成非晶態(tài)ニ氧化硅粉末作為原料制造的坩堝、夾具類等的合成石英玻璃制品，可以實現(xiàn)雜質(zhì)混入的減少或高性能化。專利文獻(xiàn)
專利文獻(xiàn)I :日本特公平4 一 75848號公報(權(quán)利要求書第I項)
專利文獻(xiàn)2 :日本特開昭62 — 176929號公報(權(quán)利要求書第I項)
專利文獻(xiàn)3 :日本特開平3 — 275527號公報(第2頁左下欄第7行 第3頁左上欄第6行)。

發(fā)明內(nèi)容
但是，以由上述專利文獻(xiàn)I 3中記載的方法制造的合成非晶態(tài)ニ氧化硅粉末作為原料制造的合成石英玻璃制品，在合成石英玻璃制品使用的環(huán)境為高溫和減壓的環(huán)境下時，具有氣泡產(chǎn)生或膨脹，而使該合成石英玻璃制品的性能大幅降低的缺點。例如，硅單晶提拉用坩堝在1500°C附近和7000Pa附近的高溫和減壓的環(huán)境下使用，形成下述問題由上述氣泡的產(chǎn)生或膨脹導(dǎo)致的坩堝性能的大幅下降對提拉的單晶的質(zhì)量產(chǎn)生影響。針對這樣的在上述高溫和減壓的環(huán)境下使用時所產(chǎn)生的問題，考慮了以下對策，即，對通過四氯化硅的水解而得到的合成非晶態(tài)ニ氧化硅粉末實施熱處理，分別使合成非晶態(tài)ニ氧化硅粉末中的氫氧基和氯的濃度減少，另外對通過烷氧基硅烷的溶膠凝膠法得到的合成非晶態(tài)ニ氧化硅粉末實施熱處理，分別使合成非晶態(tài)ニ氧化硅粉末中的氫氧基和碳的濃度減少，由此減少可形成合成非晶態(tài)ニ氧化硅粉末中的氣體成分的雜質(zhì)濃度。
但是，即使對于上述対策，也不能充分抑制在高溫和減壓的環(huán)境下使用的合成石英玻璃制品的氣泡的產(chǎn)生或膨脹。本發(fā)明的目的在于克服這樣的上述現(xiàn)有的問題，而提供適合作為用于合成石英玻璃制品的原料的、合成非晶態(tài)ニ氧化硅粉末和其制造方法，所述合成石英玻璃制品即使在高溫和減壓的環(huán)境下使用時，氣泡的產(chǎn)生或膨脹也少。本發(fā)明的第I觀點是合成非晶態(tài)ニ氧化硅粉末，其是對造粒過的ニ氧化硅粉末實施球化處理后，進(jìn)行洗滌、干燥而得到的平均粒徑D5tl為10 2000 u m的合成非晶態(tài)ニ氧化硅粉末，其特征在于，用BET比表面積除以由平均粒徑D5tl算出的理論比表面積而得的值為I. 00 I. 35，真密度為2. 10 2. 20g/cm3，粒子內(nèi)空隙率為0 0. 05，圓形度為0. 75
1.00，以及球化率為0. 55 I. 00。本發(fā)明的第2觀點是基于第I觀點的發(fā)明，其是將造粒過的ニ氧化硅粉末煅燒后，實施球化處理而成的合成非晶態(tài)ニ氧化硅粉末，其特征在于，滿足碳濃度小于2ppm或氯濃度小于2ppm的任一者或這兩者。本發(fā)明的第3觀點是基于第2觀點的發(fā)明，其特征在干，進(jìn)ー步地，造粒過的ニ氧化硅粉末是通過使四氯化硅水解而生成ニ氧化硅質(zhì)的凝膠、將該ニ氧化硅質(zhì)的凝膠干燥而形成干燥粉、并將該干燥粉粉碎后進(jìn)行分級而得到的ニ氧化硅粉末，碳濃度小于2ppm。本發(fā)明的第4觀點是基于第2觀點的發(fā)明，其特征在干，進(jìn)ー步地，造粒過的ニ氧化硅粉末是通過使有機(jī)系硅化合物水解而生成ニ氧化硅質(zhì)的凝膠、將該ニ氧化硅質(zhì)的凝膠進(jìn)行干燥而形成干燥粉、并將該干燥粉粉碎后進(jìn)行分級來得到的ニ氧化硅粉末，氯濃度小-T 2ppm0本發(fā)明的第5觀點是基于第2觀點的發(fā)明，其特征在干，進(jìn)ー步地，造粒過的ニ氧化硅粉末是通過使用熱解法ニ氧化硅來生成ニ氧化硅質(zhì)的凝膠、將該ニ氧化硅質(zhì)的凝膠干燥而形成干燥粉、將該干燥粉粉碎后進(jìn)行分級而得到的ニ氧化硅粉末，碳濃度小于2ppm，氯濃度小于2ppm。本發(fā)明的第6觀點是合成非晶態(tài)ニ氧化硅粉末的制造方法，其特征在于，依次包含
通過生成ニ氧化硅質(zhì)的凝膠、將該ニ氧化硅質(zhì)的凝膠干燥而形成干燥粉、并將該干燥粉粉碎后進(jìn)行分級來得到ニ氧化硅粉末的造粒步驟、
在利用規(guī)定的高頻功率產(chǎn)生等離子體的等離子槍內(nèi)，以規(guī)定的供給速度加入上述造粒步驟中得到的ニ氧化硅粉末，利用使該造粒步驟中得到的ニ氧化硅粉末在從2000°C至ニ氧化硅的沸點的溫度下加熱、熔融的熱等離子體進(jìn)行的球化步驟、
去除在上述球化步驟后的球化ニ氧化硅粉末表面上附著的微粉的洗滌步驟、和 將上述洗滌步驟后的ニ氧化硅粉末干燥的干燥步驟，
將上述球化步驟中的高頻功率(W)設(shè)為A、ニ氧化硅粉末的供給速度(kg/hr)設(shè)為B吋，進(jìn)行調(diào)整以使A/B(W hr/kg)的值為1.0X104以上，得到平均粒徑D5tl為10 2000 ym、用BET比表面積除以由平均粒徑D5tl算出的理論比表面積而得的值為I. 00 I. 35、真密度為
2.10 2. 20g/cm3、粒子內(nèi)空隙率為0 0. 05、圓形度為0. 75 I. 00和球化率為0. 55 1.OO的合成非晶態(tài)ニ氧化硅粉末。本發(fā)明的第7觀點是基于第6觀點的發(fā)明，其特征在干，進(jìn)ー步地，造粒步驟是通過使四氯化硅水解而生成ニ氧化硅質(zhì)的凝膠、將該ニ氧化硅質(zhì)的凝膠干燥而形成干燥粉、并將該干燥粉粉碎后進(jìn)行分級，來得到平均粒徑D5tl為10 3000 u m的ニ氧化硅粉末的步驟。本發(fā)明的第8觀點是基于第6觀點的發(fā)明，其特征在干，進(jìn)ー步地，造粒步驟是通過使有機(jī)系硅化合物水解而生成ニ氧化硅質(zhì)的凝膠、將該ニ氧化硅質(zhì)的凝膠干燥而形成干燥粉、并將該干燥粉粉碎后進(jìn)行分級，來得到平均粒徑D5tl為10 3000 u m的ニ氧化硅粉末的步驟。本發(fā)明的第9觀點是基于第6觀點的發(fā)明，其特征在干，進(jìn)ー步地，造粒步驟是通過使用熱解法ニ氧化硅而生成ニ氧化硅質(zhì)的凝膠、將該ニ氧化硅質(zhì)的凝膠進(jìn)行干燥而形成干燥粉、并將該干燥粉粉碎后進(jìn)行分級，來得到平均粒徑D5tl為10 3000 u m的ニ氧化硅粉末的步驟。本發(fā)明的第10觀點是合成非晶態(tài)ニ氧化硅粉末的制造方法，其特征在于，依次包含
通過生成ニ氧化硅質(zhì)的凝膠、將該ニ氧化硅質(zhì)的凝膠干燥而形成干燥粉、并將該干燥粉粉碎后進(jìn)行分級來得到ニ氧化硅粉末的造粒步驟、
將上述造粒步驟中得到的ニ氧化硅粉末在800 1450°C的溫度下進(jìn)行煅燒的煅燒步
驟、
在利用規(guī)定的高頻功率產(chǎn)生等離子體的等離子槍內(nèi)，以規(guī)定的供給速度加入上述煅燒步驟中得到的ニ氧化硅粉末，利用使該煅燒步驟中得到的ニ氧化硅粉末在從2000°C至ニ氧化硅的沸點的溫度下加熱、熔融的熱等離子體進(jìn)行的球化步驟、
去除在上述球化步驟后的球化ニ氧化硅粉末表面上附著的微粉的洗滌步驟、和 將上述洗滌步驟后的ニ氧化硅粉末干燥的干燥步驟，
將上述球化步驟中的高頻功率(W)設(shè)為A、ニ氧化硅粉末的供給速度(kg/hr)設(shè)為B吋，進(jìn)行調(diào)整以使A/B(W hr/kg)的值為1.0X104以上，得到平均粒徑D5tl為10 2000 ym、用BET比表面積除以由平均粒徑D5tl算出的理論比表面積而得的值為I. 00 I. 35、真密度為
2.10 2. 20g/cm3、粒子內(nèi)空隙率為0 0. 05、圓形度為0. 75 I. 00和球化率為0. 55
