專利名稱：一維納米結構、其制備方法及一維納米結構作標記的方法
技術領域：
本發(fā)明涉及一種納米材料、一種納米材料的制備方法及應用該納米材料用作標記 的方法，尤其涉及一種一維納米結構及其制備方法，以及應用該一維納米結構用作標記的 方法。
背景技術：
同位素標示方法是研究材料生長機理的有力工具，因此，同位素標記的納米材料 可以研究該納米材料的生長機理，該同位素標記的納米材料是利用在納米材料的合成過程 中，將含有某一特定元素(一般是輕元素，如碳、硼、氮或氧)的同位素的反應物按照預定的 濃度(以純物質或混合物的形式)和順序使其參與反應，從而制備出原位生長的該同位素 標示的納米材料。范守善等人于2006年4月18日公告的，公告號為US 7，029，751B2，標題為 "Isotope-doped carbon nanotube and method and apparatus for forming thesame“ 的專利揭示了一種摻有同位素的碳納米管及其制備方法。該摻有同位素的碳納米管包括由 單一同位素組成的第一碳納米管片段和第二碳納米管片段，該第一碳納米管片段和第二碳 納米管片段沿碳納米管的縱向交替排列。該摻有同位素的碳納米管的制備方法包括如下 步驟提供含有單一同位素的第一碳源氣和第二碳源氣；提供其上沉積有催化劑的基底， 并將該基底置入反應室中；將該反應室抽成真空，通入預定壓力的保護性氣體；在650 7500C的反應條件下，使第一碳源氣體發(fā)生反應并使反應生成的第一碳納米管片段沉積于 該基底上；反應預定時間后，將碳源切換至第二碳源氣上，在650 750°C的反應條件下，使 第二碳源氣體發(fā)生反應，生成的第二碳納米管片段生長于第一碳納米管片段之上，從而得 到摻有同位素的碳納米管。然而，上述發(fā)明中提供的碳納米管的每個片段都是由單一的同位素組成，因此可 構成不同標識的碳納米管的種類有限，從而使得使用該碳納米管用于標記的物質的種類有 限，限制了可以標記的物質的范圍。

發(fā)明內容
有鑒于此，確有必要提供一種具有較多類型的一維納米結構及其制備方法，以及 應用該一維納米結構用作標記的方法。一種一維納米結構，該一維納米結構包含一種元素的至少兩種同位素，該一維納 米結構由一維納米結構片段組成，其中，至少一個一維納米結構片段包括所述元素的至少 兩種同位素，且該元素的至少兩種同位素按一定的質量比均勻混合?！N一維納米結構的制備方法，包括以下步驟提供反應源，該反應源包括兩種以 上的單一同位素；提供一基底，并將該基底置入一反應室；以及利用化學氣相沉積法，將所 述反應源中的至少兩種以上的同一同位素于所述反應室中同時發(fā)生反應，于基底上生長至 少一一維納米結構片段。
一種使用一維納米結構用作標記的方法，包括以下步驟提供多種已知拉曼峰值 的一維納米結構，每一種一維納米結構為上述的一維納米結構；提供多種已知的待標記物， 在該每個待標記物內植入所述一維納米結構；采用拉曼光譜儀檢測所述植入有一維納米結 構的待標記物中的一維納米結構的拉曼峰值；以及根據(jù)檢測到的一維納米結構的拉曼峰 值，識別所述待標記物的類型。與現(xiàn)有技術相比較，本發(fā)明提供的一維納米結構中的至少一個一維納米結構片段 包括一元素的至少兩種同位素，該元素的至少兩種同位素按一定的質量比均勻混合；由于 同位素的種類不同或各同位素的質量比不同，所述的一維納米結構也不同，因此本發(fā)明可 以提供更多種類的一維納米結構；本發(fā)明提供的一維納米結構的制備方法可以制備出多種 一維納米結構。故，使用本發(fā)明提供的一維納米結構可以用于標記更多不同的種類的物質， 擴大了可以標記的物質的范圍。


