專利名稱：鏡面制程的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明是關(guān)于微機(jī)電系統(tǒng)(microelectromechanicalsystem；MEMS)的鏡面(mirror)技術(shù)，特別是關(guān)于一種使用鎢保護(hù)層來防止因金屬突穿(metal-spiking)造成鏡面結(jié)構(gòu)的橋接、并改善鏡面結(jié)構(gòu)的曲率的鏡面制程(mirror process)。
背景技術(shù)：
在各項應(yīng)用產(chǎn)品中，例如用于直接顯示(direct view)與投影顯示屏幕的感應(yīng)器、加速度計(accelerometer)、電動開關(guān)(electrical switch)、光學(xué)開關(guān)(optical switch)、微透鏡(microlens)、電容器、電感器、與微型反射鏡(micromirror)，微機(jī)電系統(tǒng)影響性與重要性日益增加。
數(shù)字光源處理器(digital light processing；DLP)，是一新興的投影顯示技術(shù)，其接收數(shù)字影像，并以短暫的數(shù)字光線脈沖傳至眼睛，而使眼睛將其視為彩色的模擬影像。微機(jī)電系統(tǒng)的數(shù)字光源處理器稱為數(shù)字微鏡裝置(digital micromirrordevice；DMD)。數(shù)字微鏡裝置為快速反射式的數(shù)字光學(xué)開關(guān)，其結(jié)合了影像處理、存儲、光源、與光學(xué)系統(tǒng)(optics)，而形成一數(shù)字光源處理器系統(tǒng)。通常，靜電驅(qū)動(electrostaticallycontrolled)的微機(jī)電系統(tǒng)的鏡面結(jié)構(gòu)(mirror structure)是用于光學(xué)開關(guān)中，將光線予以數(shù)字調(diào)變(digitally modulate)，而在屏幕上形成高畫質(zhì)的影像。
微機(jī)電系統(tǒng)的鏡面結(jié)構(gòu)的制程類似于集成電路的制程?？烧夏壳翱扇〉玫拇挝⒚壮叨鹊墓璧幕パa(bǔ)式金屬氧化物半導(dǎo)體(complementary metal-oxide-semiconductor)技術(shù)與微機(jī)械，而得到一系列可個別定址的鏡面結(jié)構(gòu)，每個鏡面結(jié)構(gòu)可將光線反射至二選一的方向，其方向決定于其下方的存儲單元的狀態(tài)。在傳統(tǒng)的鏡面制程中，一非晶形硅的犧牲層是形成于一基底與一鋁合金反射膜之間，而后將其釋出而完成一懸臂式(cantilever)的微機(jī)電結(jié)構(gòu)。通過退火，可在鋁合金與非晶形硅之間形成一界面，但是會在鋁擴(kuò)散至非晶形硅時發(fā)生金屬突穿的現(xiàn)象，使半導(dǎo)體裝置發(fā)生短路。請參考出版于西元一九九四年四月十五日的期刊J.Appl.Phys.75(8)，由M.ShahidulHaque，H.A.Naseem與W.D.Brown所著的“Interactionof aluminum with hydrogenated amorphous silicon at lowtemperature”。