I.00的、滿足碳濃度小于2ppm或氯濃度小于2ppm的任一者或這兩者的合成非晶態(tài)ニ氧化硅粉末。本發(fā)明的第11觀點是基于第10觀點的發(fā)明，其特征在干，進(jìn)ー步地，當(dāng)造粒步驟是通過使四氯化硅水解而生成ニ氧化硅質(zhì)的凝膠、將該ニ氧化硅質(zhì)的凝膠干燥而形成干燥粉、并將該干燥粉粉碎后進(jìn)行分級來得到平均粒徑D5tl為10 3000 u m的ニ氧化硅粉末的步驟時，所得的合成非晶態(tài)ニ氧化硅粉末的碳濃度小于2ppm。、
本發(fā)明的第12觀點是基于第10觀點的發(fā)明，其特征在干，進(jìn)ー步地，當(dāng)造粒步驟是通過使有機(jī)系硅化合物水解而生成ニ氧化硅質(zhì)的凝膠、將該ニ氧化硅質(zhì)的凝膠干燥而形成干燥粉、并將該干燥粉粉碎后進(jìn)行分級來得到平均粒徑D5tl為10 3000 u m的ニ氧化硅粉末的步驟時，所得的合成非晶態(tài)ニ氧化硅粉末的氯濃度小于2ppm。本發(fā)明的第13觀點是基于第10觀點的發(fā)明，其特征在干，進(jìn)ー步地，在造粒步驟是通過使用熱解法ニ氧化硅而生成ニ氧化硅質(zhì)的凝膠、將該ニ氧化硅質(zhì)的凝膠干燥而形成干燥粉、并將該干燥粉粉碎后進(jìn)行分級，來得到平均粒徑D5tl為10 3000 u m的ニ氧化硅粉末的步驟時，所得的合成非晶態(tài)ニ氧化硅粉末的碳濃度小于2ppm，氯濃度小于2ppm。本發(fā)明的第I觀點的合成非晶態(tài)ニ氧化硅粉末，是對于造粒過的ニ氧化硅粉末實施球化處理后，進(jìn)行洗滌、干燥而得到的平均粒徑D5tl為10 2000 u m的合成非晶態(tài)ニ氧化硅粉末，其中，用BET比表面積除以由平均粒徑D5tl算出的理論比表面積而得的值為I. 00
I.35，真密度為2. 10 2. 20g/cm3，粒子內(nèi)空隙率為0 0. 05，圓形度為0. 75 I. 00，以及球化率為0. 55 I. 00。因此，如果使用該合成非晶態(tài)ニ氧化硅粉末來制造合成石英玻璃制品，則在原料粉末的表面吸附的氣體成分變少，另外粉末內(nèi)部的氣體成分變少，因此可以減少氣泡的產(chǎn)生或膨脹。本發(fā)明的第2觀點的合成非晶態(tài)ニ氧化硅粉末，是將造粒過的ニ氧化硅粉末煅燒后，實施球化處理而成的合成非晶態(tài)ニ氧化硅粉末，其滿足碳濃度小于2ppm或氯濃度小于2ppm的任一者或這兩者。因此，如果使用該合成非晶態(tài)ニ氧化硅粉末來制造合成石英玻璃制品，則在原料粉末的表面吸附的氣體成分變少，另外粉末內(nèi)部的氣體成分變少，因此可以減少氣泡的產(chǎn)生或膨脹。特別地，通過在對于該合成非晶態(tài)ニ氧化硅粉末實施球化處理前進(jìn)行煅燒，表面上吸附的氣體成分、粉末內(nèi)部的氣體成分極少，可以進(jìn)ー步提高上述合成石英玻璃制品中氣泡的產(chǎn)生或膨脹的減少效果。對于本發(fā)明的第5觀點的合成非晶態(tài)ニ氧化硅粉末，通過使造粒過的ニ氧化硅粉末是通過使用熱解法ニ氧化硅來生成ニ氧化硅質(zhì)的凝膠、將該ニ氧化硅質(zhì)的凝膠進(jìn)行干燥而形成干燥粉、并將該干燥粉粉碎后進(jìn)行分級來得到的ニ氧化硅粉末，由此實現(xiàn)碳濃度小于2ppm、氯濃度小于2ppm。在該合成非晶態(tài)ニ氧化硅粉末中，作為原料粉末的ニ氧化硅粉末使用熱解法ニ氧化硅，由此與原料粉末使用使氯系硅化合物在液體中反應(yīng)而得到的物質(zhì)或由四甲氧基硅烷等有機(jī)系硅化合物得到的物質(zhì)的情況相比，可以進(jìn)一歩抑制碳濃度和氯濃度，因此可以進(jìn)一步提高上述合成石英玻璃制品中的氣泡的產(chǎn)生或膨脹的減少效果。本發(fā)明第6 第9觀點的合成非晶態(tài)ニ氧化硅粉末的制造方法中，例如通過使四氯化硅水解來生成ニ氧化硅質(zhì)的凝膠、使四甲氧基硅烷等的有機(jī)系硅化合物水解而生成ニ氧化硅質(zhì)的凝膠、或使用熱解法ニ氧化硅而生成ニ氧化硅質(zhì)的凝膠。并且，上述制造方法的特征在于，依次含有
通過將該ニ氧化硅質(zhì)的凝膠干燥而形成干燥粉，并將該干燥粉粉碎后進(jìn)行分級而得到所需平均粒徑的ニ氧化硅粉末的造粒步驟、
在利用規(guī)定的高頻功率產(chǎn)生等離子體的等離子槍內(nèi)，以規(guī)定的供給速度加入上述造粒步驟中得到的ニ氧化硅粉末，利用使該造粒步驟中得到的ニ氧化硅粉末在從2000°C至ニ氧化硅的沸點的溫度下加熱、熔融的熱等離子體進(jìn)行的球化步驟、
去除在上述球化步驟后的球化ニ氧化硅粉末表面上附著的微粉的洗滌步驟、和 將上述洗滌步驟后的ニ氧化硅粉末干燥的干燥步驟，
將上述球化步驟中的高頻功率(W)設(shè)為A、ニ氧化硅粉末的供給速度(kg/hr)設(shè)為B吋， 進(jìn)行調(diào)整以使A/B(W hr/kg)的值為1.0X104以上，得到平均粒徑D5tl為10 2000 ym、用BET比表面積除以由平均粒徑D5tl算出的理論比表面積而得的值為I. 00 I. 35、真密度為2.10 2. 20g/cm3、粒子內(nèi)空隙率為0 0. 05、圓形度為0. 75 I. 00和球化率為0. 55
1.00的合成非晶態(tài)ニ氧化硅粉末。通過進(jìn)行上述步驟，不可避免的氣體吸附量少，另外粉末內(nèi)部的氣體成分少，因此能夠簡便地制造可適合作為合成石英玻璃制品的原料使用的合成
非晶態(tài)ニ氧化硅粉末。本發(fā)明的第10 第13觀點的合成非晶態(tài)ニ氧化硅粉末的制造方法中，例如通過使四氯化硅水解來生成ニ氧化硅質(zhì)的凝膠、使四甲氧基硅烷等的有機(jī)系硅化合物水解而生成ニ氧化硅質(zhì)的凝膠、或使用熱解法ニ氧化硅而生成ニ氧化硅質(zhì)的凝膠。并且，上述制造方法的特征在于，依次含有
通過將該ニ氧化硅質(zhì)的凝膠干燥而形成干燥粉，并將該干燥粉粉碎后進(jìn)行分級而得到所需平均粒徑的ニ氧化硅粉末的造粒步驟、
將上述造粒步驟中得到的ニ氧化硅粉末在800 1450°C的溫度下進(jìn)行煅燒的煅燒步
驟、
在利用規(guī)定的高頻功率產(chǎn)生等離子體的等離子槍內(nèi)，以規(guī)定的供給速度加入上述煅燒步驟中得到的ニ氧化硅粉末，利用使該煅燒步驟中得到的ニ氧化硅粉末在從2000°C至ニ氧化硅的沸點的溫度下加熱、熔融的熱等離子體進(jìn)行的球化步驟、
去除在上述球化步驟后的球化ニ氧化硅粉末表面上附著的微粉的洗滌步驟、和 將上述洗滌步驟后的ニ氧化硅粉末干燥的干燥步驟，
將上述球化步驟中的高頻功率(W)設(shè)為A、ニ氧化硅粉末的供給速度(kg/hr)設(shè)為B吋，進(jìn)行調(diào)整以使A/B(W hr/kg)的值為1.0X104以上，得到平均粒徑D5tl為10 2000 ym、用BET比表面積除以由平均粒徑D5tl算出的理論比表面積而得的值為I. 00 I. 35、真密度為
2.10 2. 20g/cm3、粒子內(nèi)空隙率為0 0. 05、圓形度為0. 75 I. 00和球化率為0. 55
I.00的合成非晶態(tài)ニ氧化硅粉末。通過進(jìn)行上述步驟，不可避免的氣體吸附量少，另外粉末內(nèi)部的氣體成分少，因此能夠簡便地制造可適合用作合成石英玻璃制品的原料的合成非晶態(tài)ニ氧化硅粉末。特別地，在該制造方法中，通過在球化處理步驟前設(shè)置利用了規(guī)定條件的煅燒步驟，可以極為減少吸附在表面的氣體成分、粉末內(nèi)部的氣體成分，能夠制造上述合成石英玻璃制品中氣泡的產(chǎn)生或膨脹的減少效果更高的合成非晶態(tài)ニ氧化硅粉末。附圖