圖1是本發(fā)明第一實施例提供的碳納米管的示意圖。圖2是本發(fā)明提供的制備第一實施例的碳納米管所采用的碳納米管制備裝置示 意圖。圖3是本發(fā)明第二實施例提供的碳納米管的示意圖。圖4是本發(fā)明第三實施例提供的碳納米管的示意圖。圖5是本發(fā)明提供的使用碳納米管用作標記的方法流程圖。主要元件符號說明碳納米管10; 20; 30碳納米管制備裝置100碳源氣輸入管道102; 103; 104反應爐106閥門112; 113; 114排氣通道116保護氣體輸入通道118基底132催化劑134第一碳納米管片段210 ；310第二碳納米管片段220 ；320第三碳納米管片段230 ；330
具體實施例方式下面將結合附圖及具體實施例，對本發(fā)明提供的一維納米結構、其制備方法及使 用該一維納米結構用作標記的方法作進一步的詳細說明。本發(fā)明提供一種一維納米結構，該一維納米結構包含一種元素的至少兩種同位 素，該一維納米結構由一維納米結構片段組成，其中，至少一個一維納米結構片段包括所述 元素的至少兩種同位素，且該元素的至少兩種同位素按一定質量比均勻混合。
當所述一維納米結構由一個一維納米結構片段組成時，該一維納米結構包含一種 元素的至少兩種同位素，且該元素的至少兩種同位素按一定的質量比均勻混合。所謂混合 是指所述元素的至少兩種同位素相互分散而達到均勻的狀態(tài)。當所述一維納米結構由多個一維納米結構片段組成時，該一維納米結構中相鄰的 兩個一維納米結構片段的組成不同。所述一維納米結構片段中的組成不同，那么所述一維 納米結構片段就不同。所述組成不同具體是指組成相鄰的兩個一維納米結構片段的所述 元素的同位素不同，其中，該元素的同位素的質量比可以相同，也可以不相同；或組成相鄰 的兩個一維納米結構片段的所述元素的同位素相同，但該元素的各同位素的質量比不同。所述一維納米結構為納米線或納米管。所述納米線可以為碳納米線、氮化物納米 線、氧化物納米線等納米線狀結構。所述納米管可以為碳納米管、氮化物納米管、氧化物納 米管等納米管狀結構。其中，所述氮化物納米管可以為氮化硼納米管。所述氮化物納米線 可以為氮化鎵納米線、氮化鋁納米線或氮化硅納米線等。所述氧化物納米管可以為氧化鈦 納米管、氧化鐵納米管或氧化釩納米管等。所述氧化物納米線可以為氧化鋅納米線、氧化鈷 納米線、氧化硅納米線、氧化錫納米線或氧化鐵納米線等。所述一維納米結構中的元素包括 輕元素，該輕元素可以為碳元素、硼元素、氮元素或氧元素等。通過控制一維納米結構中的 輕元素的同位素的質量比，就可以得到所述一維納米結構。如，通過控制碳元素的同位素的 質量比，可以得到所述碳納米管。所述氮化硼納米管可以通過控制硼元素的同位素的質量 比或氮元素的同位素的質量比得到。所述氮化鎵納米線可以通過控制氮元素的同位素的質 量比得到。所述氧化鋅納米線可以通過控制氧元素的同位素的質量比得到。下面以碳納米管為例，進一步闡述本發(fā)明。請參閱圖1，本發(fā)明第一實施例提供一碳納米管10，該碳納米管10由一個碳納米 管片段組成，該碳納米管片段由碳元素的至少兩種同位素組成，且該碳元素的至少兩種同 位素按一定的質量比均勻混合。所述碳元素的至少兩種同位素的質量比可以根據(jù)實際需 要而確定。所述碳納米管10的長度不限，根據(jù)需要確定，優(yōu)選地，該碳納米管10的長度為 10 1000微米。所述碳元素的同位素包括12C、"C*14C。本實施例中，所述碳納米管10由 乂？義及噸組成，且義？義及噸的質量比為？.〗6.5 5. 6;該碳納米管10的長度為 10 50微米，直徑為0. 5 50納米。本發(fā)明提供一種利用化學氣相沉積法制備上述碳納米管10的方法，該制備方法 包括以下步驟(sll)提供一碳納米管制備裝置100以及一碳源氣，該碳源氣包含有三種 碳元素的同位素；(sU)提供一沉積有催化劑134的基底132，并將該基底132置入碳納米 管制備裝置100中；(si:3)利用化學氣相沉積法，將所述碳源氣按照三種同位素預定的質 量比同時通入所述碳納米管制備裝置110中并發(fā)生反應，從而得到摻有同位素的碳納米管 10(圖未示)。