為了解決上述的金屬突穿問題，可在鋁的鏡面層上加上一阻障層，以防止鋁金屬的突穿，亦防止鋁金屬與其他界面例如硅發(fā)生反應(yīng)，例如可分別在鋁鏡面層的上下各形成一氧化物的阻障層。但是，在圖形化鋁鏡面層之后，鋁金屬仍會經(jīng)由圖形化的鋁鏡面層的側(cè)壁擴(kuò)散出去而接觸到硅，而發(fā)生側(cè)壁的突穿問題，其會造成鏡面結(jié)構(gòu)的橋接現(xiàn)象。為了應(yīng)付上述鋁硅接觸的問題，更復(fù)雜的鏡面結(jié)構(gòu)硅使用氧化物的間隔物來覆蓋鋁鏡面層的側(cè)壁。然而，氧化物間隔物的制程比較難以控制其蝕刻終止點，而會造成而造成無法接受的鏡面曲率或鏡面耦合。例如，在蝕刻不足的情況下，殘留的氧化物會將原本分離的鏡面結(jié)構(gòu)耦合在一起，而造成鏡面失靈(malfunction)。另外，在過蝕刻的情況下，鋁鏡面層上的上阻障層會受到侵蝕，而會變得比鋁鏡面層下的下阻障層要薄。上阻障層的厚度變異會造成鋁鏡面層上下表面所受的應(yīng)力失衡，而使得鋁鏡面層發(fā)生形變，例如變成弧形(bow)或彎曲(twist)等。上述的變形將惡化鏡面的曲率而使其反射能力受到嚴(yán)重的影響。
對微機(jī)電鏡面結(jié)構(gòu)領(lǐng)域的挑戰(zhàn)，隨著對其提高技術(shù)能力的需求而不斷增加。因此，需要一個嶄新的方法以避免鏡面橋接的現(xiàn)象并改善鏡面的曲率。

發(fā)明內(nèi)容
有鑒于此，本發(fā)明的目的是提供一鏡面制程，通過一鎢保護(hù)層的使用來防止因金屬突穿(metal-spiking)造成鏡面結(jié)構(gòu)的橋接，并改善鏡面結(jié)構(gòu)的曲率。
本發(fā)明的另一目的是提供一鏡面制程，通過使用毯覆性的沉積方法來形成一鎢保護(hù)層，以克服現(xiàn)有技術(shù)中使用氧化物的間隔物所造成的問題。
為達(dá)成上述本發(fā)明之目的，本發(fā)明是提供一鏡面制程，包含提供一基底；形成一鏡面結(jié)構(gòu)(mirror structure)于上述基底上；毯覆性地沉積一保護(hù)層于上述鏡面結(jié)構(gòu)與上述基底上；形成一犧牲層于上述保護(hù)層上；以及同時移除上述犧牲層與上述保護(hù)層。
本發(fā)明所述的鏡面制程，該保護(hù)層包含鎢。
本發(fā)明所述的鏡面制程，該犧牲層包含非晶形硅。
本發(fā)明所述的鏡面制程，移除該犧牲層與該保護(hù)層時是使用二氟化氙蝕刻劑。
本發(fā)明所述的鏡面制程，于形成該鏡面結(jié)構(gòu)之前，更包含形成一可釋層于該基板上，而使該鏡面結(jié)構(gòu)形成于該可釋層上；其中移除該犧牲層與該保護(hù)層時亦同時移除該可釋層，且該可釋層包含非晶形硅。
本發(fā)明所述的鏡面制程，形成該鏡面結(jié)構(gòu)更包含形成第一阻障層于該基底上；形成一反射層于該第一阻障層上；形成第二阻障層于該反射層上；以及圖形化該第二阻障層、該反射層、與該第一阻障層，而形成該鏡面結(jié)構(gòu)。
本發(fā)明所述的鏡面制程，毯覆性地沉積該保護(hù)層時，是于該鏡面結(jié)構(gòu)的側(cè)壁及上表面形成一順應(yīng)性的襯墊。
本發(fā)明所述的鏡面制程，該第一阻障層包含氧化硅、氮化硅、氮化鈦、或上述的組合。
本發(fā)明所述的鏡面制程，該第二阻障層包含氧化硅、氮化硅、氮化鈦、或上述的組合。
本發(fā)明所述的鏡面制程，該反射層包含鋁、鋁合金、鋁-硅-銅、鋁基材料、或上述的組合。