的說明
[圖I]是表示本發(fā)明第I實施方式的合成非晶態(tài)ニ氧化硅粉末的代表性的粉末粒子的照片圖。[圖2]是表示本發(fā)明第2實施方式的合成非晶態(tài)ニ氧化硅粉末的代表性的粉末粒子的照片圖。[圖3]是表示本發(fā)明第I實施方式的合成非晶態(tài)ニ氧化硅粉末的制造步驟的流程圖。[圖4]是表示本發(fā)明第2實施方式的合成非晶態(tài)ニ氧化硅粉末的制造步驟的流程圖。[圖5]是利用了熱等離子體的球化裝置的簡要截面圖。[圖6]是粒度形狀分布測定器的簡要圖。 [圖7]是表示沒有實施球化處理的代表性的ニ氧化硅粉末粒子的照片圖。
具體實施例方式接著，基于附圖對實施本發(fā)明的方式進(jìn)行說明。本發(fā)明第I實施方式的合成非晶態(tài)ニ氧化硅粉末可以通過對造粒過的ニ氧化硅粉末實施球化處理后，進(jìn)行洗滌、干燥來得到。上述合成非晶態(tài)ニ氧化硅粉末的特征在于，用BET比表面積除以由平均粒徑D5tl算出的理論比表面積而得的值為I. 00 I. 35，真密度為2. 10 2. 20g/cm3，粒子內(nèi)空隙率為0 0. 05，圓形度為0. 75 I. 00，以及球化率為
0.55 I. 00。另外，本發(fā)明第2實施方式的合成非晶態(tài)ニ氧化硅粉末，是將造粒過的ニ氧化硅粉末煅燒后，實施球化處理而成的合成非晶態(tài)ニ氧化硅粉末。由此，滿足碳濃度小于2ppm
或氯濃度小于2ppm的任一者或這兩者。作為在高溫和減壓下、硅單晶提拉用坩堝等的合成石英玻璃制品中氣泡產(chǎn)生或膨脹的主要原因，認(rèn)為是吸附在用于制造制品的原料粉末的表面上的氣體。即，在制造合成石英玻璃制品時，在進(jìn)行作為其中一個步驟的熔融時，在原料粉末的表面上吸附的氣體成分脫離。然后，該氣體成分殘留在合成石英玻璃制品中，這成為氣泡的產(chǎn)生或膨脹的原因。作為合成石英玻璃制品的原料的ニ氧化硅粉末，由于通常進(jìn)行粉碎步驟，因此大量含有如圖7所示的無定形(粉碎粉末形狀)的粒子。因此，認(rèn)為比表面積變大，不可避免的氣體吸附量變大。因此，本發(fā)明的合成非晶態(tài)ニ氧化硅粉末是通過對粉末實施球化處理，而使將BET比表面積除以由平均粒徑D5tl算出的理論比表面積而得的值在上述范圍的粉末。BET比表面積是指利用BET3點法測定的值。另外，粒子的理論比表面積是假定粒子為圓球體、且表面平滑的情況下，由下式(I)算出的值。并且，式(I)中，D表示粒子的直徑，P表示真密度。
理論比表面積=6/ (DX P )(I)
在本說明書中，粉末的理論比表面積是指在上述式(I)中，由假設(shè)D為粉末的平均粒徑D5tl、假設(shè)P為真密度2.20g/cm3的理論真密度所算出的值。即，粉末的理論比表面積由下式(2)算出。
粉末的理論比表面積=2. 73/D50(2)
如果用BET比表面積除以由平均粒徑D5tl算出的理論比表面積而得的值變大，則比表面積變大，不可避免的氣體吸附量變大。其中，上述值優(yōu)選為I. 00 I. 15的范圍。如果上述值比I. 15大，則氣泡的產(chǎn)生或膨脹的減少效果小。在平均粒徑D5tl小的側(cè)，存在粒度分布的偏差或粒度分布的峰，因此有平均粒徑Dki的測定變小的情況，有用BET比表面積除以由平均粒徑算出的理論比表面積而得的值小于
1.00的情況。該情況下，將用BET比表面積除以由平均粒徑算出的理論比表面積而得的值設(shè)為I. 00。另外，合成非晶態(tài)ニ氧化硅粉末的圓形度為0. 75以上。圓形度越接近于I. 00，意味著粉末粒子越接近于圓球，其通過下式(3)算出。
圓形度=4jiS/L2(3)
式(3)中，S表示拍攝的粒子投影圖的面積，L表示粒子投影圖的周長。在本說明書中，粉末的圓形度是指由上述式(3)算出的200個粉末粒子的圓形度的平均值。粉末的圓形度小于0. 75時，氣泡的產(chǎn)生或膨脹的減少效果小。其中，粉末的圓形度優(yōu)選為0. 80 I. 00的范圍。另外，合成非晶態(tài)ニ氧化硅粉末的球化率為0. 55以上。粉末的球化率表示在規(guī)定量的粉末中含有的圓形度為0. 60 I. 00的粒子的比例。球化率小于0. 55時，氣泡的產(chǎn)生或膨脹的減少效果小。其中，粉末的球化率優(yōu)選為0. 80 I. 00的范圍。另外，當(dāng)著眼于合成非晶態(tài)ニ氧化硅粉末的I個粒子時，優(yōu)選在粒子內(nèi)不存在孔穴、閉塞了的裂縫等的內(nèi)部空隙。S卩，如果在合成非晶態(tài)ニ氧化硅粉末的內(nèi)部存在空隙，則成為合成石英玻璃制品中的氣泡產(chǎn)生或膨脹的原因。因此，真密度為2. 10g/cm3以上，優(yōu)選為2. 15 2. 20g/cm3。真密度是指根據(jù)JIS R7212炭磚的測定方法(d)真比重測定，進(jìn)行3次真密度的測定，并將所得的值平均而得到的平均值。另外，粒子內(nèi)空隙率為0. 05以下，優(yōu)選為0.01以下。粒子內(nèi)空隙率，是指對于50個粉末粒子，測定通過SEM (掃描型電子顯微鏡)觀察截面時的粒子的截面積，且如果在粒子內(nèi)存在空隙，則測定該空隙的面積，并由下式(4)算出的值的平均值。
粒子內(nèi)空隙率=粒子內(nèi)空隙總面積/粒子總截面積 (4)
另外，合成非晶態(tài)ニ氧化硅粉末的平均粒徑D5tl為10 2000 iim，優(yōu)選為50 IOOOiim的范圍內(nèi)。當(dāng)小于下限值時，粉末粒子間的空隙小，存在于該空隙中的氣體難以散出，因此易于殘留小的氣泡，另ー方面，如果超過上限值，則粉末粒子間的空隙過大，從而易于殘留大的氣泡。其中，平均粒徑D5tl特別優(yōu)選在80 600 iim的范圍內(nèi)。并且，本說明書中，平均粒徑D5tl,是指測定3次利用激光衍射散射式粒子分布測定裝置(型號名H0RIBA LA-950)測定的粒子分布(直徑)的中央值，并將所得的值平均而得到的平均值。合成非晶態(tài)ニ氧化硅粉末的容積密度優(yōu)選為l.OOg/cm3以上。當(dāng)小于下限值時，粉末粒子間的空隙過大，易于殘留大的氣泡，另ー方面，如果超過上限值，則粉末粒子間的空隙小，因此存在于該空隙中的氣體難以散出，從而易于殘留小的氣泡。其中，容積密度特別優(yōu)選在I. 20 I. 50g/cm3的范圍內(nèi)。為了使粉末的熔融性均一，優(yōu)選是使用CuKa射線、利用粉末X射線衍射法測定時衍射峰寬的、不是結(jié)晶質(zhì)ニ氧化硅粉末的粉末。對于非晶質(zhì)和結(jié)晶質(zhì)的ニ氧化硅，熔融時的行為不同，結(jié)晶質(zhì)ニ氧化硅的熔融有開始緩慢的傾向。因此，如果使用非晶質(zhì)和結(jié)晶質(zhì)的ニ氧化硅混合存在的合成非晶態(tài)ニ氧化硅粉末，來進(jìn)行合成石英玻璃制品等的制造，則在合成石英玻璃制品中容易殘留有氣泡。為了使合成石英玻璃制品的雜質(zhì)混入減少、高性能化，作為合成非晶態(tài)ニ氧化硅粉末的雜質(zhì)濃度，優(yōu)選除去氫原子的IA族、IIA族、IIIB VIIIB族、IB IIB族、IIIA族、除去碳和硅的IVA族、VA族、除去氧的VIA族、除去氯的VIIA族的濃度小于lppm。其中，特別優(yōu)選這些雜質(zhì)濃度小于0. 05ppm。另外，為了抑制高溫和減壓下的合成石英玻璃制品中氣泡的產(chǎn)生或膨脹，優(yōu)選可形成氣體成分的氫氧基為60ppm以下、氯濃度為5ppm以下、碳濃度為5ppm以下。