在所述步驟(sll)中，如圖2所示，碳納米管制備裝置100包括一反應室110、一 用于加熱該反應室110的反應爐106、一保護氣體輸入通道118、三個碳源氣輸入通道102、 103、104、以及一排氣通道116。所述碳源氣輸入通道到102有一閥門112，所述碳源氣輸入 通道到103有一閥門113，所述碳源氣輸入通道到104有一閥門114。所述碳源氣為三種單 獨的乙烯氣體，該三種乙烯氣體分別由單一的12(、％和wC組成。在所述步驟(sl2)中，所述催化劑134是厚度為5nm的鐵膜。該鐵膜可以通過沉積法、濺射法或蒸鍍法等方法形成于所述基底132上。在所述步驟(sl3)中，首先，通過排氣通道116將反應室110抽真空后，通過保護 氣體輸入通道118通入壓強為1個大氣壓的氬氣，同時通過反應爐106加熱反應室110至 其溫度達700°C ；其次，同時打開閥門112、113及114，通過碳源氣輸入通道102向反應室 110內通入流量為120sCCm(標準狀態(tài)下，每分鐘每立方厘米)由1V組成的乙烯氣體；通過 碳源氣輸入通道103向反應室110內通入流量為lOOsccm，由13C組成的乙烯氣體；通過碳 源氣輸入通道104向反應室110內通入流量為SOsccm由14C組成的乙烯氣體；反應生成碳 納米管10，該碳納米管10沉積于該催化劑134上；該碳納米管10的由12C、13C及14C組成。可以理解，所述碳源氣也可以為由12(、％和14C組成的乙烯混合氣體；且該乙烯混 合氣體中的12(^義和14(的質量比為7.2 6.5 5.6。然后，通過上述碳源氣輸入通道將 該乙烯混合氣體通入所述反應室110進行反應，從而得到所述碳納米管10?？梢岳斫?，本制備方法中的催化劑134可以用鈷、鎳或其它合適的催化劑代替鐵； 也可用其它含有單一碳元素同位素的碳氫化合物，如甲烷、乙炔、丙二烯等代替乙烯作為碳 源氣使用，也可以采用氦氣、氮氣或者是氫氣等代替氬氣作為保護氣使用。請參閱圖3，本發(fā)明第二實施例提供一種碳納米管20。該碳納米管20包括一第一 碳納米管片段210、一生成于該第一碳納米管片段210上的第二碳納米管片段220及一生長 于該第二碳納米管片段220上的第三碳納米管片段230 ；即，該第二碳納米管片段220位于 所述第一碳納米管片段210及第三碳納米管片段230之間。所述第一碳納米管片段210由 1V及mC的組成，且1V及mC的質量比為8 7。所述第二碳納米管片段220由12(、義和 wC組成，且12C^C和wC的質量比為8 8 7。所述第三碳納米管片段230由單一的1V 組成。所述碳納米管20的長度為30 50微米?？梢岳斫?，所述碳納米管20不僅可以只包括上述三個碳納米管片段，還可以包括 其他組成的碳納米管片段。而且各個片段的成分不限于此，質量比也不限于此，如所述第二 碳納米管片段220也可以由1義和wC的組成，但1義和mC的質量比為8 7。本發(fā)明還提供一種制備上述碳納米管20的方法，該制備方法包括以下步驟 (s21)提供一碳納米管制備裝置100以及三種碳源氣，該三種碳源氣均包含有單一同位素； (s22)提供一沉積有催化劑134的基底132，并將該基底132置入碳納米管制備裝置100中； 以及(s2!3)通過多次改變同時通入所述碳納米管制備裝置100中的碳源氣的組成，利用化 學氣相沉積法，依次反應預定時間后，從而得到摻有同位素的碳納米管20 (圖未示)，該碳 納米管20包括多個碳納米管片段。該制備方法與第一實施例的碳納米管10的第一種制備 方法基本相同，不同之處在于步驟(s23)不同。請參閱圖2，所述步驟(s21)及(s22)與制備碳納米管10的方法中的步驟(sll) 及(sl2)相同。所述步驟(s2!3)具體包括以下步驟首先，通過排氣通道116將反應室110抽真空后，通過保護氣體輸入通道118通入 壓強為1個大氣壓的氬氣，同時通過反應爐106加熱反應室110至其溫度達700°C。