本發(fā)明又提供一鏡面制程，包含形成第一犧牲層于一基底上；形成一鏡面結(jié)構(gòu)于上述第一犧牲層上，其中上述鏡面結(jié)構(gòu)包含介于第一阻障層與第二阻障層之間的一反射層；形成一鎢保護(hù)層于上述鏡面結(jié)構(gòu)與上述第一犧牲層上，其中上述鎢保護(hù)層是毯覆性的沉積層，覆蓋上述鏡面結(jié)構(gòu)的側(cè)壁及上表面；形成第二犧牲層于上述鎢保護(hù)層上；以及同時移除上述第二犧牲層、上述鎢保護(hù)層、與上述第一犧牲層。
本發(fā)明所述鏡面制程，形成于鏡面結(jié)構(gòu)裸露的側(cè)壁上的鎢保護(hù)層可防止金屬突穿入侵鄰近的非晶形硅區(qū)域，以減少因金屬突穿造成鏡面結(jié)構(gòu)的橋接。鎢保護(hù)層的形成是省略傳統(tǒng)的氧化物間隔物制程所必須的回蝕步驟，可原封不動地留下上、下阻障層并維持其厚度的均勻性。因此，本發(fā)明的鏡面制程為一簡單、信賴度高、且為低成本、高生產(chǎn)力的制程。任何包含一反射鏡面或反射鏡面陣列的光反射系統(tǒng)均可通過本發(fā)明使用鎢保護(hù)層的鏡面制程，而改善其鏡面曲率。


圖1為一剖面圖，是顯示本發(fā)明的鏡面制程的步驟；
圖2為一剖面圖，是顯示本發(fā)明的鏡面制程的步驟；圖3為一剖面圖，是顯示本發(fā)明的鏡面制程的步驟；圖4為一剖面圖，是顯示本發(fā)明的鏡面制程的步驟；圖5為一剖面圖，是顯示本發(fā)明的鏡面制程的步驟；圖6為本發(fā)明的鏡面制程的流程圖。
具體實施例方式
為了讓本發(fā)明之上述和其他目的、特征和優(yōu)點能更明顯易懂，下文特舉一較佳實施例，并配合所附圖示，作詳細(xì)說明如下本發(fā)明是提供一鏡面制程，其是使用一鎢保護(hù)層來防止因金屬突穿(metal-spiking)造成鏡面結(jié)構(gòu)的橋接，并改善鏡面結(jié)構(gòu)的曲率。具體而言，本發(fā)明通過使用毯覆性的沉積方法來形成一鎢保護(hù)層，以克服現(xiàn)有技術(shù)中在氧化物間隔物制程中使用異向性的干蝕刻步驟所造成的問題。本發(fā)明的鏡面制程，由于其所制造的鏡面曲率的穩(wěn)定性，是使應(yīng)用微機(jī)電的光學(xué)元件的運作得以具備優(yōu)良可靠度的要素，而可廣泛地應(yīng)用于各種光反射鏡面系統(tǒng)。上述的元件例如光感應(yīng)器(light switch)、光學(xué)調(diào)變器(optical modulator)、光學(xué)衰減器(optical attenuator)、信號衰減器(signal attenuator)、以及其他類似元件。通過本發(fā)明所揭露的方法及材料，可供制造各式各樣的微機(jī)電鏡面元件。
以下是詳細(xì)地敘述本發(fā)明的較佳實施例，并繪示于相關(guān)的圖式中。在以下的圖式與敘述中，相同的符號會盡量代表相同或相近的元件。為了明確地說明或方便使閱讀者了解，圖式中實施例的形狀與厚度等可能有所夸大。以下的敘述著重于具體描述構(gòu)成本發(fā)明的元件、或高度相關(guān)的部分。而必須了解的是未特別繪示或敘述的元件，是具有廣為本領(lǐng)域技術(shù)人員所了解的各種型態(tài)。另外，當(dāng)一薄膜是位于另一薄膜或基底“上”時，是可能位于其上、或是與其之間隔著間隔層。
圖1至圖5為一系列的剖面圖，是顯示本發(fā)明的鏡面制程的不同步驟。
請參考圖1，是提供一基底10，其上依序沉積有一第一犧牲層12、一第一阻障層16、一反射層18、與一第二阻障層20。基底10可以是任何適當(dāng)?shù)幕?，例如可傳遞光線的基底(如玻璃、藍(lán)寶石、或石英)、半導(dǎo)體電路基底(如具有金屬氧化物半導(dǎo)體電路系統(tǒng)的硅基底)、或其他用于半導(dǎo)體制造業(yè)界的各種基底。在一實施例中，一可傳遞光線的基底是用于制造鏡面反射陣列(mirror array)，而后將其連接于具電路系統(tǒng)的半導(dǎo)體基底，以驅(qū)動其鏡面結(jié)構(gòu)。