特別地，對于本發(fā)明第2實施方式的合成非晶態(tài)ニ氧化硅粉末，通過在實施球化處理前進(jìn)行煅燒，吸附在表面的氣體成分、粉末內(nèi)部的氣體成分極為減少，可以進(jìn)而提高合成石英玻璃制品中氣泡的產(chǎn)生或膨脹的減少效果。即，通過對造粒過的ニ氧化硅粉末以規(guī)定條件進(jìn)行煅燒，可以實現(xiàn)氯濃度小于2ppm或碳濃度小于2ppm的任一者或這兩者。而且，當(dāng)造粒過的ニ氧化硅粉末、即原料粉末是通過使四氯化硅水解而生成ニ氧化硅質(zhì)的凝膠、將該ニ氧化硅質(zhì)的凝膠干燥而形成干燥粉、并將該干燥粉粉碎后進(jìn)行分級來得到的ニ氧化硅粉末時，通過在球化處理前、在規(guī)定的條件下進(jìn)行煅燒，碳濃度小于2ppm。這是由于上述ニ氧化硅粉末與使用四甲氧基硅烷等的有機(jī)系硅化合物而得到的ニ氧化硅粉末相比，碳濃度較低，因此對于將其用于原料粉末而得到的合成非晶態(tài)ニ氧化硅粉末，殘留的碳濃度較為降低另外，當(dāng)造粒過的ニ氧化硅粉末是使有機(jī)系硅化合物水解而生成ニ氧化硅質(zhì)的凝膠、將該ニ氧化硅質(zhì)的凝膠干燥而形成干燥粉、并將該干燥粉粉碎后進(jìn)行分級來得到的ニ氧化硅粉末時，通過在球化處理前、在規(guī)定的條件下進(jìn)行煅燒，氯濃度小于2ppm。由于上述ニ氧化硅粉末與在液體中使氯系硅化合物反應(yīng)而得到的ニ氧化硅粉末相比，氯濃度較低，因此對于將其用于原料粉末而得到的合成非晶態(tài)ニ氧化硅粉末，殘留的氯濃度較為降低。另外，當(dāng)造粒過的ニ氧化硅粉末是通過使用熱解法ニ氧化硅而生成ニ氧化硅質(zhì)的凝膠、將該ニ氧化硅質(zhì)的凝膠進(jìn)行干燥而形成干燥粉、并將該干燥粉粉碎后進(jìn)行分級來得到的ニ氧化硅粉末時，通過在球化處理前、在規(guī)定條件下進(jìn)行煅燒，可以實現(xiàn)碳濃度小于2ppm、氯濃度小于2ppm。對于原料粉末使用了使氯系娃化合物在液體中反應(yīng)而得到的ニ氧化硅粉末來得到的合成非晶態(tài)ニ氧化硅粉末，殘留的氯濃度容易變得較高。另外，對于原料粉末使用了有機(jī)系硅化合物而得到的合成非晶態(tài)ニ氧化硅粉末，殘留的碳濃度容易變得較高。另ー方面，熱解法ニ氧化硅與上述兩種ニ氧化硅粉末相比，氯濃度、碳濃度都低，因此對于原料粉末使用熱解法ニ氧化硅而得到的合成非晶態(tài)ニ氧化硅粉末，氯濃度、碳濃度這兩者都極其降低。由此，也可進(jìn)ー步提高合成石英玻璃制品中氣泡的產(chǎn)生或膨脹的減少效果。本發(fā)明的合成非晶態(tài)ニ氧化硅粉末，通過在實施球化處理后，進(jìn)行洗滌、干燥，大量含有如圖I或圖2所示的、熔融而球化了的粒子。這樣，本發(fā)明的合成非晶態(tài)ニ氧化硅粉末由于大量含有接近于圓球的粒子，因此粉末的圓形度、球化率表現(xiàn)為上述的范圍，可以減少不可避免的氣體吸附量。并且，在熔融而球化了的粒子中，也有時含有多個凝聚了的粒子，但凝聚了的物質(zhì)作為構(gòu)成I個粒子的物質(zhì)來規(guī)定上述圓形度、球化率等的比例。接著，對于本發(fā)明的合成非晶態(tài)ニ氧化硅粉末的制造方法進(jìn)行說明。本發(fā)明第I實施方式的合成非晶態(tài)ニ氧化硅粉末的制造方法，可以通過如圖3所示的那樣，對作為原料的ニ氧化硅粉末實施球化處理后，進(jìn)行洗滌、干燥來得到。另外，本發(fā)明第2實施方式的合成非晶態(tài)ニ氧化硅粉末的制造方法，可以通過如圖4所示的那樣，對作為原料的ニ氧化硅粉末進(jìn)行煅燒，對該進(jìn)行了煅燒的ニ氧化硅粉末實施球化處理后，進(jìn)行洗滌、干燥來得至IJ。對于各步驟，以下詳細(xì)地說明。作為本發(fā)明合成非晶態(tài)ニ氧化硅粉末的原料的ニ氧化硅粉末例如可以通過下述的方法得到。作為第I方法，首先相對于四氯化硅lmol，準(zhǔn)備相當(dāng)于45 SOmol的量的超純水。將準(zhǔn)備的超純水加入到容器內(nèi)，在氮、氬等的氣氛中，將溫度保持在20 45°C進(jìn)行攪拌，同時添加四氯化硅并進(jìn)行水解。添加四氯化硅后繼續(xù)攪拌0. 5 6小吋，生成ニ氧化娃質(zhì)的凝膠。此時，攪拌速度優(yōu)選在100 300rpm的范圍。接著,將上述ニ氧化娃質(zhì)的凝膠移入干燥用容器中，將其放入到干燥機(jī)中，在干燥機(jī)內(nèi)優(yōu)選以10 20L/min的流量流入氮、氬等，同時在200°C 300°C的溫度進(jìn)行12 48小時的干燥，得到干燥粉。接著，將該干燥粉從干燥機(jī)中取出，使用輥式破碎機(jī)等的粉碎機(jī)進(jìn)行粉碎。當(dāng)使用輥式破碎機(jī)時，將軋棍間隙適當(dāng)調(diào)整為0. 2 2. 0mm、軋棍轉(zhuǎn)速適當(dāng)調(diào)整為3 200rpm來進(jìn)行粉碎。最后,使用振動篩等將粉碎過的干燥粉進(jìn)行分級，由此得到平均粒徑D5tl為10 3000 u m、優(yōu)選70 1300 um的ニ氧化硅粉末。作為第2方法，相對于作為有機(jī)系硅化合物的四甲氧基硅烷lmol，準(zhǔn)備超純水0. 5 3mol、こ醇0. 5 3mol。將準(zhǔn)備的超純水、こ醇加入到容器內(nèi)，在氮、氬等的氣氛中將溫度保持在60°C進(jìn)行攪拌，同時添加四甲氧基硅烷并進(jìn)行水解。在添加四甲氧基硅烷后攪拌5 120分鐘，然后進(jìn)ー步相對于四甲氧基硅烷(テ卜ラメトキシラン)lmol，添加
I 50mol的超純水,繼續(xù)攪拌I 12小時,生成ニ氧化娃質(zhì)的凝膠。此時，攪拌速度優(yōu)選在100 300rpm的范圍。接著，將上述ニ氧化硅質(zhì)的凝膠移入干燥用容器中，將其放入到干燥機(jī)中，在干燥機(jī)內(nèi)優(yōu)選以10 20L/min的流量流入氮、氬等，同時在200°C 300°C的溫度下干燥6 48小時，得到干燥粉。接著，將該干燥粉從干燥機(jī)中取出，使用輥式破碎機(jī)等的粉碎機(jī)進(jìn)行粉碎。當(dāng)使用輥式破碎機(jī)時，將軋輥間隙適當(dāng)調(diào)整為0. 2 2. 0mm、軋輥轉(zhuǎn)速適當(dāng)調(diào)整為3 200rpm來進(jìn)行粉碎。最后，使用振動篩等將粉碎過的干燥粉進(jìn)行分級，由此得到平均粒徑D5tl為10 3000 u m、優(yōu)選70 1300 u m的ニ氧化硅粉末。 作為第3方法，首先相對于平均粒徑D5tl為0. 007 0. 030 U m、比表面積為50 380m2/g的熱解法ニ氧化硅Imol，準(zhǔn)備超純水3. 0 35. Omol。將準(zhǔn)備的超純水加入到容器內(nèi)，在氮、氬等的氣氛中將溫度保持在10 30°C進(jìn)行攪拌，同時添加熱解法ニ氧化硅。添加熱解法ニ氧化硅后，繼續(xù)攪拌0. 5 6小時，生成ニ氧化硅質(zhì)的凝膠。此時，攪拌速度優(yōu)選在10 50rpm的范圍。接著，將上述ニ氧化硅質(zhì)的凝膠移入到干燥用容器中，并將其放到干燥機(jī)中，在干燥機(jī)內(nèi)優(yōu)選以10 20L/min的流量流入氮、氬等，同時在200°C 300°C的溫度下干燥12 48小時，得到干燥粉。接著，將該干燥粉從干燥機(jī)中取出，使用輥式破碎機(jī)等的粉碎機(jī)進(jìn)行粉碎。當(dāng)使用輥式破碎機(jī)時，將軋輥間隙適當(dāng)調(diào)整為0. 2 2. 0mm、軋輥轉(zhuǎn)速適當(dāng)調(diào)整為3 200rpm來進(jìn)行粉碎。