其次，同時打開閥門112及114，通過碳源氣輸入通道102向反應室110內通入流 量為120sCCm由1V組成的乙烯氣體；通過碳源氣輸入通道104向反應室110內通入流量為 90sccm由mC組成的乙烯氣體；反應生成第一碳納米管片段210 (圖未示)，該第一碳納米管片段210沉積于所述催化劑134上；該第一碳納米管片段210由12C及14C組成。再次，反應預定時間后，輸入到反應室110內的由義和噸組成的乙烯氣體的流量 保持不變，并打開閥門113，通過碳源氣輸入通道103向反應室110內通入流量為llOsccm 由13C組成的乙烯氣體，反應生成第二碳納米管片段220 (圖未示)，該第二碳納米管片段 220生長于所述第一碳納米管片段210上；該第二碳納米管片段220由12C^C和14C組成。然后，反應預定時間后，同時關閉閥門113及114，閥門112依然打開，氣體輸入 通道102內的由t組成的乙烯氣體繼續(xù)通入反應室110內；反應生成第三碳納米管片段 230 (圖未示)，該第三碳納米管片段230生長于所述第二碳納米管片段220上；該第三碳納 米管片段230由1V組成。最后，繼續(xù)反應預定時間后，將反應室110冷卻至室溫，在催化劑134上得到摻有 同位素的碳納米管20。所述碳納米管30也可以通過先將上述三種碳源氣中碳元素的同位素分別按照1V 及1 的質量比為8 7，12(、％和噸的質量比為8 8 7，以及單一的1V進行混合，得 到三種碳源氣混合氣體；然后再將該三種碳源氣混合氣體按照需要的順序依次通入所述碳 納米管制備裝置100中進行反應的方法來制備。請參閱圖4，本發(fā)明第三實施例提供一碳納米管30，該碳納米管片段30包括一第 一碳納米管片段310、一第二碳納米管片段320以及一第三碳納米管片段330，所述第二碳 納米管片段320設置于所述第一碳納米管片段310及第三碳納米管片段330之間。所述第 一碳納米管片段310由12C^C和mC組成，且12C^C及mC的質量比為14 14 13。所述 第二碳納米管片段320由12(、義和1\組成，且12(、13(及1\的質量比為7.2 6.5 5.6。 所述第三碳納米管片段330由12(、％和1\組成，且12(、％及1\的質量比為5.5 6.5 7。 所述碳納米管30的長度為50 100微米。可以理解，所述碳納米管30不僅可以只包括上述三個碳納米管片段，還可以包括 其他組成的碳納米管片段；而且各個片段的成分不限于此，質量比也不限于此，如；所述碳 納米管30還可以包括一生長于所述第三碳納米管片段330上的第四碳納米管片段，即所述 第三碳納米管片段330生長于所述第二碳納米管片段320及第四碳納米管片段之間；所述 第四碳納米管片段340由1V和wC組成，且義及mC的質量比為1 1?？梢岳斫?，本發(fā)明提供的碳納米管30也可以采用制備碳納米管20的方法制備， 通過多次改變通入所述反應室110中的碳源氣中的同位素的質量比，使所述碳源氣發(fā)生反 應，來制備該碳納米管30 ；具體地，可以通過控制通入反應室110中的碳源氣的流量來改變 通入所述反應室110中的碳源氣中的同位素的質量比。另外，也可以利用化學氣相沉積法來制備其它的一維納米結構，如，氮化物納米 線、氮化物納米線、氧化物納米線或氧化物納米管等。這些一維納米結構的制備方法，可以 包括以下步驟提供反應源，該反應源包括兩種以上的單一同位素；提供一基底，并將該基 底置入一反應室；以及利用化學氣相沉積法，將所述反應源中的至少兩種以上的同一同位 素于所述反應室中同時發(fā)生反應，于基底上生長至少一一維納米結構片段。其中，只要控制參加反應的輕元素的同位素的質量比，就可以得到所述一維納米 結構。所述反應源所包括的物質的種類根據(jù)所述一維納米結構來決定。如，制備氮化鎵納 米線的反應源就包括氮源氣和鎵源。具體地，當所述一維納米結構為氮化鎵納米線，該氮化鎵納米線為一個氮化鎵納米線片段，且包括兩種氮元素的同位素時，通過控制通入所述反 應室中的氮源氣中氮元素的兩種同位素的質量比，在催化劑的作用下，使該氮源氣中的兩 種同位素同時與鎵源反應，從而生成所述氮化鎵納米線。