第一犧牲層12可包含但不限于非晶形硅、含硅材料、或是與待蝕刻材料之間具高度蝕刻選擇比的適當(dāng)材料。在本文中，所謂的“犧牲層”是指形成于制造過程中的二維的微機(jī)械結(jié)構(gòu)，但未存在于最后成品的結(jié)構(gòu)。第一犧牲層12，可視為一可釋層(releasable layer)，在后續(xù)的制程中，于基底10完成并固定一鏡面結(jié)構(gòu)后，會被移除；其亦可視為一支撐層，是在沉積與蝕刻的制程中，用以承載形成于其上的鏡面結(jié)構(gòu)。在一實施例中，第一犧牲層12是使用一等離子增益化學(xué)氣相沉積(plasmaenhanced chemical vapor deposition；PECVD)系統(tǒng)形成的非晶形硅層，使用該系統(tǒng)的好處在于可在低溫(150～300℃)下操作。在另一實施例中，用于形成第一犧牲層12的材料可包含一含硅材料(例如未摻雜的二氧化硅、未摻雜的硅氧化物、摻雜的二氧化硅、或摻雜的硅氧化物)或有機(jī)材料(例如光致抗蝕劑或聚合物)。
第一阻障層16可包含但不限于一透明的介電層、一含氧化物的薄膜、或一含氮化物的薄膜，其形成可選擇各種的沉積方法，包含低壓化學(xué)氣相沉積(low-pressure chemical vapordeposition；LPCVD)、常壓化學(xué)氣相沉積(atmospheric-pressure chemical vapor deposition；APCVD)、等離子增益化學(xué)氣相沉積、物理氣相沉積(physical vapor deposition；PVD)、與未來可能發(fā)展出來的沉積方法。在一實施例中，用于形成第一阻障層16的材料包含氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、氮化鈦、氮化鉭、氮化鎢、或上述的組合。使用第一阻障層16的一項目的在于避免導(dǎo)電材料的擴(kuò)散與突穿穿過界面層，其會在元件與鏡面之間造成無法接受的短路。在本實施例中，第一阻障層16能在反射層18與其下的硅之間的界面，防止因退火所發(fā)生的金屬突穿。第一阻障層的厚度可以為200～500。
反射層18可包含但不限于鋁、鋁合金、鋁-硅-銅、金、或其他適用以物理氣相沉積形成的導(dǎo)電材料。在一實施例中，反射層18為鋁基的導(dǎo)電材料，其厚度為1500～10000。
第二阻障層20可包含但不限于例如一不透明的介電層、一透明的介電層、一含氧化物的薄膜、或一含氮化物的薄膜，其形成可選擇各種的沉積方法，包含低壓化學(xué)氣相沉積、常壓化學(xué)氣相沉積、等離子增益化學(xué)氣相沉積、物理氣相沉積、與未來可能發(fā)展出來的沉積方法。用以形成第二阻障層20的材料可包含例如氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、氮化鈦、氮化鉭、氮化鎢、或上述的組合。使用第二阻障層20的一項目的在于避免導(dǎo)電材料的擴(kuò)散與突穿穿過鄰近的絕緣層，其會在元件與鏡面之間造成無法接受的短路。在本實施例中，第二阻障層20能在反射層18與其下的硅之間的界面，防止因退火所發(fā)生的金屬突穿。第二阻障層20的厚度可以為200～500。在一實施例中，第二阻障層20的厚度大體與第一阻障層16相同。