最后，使用振動篩等將粉碎過的干燥粉進(jìn)行分級，由此可以得到平均粒徑D5tl為10 3000 u m、優(yōu)選70 1300 u m的ニ氧化硅粉末。對于這樣造粒、得到的ニ氧化硅粉末，在下述的條件下進(jìn)行球化處理，但在本發(fā)明第2實施方式的合成非晶態(tài)ニ氧化硅粉末的制造方法中，在該球化處理之前，如圖4所示，在規(guī)定的條件下進(jìn)行煅燒。該煅燒利用耐熱性玻璃或石英制的容器，在大氣或氮?dú)夥罩?、?00 1450°C的溫度進(jìn)行。通過在球化處理步驟之前設(shè)置煅燒步驟，可以極為減少在表面吸附的氣體成分、粉末內(nèi)部的氣體成分。另外，ニ氧化硅粉末由于具有納米尺寸的閉ロ孔，因此對該粉末實施球化處理時，在粒子內(nèi)殘留有孔穴。因此，通過對球化處理前的ニ氧化硅粉末進(jìn)行煅燒，可以使上述納米尺寸的閉ロ孔消失。當(dāng)煅燒溫度小于下限值時，不能充分得到由煅燒導(dǎo)致的氣體成分的減少效果、或使閉ロ孔消失的效果。另ー方面，如果煅燒溫度超過上限值，則產(chǎn)生粉末間粘著的缺點。由上述第I 第3的方法得到的ニ氧化硅粉末或?qū)υ摲勰┰谏鲜鰲l件下進(jìn)行了煅燒的ニ氧化硅粉末的球化，通過利用了熱等離子體的球化處理來進(jìn)行。在利用了熱等離子體的球化處理中，例如可以使用如圖5所示的裝置。該裝置30具備產(chǎn)生等離子體的等離子槍31、在該等離子槍31的下部設(shè)置的作為反應(yīng)筒的室32、和在該室32的下部設(shè)置的回收處理后的粉末的回收部33。等離子槍31具有與室32連通的頂部被密封了的石英管34、和纏繞在該石英管34上的高頻感應(yīng)線圈36。在石英管34的上部，以貫穿的方式設(shè)置原料供給管37，且與氣體導(dǎo)入管38相連接。在室32的側(cè)方設(shè)置氣體排放ロ 39。在等離子槍31中，對高頻感應(yīng)線圈36通電時，產(chǎn)生等離子體40，從氣體導(dǎo)入管38向石英管34中供給氬、氧等的氣體。原料粉末通過原料供給管37向等離子體40中供給。另外，室32內(nèi)的氣體從設(shè)置在室32側(cè)方的氣體排放ロ 39排出。首先，從裝置30的氣體導(dǎo)入管38以15 60L/min的流量導(dǎo)入作為工作氣體的氬，對等離子槍31外加頻率為4 5MHz、功率為30 80kW的高頻，產(chǎn)生等離子體。在等離子體穩(wěn)定后，以10 80L/min的流量緩慢導(dǎo)入氧，產(chǎn)生氬ー氧等離子體。接著，將由上述第I 第3的方法得到的ニ氧化硅粉末或?qū)υ摲勰┰谏鲜鰲l件下進(jìn)行了煅燒的ニ氧化硅粉末、從原料供給管37以I. 5 8. Okg/hr的供給速度加入到氬ー氧等離子體中，使ニ氧化硅粉末熔融，使成為了熔體的粒子落下，利用回收部33回收落下的粒子，由此，可以得到球化了的ニ氧化硅粉末41。合成非晶態(tài)ニ氧化硅粉末的圓形度、球化率等的調(diào)整，可以通過調(diào)整高頻功率、ニ氧化硅粉末的供給速度等來進(jìn)行。例如，在上述范圍中，將高頻功率(W)設(shè)為A、ニ氧化硅粉末的供給速度(kg/hr)設(shè)為B時，調(diào)整高頻功率A和ニ氧化硅粉末的供給速度B，以使A/B (ff hr/kg)的值為1.0X104以上的范圍，由此可以得到所需的圓形度、球化率。
球化處理后的ニ氧化硅粉末在其表面上附著有蒸發(fā)到氬一氧等離子體中的ニ氧化硅粉末的微粉，因此將球狀步驟后的球化ニ氧化硅粉末和超純水加入到洗滌容器中，進(jìn)行超聲波洗滌。超聲波洗滌后，該ニ氧化硅粉末的微粉轉(zhuǎn)移至超純水中，從而利用網(wǎng)眼粗的過濾器進(jìn)行過濾。反復(fù)進(jìn)行該操作，直至ニ氧化硅粉末的微粉消失。洗滌步驟后的ニ氧化硅粉末的干燥優(yōu)選通過下述這樣來進(jìn)行首先將粉末加入到干燥用容器中，將該干燥用容器放入到干燥機(jī)中，然后在干燥機(jī)內(nèi)以I 20L/min的流量流入氮、氬等，同時在100°C 400°C的溫度下保持12 48小時。利用以上的步驟，可得到本發(fā)明的合成非晶態(tài)ニ氧化硅粉末。該合成非晶態(tài)ニ氧化硅粉末由于不可避免的氣體吸附量少，以及粉末內(nèi)部的氣體成分少，因此可以合適地用作合成石英玻璃制品的原料。特別地，在本發(fā)明第2實施方式的制造方法中，通過在球化處理步驟之前設(shè)置規(guī)定條件下的煅燒步驟，可以極為減少吸附在表面的氣體成分、粉末內(nèi)部的氣體成分。
實施例接著，將本發(fā)明的實施例與比較例一起詳細(xì)地進(jìn)行說明。く實施例I >
首先，相對于四氯化硅lmol，準(zhǔn)備相當(dāng)于55. 6mol的量的超純水。將該超純水加入到容器內(nèi)，在氮?dú)夥罩袑囟缺３衷?5°C進(jìn)行攪拌，同時添加四氯化硅并進(jìn)行水解。添加四氯化硅后繼續(xù)攪拌3小時，生成ニ氧化硅質(zhì)的凝膠。此時，攪拌速度設(shè)為150rpm。接著，將上述ニ氧化硅質(zhì)的凝膠移入干燥用容器中，將其放入到干燥機(jī)中，在干燥機(jī)內(nèi)以15L/min的流量流入氮，同時在250°C的溫度下干燥18小時，得到干燥粉。將該干燥粉從干燥機(jī)中取出，使用輥式破碎機(jī)進(jìn)行粉碎。此時將軋輥間隙調(diào)整為0. 2mm、軋輥轉(zhuǎn)速調(diào)整為50rpm來進(jìn)行粉碎。使用網(wǎng)孔為IOOym和網(wǎng)孔為150 的振動篩將粉碎過的干燥粉進(jìn)行分級，得到平均粒徑D5tl為121 ii m的ニ氧化硅粉末。接著，使用圖5所示的裝置30，利用下表I所示的條件，對上述得到的ニ氧化硅粉末在不進(jìn)行煅燒的情況下實施球化處理。具體地，首先，從裝置30的氣體導(dǎo)入管38導(dǎo)入作為工作氣體的氬，對等離子槍31外加高頻，產(chǎn)生等離子體。在等離子體穩(wěn)定后，緩慢導(dǎo)入氧，產(chǎn)生氬ー氧等離子體。將上述得到的ニ氧化硅粉末從原料供給管37加入到氬ー氧等離子體中，使ニ氧化硅粉末熔融，使成為了熔體的粒子落下，利用回收部33回收落下的粒子，由此得到球化了的ニ氧化硅粉末41。球化處理后，在洗滌容器中加入上述粉末和超純水，進(jìn)行超聲波洗滌。進(jìn)行超聲波洗滌后，用網(wǎng)孔為50 y m的過濾器過濾。反復(fù)進(jìn)行該操作，直至在ニ氧化硅粉末的粒子表面上附著的微粉消失。最后，將洗滌過的粉末加入到干燥用容器中，將該干燥用容器放到干燥機(jī)中，在干燥機(jī)內(nèi)以10L/min的流量流入氮，同時在200°C的溫度下保持48小時，由此得到合成非晶態(tài)ニ氧化硅粉末。く實施例2 >