所述氮源氣可以為氨氣、氮氣等。 所述鎵源可以為氧化鎵等鎵的化合物。同理，通過控制通入所述反應室中的氮源氣中氮元素的同位素的組成，在催化劑 的作用下，使該氮源氣中的兩種同位素同時與硼源反應，就可以生成所述氮化硼納米管。通 過控制通入所述反應室中的氧源氣中氧元素的同位素的組成，使該氧源氣中的兩種同位素 同時與鋅源反應，就可以生成所述氧化鋅納米線。請參閱圖5，本發(fā)明還提供一種采用一維納米結構用作標記的方法，該方法包括以 下步驟提供多種已知拉曼峰值的一維納米結構，每一種一維納米結構包含一種元素的至 少兩種同位素，該一維納米結構由一維納米結構片段組成，至少一個一維納米結構片段包 括所述元素的至少兩種同位素，且該元素的至少兩種同位素按一定的質量比均勻混合；提 供多種已知的待標記物，在該每個待標記物內植入所述一維納米結構；采用拉曼光譜儀檢 測所述植入有一維納米結構的待標記物中的一維納米結構的拉曼峰值；以及根據(jù)檢測到的 一維納米結構的拉曼峰值，識別所述待標記物的類型。其中，所述待標記物含有活性基團；該活性基團為羥基(-0H)、羧基(-C00H)、氨基 (-順2或-順-)、?；?-C0-)或硝基(-NO2)。具體地，所述待標記物可以為DNA、蛋白質、葡 萄糖、葡萄糖酸、淀粉、生物酶、山梨醇或有機胺等含有活性基團的物質。請一并參閱圖1，圖3及圖4，本實施例提供一種檢測葡萄糖酸、葡萄糖、山梨醇的 方法，具體包括以下步驟(1)提供第一實施例的碳納米管10，第二實施例的碳納米管20及第三實施例的碳 納米管30 ；其中，碳納米管10的拉曼峰值為Li，碳納米管20的拉曼峰值為L2，碳納米管30 的拉曼峰值為L3。(2)提供三個已知待標記物葡萄糖酸、葡萄糖、山梨醇，把碳納米管10植入待標記 物葡萄糖酸中，碳納米管20植入待標記物葡萄糖中，碳納米管30植入待標記物山梨醇中， 其中，碳納米管10、20、30并不影響待標記物的特性。(3)采用拉曼光譜儀對含有植入碳納米管的葡萄糖酸、葡萄糖、山梨醇進行檢測， 得到碳納米管的拉曼峰值；檢測到的拉曼峰值為L1、L2、L3。(4)根據(jù)檢測到的碳納米管的拉曼峰值，識別所述葡萄糖酸、葡萄糖、山梨醇。具體地，碳納米管不同，所得的拉曼峰值也不同；碳納米管相同，所得到的拉曼峰 值也相同；拉曼峰值為Ll的碳納米管為碳納米管10，由步驟(2)可知，碳納米管10植入葡 萄糖中，因此，步驟(3)中檢測到的拉曼峰值為Ll的待標記物為葡萄糖酸。同理，步驟(5) 中檢測到的拉曼峰值為L2的待標記物為葡萄糖；拉曼峰值為L3的待標記物為山梨醇。通過上述的標記方法，可以研究所述待標記物葡萄糖酸、葡萄糖、山梨醇在同一環(huán) 境中的變化狀態(tài)，有利于科學研究?？梢岳斫猓鲜鲇米鳂擞浀奶技{米管不限于上述碳納米管10、20、30 ；本發(fā)明提供 的標記待標記物的方法可以同時標記兩種或兩種以上物質，只要是能提供多少種碳納米管 即能標記多少種待標記物。上述標記待標記物的方法也可以應用到其他領域中，如藥品。本發(fā)明實施例提供的一維納米結構中的至少一個一維納米結構片段包括一元素的至少兩種同位素，該元素的至少兩種同位素按一定的質量比均勻混合；由于同位素的種 類不同或各同位素的質量比不同，所述的一維納米結構也不同，因此，本發(fā)明實施例可以提 供更多種類的一維納米結構；本發(fā)明實施例提供的一維納米結構的制備方法也可以制備出 多種的一維納米結構。故，使用本發(fā)明實施例提供的一維納米結構可以同時標記更多種類 的物質，不但擴大了可以標記的物質的范圍；而且有利于研究待標記物的性能，以及該多種 待標記物在同一環(huán)境下的狀態(tài)變化。 另外，本領域技術人員還可以在本發(fā)明精神內做其他變化，這些依據(jù)本發(fā)明精神 所做的變化，都應包含在本發(fā)明所要求保護的范圍內。