接下來的步驟包含微影、掩膜、與干蝕刻例如反應(yīng)離子蝕刻(reactive ion etching；RIE)及其他種類的等離子蝕刻步驟，以定義鏡面層積結(jié)構(gòu)，其包含第一阻障層16、反射層18、與第二阻障層20，而如圖2所示，成為個別的鏡面結(jié)構(gòu)14。請注意個別的鏡面結(jié)構(gòu)14為一鏡面反射陣列的一部分。在此步驟中，可將鏡面結(jié)構(gòu)14圖形化成各種形狀。為了簡化，鏡面反射陣列的其他鏡面結(jié)構(gòu)未繪示于圖2?？稍阽R面結(jié)構(gòu)14上沉積一或數(shù)個介電層作為反射性的涂覆層，以提升鏡面結(jié)構(gòu)14的反射能力。在此步驟中，是大體上不影響第一阻障層16與第二阻障層20厚度的均勻性，以使反射層18的上下兩面所受到的應(yīng)力能夠均衡。
在圖3中，于第一犧牲層12與鏡面結(jié)構(gòu)14上，順應(yīng)性地沉積一鎢保護(hù)層22。更詳細(xì)地說，鎢保護(hù)層22是順應(yīng)性地覆蓋鏡面結(jié)構(gòu)14的側(cè)壁與上表面，以防止金屬突穿經(jīng)由反射層18裸露的側(cè)壁入侵鄰近含硅的區(qū)域。鎢保護(hù)層22的毯覆性沉積是使用一適當(dāng)?shù)某练e技術(shù)例如物理氣相沉積、化學(xué)氣相沉積、無電鍍、或電鍍，其厚度為400～6000。本發(fā)明的一關(guān)鍵特征為使用鎢保護(hù)層22覆蓋反射層18裸露的側(cè)壁，以防止因金屬突穿造成鏡面結(jié)構(gòu)的橋接現(xiàn)象；另一關(guān)鍵特征為順應(yīng)性地沉積鎢保護(hù)層22而不對其施加回蝕例如異向性干蝕刻的制程，以避免對第二阻障層20造成傷害，而能維持第一阻障層16與第二阻障層20厚度的均勻性，亦能夠達(dá)成一理想的鏡面曲率。
接下來，請參考圖4，于鎢保護(hù)層22上形成一第二犧牲層24，以在釋出鏡面結(jié)構(gòu)14時，提供一間隔或支持結(jié)構(gòu)(例如鉸鏈結(jié)構(gòu))。第二犧牲層24的厚度為5000～15000，其沉積方法為等離子增益化學(xué)氣相沉積、常壓化學(xué)氣相沉積、或低壓化學(xué)氣相沉積。第二犧牲層24可包含但不限于非晶形硅、含硅材料、或是與待蝕刻材料之間具高度蝕刻選擇比的適當(dāng)材料。第二犧牲層24可與第一犧牲層同時移除以釋出鏡面結(jié)構(gòu)14。在一實施例中，第二犧牲層24是使用一等離子增益化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)所形成的非晶形硅層，使用該系統(tǒng)的好處在于可在低溫(150～300℃)下操作。通過形成鎢保護(hù)層22于反射層18的側(cè)壁上，可減少金屬突穿的現(xiàn)象(例如鋁擴(kuò)散至非晶硅)，而避免鏡面橋接的問題。
在形成支持結(jié)構(gòu)(例如鉸鏈結(jié)構(gòu))，將鏡面結(jié)構(gòu)14固定于基底10上之后，則執(zhí)行一釋出的步驟，以形成一懸梁式的鏡面結(jié)構(gòu)14”，如圖5所示。為了簡化敘述，其支持結(jié)構(gòu)未繪示于圖5中，以免使本發(fā)明的特征不能明顯的說明。一釋出的步驟(releasing process)例如選擇性蝕刻的步驟，是用以移除第一犧牲層12、第二犧牲層24、與鎢保護(hù)層22，使得鏡面結(jié)構(gòu)14”通過于此步驟形成于鏡面結(jié)構(gòu)14”與基底10之間的間隔26，而與基底10分離，且位于基底10的上方。