首先，相對于四甲氧基硅烷lmol，準(zhǔn)備超純水lmol、こ醇lmol。將準(zhǔn)備的超純水、こ醇加入到容器內(nèi)，在氮?dú)夥障聦囟缺３衷?0°C進(jìn)行攪拌，同時添加四甲氧基硅烷并進(jìn)行水解。添加四甲氧基硅烷后攪拌60分鐘，然后進(jìn)而添加相對于四甲氧基硅烷Imol為25mol的超純水，繼續(xù)攪拌6小時，生成ニ氧化娃質(zhì)的凝膠。此時,攪拌速度設(shè)為lOOrpm。接著，將上述ニ氧化硅質(zhì)的凝膠移入干燥用容器中，并將其放到干燥機(jī)中，在干燥機(jī)內(nèi)以20L/min的流量流入氮，同時在200°C的溫度下干燥24小時，得到干燥粉。將該干燥粉從干燥機(jī)中取出，使用輥式破碎機(jī)進(jìn)行粉碎。此時將軋輥間隙調(diào)整為0. 2mm、軋輥轉(zhuǎn)速調(diào)整為55rpm來進(jìn)行粉碎。使用網(wǎng)孔為100 和網(wǎng)孔為150 的振動篩將粉碎過的干燥粉進(jìn)行分級，得到平均粒徑D5tl為130 ii m的ニ氧化硅粉末。接著，使用圖5所示的裝置30，利用下表I所示的條件，對上述得到的ニ氧化硅粉末在不進(jìn)行煅燒的情況下實施球化處理。具體地，首先，從裝置30的氣體導(dǎo)入管38導(dǎo)入作為工作氣體的氬，對等離子槍31外加高頻，產(chǎn)生等離子體。在等離子體穩(wěn)定后，緩慢導(dǎo)入氧，產(chǎn)生氬ー氧等離子體。將上述得到的ニ氧化硅粉末從原料供給管37加入到氬ー氧等離子體中，使ニ氧化硅粉末熔融，使成為了熔體的粒子落下，利用回收部33回收落下的粒子，由此得到球化了的ニ氧化硅粉末41。球化處理后，在洗滌容器中加入上述粉末和超純水，進(jìn)行超聲波洗滌。進(jìn)行超聲波洗滌后，用網(wǎng)孔為50 y m的過濾器過濾。反復(fù)進(jìn)行該操作，直至在ニ氧化硅粉末的粒子表面上附著的微粉消失。最后，將洗滌后的粉末加入到干燥用容器中，將該干燥用容器放到干燥機(jī)中，在干燥機(jī)內(nèi)以10L/min的流量流入氬，同時在300°C的溫度下保持12小時，由此得到合成非晶態(tài)ニ氧化硅粉末。く實施例3 >
首先，相對于平均粒徑D5tl為0. 020 u m、比表面積為90m2/g的熱解法ニ氧化硅lmol,備超純水13mol。將準(zhǔn)備的超純水加入到容器內(nèi)，在氮?dú)夥罩袑囟缺３衷?5°C進(jìn)行攪拌，同時添加熱解法ニ氧化硅。添加熱解法ニ氧化硅后繼續(xù)攪拌3小時，生成ニ氧化硅質(zhì)的凝膠。此時，攪拌速度設(shè)為30rpm。接著，將上述ニ氧化硅質(zhì)的凝膠移入干燥用容器中，將其放入到干燥機(jī)中，在干燥機(jī)內(nèi)中以10L/min的流量流入氮，同時在300°C的溫度下干燥12小時，得到干燥粉。將該干燥粉從干燥機(jī)中取出，使用輥式破碎機(jī)進(jìn)行粉碎。此時將軋輥間隙調(diào)整為0. 5mm、軋輥轉(zhuǎn)速調(diào)整為30rpm來進(jìn)行粉碎。使用網(wǎng)孔為375 u m和網(wǎng)孔為450 y m的振動篩將粉碎過的干燥粉分級，得到平均粒徑D5tl為426 ii m的ニ氧化硅粉末。
接著，使用圖5所示的裝置30，利用下表I所示的條件，對上述得到的ニ氧化硅粉末在不進(jìn)行煅燒的情況下實施球化處理。具體地，首先，從裝置30的氣體導(dǎo)入管38導(dǎo)入作為工作氣體的氬，對等離子槍31外加高頻，產(chǎn)生等離子體。在等離子體穩(wěn)定后，緩慢導(dǎo)入氧，產(chǎn)生氬ー氧等離子體。將上述得到的ニ氧化硅粉末從原料供給管37加入到氬ー氧等離子體中，使ニ氧化硅粉末熔融，使成為了熔體的粒子落下，利用回收部33回收落下的粒子，由此得到球化了的ニ氧化硅粉末41。球化處理后，在洗滌容器中加入上述粉末和超純水，進(jìn)行超聲波洗滌。進(jìn)行超聲波洗滌后，利用網(wǎng)孔為200 的過濾器過濾。反復(fù)進(jìn)行該操作，直至在ニ氧化硅粉末的粒子表面上附著的微粉消失。最后，將洗滌后的粉末加入到干燥用容器中，將該干燥用容器放到干燥機(jī)中，在干燥機(jī)內(nèi)以20L/min的流量流入氮，同時在200°C的溫度下保持36小時，由此得到合成非晶態(tài)ニ氧化硅粉末。く實施例4 >
除了得到平均粒徑D5tl為860 y m的ニ氧化硅粉末、以及用下表I所示的條件實施球化處理以外，其它與實施例I同樣來得到合成非晶態(tài)ニ氧化硅粉末。く實施例5 >
首先，相對于平均粒徑D5tl為0. 020 u m、比表面積為90m2/g的熱解法ニ氧化硅lmol,備超純水12mol。將準(zhǔn)備的超純水加入到容器內(nèi)，在氮?dú)夥障聦囟缺３衷?0°C進(jìn)行攪拌，同時添加熱解法ニ氧化硅。添加熱解法ニ氧化硅后，繼續(xù)攪拌2小時，生成ニ氧化硅質(zhì)的凝膠。此時，攪拌速度設(shè)為20rpm。接著，將上述ニ氧化硅質(zhì)的凝膠移入干燥用容器中，并將其放入到干燥機(jī)中，在干燥機(jī)內(nèi)以I. OL/min的流量流入氮，同時在250°C的溫度下干燥15小時，得到干燥粉。將該干燥粉從干燥機(jī)中取出，使用輥式破碎機(jī)進(jìn)行粉碎。此時，將軋輥間隙調(diào)整為0. 2mm、軋輥轉(zhuǎn)速調(diào)整為25rpm進(jìn)行粉碎。使用網(wǎng)孔為50 和網(wǎng)孔為150 的振動篩將粉碎過的干燥粉分級，得到平均粒徑D5tl為99 ii m的ニ氧化硅粉末。接著，使用圖5所示的裝置30，利用下表I所示的條件，對于上述得到的ニ氧化硅粉末在不進(jìn)行煅燒的情況下實施球化處理。具體地，首先從裝置30的氣體導(dǎo)入管38導(dǎo)入作為工作氣體的氬，對等離子槍31外加高頻，產(chǎn)生等離子體。在等離子體穩(wěn)定后，緩慢導(dǎo)入氧，產(chǎn)生氬ー氧等離子體。將上述得到的ニ氧化硅粉末從原料供給管37加入到氬ー氧等離子體中，使ニ氧化硅粉末熔融，使成為了熔體的粒子落下，利用回收部33回收落下的粒子，由此得到球化了的ニ氧化硅粉末41。球化處理后，在洗滌容器中加入上述粉末和超純水，進(jìn)行超聲波洗滌。進(jìn)行超聲波洗滌后，用網(wǎng)孔為50 y m的過濾器過濾。反復(fù)進(jìn)行該操作，直至在ニ氧化硅粉末的粒子表面上附著的微粉消失。最后，將洗滌后的粉末加入到干燥用容器中，將該干燥用容器裝入到干燥機(jī)中，在干燥機(jī)內(nèi)以10L/min的流量流入氮，同時在250°C的溫度下保持24小吋，由此得到合成非晶態(tài)ニ氧化硅粉末。<實施例6>首先，相對于四氯化硅111101，準(zhǔn)備相當(dāng)于6011101的量的超純水。將該超純水加入到容器內(nèi)，在氮?dú)夥障聦囟缺３衷?0°C進(jìn)行攪拌，同時添加四氯化硅并進(jìn)行水解。添加四氯化娃后，繼續(xù)攪拌4小時，生成ニ氧化娃質(zhì)的凝膠。此時,攪拌速度設(shè)為250rpm。接著,將上述ニ氧化硅質(zhì)的凝膠移入干燥用容器中，并將其放入到干燥機(jī)中，在干燥機(jī)內(nèi)以10L/min的流量流入氮，同時在250°C的溫度下干燥24小時，得到干燥粉。將該干燥粉從干燥機(jī)中取出，使用輥式破碎機(jī)進(jìn)行粉碎。此時將軋輥間隙調(diào)整為0. 2mm、軋輥轉(zhuǎn)速調(diào)整為150rpm來進(jìn)行粉碎。使用網(wǎng)孔為50 y m和網(wǎng)孔為200 u m的振動篩將粉碎過的干燥粉分級，得到平均粒徑D5tl為116 ii m的ニ氧化硅粉末。接著，使用圖5所示的裝置30，利用下表I所示的條件，對于上述得到的ニ氧化硅粉末在不進(jìn)行煅燒的情況下實施球化處理。具體地，首先從裝置30的氣體導(dǎo)入管38導(dǎo)入作為工作氣體的氬，對等離子槍31外加高頻，產(chǎn)生等離子體。在等離子體穩(wěn)定后，緩慢導(dǎo)入氧，產(chǎn)生氬ー氧等離子體。將上述得到的ニ氧化硅粉末從原料供給管37加入到氬ー氧等離子體中，使ニ氧化硅粉末熔融，使成為了熔體的粒子落下，利用回收部33回收落下的粒子， 由此得到球化了的ニ氧化硅粉末41。球化處理后，在洗滌容器中加入上述粉末和超純水，進(jìn)行超聲波洗滌。進(jìn)行超聲波洗滌后，用網(wǎng)孔為50 y m的過濾器過濾。反復(fù)進(jìn)行該操作，直至在ニ氧化硅粉末的粒子表面上附著的微粉消失。最后，將洗滌后的粉末加入到干燥用容器中，在干燥機(jī)內(nèi)以15L/min的流量流入氮，同時在150°C的溫度下保持48小時，由此得到合成非晶態(tài)ニ氧化硅粉末。く實施例I >