權利要求
1.一種一維納米結構，該一維納米結構包含一種元素的至少兩種同位素，該一維納米 結構由一維納米結構片段組成，其特征在于，至少一個一維納米結構片段包括所述元素的 至少兩種同位素，且該元素的至少兩種同位素按一定的質量比均勻混合。
2.如權利要求1所述的一維納米結構，其特征在于，所述一維納米結構由至少兩個一 維納米結構片段組成，且相鄰的兩個一維納米結構片段的組成不同。
3.如權利要求2所述的一維納米結構，其特征在于，所述相鄰的兩個一維納米結構片 段中的所述元素的同位素不同。
4.如權利要求2所述的一維納米結構，其特征在于，所述相鄰的兩個一維納米結構片 段中的所述元素的同位素相同，該元素的同位素的質量比不同。
5.如權利要求1至4中任一項所述的一維納米結構，其特征在于，所述一維納米結構為 碳納米管、碳納米線、氮化物納米管、氮化物納米線、氧化物納米管或氧化物納米線。
6.如權利要求1至4中任一項所述的一維納米結構，其特征在于，所述元素為碳、硼、氮 或氧。
7.—種一維納米結構的制備方法，包括以下步驟提供反應源，該反應源包括兩種以上的單一同位素；提供一基底，并將該基底置入一反應室；以及利用化學氣相沉積法，將所述反應源中的至少兩種以上的同一同位素于所述反應室中 同時發(fā)生反應，于基底上生長至少一一維納米結構片段。
8.如權利要求7所述的一維納米結構的制備方法，其特征在于，所述利用化學氣相沉 積法得到摻有同位素的碳納米管的步驟為通過多次改變同時置于所述反應室中的反應源 的組成，依次反應預定時間后，得到一生長于所述基底的摻有同位素的一維納米結構，該一 維納米結構包括多個一維納米結構片段。
9.如權利要求8所述的一維納米結構的制備方法，其特征在于，所述改變同時置于所 述反應室中的反應源的組成的方法為改變置于所述反應室中的反應源的種類。
10.如權利要求7所述的一維納米結構的制備方法，其特征在于，所述改變同時置于所 述反應室中的反應源的組成的方法為改變置于所述反應室中的反應源中的同位素的質量 比。
11.如權利要求7所述的一維納米結構的制備方法，其特征在于，所述一維納米結構為 碳納米管；所述反應源為碳源氣，該碳源氣包括兩種以上的單一碳元素的同位素；所述基 底上沉積有催化劑。
12.一種使用一維納米結構用作標記的方法，包括以下步驟提供多種已知拉曼峰值的一維納米結構，每一種一維納米結構為如權利要求1-6所述 的一維納米結構；提供多種已知的待標記物，在該每個待標記物內植入所述一維納米結構；采用拉曼光譜儀檢測所述植入有一維納米結構的待標記物中的一維納米結構的拉曼 峰值；以及根據(jù)檢測到的一維納米結構的拉曼峰值，識別所述待標記物的類型。
13.如權利要求12所述的使用一維納米結構用作標記的方法，其特征在于，所述待標 記物含有活性基團。
14.如權利要求13所述的使用一維納米結構用作標記的方法，其特征在于，所述活性 基團為羥基、羧基、氨基、?；蛳趸?。
15.如權利要求12所述的使用一維納米結構用作標記的方法，其特征在于，所述待標 記物為DNA、蛋白質、葡萄糖、葡萄糖酸、淀粉、生物酶、山梨醇或有機胺。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種一維納米結構，該一維納米結構包含一種元素的至少兩種同位素，該一維納米結構由一維納米結構片段組成，其中，至少一個一維納米結構片段包括所述元素的至少兩種同位素，且該元素的至少兩種同位素按一定的質量比均勻混合。本發(fā)明還提供一種一維納米結構的制備方法以及采用上述一維納米結構用作標記的方法。
文檔編號B82B3/00GK102115026SQ20091023966
公開日2011年7月6日 申請日期2009年12月31日 優(yōu)先權日2009年12月31日
發(fā)明者劉亮, 姜開利, 范守善 申請人:清華大學, 鴻富錦精密工業(yè)(深圳)有限公司