此釋出步驟大體上未傷害鏡面結(jié)構(gòu)14，而大體上原封不動地留下第二阻障層20。如果第一犧牲層12與第二犧牲層24是以相同材料形成時，第一犧牲層12及第二犧牲層24可與鎢保護(hù)層同時移除。如果第一犧牲層12與第二犧牲層24是以不同材料形成時，兩者可連續(xù)使用不同的移除介質(zhì)來移除；當(dāng)然，在蝕刻劑或化學(xué)物質(zhì)的選擇上，是選擇性地移除第一犧牲層12及第二犧牲層24，而不會將鏡面結(jié)構(gòu)14移除。在一較佳實施例中，第一犧牲層12及第二犧牲層24均為非晶形硅，而釋出步驟所使用的蝕刻劑是包含二氟化氙(XeF2)及其他氣態(tài)自發(fā)性的化學(xué)蝕刻劑，以同時選擇性地蝕刻非晶形硅與鎢保護(hù)層22。上述選擇性的蝕刻中，可包含使用額外的氣體例如氮或惰性氣體(氬、氙、氦等)。所形成的懸壁式鏡面結(jié)構(gòu)14”是類似于鏡面結(jié)構(gòu)14，而可以將其整合于具有電極與電路系統(tǒng)的一半導(dǎo)體基底，以形成一光感應(yīng)器元件。
如上所述，本發(fā)明所揭露使用鎢保護(hù)層的鏡面結(jié)構(gòu)制程是具有以下優(yōu)點。形成于鏡面結(jié)構(gòu)裸露的側(cè)壁上的鎢保護(hù)層可防止金屬突穿入侵鄰近的非晶形硅區(qū)域，以減少因金屬突穿造成鏡面結(jié)構(gòu)的橋接。鎢保護(hù)層的形成是省略傳統(tǒng)的氧化物間隔物制程所必須的回蝕步驟，可原封不動地留下上、下阻障層并維持其厚度的均勻性，而可以得到理想的鏡面曲率。另外鎢可與釋出步驟相容，因為非晶形硅與鎢可以使用相同蝕刻劑，例如二氟化氙，而同時移除。因此，本發(fā)明的鏡面制程為一簡單、信賴度高、且為低成本、高生產(chǎn)力的制程。本發(fā)明所揭露的方法與結(jié)構(gòu)不僅僅適用于微機(jī)電的微鏡結(jié)構(gòu)(micro-mirrorstructure)，亦適用于各種非微機(jī)電的元件。任何包含一反射鏡面或反射鏡面陣列的光反射系統(tǒng)均可通過本發(fā)明使用鎢保護(hù)層的鏡面制程，而改善其鏡面曲率。
圖6為本發(fā)明的鏡面制程的流程圖。在步驟301中，是于一基底上沉積第一犧牲層。在步驟303中，是于上述第一犧牲層上形成一鏡面結(jié)構(gòu)，其中上述鏡面結(jié)構(gòu)包含第一阻障層、一反射層、與第二阻障層，然后將上述層積的鏡面結(jié)構(gòu)圖形化，而定義出一個別的鏡面結(jié)構(gòu)。在步驟305中，是沉積順應(yīng)性的一鎢保護(hù)層于上述鏡面結(jié)構(gòu)于上述第一犧牲層上。上述鎢保護(hù)層是覆蓋上述鏡面結(jié)構(gòu)裸露的側(cè)壁，而防止金屬突穿入侵鄰近的含硅區(qū)域。在步驟307中，是沉積第二犧牲層于上述鎢保護(hù)層上。在步驟309中，是同時移除上述第二犧牲層、上述鎢保護(hù)層、與第一犧牲層，以自上述基底釋出上述鏡面結(jié)構(gòu)。
以上所述僅為本發(fā)明較佳實施例，然其并非用以限定本發(fā)明的范圍，任何熟悉本項技術(shù)的人員，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，可在此基礎(chǔ)上做進(jìn)一步的改進(jìn)和變化，因此本發(fā)明的保護(hù)范圍當(dāng)以本申請的權(quán)利要求書所界定的范圍為準(zhǔn)。