首先，相對于四甲氧基硅烷lmol，準(zhǔn)備超純水lmol、こ醇lmol。將準(zhǔn)備的超純水、こ醇加入到容器內(nèi)，在氮?dú)夥罩袑囟缺３衷?0°C進(jìn)行攪拌，同時添加四甲氧基硅烷進(jìn)行水解。添加四甲氧基硅烷后攪拌60分鐘，然后進(jìn)而添加相對于四甲氧基硅烷Imol為25mol的超純水，繼續(xù)攪拌6小時，生成ニ氧化硅質(zhì)的凝膠。此時，攪拌速度設(shè)為lOOrpm。接著，將上述ニ氧化硅質(zhì)的凝膠移入干燥用容器中，將其放入到干燥機(jī)中，在干燥機(jī)內(nèi)以20L/min的流量流入氮，同時在150°C的溫度下干燥48小時，得到干燥粉。將該干燥粉從干燥機(jī)中取出，使用輥式破碎機(jī)進(jìn)行粉碎。此時將軋輥間隙調(diào)整為0. 2mm、軋輥轉(zhuǎn)速調(diào)整為55rpm來進(jìn)行粉碎。使用網(wǎng)孔為50 y m和網(wǎng)孔為200 u m的振動篩將粉碎過的干燥粉進(jìn)行分級，得到平均粒徑D5tl為113 ii m的ニ氧化硅粉末。接著，使用圖5所示的裝置30，利用下表I所示的條件，對上述得到的ニ氧化硅粉末在不進(jìn)行煅燒的情況下實施球化處理。具體地，首先，從裝置30的氣體導(dǎo)入管38導(dǎo)入作為工作氣體的氬，對等離子槍31外加高頻，產(chǎn)生等離子體。等離子體穩(wěn)定后，緩慢導(dǎo)入氧，產(chǎn)生氬一氧等離子體。將上述得到的ニ氧化硅粉末從原料供給管37加入到氬ー氧等離子體中，使ニ氧化硅粉末熔融，使成為了熔體的粒子落下，利用回收部33回收落下的粒子，由此得到球化了的ニ氧化硅粉末41。球化處理后，在洗滌容器中加入上述粉末和超純水，進(jìn)行超聲波洗滌。進(jìn)行超聲波洗滌后，用網(wǎng)孔為50 y m的過濾器過濾。反復(fù)進(jìn)行該操作，直至在ニ氧化硅粉末的粒子表面上附著的微粉消失。最后，將洗滌后的粉末加入到干燥用容器中，在干燥機(jī)內(nèi)以15L/min的流量流入氮，同時在150°C的溫度下保持48小時，由此得到合成非晶態(tài)ニ氧化硅粉末。<比較例I >
除了用下表I所示的條件實施球化處理以外，其它與實施例I同樣來得到合成非晶態(tài)ニ氧化硅粉末。<比較例2 > 除了用下表I所示的條件實施球化處理以外，其它與實施例2同樣地得到合成非晶態(tài)ニ氧化硅粉末。<比較例3 >
除了用下表I所示的條件實施球化處理以外，其它與實施例3同樣地得到合成非晶態(tài)ニ氧化硅粉末。<比較例4>
除了用下表I所示的條件實施球化處理以外，其它與實施例3同樣地得到合成非晶態(tài)ニ氧化硅粉末。<比較例5 >
除了用下表I所示的條件實施球化處理以外，其它與實施例4同樣地得到合成非晶態(tài)ニ氧化硅粉末。<比較例6 >
首先，相對于四氯化硅lmol，準(zhǔn)備相當(dāng)于55. 6mol的量的超純水。將該超純水加入到容器內(nèi)，在氮?dú)夥障聦囟缺３衷?5°C進(jìn)行攪拌，同時添加四氯化硅并進(jìn)行水解。添加四氯化娃后繼續(xù)攪拌3小時,生成ニ氧化娃質(zhì)的凝膠。此時,攪拌速度設(shè)為150rpm。接著,將上述ニ氧化硅質(zhì)的凝膠移入干燥用容器中，并將其放入到干燥機(jī)中，在干燥機(jī)內(nèi)以15L/min的流量流入氮，同時在250°C的溫度下干燥18小時，得到干燥粉。將該干燥粉從干燥機(jī)中取出，使用輥式破碎機(jī)進(jìn)行粉碎。此時，將軋輥間隙調(diào)整為0. 2mm、軋輥轉(zhuǎn)速調(diào)整為50rpm來進(jìn)行粉碎。使用網(wǎng)孔為50 pm和網(wǎng)孔為150 的振動篩將粉碎過的干燥粉進(jìn)行分級，得到平均粒徑D5tl為100 ii m的ニ氧化硅粉末。最后，將粉碎過的粉末加入到煅燒用容器中，并將該煅燒用容器放到煅燒爐中，在煅燒內(nèi)以10L/min的流量流入氮，同時在1200°C的溫度下保持48小吋，由此得到平均粒徑D50為70 ii m的合成非晶態(tài)ニ氧化硅粉末。將沒有實施該球化處理的ニ氧化硅粉末作為比較例6。<比較例I >
首先，相對于四甲氧基硅烷lmol，準(zhǔn)備超純水lmol、こ醇lmol。將準(zhǔn)備的超純水、こ醇加入到容器內(nèi)，在氮?dú)夥障聦囟缺３衷?0°C進(jìn)行攪拌，同時添加四甲氧基硅烷并進(jìn)行水解。添加四甲氧基硅烷后攪拌60分鐘，然后進(jìn)而添加相對于四甲氧基硅烷Imol為25mol的超純水，繼續(xù)攪拌6小時，生成ニ氧化硅質(zhì)的凝膠。此時，攪拌速度設(shè)為lOOrpm。接著，將上述ニ氧化硅質(zhì)的凝膠移入干燥用容器中，并將其放入到干燥機(jī)中，在干燥機(jī)內(nèi)以20L/min的流量流入氮，同時在200°C的溫度下干燥24小時，得到干燥粉。將該干燥粉從干燥機(jī)中取出，使用輥式破碎機(jī)進(jìn)行粉碎。此時將軋輥間隙調(diào)整為0. 6mm、軋輥轉(zhuǎn)速調(diào)整為IOOrpm來進(jìn)行粉碎。使用網(wǎng)孔為550 pm和網(wǎng)孔為650 的振動篩將粉碎過的干燥粉分級，得到平均粒徑D5tl為590 ii m的ニ氧化硅粉末。
最后，將粉碎過的粉末加入到煅燒用容器中，將該煅燒用容器放到煅燒爐中，在煅燒內(nèi)以10L/min的流量流入氬，同時在1200°C的溫度下保持48小吋，由此得到平均粒徑Dki為412 ii m的合成非晶態(tài)ニ氧化硅粉末。將沒有實施該球化處理的ニ氧化硅粉末作為比較例7。<比較例8 >
首先，相對于平均粒徑D5tl為0. 020 u m、比表面積為90m2/g的熱解法ニ氧化硅lmol,備超純水13mol。將準(zhǔn)備的超純水加入到容器內(nèi)，在氮?dú)夥障聦囟缺３衷?5°C進(jìn)行攪拌，同時添加熱解法ニ氧化硅。添加熱解法ニ氧化硅后繼續(xù)攪拌3小時，生成ニ氧化硅質(zhì)的凝膠。此時，攪拌速度設(shè)為30rpm。接著，將上述ニ氧化 硅質(zhì)的凝膠移入干燥用容器中，并將其放到干燥機(jī)中，在干燥機(jī)內(nèi)以10L/min的流量流入氮，同時在300°C的溫度下干燥12小時，得到干燥粉。將該干燥粉從干燥機(jī)中取出，使用輥式破碎機(jī)進(jìn)行粉碎。此時將軋輥間隙調(diào)整為0.9mm、軋輥轉(zhuǎn)速調(diào)整為150rpm來進(jìn)行粉碎。使用網(wǎng)孔為850 y m和網(wǎng)孔為950 y m的振動篩將粉碎過的干燥粉進(jìn)行分級，得到平均粒徑D5tl為895 ii m的ニ氧化硅粉末。最后，將粉碎過的粉末加入到煅燒用容器中，將該煅燒用容器放入煅燒爐中，在煅燒內(nèi)以10L/min的流量流入氬，同時在1200°C的溫度下保持48小吋，由此得到平均粒徑Dki為627 ii m的合成非晶態(tài)ニ氧化硅粉末。將該沒有實施球化處理的ニ氧化硅粉末作為比較例8。[表 I]
權(quán)利要求
1.合成非晶態(tài)二氧化硅粉末，其是對造粒過的二氧化硅粉末實施球化處理后，進(jìn)行洗滌、干燥而得到的平均粒徑D5tl為10 2000 u m的合成非晶態(tài)二氧化硅粉末，其中，用BET比表面積除以由平均粒徑D5tl算出的理論比表面積而得的值為I. 00 I. 35，真密度為2. 10 2. 20g/cm3，粒子內(nèi)空隙率為0 0. 05，圓形度為0. 75 I. 00，以及球化率為0. 55 I. 00。
2.如權(quán)利要求I所述的合成非晶態(tài)二氧化硅粉末，其是將上述造粒過的二氧化硅粉末煅燒后，實施上述球化處理而成的合成非晶態(tài)二氧化硅粉末，其中，滿足碳濃度小于2ppm或氯濃度小于2ppm的任一者或這兩者。
3.如權(quán)利要求2所述的合成非晶態(tài)二氧化硅粉末，其中，上述造粒過的二氧化硅粉末是通過使四氯化硅水解而生成二氧化硅質(zhì)的凝膠、將該二氧化硅質(zhì)的凝膠干燥而形成干燥粉、并將該干燥粉粉碎后進(jìn)行分級而得到的二氧化硅粉末， 碳濃度小于2ppm。
4.如權(quán)利要求2所述的合成非晶態(tài)二氧化硅粉末，其中，上述造粒過的二氧化硅粉末是通過使有機(jī)系硅化合物水解而生成二氧化硅質(zhì)的凝膠、將該二氧化硅質(zhì)的凝膠進(jìn)行干燥而形成干燥粉、并將該干燥粉粉碎后進(jìn)行分級來得到的二氧化硅粉末， 氯濃度小于2ppm。
5.如權(quán)利要求2所述的合成非晶態(tài)二氧化硅粉末，其中，上述造粒過的二氧化硅粉末是通過使用熱解法二氧化硅來生成二氧化硅質(zhì)的凝膠、將該二氧化硅質(zhì)的凝膠干燥而形成干燥粉、并將該干燥粉粉碎后進(jìn)行分級而得到的二氧化硅粉末， 碳濃度小于2ppm,氯濃度小于2ppm。
6.合成非晶態(tài)二氧化硅粉末的制造方法，其特征在于，依次包含 通過生成二氧化硅質(zhì)的凝膠、將該二氧化硅質(zhì)的凝膠干燥而形成干燥粉、并將該干燥粉粉碎后進(jìn)行分級來得到二氧化硅粉末的造粒步驟、 在利用規(guī)定的高頻功率產(chǎn)生等離子體的等離子槍內(nèi)，以規(guī)定的供給速度加入上述造粒步驟中得到的二氧化硅粉末，利用使該造粒步驟中得到的二氧化硅粉末在從2000°C至二氧化硅的沸點的溫度下加熱、熔融的熱等離子體進(jìn)行的球化步驟、 去除在上述球化步驟后的球化二氧化硅粉末表面上附著的微粉的洗滌步驟、和 將上述洗滌步驟后的二氧化硅粉末干燥的干燥步驟， 將上述球化步驟中的高頻功率(W)設(shè)為A、二氧化硅粉末的供給速度(kg/hr)設(shè)為B時，進(jìn)行調(diào)整以使A/B(W hr/kg)的值為1.0X104以上，得到平均粒徑D5tl為10 2000 ym、用BET比表面積除以由平均粒徑D5tl算出的理論比表面積而得的值為I. 00 I. 35、真密度為2.10 2. 20g/cm3、粒子內(nèi)空隙率為0 0. 05、圓形度為0. 75 I. 00和球化率為0. 55 I.00的合成非晶態(tài)二氧化硅粉末。
7.如權(quán)利要求6所述的合成非晶態(tài)二氧化硅粉末的制造方法，其中，上述造粒步驟是通過使四氯化硅水解而生成二氧化硅質(zhì)的凝膠、將該二氧化硅質(zhì)的凝膠干燥而形成干燥粉、并將該干燥粉粉碎后進(jìn)行分級，來得到平均粒徑D5tl為10 3000 u m的二氧化硅粉末的步驟。
8.如權(quán)利要求6所述的合成非晶態(tài)二氧化硅粉末的制造方法，其中，上述造粒步驟是通過使有機(jī)系硅化合物水解而生成二氧化硅質(zhì)的凝膠、將該二氧化硅質(zhì)的凝膠干燥而形成干燥粉、并將該干燥粉粉碎后進(jìn)行分級，來得到平均粒徑D5tl為10 3000 u m的二氧化硅粉末的步驟。
9.如權(quán)利要求6所述的合成非晶態(tài)二氧化硅粉末的制造方法，其中，上述造粒步驟是通過使用熱解法二氧化硅而生成二氧化硅質(zhì)的凝膠、將該二氧化硅質(zhì)的凝膠進(jìn)行干燥而形成干燥粉、并將該干燥粉粉碎后進(jìn)行分級，來得到平均粒徑D5tl為10 3000 u m的二氧化硅粉末的步驟。
10.合成非晶態(tài)二氧化硅粉末的制造方法，其特征在于，依次包含 通過生成二氧化硅質(zhì)的凝膠、將該二氧化硅質(zhì)的凝膠干燥而形成干燥粉、并將該干燥粉粉碎后進(jìn)行分級來得到二氧化硅粉末的造粒步驟、 將上述造粒步驟中得到的二氧化硅粉末在800 1450°C的溫度下進(jìn)行煅燒的煅燒步驟、 在利用規(guī)定的高頻功率產(chǎn)生等離子體的等離子槍內(nèi)，以規(guī)定的供給速度加入上述煅燒步驟中得到的二氧化硅粉末，利用使該煅燒步驟中得到的二氧化硅粉末在從2000°C至二氧化硅的沸點的溫度下加熱、熔融的熱等離子體進(jìn)行的球化步驟、 去除在上述球化步驟后的球化二氧化硅粉末表面上附著的微粉的洗滌步驟、和 將上述洗滌步驟后的二氧化硅粉末干燥的干燥步驟， 將上述球化步驟中的高頻功率(W)設(shè)為A、二氧化硅粉末的供給速度(kg/hr)設(shè)為B時，進(jìn)行調(diào)整以使A/B (ff hr/kg)的值為1.0X104以上， 得到平均粒徑D5tl為10 2000 u m、用BET比表面積除以由平均粒徑D5tl算出的理論比表面積而得的值為I. 00 I. 35、真密度為2. 10 2. 20g/cm3、粒子內(nèi)空隙率為0 0. 05、圓形度為0. 75 I. 00和球化率為0. 55 I. 00的、滿足碳濃度小于2ppm或氯濃度小于2ppm的任一者或這兩者的合成非晶態(tài)二氧化硅粉末。
11.如權(quán)利要求10所述的合成非晶態(tài)二氧化硅粉末的制造方法，其中，在上述造粒步驟是通過使四氯化硅水解而生成二氧化硅質(zhì)的凝膠、將該二氧化硅質(zhì)的凝膠干燥而形成干燥粉、并將該干燥粉粉碎后進(jìn)行分級來得到平均粒徑D5tl為10 3000 u m的二氧化硅粉末的步驟時，所得的合成非晶態(tài)二氧化硅粉末的碳濃度小于2ppm。
12.如權(quán)利要求10所述的合成非晶態(tài)二氧化硅粉末的制造方法，其中，在上述造粒步驟是通過使有機(jī)系硅化合物水解而生成二氧化硅質(zhì)的凝膠、將該二氧化硅質(zhì)的凝膠干燥而形成干燥粉、并將該干燥粉粉碎后進(jìn)行分級來得到平均粒徑D5tl為10 3000 u m的二氧化硅粉末的步驟時，所得的合成非晶態(tài)二氧化硅粉末的氯濃度小于2ppm。
13.如權(quán)利要求10所述的合成非晶態(tài)二氧化硅粉末的制造方法，其中，在上述造粒步驟是通過使用熱解法二氧化硅而生成二氧化硅質(zhì)的凝膠、將該二氧化硅質(zhì)的凝膠干燥而形成干燥粉、并將該干燥粉粉碎后進(jìn)行分級，來得到平均粒徑D5tl為10 3000 u m的二氧化硅粉末的步驟時，所得的合成非晶態(tài)二氧化硅粉末的碳濃度小于2ppm，氯濃度小于2ppm。
全文摘要
本發(fā)明的合成非晶態(tài)二氧化硅粉末，是對二氧化硅粉末實施球化處理后，進(jìn)行洗滌、干燥而得到的平均粒徑D50為10～2000μm的合成非晶態(tài)二氧化硅粉末，其特征在于，用BET比表面積除以由平均粒徑D50算出的理論比表面積而得的值為1.00～1.35，真密度為2.10～2.20g/cm3，粒子內(nèi)空隙率為0～0.05，圓形度為0.75～1.00，以及球化率為0.55～1.00。該合成非晶態(tài)二氧化硅粉末在表面吸附的氣體成分、粉末內(nèi)部的氣體成分少，因此對于使用該粉末制造的合成石英玻璃，即使在高溫和減壓的環(huán)境下使用，也可以大幅減少氣泡的產(chǎn)生或膨脹。
文檔編號B07B4/02GK102652110SQ201080057330
公開日2012年8月29日 申請日期2010年12月24日 優(yōu)先權(quán)日2010年1月7日
發(fā)明者植田稔晃 申請人:三菱綜合材料株式會社