附圖中符號的簡單說明如下10基底12第一犧牲層14鏡面結(jié)構(gòu)14”鏡面結(jié)構(gòu)16第一阻障層18反射層20第二阻障層22保護(hù)層24第二犧牲層26間隔301步驟303步驟305步驟307步驟309步驟
權(quán)利要求
1.一種鏡面制程，所述鏡面制程包含提供一基底；形成一鏡面結(jié)構(gòu)于該基底上；毯覆性地沉積一保護(hù)層于該鏡面結(jié)構(gòu)與該基底上；形成一犧牲層于該保護(hù)層上；以及同時移除該犧牲層與該保護(hù)層。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的鏡面制程，其特征在于該保護(hù)層包含鎢。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的鏡面制程，其特征在于該犧牲層包含非晶形硅。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的鏡面制程，其特征在于移除該犧牲層與該保護(hù)層時是使用二氟化氙蝕刻劑。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的鏡面制程，其特征在于于形成該鏡面結(jié)構(gòu)之前，更包含形成一可釋層于該基板上，而使該鏡面結(jié)構(gòu)形成于該可釋層上；其中移除該犧牲層與該保護(hù)層時亦同時移除該可釋層，且該可釋層包含非晶形硅。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的鏡面制程，其特征在于形成該鏡面結(jié)構(gòu)更包含形成第一阻障層于該基底上；形成一反射層于該第一阻障層上；形成第二阻障層于該反射層上；以及圖形化該第二阻障層、該反射層、與該第一阻障層，而形成該鏡面結(jié)構(gòu)。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的鏡面制程，其特征在于毯覆性地沉積該保護(hù)層時，是于該鏡面結(jié)構(gòu)的側(cè)壁及上表面形成一順應(yīng)性的襯墊。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的鏡面制程，其特征在于該第一阻障層包含氧化硅、氮化硅、氮化鈦、或上述的組合。
9.根據(jù)權(quán)利要求6所述的鏡面制程，其特征在于該第二阻障層包含氧化硅、氮化硅、氮化鈦、或上述的組合。
10.根據(jù)權(quán)利要求6所述的鏡面制程，其特征在于該反射層包含鋁、鋁合金、鋁-硅-銅、鋁基材料、或上述的組合。
全文摘要
本發(fā)明揭示一種鏡面制程，其是使用鎢保護(hù)層來防止因金屬突穿造成鏡面結(jié)構(gòu)的橋接，并改善鏡面結(jié)構(gòu)的曲率，其步驟包含在一基底上的第一犧牲層之上，圖形化一鏡面結(jié)構(gòu)；毯覆性地沉積一鎢保護(hù)層，以覆蓋上述鏡面結(jié)構(gòu)的側(cè)壁及上表面；形成第二犧牲層于上述鎢保護(hù)層上；以及使用含二氟化氙的一蝕刻劑施以一釋出的步驟，以同時移除上述第二犧牲層、上述鎢保護(hù)層、與上述第一犧牲層。
文檔編號B81C1/00GK1740088SQ200510093268
公開日2006年3月1日 申請日期2005年8月23日 優(yōu)先權(quán)日2004年8月23日
發(fā)明者王薇雅, 鄭仲原, 吳子揚, 洪嘉隆, 陳斐筠 申請人:臺灣積體電路制造股份有限公司